薄膜沉积设备公司生产与生产运作方案.docx
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1、泓域/薄膜沉积设备公司生产与生产运作方案薄膜沉积设备公司生产与生产运作方案xxx有限公司目录一、 产业环境分析3二、 半导体薄膜沉积设备的发展情况6三、 必要性分析12四、 公司基本情况12五、 生产运作管理的目标和基本内容14六、 服务性生产16七、 生产运作流程的构成要素18八、 生产运作流程的基本概念20九、 项目实施进度计划21项目实施进度计划一览表21十、 项目投资计划23建设投资估算表24建设期利息估算表25流动资金估算表27总投资及构成一览表28项目投资计划与资金筹措一览表29一、 产业环境分析强化“产业为基、绿色转型、项目引领”的发展理念,立足现有基础,发挥比较优势,深入实施“
2、中国制造2025”、“互联网+”行动计划,围绕建设“一都三区一枢纽”以培育产业竞争新优势为重点,着力降低生产要素成本,推进优势产业品牌化、传统产业高端化、新兴产业集群化,为提升经济发展质量和效益提供强有力的产业支撑。(一)推动优势产业品牌化发展1、休闲度假旅游着眼建设国际滨海休闲度假之都,进一步强化“大旅游”、“大规划”理念,着力培育高端业态,科学布局实施一批中高端旅游项目,努力打造秦皇岛“三大休闲特色旅游片区”(大北戴河滨海休闲度假区、山海关及北部山区长城山地生态区、昌卢抚葡萄酒文化休闲区)。2、装备制造坚持集群化、高端化、智能化为主攻方向,科学合理确定发展方向和路径,培育壮大汽车及零部件、
3、轨道交通装备、专用装备、船舶及海洋工程装备等产业集群,打造中国北方重大装备制造基地。3、电子信息将电子信息作为我市产业转型升级的主攻方向,重点围绕电子元器件制造、大数据应用、新一代物联网技术等领域,不断壮大产业规模。巩固壮大电子元器件制造业。(二)推进传统产业高端化发展1、金属冶炼及压延按照“升级改造、化解产能、集中布局、延伸链条”的原则,瞄准国内外同行业先进标杆,积极推进技术改造,全面提高工艺装备、节能环保水平,提高行业整体素质和可持续发展能力,为全市工业转型发展提供稳定基础。促进钢铁产业优化产品结构,巩固发展优势板材品种,拓展高端产品线。延伸产业链条,引导钢铁企业与装备制造业对接,联合开发
4、钢铁新材料和下游产品。2、玻璃建材积极引入战略投资者,推动玻璃建材业战略重组和转型升级,提高玻璃深加工水平。优化产品结构,增强盈利能力,着力发展应用于电子信息、新能源、环保等领域的玻璃深加工产品。3、现代物流发挥交通区位优势,畅通国际物流通道,整合区域物流资源,加快业态创新、技术创新、模式创新,打造东北亚物流枢纽。4、现代农业加快农业产业融合发展和生态循环发展,转变农业发展方式,拓宽农业多种功能,创建国家级现代农业示范区和生态农业示范市,全面提升农业现代化水平。(三)推进新兴产业集群化发展1、生命健康以建设北戴河生命健康产业创新示范区为契机,依托北戴河休疗品牌,培育世界一流生命健康产业集群。构
5、建“药、医、养、健、游”大健康产业链,大力发展生物医药研发生产、医疗服务、康复疗养、健康管理、医疗旅游等产业,形成良好的健康产业生态。2、节能环保依托秦皇岛经济技术开发区节能环保产业园和市内现有龙头企业,抢抓京津地区近期大气治理、垃圾处理任务繁重,市场规模巨大,成规模的环保设备制造发展不足的机遇,以做大规模为目标,通过政策引导和工程示范,围绕提高工业清洁生产和节能减排技术装备水平,重点发展除尘、脱硫脱硝及余热余压利用、清洁生产和垃圾处理、污水处理及污水处理剂等环保设备、环保材料;建立节能环保服务体系,打造合同能源管理综合服务平台,推进节能环保技术咨询服务业发展。加快推进北戴河新区国家新能源产业
6、示范区建设。3、创意会展运用现代技术和经营理念,挖掘包装民俗文化、历史传说、名人故事等非物质文化资源,重点培育发展文化创意设计、新闻出版、动漫游戏、影视后期制作和网络文化服务等产业。依托北戴河休疗院所资源,积极承接北京会议培训功能,壮大会议培训经济。4、新兴业态大力发展物联网技术和应用,积极培育分享经济,促进互联网与经济社会融合发展。推进金融、医疗、教育、交通等公共服务数据资源开放共享。二、 半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况(1)薄膜沉积设备市场规模持续增长根据MaximizeMarketResearch数据统计,全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125
7、亿美元扩大至2020年的172亿美元,年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。(2)薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展,在部分领域已有一定的进步,但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低,半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起,我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%,但总体占比尤其是中高端产品占比较低。(3)各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来
8、看,CVD设备占比56%,PVD设备市占率23%,其次是ALD及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm后,由于器件结构不断缩小且更为3D立体化,生产过程中需要实现厚度更薄的膜层,以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下,ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点,技术优势愈加明显,在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用,广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。(1)ALD典型应用高介电常数金属栅极(
9、HKMG)工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元,漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前,集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电;随着集成电路尺寸不断缩小,特别是制程28nm之后,传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下,达到了其物理极限,产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应,导致漏电流急剧增加,器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极(HKMG)工艺,可以解决上述问题,即采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层,TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极,高k栅氧化层与金属栅极的组合使用,不仅能
10、够大幅减小栅极漏电流,同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄,还能有效减低栅极电容。ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点,自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后,就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。(2)ALD典型应用电容和电极材料集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限,NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段,128层闪存也陆续有厂商开始推出,行业预期未来将叠加至500层,技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中,增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽,而且需要增加堆叠的层数,使得一些器件结构的深宽比增加至40:1,甚
11、至是80:1的极深孔或极深的沟槽,对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD技术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术的不断发展,等效氧化物厚度进一步下降,3DNAND和DRAM电容呈现高深宽比结构,在这种情况下,高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外,新型存储器也在快速发展,与闪存和DRAM相比,新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器(FeRAM)为例,其由电容和场效应管构成,其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜,该薄膜对于厚度、质量均有非常高
12、的要求,ALD技术可以较好地满足技术指标。(3)ALD典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜,并通过光刻技术形成布线,把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种,而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展,元件集成度提高、几何构架收缩,导致深宽比的增加,ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层,阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散,且作为粘附层促进互连铜的生长,给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势(1)半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升,全球半导体设备市场呈现快速增长态势,拉
13、动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充,另一方面受益于技术演进带来的增长机遇,包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术,全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元,保持年复合13.3%的增长速度。(2)进口替代空间巨大近年来,在国家政策的拉动和支持下,我国半导体产业快速发展,整体实力显著提升,设计、制造能力与国际先进水平不断缩小,但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造2025对于半导体设备
14、国产化提出明确要求:在2020年之前,90-32nm工艺设备国产化率达到50%,实现90nm光刻机国产化,封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前,20-14nm工艺设备国产化率达到30%,实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展,国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金,国家集成电路基金首期募资1,387亿元,二期募资超过2,000亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施,本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机,而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备,将会迎来巨大的进口替代市场空间。(3)薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中,薄膜发挥着形
15、成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂,薄膜性能参数精细化要求也随之提高,如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高,台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。(4)先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展,单位面积集成的电路规模不断扩大,芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线,则超过100道薄
16、膜沉积工序,涉及的薄膜材料由6种增加到近20种,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前,半导体行业的薄膜沉积设备中,PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化,而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备,在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时,与PVD设备和CVD设备相比,ALD设备的必要性更加凸显。目前,基于供应链安全考虑,国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势,以及国产化进程加快的背景下,国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。三
17、、 必要性分析1、提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争力。四、 公司基本情况(一)公司简介公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用,建立了工会组织,并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度,进一步规范厂务公开的内容、程序、形式,企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展,以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心,坚持战略导
18、向、问题导向和需求导向,持续深化教育培训改革,精准实施培训,努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司自成立以来,坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本,强调服务,一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革,实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一,质量第一,信誉第一”为原则,在产品质量上精益求精,追求完美,对客户以诚相待,互动双赢。(二)核心人员介绍1、谢xx,中国国籍,1977年出生,本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任,2017年8月至今任公司监事。2、邵xx,1974年出生,研究生学历。2002年6月至2006
19、年8月就职于xxx有限责任公司;2006年8月至2011年3月,任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长;2019年8月至今任公司监事会主席。3、魏xx,中国国籍,无永久境外居留权,1970年出生,硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。4、汪xx,1957年出生,大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司;2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。5、陈xx,中国国籍,无永久境外居留权,1971年出生,本科学历,中级会计师职称。2002年
20、6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。五、 生产运作管理的目标和基本内容(一)生产运作管理的目标根据生产的概念,生产运作管理是对一切社会组织利用资源将输入转化为输出过程的管理。生产运作管理所追求的目标就是:高效、灵活、准时、清洁地生产合格的产品和提供满意的服务。其目标体现了CQSTE五方面的特征,即低成本、符合标准的质量、满意的服务、准时性和清洁生产。(二)生产动作管理和基本内容从生产系统的整个生命周期角度,生产运作管理主要包括三方面内容:生产系统的设计、生产系统的运行和生产
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