宜宾关于成立半导体清洗设备公司可行性报告.docx
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1、泓域咨询/宜宾关于成立半导体清洗设备公司可行性报告宜宾关于成立半导体清洗设备公司可行性报告xxx有限责任公司报告说明xxx有限责任公司主要由xxx有限公司和xxx集团有限公司共同出资成立。其中:xxx有限公司出资135.00万元,占xxx有限责任公司10%股份;xxx集团有限公司出资1215万元,占xxx有限责任公司90%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资29338.73万元,其中:建设投资23942.43万元,占项目总投资的81.61%;建设期利息316.08万元,占项目总投资的1.08%;流动资金5080.22万元,占项目总投资的17.32%。项目正常运营每年营业收入50800.00万元,
2、综合总成本费用42833.75万元,净利润5803.28万元,财务内部收益率13.33%,财务净现值1644.00万元,全部投资回收期6.62年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。清洗是半导体制程的重要环节,也是影响半导体器件良率的最重要的因素之一。清洗是晶圆加工制造过程中的重要一环,为了最大限度降低杂质对芯片良率的影响,在实际生产过程中不仅需要确保高效的单次清洗,还需要在几乎所有的制程前后都进行频繁的清洗,在单晶硅片制造、光刻、刻蚀、沉积等关键制程工艺中均为必要环节。1)硅片制造过程中,经过抛光处理后的硅片,需要通过清洗过程来确保其表面的平整度和性能,进而提升
3、在后续工艺中的良率。2)晶圆制造过程中,晶圆经过光刻、刻蚀、离子注入、去胶、成膜以及机械抛光等关键工序前后都需要进行清洗,以去除晶圆沾染的化学杂质,减少缺陷率,提高良率。3)芯片封装过程中,芯片需要根据封装工艺进行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸点底层金属/薄膜再分布技术)清洗以及健合清洗等。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 筹建公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营
4、范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据11公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况13第二章 项目建设背景、必要性16一、 单片清洗良率高,是目前主流清洗设备16二、 芯片良率的重要保障,半导体清洗设备国产替代正当时16三、 先进工艺为清洗设备增添新增长机遇18四、 项目实施的必要性19第三章 市场预测21一、 湿法清洗是主流清洗技术路线21二、 半导体市场景气高涨,资本开支上行带动设备市场高成长24第四章 公司组建方案25一、 公司经营宗旨25二、 公司的目标、主要职责25三、 公司组建方式26四、 公司管理体制26五、 部门
5、职责及权限27六、 核心人员介绍31七、 财务会计制度32第五章 发展规划38一、 公司发展规划38二、 保障措施44第六章 法人治理46一、 股东权利及义务46二、 董事51三、 高级管理人员55四、 监事58第七章 风险分析60一、 项目风险分析60二、 项目风险对策62第八章 选址方案分析65一、 项目选址原则65二、 建设区基本情况65三、 坚持创新驱动发展,全面塑造发展新优势68四、 加快发展现代产业体系,推动经济体系优化升级71五、 项目选址综合评价73第九章 环境保护分析74一、 环境保护综述74二、 建设期大气环境影响分析75三、 建设期水环境影响分析75四、 建设期固体废弃物
6、环境影响分析76五、 建设期声环境影响分析76六、 环境影响综合评价77第十章 投资计划78一、 投资估算的依据和说明78二、 建设投资估算79建设投资估算表83三、 建设期利息83建设期利息估算表83固定资产投资估算表85四、 流动资金85流动资金估算表86五、 项目总投资87总投资及构成一览表87六、 资金筹措与投资计划88项目投资计划与资金筹措一览表88第十一章 进度规划方案90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十二章 经济效益及财务分析92一、 基本假设及基础参数选取92二、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本
7、费用估算表94利润及利润分配表96三、 项目盈利能力分析97项目投资现金流量表98四、 财务生存能力分析100五、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101六、 经济评价结论102第十三章 总结说明103第十四章 附表105主要经济指标一览表105建设投资估算表106建设期利息估算表107固定资产投资估算表108流动资金估算表109总投资及构成一览表110项目投资计划与资金筹措一览表111营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表112固定资产折旧费估算表113无形资产和其他资产摊销估算表114利润及利润分配表115项目投资现金流量表116借款还本付息计划表117建筑工程投
8、资一览表118项目实施进度计划一览表119主要设备购置一览表120能耗分析一览表120第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xxx有限责任公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本1350万元三、 注册地址宜宾xxx四、 主要经营范围经营范围:从事半导体清洗设备相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xxx有限责任公司主要由xxx有限公司和xxx集团有限公司发起成立。(一)xxx有限公司基本情况1、公司简介公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障,坚持
9、合规是底线、合规高于经济利益的理念,确立了合规管理的战略定位,进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查,加强合规风险防控,确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求,重点领域合规管理不断强化,各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立,广大员工合规意识普遍增强,合规文化氛围更加浓厚。经过多年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展
10、的方针。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额10720.618576.498040.46负债总额4472.073577.663354.05股东权益合计6248.544998.834686.40公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入32380.7525904.6024285.56营业利润7676.376141.105757.28利润总额7122.125697.705341.59净利润5341.594166.443845.94归属于母公司所有者的净利润5341.594166.443845.94(二)x
11、xx集团有限公司基本情况1、公司简介公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略,以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召,融入各级城市的建设与发展,在商业模式思路上领先业界,对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断优化供给结构,提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心,以提升创新能力为主线,降成本、补短板,推
12、进供给侧结构性改革。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额10720.618576.498040.46负债总额4472.073577.663354.05股东权益合计6248.544998.834686.40公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入32380.7525904.6024285.56营业利润7676.376141.105757.28利润总额7122.125697.705341.59净利润5341.594166.443845.94归属于母公司所有者的净利润5341.594166.443845.
13、94六、 项目概况(一)投资路径xxx有限责任公司主要从事关于成立半导体清洗设备公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由清洗步骤是芯片良率的重要保障,单片成为先进制程清洗设备的主流发展趋势:为了最大限度降低杂质对芯片良率的影响,在实际生产过程中不仅需要确保高效的单次清洗,还需要在几乎所有的制程前后都进行频繁的清洗,清洗贯穿硅片制造、晶圆制造、芯片封装各环节。根据清洗的介质不同,清洗技术可以分为湿法清洗和干法清洗两种,湿法清洗技术是目前市场上的主流清洗方法。根据结构,清洗设备主要包括单片清洗设备、槽式清洗设备、批式旋转喷淋清洗设备和洗刷器等,单片清洗具备良率高的优点,槽式清洗具备效率高的优
14、点,单片清洗在先进工艺中逐步取代槽式清洗成为主流。根据东京电子的预测,预计未来单片清洗将占据主要份额。(三)项目选址项目选址位于xx园区,占地面积约70.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xxx套半导体清洗设备的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积89853.99,其中:生产工程59362.30,仓储工程14961.72,行政办公及生活服务设施9648.81,公共工程5881.16。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资29338.73万元,其中:建设投资23942.43万元,占
15、项目总投资的81.61%;建设期利息316.08万元,占项目总投资的1.08%;流动资金5080.22万元,占项目总投资的17.32%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):50800.00万元。2、综合总成本费用(TC):42833.75万元。3、净利润(NP):5803.28万元。4、全部投资回收期(Pt):6.62年。5、财务内部收益率:13.33%。6、财务净现值:1644.00万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划12个月。(九)项目综合评价此项目建设条件良好,可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施,项目投资省、见效快;此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、
16、经济合理、低耗优质”的原则,技术先进,成熟可靠,投产后可保证达到预定的设计目标。第二章 项目建设背景、必要性一、 单片清洗良率高,是目前主流清洗设备在湿法清洗的技术路线下,清洗设备可以分为单片清洗设备、槽式清洗设备、批式旋转喷淋清洗设备和洗刷器等,其中单片和槽式清洗设备是目前主流的清洗设备。单片清洗是将每一片晶圆送至各个腔体进行单独喷淋式清洗,这样容易控制清洗质量,也可以提高单片晶圆不同位臵的清洗均匀度,但是缺点是清洗效率低下。槽式清洗是将多片晶圆(100-200片)放入清洗槽中,集中起来清洗,此类清洗设备效率高且成本底,但是缺点是浓度较难控制,可能产生交叉污染。目前,单片清洗在集成电路制造的
17、先进工艺中已逐步取代槽式清洗成为主流,主要原因包括:(1)单片清洗能够提供更好的工艺控制,提高产品良率;(2)在更大尺寸的晶圆和更先进的工艺对于杂质更敏感,槽式清洗出现交叉污染会危及整批晶圆的良率,会带来高成本的芯片返工支出;(3)单片槽式组合清洗技术的出现,可以在提高清洗能力及效率的同时,减少硫酸的使用量,帮助客户有效降低成本。二、 芯片良率的重要保障,半导体清洗设备国产替代正当时清洗步骤是芯片良率的重要保障,单片成为先进制程清洗设备的主流发展趋势:为了最大限度降低杂质对芯片良率的影响,在实际生产过程中不仅需要确保高效的单次清洗,还需要在几乎所有的制程前后都进行频繁的清洗,清洗贯穿硅片制造、
18、晶圆制造、芯片封装各环节。根据清洗的介质不同,清洗技术可以分为湿法清洗和干法清洗两种,湿法清洗技术是目前市场上的主流清洗方法。根据结构,清洗设备主要包括单片清洗设备、槽式清洗设备、批式旋转喷淋清洗设备和洗刷器等,单片清洗具备良率高的优点,槽式清洗具备效率高的优点,单片清洗在先进工艺中逐步取代槽式清洗成为主流。根据东京电子的预测,预计未来单片清洗将占据主要份额。日系巨头领跑全球,国产替代进展顺利:从竞争格局来看,全球半导体清洗设备高度集中于日本、美国、韩国等企业。根据Gartner数据,全球半导体清洗设备行业的龙头企业主要是迪恩士(DainipponScreen)、东京电子(TEL)、韩国SEM
19、ES、拉姆研究(LamResearch)等,其中迪恩士处于绝对领先地位,2020年占据了全球半导体清洗设备45.1%的市场份额,东京电子、SEMES和拉姆研究分别占据约25.3%、14.8%和12.5%。国内厂商主要包括至纯、盛美、北方华创、芯源微等,在全球市场规模占比较小,在国内市场占比处于快速提高状态。根据中国国际招标网信息,从2019年2021年H1中国主流晶圆厂清洗设备招标采购份额来看,我国半导体清洗设备的国产化率已经维持在10%20%,属于国产化突破较快的设备。目前,国内厂商如至纯、盛美、北方华创已经具备28nm制程清洗设备能力,产品性能比肩国际主流,具备进口替代能力,能满足大陆晶圆
20、厂的扩产需求,清洗设备国产替代迎快速发展期。三、 先进工艺为清洗设备增添新增长机遇除了受益于半导体行业景气周期上行,半导体工艺升级也将为清洗设备带来新增长机遇,随着芯片先进制程的进步以及芯片结构的复杂化,清洗设备市场有望量价提升。随着半导体技术的不断进步,半导体器件集成度不断提高,清洗的步骤大幅提高。90nm的芯片清洗工艺约90道,到了20nm清洗工艺达到215道。随着芯片进入16nm以及7nm以下,清洗工艺的道数将会加速增长。另一方面半导体晶圆的尺寸却不断扩大,主流晶圆尺寸已经从4英寸、6英寸,发展到现阶段的8英寸、12英寸。此外,半导体器件的结构也趋于复杂。例如存储器领域的NAND闪存,根
21、据国际半导体技术路线图预测,当工艺尺寸到达14nm后,目前的Flash存储技术将会达到尺寸缩小的极限,存储器技术将从二维转向三维架构,进入3D时代。3DNAND制造工艺中,主要是将原来2DNAND中二维平面横向排列的串联存储单元改为垂直排列,通过增加立体层数,解决平面上难以微缩的工艺问题,堆叠层数也从32层、64层向128层发展。3D存储技术的提升,在清洗晶圆表面的基础上提出了更高的要求,即在无损情况下清洗立体内部沾污,对清洗设备提出了更高的要求,清洗设备的单台价值将不断上升。四、 项目实施的必要性(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场
22、知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才
23、能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第三章 市场预测一、 湿法清洗是主流清洗技术路线根据清洗的介质不同,清洗技术可以分为湿法清洗和干法清洗两种。湿法清洗是指利用溶液、酸碱、表面活性剂、水及其混合物,通过腐蚀、溶解、化学反应等方法,使硅片表面的杂质与溶剂发生化学反应生成可溶性物质、气体或直接脱落,以获得满足洁净度要求的硅片。干法清洗是指不依赖化学试剂的清洗技术,包括等离子体清洗、气象清洗等。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主,是目前市场上的主流清洗方法。湿法清洗采用液体化学试剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、
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- 宜宾 关于 成立 半导体 清洗 设备 公司 可行性报告
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