宿州碳化硅器件项目招商引资方案(模板范本).docx
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《宿州碳化硅器件项目招商引资方案(模板范本).docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《宿州碳化硅器件项目招商引资方案(模板范本).docx(126页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案宿州碳化硅器件项目宿州碳化硅器件项目招商引资方案招商引资方案xxxx(集团)有限公司(集团)有限公司泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案目录目录第一章第一章 项目背景、必要性项目背景、必要性.8一、直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC 将加速替代.8二、SiC 材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局.9三、,加快建设具有竞争力的现代产业体系.9第二章第二章 行业发展分析行业发展分析.12一、衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高.12二、射频:5G 推动 GaN-on-SiC 需求提升.14第三章第三章 总论总论.16一、项目名称及投资人.1
2、6二、编制原则.16三、编制依据.17四、编制范围及内容.17五、项目建设背景.18六、结论分析.19主要经济指标一览表.20第四章第四章 建筑工程方案建筑工程方案.23一、项目工程设计总体要求.23二、建设方案.24三、建筑工程建设指标.25建筑工程投资一览表.25泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案第五章第五章 项目选址项目选址.27一、项目选址原则.27二、建设区基本情况.27三、大力拓展投资空间.32四、项目选址综合评价.32第六章第六章 运营管理运营管理.34一、公司经营宗旨.34二、公司的目标、主要职责.34三、各部门职责及权限.35四、财务会计制度.38第七章第七章 SWOT
3、 分析分析.44一、优势分析(S).44二、劣势分析(W).46三、机会分析(O).46四、威胁分析(T).47第八章第八章 法人治理结构法人治理结构.53一、股东权利及义务.53二、董事.57三、高级管理人员.63四、监事.65第九章第九章 劳动安全评价劳动安全评价.67泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案一、编制依据.67二、防范措施.70三、预期效果评价.75第十章第十章 组织机构及人力资源组织机构及人力资源.76一、人力资源配置.76劳动定员一览表.76二、员工技能培训.76第十一章第十一章 进度计划方案进度计划方案.79一、项目进度安排.79项目实施进度计划一览表.79二、项目实
4、施保障措施.80第十二章第十二章 原材料及成品管理原材料及成品管理.81一、项目建设期原辅材料供应情况.81二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.81第十三章第十三章 投资计划投资计划.83一、投资估算的编制说明.83二、建设投资估算.83建设投资估算表.85三、建设期利息.85建设期利息估算表.86四、流动资金.87流动资金估算表.87泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案五、项目总投资.88总投资及构成一览表.88六、资金筹措与投资计划.89项目投资计划与资金筹措一览表.90第十四章第十四章 经济效益经济效益.92一、经济评价财务测算.92营业收入、税金及附加和增值税估算表.92综合总成
5、本费用估算表.93固定资产折旧费估算表.94无形资产和其他资产摊销估算表.95利润及利润分配表.97二、项目盈利能力分析.97项目投资现金流量表.99三、偿债能力分析.100借款还本付息计划表.101第十五章第十五章 招投标方案招投标方案.103一、项目招标依据.103二、项目招标范围.103三、招标要求.104四、招标组织方式.106五、招标信息发布.108第十六章第十六章 风险评估分析风险评估分析.109泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案一、项目风险分析.109二、项目风险对策.111第十七章第十七章 总结说明总结说明.114第十八章第十八章 附表附录附表附录.115主要经济指标一览
6、表.115建设投资估算表.116建设期利息估算表.117固定资产投资估算表.118流动资金估算表.119总投资及构成一览表.120项目投资计划与资金筹措一览表.121营业收入、税金及附加和增值税估算表.122综合总成本费用估算表.122利润及利润分配表.123项目投资现金流量表.124借款还本付息计划表.126本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案第
7、一章第一章 项目背景、必要性项目背景、必要性一、直流充电桩:大功率充电占比提升,直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC 将加速替代将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛,SiC 协力实现高效快充。政策方面,2020 年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020 年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个 150kW 的直流充电器可以在大约 15 分钟内为电动汽车增加 200 公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提升。Yole 预计 2020-2025 年,全球
8、200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过 30%的 CAGR 增长,高于平均的 15.6%。SiC 器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中 AD-DCPFC、DC-DC 以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET 可简化直流充电桩 AC/DC 及 DC/DC 电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在 DC/DC 中,使用 4 颗1200VSiCMOSFET 替代 8 颗 650V 硅基 MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥 LLC 电路简化为单相全桥 LLC 电路,所用器件数量减少50%,提升
9、电路整体效率。同样在 AC/DC 中,使用 SiCMOSFET 可将三相Vienna 整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少 50%实现效率泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案提升。同时,SiCMOSFET 的整体损耗也更小。综上,SiC 方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC 二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz 下,采用 SiC 二极管替代 Si 二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多 80%输出功率的提升。二、SiC 材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局材料:产业链核心环节,国内外
10、厂商积极布局相比于 Si,SiC 衬底和外延为制造产业链核心环节,合计价值量占比超 60%。在传统硅基器件制造过程中,需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤,从而产生更高附加值。SiC 材料则仅用于分立器件制造,其前端工艺难度不大,而衬底和外延需在高温、高压环境中生成,生长速度缓慢,为关键技术难点,占据产业链主要价值量。据 CASAResearch 数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理附加价值量达到 80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,衬底和外延占比分别为 50%和25%,合计达到 75%,为产业链中价值量最高环节。此外,衬底和外
11、延质量对器件性能优劣起至关重要作用,提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。三、,加快建设具有竞争力的现代产业体系,加快建设具有竞争力的现代产业体系泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案深入推进“实体宿州+数字宿州”发展战略,一手抓传统产业转型升级,一手抓新兴产业发展壮大,以振兴实体经济为着力点,强化数字经济赋能,打造具有核心竞争力的“5+5+N”现代化制造业集群和长三角区域数字经济基地。(一)提升产业链供应链现代化水平实施优势产业补链强链固链工程,建立健全产业链供应链优化升级推进体系,实施产业集群“群长制”、产业链供应链“链长制”、产业联盟“盟长制”,完善产业布局。健全重点产业链链长直接联
12、系龙头企业专项帮办制度,坚决打好产业基础高级化和产业链现代化攻坚战。依托高新区云计算、经开区生物医药、宿马园区智能终端、鞋城轻纺鞋服等产业集群,实施产业共性技术攻关,提高优势产业集群在产业链价值链关键环节的竞争力。设立政府产业引导基金,强化要素支撑,推动人才、技术、资本、土地等资源要素向重要链条集聚。提升省市战略性新兴产业重大基地、重大工程和重大专项建设水平,打造一批产业配套完备、创新优势突出、区域特色明显、规模效益显著的专业园区、孵化器、加速器,打造产业链供应链标志性集聚基地。积极承接发达地区新兴产业转移布局,发展先进适用技术。培育一批 500 亿元产业链、30 个“群主”“链长”企业、10
13、0 个“小巨人”企业。泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案(二)加快传统优势产业转型升级深入实施智能制造、绿色制造、服务型制造和工业基础能力工程,鼓励企业采用新标准、新技术、新设备、新工艺、新材料,打造“制造大脑”。大力实施重点技改“1525”行动计划,重点聚焦绿色食品、轻纺鞋服、家居建材、机械电子、煤电化工等五大传统优势领域,推动传统产业数字化、网络化、智能化,加快产业优化升级。振兴发展符离集烧鸡产业,进一步修订完善符离集烧鸡产业总体规划,加快建设中国符离集烧鸡基地。五大领域各产业规模均达 500 亿元。(三)发展战略性新兴产业和未来产业立足我市产业基础,统筹推进“三重一创”建设,重点发
14、展数字产业、高端装备、生物医药、新材料、智能制造五大新兴产业,构建战略性新兴产业梯次推进格局。坚持以新业态激发新动能、以新动能推进新经济,谋划布局量子通讯设备(装备)、虚拟(增强)现实、区块链、石墨烯、靶向药物等 N 个未来产业,打造新的产业集聚核心。鼓励企业技术创新,提升核心竞争力,防止低水平重复建设,构建各具特色、优势互补、结构合理的战略性新兴产业发展格局。泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案第二章第二章 行业发展分析行业发展分析一、衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。
15、据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021 年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经 GaN 外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率 1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经 SiC 外延生长可进一步制成 SiC 二极管、SiCMOSFET 等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在 PVT 法下,相较半绝缘型衬底其生产难度更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅
16、衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数,可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产 4 英寸和 6 英寸碳化硅衬泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿,各厂商都在致力于未来降低微管密度,部分龙头碳化硅企业如 II-VI 可将 4-6 寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2
17、 以下,国内厂商的产品微管密度基本在 0.5-5cm-2,存在差距。同时,国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟,预计国产碳化硅产品种类不断丰富,产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产,但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段,海内外厂商均加速扩产,但应避免重复建设的问题,造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐,投资金额超 240 亿元、规划年产能超 420 万片。中国企业呈现小而散的局面,综合 Yole等第三方机构数据,
18、2020 年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为 8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动,我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐,积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计,截至 21 年底国内厂商对衬底环节的投资超过 240 亿元,规划产能超过 420 万片/年(等效 6 寸),对比 CASA 的泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案数据,2020 年底国内衬底产能仅为 25.8 万片/年(等效 6 寸)。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力,且以 4 寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产,但受衬底良率及质量等因素影
19、响,实际产能或严重不足。二、射频:射频:5G 推动推动 GaN-on-SiC 需求提升需求提升5G 发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长,市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数,5G 通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势,在功率放大器上的应用可满足5G 通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前 5G 新建基站仍使用LDMOS 功率放大器,但随 5G 技术进一步发展,MIMO 基站建立需使用氮化镓功率放大器,氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续
20、提升。据 Yole 和 Wolfspeed 预测,2024 年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破 20 亿美元,2027 年进一步增长至 35 亿美元。根据预测,受益 5G 通讯快速发展,通讯频段向高频迁移,基站和通信设备需要支持高频性能的 PA,碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基 LDMOS 和 GaAs 的优势将逐步凸显,2020 年全球碳化硅射频器件市场规模为 8.92 亿美元,泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案预计到 2025 年将增长至 21.21 亿美元,对应 CAGR 为 18.9%,和 Yole和 Wolfspeed 预测基本一致。泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案第三
21、章第三章 总论总论一、项目名称及投资人项目名称及投资人(一)项目名称(一)项目名称宿州碳化硅器件项目(二)项目投资人(二)项目投资人xx(集团)有限公司(三)建设地点(三)建设地点本期项目选址位于 xxx(以选址意见书为准)。二、编制原则编制原则1、坚持科学发展观,采用科学规划,合理布局,一次设计,分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势,合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则,根据行业的现有格局和未来发展方向,优化设备选型和工艺方案,使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则,产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金,将先进性与实用性有机结合,
22、做到投入少、产出多,效益最大化。泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案5、严格遵守“三同时”设计原则,对项目可能产生的污染源进行综合治理,使其达到国家规定的排放标准。三、编制依据编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定;2、建设项目经济评价方法与参数;3、投资项目可行性研究指南;4、项目建设地国民经济发展规划;5、其他相关资料。四、编制范围及内容编制范围及内容根据项目的特点,报告的研究范围主要包括:1、项目单位及项目概况;2、产业规划及产业政策;3、资源综合利用条件;4、建设用地与厂址方案;5、环境和生态影响分析;6、投资方案分析;7、经济效益和社会效益分析。泓域咨询/宿州碳
23、化硅器件项目招商引资方案通过对以上内容的研究,力求提供较准确的资料和数据,对该项目是否可行做出客观、科学的结论,作为投资决策的依据。五、项目建设背景项目建设背景碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021 年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经 GaN 外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率 1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经 SiC 外延生长可
24、进一步制成 SiC 二极管、SiCMOSFET 等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在 PVT 法下,相较半绝缘型衬底其生产难度更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。锚定二三五年远景目标,围绕“一城两区三基地”战略定位,紧扣提质量、上台阶,以发展为主色、以民生为本色、以生态为底色,强工兴城、强农兴村、强文兴市,实现与上级要求相顺应、与区位资源相适应、与经济基础相对应、与群众期待相呼应的高质量发展,努力建设经济强、百姓富、生态美的“心灵归宿,幸福之州”。泓域咨询/宿州碳化硅器件项目招商引资方案六、结论分析结论分析(一)项目选址(一)项目选址本
25、期项目选址位于 xxx(以选址意见书为准),占地面积约 52.00亩。(二)建设规模与产品方案(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产 xxx 吨碳化硅器件的生产能力。(三)项目实施进度(三)项目实施进度本期项目建设期限规划 12 个月。(四)投资估算(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资 23448.65 万元,其中:建设投资 18855.19万元,占项目总投资的 80.41%;建设期利息 197.16 万元,占项目总投资的 0.84%;流动资金 4396.30 万元,占项目总投资的 18.75%。(五)资金筹措(五)资金筹措项
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 宿州 碳化硅 器件 项目 招商引资 方案 模板 范本
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内