第6章单片机存储器扩展精选PPT.ppt

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1、第第6章单片机存储器扩展章单片机存储器扩展2022/10/71第1页，本讲稿共47页单片机芯片内具有单片机芯片内具有CPU、ROM、RAM、定时器、定时器/计数器及计数器及I/O口。但在实际应用中、大多数情况口。但在实际应用中、大多数情况下仅靠片内资源是不够的。下仅靠片内资源是不够的。资源性扩展：资源性扩展：包括包括存储器扩展和存储器扩展和IO扩展扩展。如何扩展如何扩展?扩展功能如何实现扩展功能如何实现?扩展部件如何连接扩展部件如何连接?6-1 系统扩展及结构系统扩展及结构第2页，本讲稿共47页 整个扩展系统以单片机为核心，通过整个扩展系统以单片机为核心，通过总线把各扩展部件连接起来，各扩展部

2、件总线把各扩展部件连接起来，各扩展部件“挂挂”在总线上。在总线上。所谓总线，就是连接系统中各扩展部所谓总线，就是连接系统中各扩展部件的一组公共信号线。件的一组公共信号线。包括：包括：地址总线（地址总线（AB）；）；数据总线（数据总线（DB）；）；控制总线（控制总线（CB）。）。第3页，本讲稿共47页存储器的连接存储器与微型机三总线的连接：存储器与微型机三总线的连接：1 1、数据线、数据线D D0 0n n 连接数据总线连接数据总线DBDB0 0n n 2 2、地址线、地址线A A0 0N N 连接地址总线低位连接地址总线低位ABAB0 0N N。3 3、片选线、片选线CSCS 连接地址总线高位

3、连接地址总线高位ABABN+1N+1。4 4、读写线、读写线OEOE、WE(R/W)WE(R/W)连接读写控制线连接读写控制线RDRD、WRWR。DBDB0 0n n ABAB0 0N NA A0 0N N ABABN+1N+1CSCSR/WR/WR/WR/W存储器存储器微型机微型机D D0 0n n第4页，本讲稿共47页存储器与单片机的连接 存储器与微型机三总线的存储器与微型机三总线的一般连接方法和存储器读写时一般连接方法和存储器读写时序：序：1.1.数据总线与地址总线数据总线与地址总线 为两组独立总线。为两组独立总线。DB0n地址输出地址输出数据有效数据有效数数据据采采样样R/WAB0ND

4、 D0 0n n DBDB0 0n n ABAB0 0N NA A0 0N N ABABN+1N+1CSCSR/WR/WR/WR/W存储器存储器微型机微型机D D0 0n n第5页，本讲稿共47页存储器与单片机的连接存储器与单片机的连接2.2.微型机复用总线结构：微型机复用总线结构：数据与地址分时共用数据与地址分时共用 一组总线。一组总线。ALE地地址址锁锁存存地地址址锁锁存存地址地址输出输出数据数据有效有效地址地址输出输出数据数据有效有效AD0n数数据据采采样样数数据据采采样样R/W单片机单片机 AD0n ALER/WD0nA0nR/W存储器存储器Di Qi G地址锁存器地址锁存器第6页，本

5、讲稿共47页6-1-1 单片机扩展的实现单片机扩展的实现l 单片机扩展的首要问题就是构造系统总线，然后再往系统总单片机扩展的首要问题就是构造系统总线，然后再往系统总线上线上“挂挂”存储芯片或存储芯片或I/O接口芯片。接口芯片。l“构造构造”总线总线芯片本身并没有提供地址线和数据线。芯片本身并没有提供地址线和数据线。具体的构造方法说明如下：具体的构造方法说明如下：l以以P0口的口的8位口线作地址数据线。位口线作地址数据线。复用技术复用技术地址和数据进行分离。地址和数据进行分离。为此在构造地址总线时要添加一个为此在构造地址总线时要添加一个8位锁存器位锁存器。先把这低。先把这低8位地址送锁存器暂存，

6、然后就由地址锁存器给系统提供低位地址送锁存器暂存，然后就由地址锁存器给系统提供低8位位地址，而把地址，而把P0口线作为数据线使用。口线作为数据线使用。l以以P2口的口线作高位地址线。口的口线作高位地址线。由由P2口提供高口提供高8位，再加上位，再加上P0口提供的低口提供的低8位位64KB。但实际应用系统中，地址高位并不固定为但实际应用系统中，地址高位并不固定为8位，而根据需位，而根据需要从要从P2口中引出。口中引出。第7页，本讲稿共47页8 8位地址锁存器：位地址锁存器：74LS37374LS373、82828282等。等。第8页，本讲稿共47页 控制信号：控制信号：构成扩展系统的控制总线。构

7、成扩展系统的控制总线。1.ALE作地址锁存的选通信号，以实现低作地址锁存的选通信号，以实现低8位地址的锁存。位地址的锁存。2.PSEN作扩展程序存储器的读选通信号。作扩展程序存储器的读选通信号。3.EA作内外程序存储器的选通信号。作内外程序存储器的选通信号。4.RD和和WR作扩展数据存储器和作扩展数据存储器和I/O端口的读写选通信号。端口的读写选通信号。89C51图图5.25.2第9页，本讲稿共47页MCS-51MCS-51用于扩展存储器的外部总线信号：用于扩展存储器的外部总线信号：P P0.00.7：8 8位数据和低位数据和低8 8位地址信号，复用总线位地址信号，复用总线ADAD0 07 7

8、。P P2.02.7：高高8 8位地址信号位地址信号ABAB8 81515。ALEALE：地址锁存允许控制信号。地址锁存允许控制信号。PSENPSEN：片外程序存储器读选通信号。片外程序存储器读选通信号。EAEA：内外程序存储器选择。内外程序存储器选择。RDRD：片外数据存储器读控制信号。片外数据存储器读控制信号。WRWR：片外数据存储器写控制信号。片外数据存储器写控制信号。第10页，本讲稿共47页6-1-2 6-1-2 总线扩展驱动总线扩展驱动 当当单单片片机机外外接接芯芯片片较较多多，超超出出总总线线负负载载能能力力，必必须须加加总总线驱动器。线驱动器。单向驱动器单向驱动器74LS2447

9、4LS244、74LS24574LS245用于用于地址总线驱动；地址总线驱动；双向驱动器双向驱动器74LS25574LS255用于用于数据总线驱动。数据总线驱动。第11页，本讲稿共47页 6-2 存储器扩展及编址技术存储器扩展及编址技术存储器结构框图存储器结构框图存储器结构框图存储器结构框图存储器内部为双向地址译码，以节省内部引线和驱动器。存储器内部为双向地址译码，以节省内部引线和驱动器。如：如：1K1K容量存储器，有容量存储器，有1010根地址线。根地址线。单向译码需要单向译码需要10241024根译码输出线根译码输出线和驱动器。和驱动器。双向译码双向译码 X X、Y Y方向各为方向各为32

10、32根译码输根译码输出线和驱动器，出线和驱动器，总共需要总共需要6464根根译码线和译码线和6464个驱个驱动器。动器。图图5.6 存储器逻辑结构图存储器逻辑结构图3232=1024第12页，本讲稿共47页存储器外部信号引线存储器外部信号引线D07数据线：传送存储单元内容。根数与单元数据位数相同。A09地址线：选择芯片内部一个存储单元。根数由存储器容量决定。CS 片选线：选择存储器芯片。当CS信号无效，其它信号线不起作用。R/W(OE/WE)读写允许线：打开数据通道，决定数据的传送方向和传送时刻。第13页，本讲稿共47页用多片存储器芯片组成微型计算机系统所要求的用多片存储器芯片组成微型计算机系

11、统所要求的存储器系统存储器系统。要求扩充后的存储器系统引出线符合微型计算机要求扩充后的存储器系统引出线符合微型计算机的总线结构要求。的总线结构要求。一、扩充存储器位数：一、扩充存储器位数：例例1 1：用用2K12K1位存储器芯片组成位存储器芯片组成 2K8 2K8位存储器系统。位存储器系统。例例2 2：用用2K82K8位存储器芯片组成位存储器芯片组成2K162K16位存储器系统。位存储器系统。6-2-1 6-2-1 存储器芯片的扩展存储器芯片的扩展第14页，本讲稿共47页例例例例1 1 1 1：用：用：用：用2K12K12K12K1位存储芯片组成位存储芯片组成位存储芯片组成位存储芯片组成2K8

12、2K82K82K8位存储系统。位存储系统。位存储系统。位存储系统。当地址、片选和读写信号有效，可当地址、片选和读写信号有效，可并行并行存取存取8位信息；共用片选。位信息；共用片选。第15页，本讲稿共47页例例例例2 2 2 2：用用用用2K82K82K82K8位存储器芯片组成位存储器芯片组成位存储器芯片组成位存储器芯片组成2K162K162K162K16位存储器系统。位存储器系统。位存储器系统。位存储器系统。地址、片选和读写引线并联后引出，数据线地址、片选和读写引线并联后引出，数据线并列并列引出。引出。CED D0 07 7D D0 07 7R/WR/WCECEA A0 01010A A0 0

13、1010D07D815R/WA010共用片选共用片选第16页，本讲稿共47页 片选方法：片选方法：1.1.线选法：线选法：微型机剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。微型机剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。2.2.译码片选法：译码片选法：微型机剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。微型机剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。二、扩充存储器容量：二、扩充存储器容量：地址线、数据线和读写控制线均并联。地址线、数据线和读写控制线均并联。为保证并联数据线上没有信号冲突，必须用片选信为保证

14、并联数据线上没有信号冲突，必须用片选信 号区别不同芯片的地址空间号区别不同芯片的地址空间（不能共用片选）（不能共用片选）。第17页，本讲稿共47页例例例例1 1：用用用用1K41K4位存储器芯片组成位存储器芯片组成位存储器芯片组成位存储器芯片组成4K84K8位存储器系统。位存储器系统。位存储器系统。位存储器系统。第18页，本讲稿共47页例例例例2 2 2 2：三片三片三片三片8KB8KB8KB8KB的存储器芯片组成的存储器芯片组成的存储器芯片组成的存储器芯片组成 24KB 24KB 24KB 24KB 容量的存储器。容量的存储器。容量的存储器。容量的存储器。确定各存储器芯确定各存储器芯确定各存

15、储器芯确定各存储器芯片的地址空间：片的地址空间：片的地址空间：片的地址空间：D D0 07 7R/WCEA A0 01212D07R/WCE1(AB13)A A0 01212CE2(AB14)D D0 07 7R/WCEA A0 01212D D0 07 7R/WCEA A0 01212CE3(AB15)设设CECE1 1、CECE2 2、CECE3 3分分别连接微型机的高别连接微型机的高位地址总线位地址总线ABAB1313、ABAB1414、ABAB1515。ABABi i：15141315141312 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 012 11109 8 7 6 5 4 3

16、2 1 015141315141312 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 012 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 0：1101100 0000 0000 00000 0000 0000 00001101101 1111 1111 1111=C000H1 1111 1111 1111=C000HDFFFHDFFFH：1011010 0000 0000 00000 0000 0000 00001011011 1111 1111 1111=A000H1 1111 1111 1111=A000HBFFFH BFFFH：0110110 0000 0000 00000 0000 00

17、00 00000110111 1111 1111 1111=6000H1 1111 1111 1111=6000H7FFFH 7FFFH 第19页，本讲稿共47页6-2-2 6-2-2 存储器扩展的编址技术存储器扩展的编址技术l所谓存储器编址，就是使用系统提供的地址线，通过所谓存储器编址，就是使用系统提供的地址线，通过适当的连接，最终达到一个编址唯一地对应存储器中适当的连接，最终达到一个编址唯一地对应存储器中一个存储单元的目的。一个存储单元的目的。l存储器编址分两个层次：存储器编址分两个层次：（见见P119）l存储芯片的选择；存储芯片的选择；l芯片内部存储单元的选择。芯片内部存储单元的选择。l

18、存储器映像研究各部分存储器在整个存储空间中所占存储器映像研究各部分存储器在整个存储空间中所占据的据的地址范围地址范围，以便为存储器的使用提供依据。，以便为存储器的使用提供依据。第20页，本讲稿共47页 线选法：线选法：l直接以系统的地址位作为存储芯片的片选信号。直接以系统的地址位作为存储芯片的片选信号。l优缺点：简单明了，且不需增加电路。但存储空间的使用优缺点：简单明了，且不需增加电路。但存储空间的使用是断续的，不能有效地利用空间，扩充容量受限，只适用是断续的，不能有效地利用空间，扩充容量受限，只适用于小规模系统的存储器扩展。于小规模系统的存储器扩展。译码法：译码法：l对系统的高位地址进行译码

19、，以其译码输出作为片选信号。对系统的高位地址进行译码，以其译码输出作为片选信号。l高效率地利用存储空间，适用于大容量多芯片扩展。高效率地利用存储空间，适用于大容量多芯片扩展。l常用的译码芯片有：常用的译码芯片有：74LS139（双（双2-4译码器）、译码器）、74LS138(3-8译码器译码器)和和74LS154(4-16译码器译码器)等。等。第21页，本讲稿共47页图图5.5 74LS138G1/G2A/G2B（使能端）：当（使能端）：当G1=“1”，G2A=G2B=“0”时，时，3/8译码器进入译码状态，这时译码器进入译码状态，这时 Y0Y7 只有一位是低电平，其只有一位是低电平，其余全为

20、高电平。译码无效时，余全为高电平。译码无效时，Y0Y7 全为高电平，无效。全为高电平，无效。C、B、A：译码器输入：译码器输入（C 为高位）。为高位）。Y0Y7：译码器输出，低电平有效。：译码器输出，低电平有效。第22页，本讲稿共47页3-8 3-8 地址译码器：地址译码器：74LS13874LS138表表5-1图图5.5第23页，本讲稿共47页3-8 3-8 地址译码器：地址译码器：74LS13874LS138Y Y0 0、Y Y1 1、Y Y2 2分别连接三片存储器的片选端分别连接三片存储器的片选端CECE1 1、CECE2 2、CECE3 3各片存储器芯片分配地址：各片存储器芯片分配地址

21、：0000H1FFFH；：2000H3FFFH；：4000H5FFFH。AB13AB14AB15 +5V A Y0 B Y1 C Y2 G1 G2A Y7 G2B 74LS138CE1CE2CE3ABABi i：15141315141312 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 012 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 015141315141312 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 012 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 0：0000000 0000 0000 00000 0000 0000 00000000001 1111 1111 1111=0000

22、H1 1111 1111 1111=0000H1FFFH1FFFH：0010010 0000 0000 00000 0000 0000 00000010011 1111 1111 1111=2000H1 1111 1111 1111=2000H3FFFH 3FFFH：0100100 0000 0000 00000 0000 0000 00000100101 1111 1111 1111=4000H1 1111 1111 1111=4000H5FFFH 5FFFH 第24页，本讲稿共47页 6-3 程序存储器扩展程序存储器扩展 工作时，工作时，ROMROM中的信息只能读出，要用特殊方式写中的信息

23、只能读出，要用特殊方式写入入(固化信息固化信息)，失电后可保持信息不丢失。，失电后可保持信息不丢失。1.1.掩膜掩膜ROMROM：不可改写不可改写ROMROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读（如工艺写入信息，用户只可读（如80C5180C51）。）。2.PROM2.PROM：可编程可编程ROMROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。次改

24、写。第25页，本讲稿共47页3.EPROM3.EPROM：可擦除可擦除PROMPROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的单元的PNPN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再次改写（如便可再次改写（如87C5187C51）。）。4.EEPROM4.EEPROM：可电擦除可电擦除PROMPROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又能失电保存信息，具备又

25、能失电保存信息，具备RAMRAM、ROMROM的优点。但写入时的优点。但写入时间较长（如间较长（如89518951）。）。第26页，本讲稿共47页扩展程序存储器电路扩展程序存储器电路常用常用EPROMEPROM芯片：芯片：Intel 2716(2KB=2K8Intel 2716(2KB=2K8位位)、2732(4KB)2732(4KB)、2764(8KB)2764(8KB)、27128(16KB)27128(16KB)、27256(32KB)27256(32KB)、27512(64KB)27512(64KB)。第27页，本讲稿共47页EPROM2716EPROM2716EPROM2716EPR

26、OM2716CE/PGM片选低电平有效。当编程时引入编程脉冲。片选低电平有效。当编程时引入编程脉冲。OE-(输出允许输出允许)有效时输出缓冲器打开，被寻址单元才能被读出。有效时输出缓冲器打开，被寻址单元才能被读出。VPP编程时加十编程时加十25V编程电压电源。编程电压电源。表表5-3 2716工作方式工作方式第28页，本讲稿共47页8031/80328031/8032扩展扩展2KB EPROM Intel 27162KB EPROM Intel 2716（总线形式）（总线形式）第29页，本讲稿共47页l最低地址：最低地址：8000H；l最高地址：最高地址：87FFH。l 地址范围：地址范围：8

27、000H87FFH。单片机程序存储器扩展连接图单片机程序存储器扩展连接图第30页，本讲稿共47页 第31页，本讲稿共47页EEPROM 2816EEPROM 2816、281728172816引脚和功能图引脚和功能图第32页，本讲稿共47页单片机外接单片机外接单片机外接单片机外接EEPROMEEPROMEEPROMEEPROM电路的存储器电路电路的存储器电路电路的存储器电路电路的存储器电路EEPROM 既能作为程序存储器又能作数据存储器。将程序存储器与数据存储器的空间合二为一。片外存储器读信号片外存储器读信号=PSEN=PSEN RD RD与门与门第33页，本讲稿共47页扩展数据存储器电路常用

28、扩展数据存储器电路常用RAMRAM芯片：芯片：Intel 6116(2KB)Intel 6116(2KB)、6264(8KB)6264(8KB)、62256(32KB)62256(32KB)等。等。6-4 数据存储器扩展数据存储器扩展第34页，本讲稿共47页静态静态RAM2114引脚图引脚图1KB6416=1024第35页，本讲稿共47页6116和和6264管脚和逻辑符号管脚和逻辑符号第36页，本讲稿共47页80318031（80518051）扩展）扩展2KB RAM Intel 61162KB RAM Intel 6116。扩展单片扩展单片6116数据存储器数据存储器第37页，本讲稿共47页

29、 6-5 存储器综合扩展存储器综合扩展数据存储器和程序存储器的综合扩展。1、同时扩展数据存储器和程序存储器：程序存储器的读操作有PSEN信号控制，数据存储器的读和写分别由RD和WR信号控制。不会造成操作上的混乱。2、通过扩展可读写存储器：（1）利用EEPROM芯片扩展；（速度较慢）如：可扩展2816或2817等。（2）改造RAM存储芯片。（见P131）如：可改造6116等。第38页，本讲稿共47页6-5-1 6-5-1 6-5-1 6-5-1 同时扩展程序存储器和数据存储器同时扩展程序存储器和数据存储器同时扩展程序存储器和数据存储器同时扩展程序存储器和数据存储器单片机连接 8KB EPROM

30、2764 和 8KB RAM 6264 各一片。图图5.14 同时扩展两种存储器同时扩展两种存储器第39页，本讲稿共47页EEPROM 既能作为程序存储器又能作数据存储器。将程序存储器与数据存储器的空间合二为一。片外存储器读信号片外存储器读信号=PSEN=PSEN RD RD6-5-2 6-5-2 扩展既可读又可写的程序存储器扩展既可读又可写的程序存储器与门与门第40页，本讲稿共47页 哈佛（哈佛（Har-yard）结构，即将程序和）结构，即将程序和数据存储器截然分开，各有自已的寻址方数据存储器截然分开，各有自已的寻址方式、寻址空间和控制信号。式、寻址空间和控制信号。80C51单片微单片微机的

31、存储器映象图。机的存储器映象图。6-6 存储器系统的特点和使用存储器系统的特点和使用 一、特点一、特点复杂性复杂性 1、程序存储器与数据存储器同时存在；、程序存储器与数据存储器同时存在；2、内外存储器同时存在；、内外存储器同时存在；3、存储器地址空间的重叠和连续。、存储器地址空间的重叠和连续。第41页，本讲稿共47页MCS51存储器结构和地址空间存储器结构和地址空间4KB4KB60KB128B128B128B64KB第42页，本讲稿共47页存储器地址空间的区分和衔接：存储器地址空间的区分和衔接：在物理上设有在物理上设有 4 个物理存储空间：个物理存储空间：程序存储器：片内程序存储器；程序存储器

32、：片内程序存储器；片外程序存储器；片外程序存储器；数据存储器：片内数据存储器；数据存储器：片内数据存储器；片外数据存储器。片外数据存储器。在逻辑上设有在逻辑上设有3个逻辑存储空间：个逻辑存储空间：1、内外程序存储器统一编址，形成一个完整的空间；、内外程序存储器统一编址，形成一个完整的空间；2、内外数据存储器分开编址，都是从、内外数据存储器分开编址，都是从“0”单元开始。单元开始。二、使用：二、使用：第43页，本讲稿共47页 存储空间的区分存储空间的区分1、存储空间的区分：、存储空间的区分：（1）内部程序存储器与数据存储器的区分；）内部程序存储器与数据存储器的区分；（2）外部程序存储器与数据存储

33、器的区分；）外部程序存储器与数据存储器的区分；（3）内外数据存储器的区分。）内外数据存储器的区分。第44页，本讲稿共47页内外内外ROM衔接形式衔接形式2、内外程序存储器的衔接。、内外程序存储器的衔接。80318051（4KB）第45页，本讲稿共47页v构造系统构造系统总线总线，然后再往系统总线上，然后再往系统总线上“挂挂”存储芯片或存储芯片或I/OI/O接接口芯片。口芯片。v超出总线负载能力，必须加总线超出总线负载能力，必须加总线驱动器驱动器。v复用复用技术技术地址和数据进行分离，需用地址锁存器。地址和数据进行分离，需用地址锁存器。v程序存储器可以分为程序存储器可以分为片内片内和和片外片外两部分，处理器访问片内和片两部分，处理器访问片内和片外程序存储器，可由外程序存储器，可由EAEA引脚所接的电平来确定。引脚所接的电平来确定。v存储器可分为存储器可分为4 4个物理存储空间和个物理存储空间和3 3个逻辑存储空间。个逻辑存储空间。v存储器扩展：程序存储器扩展；存储器扩展：程序存储器扩展；数据存储器扩展；数据存储器扩展；综合扩展。综合扩展。v存储器系统的特点（哈佛结构）和编址技术：存储器系统的特点（哈佛结构）和编址技术：编址编址线选法、译码法线选法、译码法。v存储器的区分与衔接。存储器的区分与衔接。第46页，本讲稿共47页第47页，本讲稿共47页