双极型半导体三极管的电流分配与控制精.ppt
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《双极型半导体三极管的电流分配与控制精.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《双极型半导体三极管的电流分配与控制精.ppt(14页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、双极型半导体三极管的电流分配与控制第1页,本讲稿共14页 发射结加正偏时,从发射区将有大量发射结加正偏时,从发射区将有大量的电子向基区扩散,形成的电流为的电子向基区扩散,形成的电流为IEN。与。与PN结中的情况相同。结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动,从基区向发射区也有空穴的扩散运动,但其数量小,形成的电流为但其数量小,形成的电流为IEP。这是因为这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。进入基区的电子流因基区的空穴浓度低,被复合的机会较少。又因基区很薄,在集电结反偏电压的作用下,电子在基区停留的时间很短,很快就运动到了集电结的边上,进入
2、集电结的结电场区域,被集电极所收集,形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。第2页,本讲稿共14页 另外因集电结反偏,使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:IE=IEN+IEP 且有IENIEP IEN=ICN+IBN 且有IEN IBN ,ICNIBN IC=ICN+ICBO IB=IEP+IBNICBOIE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEPICBO)IE=IC+IB第3页,本讲稿共14页 以上关系在图02.02的动画中都给予了演示。由以上分析可知,发射区掺杂浓度高,基区很薄,是保证三极管能够实现电
3、流放大的关键。若两个PN结对接,相当基区很厚,所以没有电流放大作用,基区从厚变薄,两个PN结演变为三极管,这是量变引起质变的又一个实例。第4页,本讲稿共14页问题1:除了从三极管的电流分配关系可以 证明 IE=IC+IB。还可以通过什么方 法加以说明?问题2:为什么当温度升高时,三极管将失 去放大作用?从物理概念上加以说 明。第5页,本讲稿共14页2.1.2 双极型半导体三极管的电流分配与控制改进的电子教案改进的电子教案第6页,本讲稿共14页 2.1 双极型半导体三极管的工作原理 半导体三极管在英文中称为晶体管(Transister),半导体三极管有两大类型,一是双极型半导体三极管(BJT),
4、二是场效应半导体三极管(FET)。双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件,它由两个 PN 结组合而成,是一种电流控制电流源器件(CCCS)。场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电,是一种电压控制电流源器件(VCCS)。2.1.1 2.1.1 双极型半导体三极管的结构双极型半导体三极管的结构NPN型PNP型这是基极b这是发射极e这是集电极c这是发射结Je这是集电结Jc 三极管的符号短粗线代表基极,发射极的箭头方向,代表发射极电流的实际方向。第7页,本讲稿共14页 2.1.2 2.1.2 双极型半导体三极管的电流分配关系双极型半导体三极管的电流分配关系 双极型三极管在制造时,要求
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 双极型 半导体 三极管 电流 分配 控制
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内