可编程逻辑器件设计方法精.ppt
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1、可编程逻辑器件设计方法第1页,本讲稿共52页2.1可编程逻辑器件基础2.1.1可编程逻辑器件概述可编程逻辑器件(ProgrammableLogicDevice,PLD)起源于20世纪70年代,是在专用集成电路(ASIC)的基础上发展起来的一种新型逻辑器件,是当今数字系统设计的主要硬件平台.其主要特点:1、由用户通过软件进行配置和编程,从而完成某种特定的功能,且可以反复擦写;2、在修改和升级PLD时,不需额外地改变PCB电路板,只是在计算机上修改和更新程序,使硬件设工作成为软件开发工作,缩短了系统设计的周期,提高了实现的灵活性并降低了成本.第2页,本讲稿共52页 可编程逻辑器件PLD包含两个基本
2、部分:逻辑阵列。逻辑阵列是设计人员可以编程的部分。输出单元或宏单元。设计人员可以通过宏单元改变PLD的输出结构。输入信号通过“与”矩阵,产生输入信号的乘积项组合,然后通过“或”矩阵相加,再经过输出单元或宏单元输出。第3页,本讲稿共52页以“与/或”阵列为基础的PLD器件包括4种基本类型:、编程只读存储器(ProgrammableReadOnlyMemory,PROM);、现场可编程逻辑阵列(FieldProgrammableLogicArray,FPLA);、可编程阵列逻辑(ProgrammableArrayLogic,PAL);、通用阵列逻辑(GenericArrayLogic,GAL);第
3、4页,本讲稿共52页-PLD产品分类可编程逻辑器件按照颗粒度可以分为3类:小颗粒度(“门海(seaofgates)”架构)中等颗粒度(如:FPGA)大颗粒度(如:CPLD)第5页,本讲稿共52页-PLD产品分类 按编程工艺可以分为四类:熔丝(Fuse)和反熔丝(Antifuse)编程器件,可擦除的可编程只读存储器(UEPROM)编程器件电信号可擦除的可编程只读存储器(EEPROM)编程器件(如:CPLD)SRAM编程器件(如:FPGA)。前3类为非易失性器件,编程后,配置数据保留在器件上;第4类为易失性器件,掉电后配置数据会丢失,因此在每次上电后需要重新进行数据配置。第6页,本讲稿共52页2.
4、1.2可编程逻辑器件的发展历史可编程逻辑器件的发展可以划分为4个阶段:20世纪70年代初到70年代中为第1阶段,20世纪70年代中到80年代中为第2阶段,20世纪80年代到90年代末为第3阶段,20世纪90年代末到目前为第4阶段。第7页,本讲稿共52页1、第1阶段的可编程器件只有3种:简单的可编程只读存储器(PROM)紫外线可擦除只读存储器(EPROM)电可擦只读存储器(EEPROM)缺点:结构的限制,它们只能完成简单的数字逻辑功能。2、第2阶段正式被称为PLD:可编程阵列逻辑(PAL)器件通用阵列逻辑(GAL)器件典型的PLD:由“与”、“非”阵列组成,用“与或”表达式来实现任意组合逻辑,所
5、以PLD能以乘积和形式完成大量的逻辑组合。第8页,本讲稿共52页 3、第3阶段Xilinx和Altera分别推出了与标准门阵列类似的FPGA类似于PAL结构的扩展性CPLD优点:提高了逻辑运算的速度,具有体系结构和逻辑单元灵活、集成度高以及适用范围宽等特点,兼容了PLD和通用门阵列的优点,能够实现超大规模的电路,编程方式也很灵活,成为产品原型设计和中小规模(一般小于10000)产品生产的首选。第9页,本讲稿共52页 4、第4阶段出现了SOPC和SOC技术,特点:是PLD和ASIC技术融合的结果,涵盖了实时化数字信号处理技术、高速数据收发器、复杂计算以及嵌入式系统设计技术的全部内容。第10页,本
6、讲稿共52页Xilinx和Altera也推出了相应SOPC产品,制造工艺达到65nm/40nm,系统门数也超过百万门。并且,这一阶段的逻辑器件内嵌了硬核高速乘法器、Gbits差分串行接口、时钟频率高达500MHz的PowerPC微处理器、软核MicroBlaze、Picoblaze、Nios以及NiosII,不仅实现了软件需求和硬件设计的完美结合,还实现了高速与灵活性的完美结合,使其已超越了ASIC器件的性能和规模,也超越了传统意义上FPGA的概念,使PLD的应用范围从单片扩展到系统级。第11页,本讲稿共52页2.2PLD芯片制造工艺 1、熔丝连接技术最早的允许对器件进行编程的技术是熔丝连接技
7、术。在这种技术的器件中,所有逻辑的连接都是靠熔丝连接的。熔丝器件是一次可编程的,一旦编程,永久不能改变。ab逻辑1&ab逻辑1&图2.1熔丝未编程的结构图2.2熔丝未编程的结构第12页,本讲稿共52页2、反熔丝连接技术未编程时,成高阻状态。编程结束后,形成连接。反熔丝器件是一次可编程的,一旦编程,永久不能改变。ab逻辑1&ab逻辑1&图2.3熔丝未编程的结构图2.4熔丝编程后的结构第13页,本讲稿共52页3、SRAM技术基于静态存储器SRAM的可编程器件,值被保存在SRAM中时,只要系统正常供电信息就不会丢失,否则信息将丢失。SRAM存储数据需要消耗大量的硅面积,且断电后数据丢失。但是这种器件
8、可以反复的编程和修改。第14页,本讲稿共52页4、掩膜技术ROM是非易失性的,系统断电后,信息被保留在存储单元中。掩膜器件可以读出,但是不能写入信息。ROM单元保存了行和列数据,形成一个阵列,每一列有负载电阻使其保持逻辑1,每个行列的交叉有一个关联晶体管和一个掩膜连接。这种技术代价比较高,基本上很少使用。第15页,本讲稿共52页5、PROM技术PROM是非易失性的,系统断电后,信息被保留在存储单元中。PROM器件可以编程一次,以后只能读数据而不能写入新的数据。PROM单元保存了行和列数据,形成一个阵列,每一列有负载电阻使其保持逻辑1,每个行列的交叉有一个关联晶体管和一个掩膜连接。如果可以多次编
9、程就成为EPROM,EEPROM技术。第16页,本讲稿共52页6、FLASH技术FLASH技术的芯片的檫除的速度比PROM技术要快的多。FLASH技术可采用多种结构,与EPROM单元类似的具有一个浮置栅晶体管单元和EEPROM器件的薄氧化层特性。第17页,本讲稿共52页2.3PLD芯片内部结构 2.3.1CPLD结构与原理CPLD由完全可编程的与/或阵列以及宏单元库构成。与/或阵列是可重新编程的,可以实现多种逻辑功能。宏单元则是可实现组合或时序逻辑的功能模块,同时还提供了真值或补码输出和以不同的路径反馈等额外的灵活性。下面给出了CPLD的内部结构图。第18页,本讲稿共52页第19页,本讲稿共5
10、2页 CPLD主要由可编程I/O单元、基本逻辑单元、布线池和其他辅助功能模块构成。1、可编程I/O单元作用与FPGA的基本I/O口相同,但是CPLD应用范围局限性较大,I/O的性能和复杂度与FPGA相比有一定的差距,支撑的I/O标准较少,频率也较低。第20页,本讲稿共52页2.基本逻辑单元CPLD中基本逻辑单元是宏单元。所谓宏单元就是由一些与、或阵列加上触发器构成的,其中“与或”阵列完成组合逻辑功能,触发器用以完成时序逻辑。与CPLD基本逻辑单元相关的另外一个重要概念是乘积项。所谓乘积项就是宏单元中与阵列的输出,其数量标志了CPLD容量。第21页,本讲稿共52页乘积项阵列实际上就是一个“与或”
11、阵列,每一个交叉点都是一个可编程熔丝,如果导通就是实现“与”逻辑,在“与”阵列后一般还有一个“或”阵列,用以完成最小逻辑表达式中的“或”关系。第22页,本讲稿共52页3.布线池、布线矩阵CPLD中的布线资源比FPGA的要简单的多,布线资源也相对有限,一般采用集中式布线池结构。所谓布线池其本质就是一个开关矩阵,通过打结点可以完成不同宏单元的输入与输出项之间的连接。由于CPLD器件内部互连资源比较缺乏,所以在某些情况下器件布线时会遇到一定的困难。第23页,本讲稿共52页由于CPLD的布线池结构固定,所以CPLD的输入管脚到输出管脚的标准延时固定,被称为PintoPin延时,用Tpd表示,Tpd延时
12、反映了CPLD器件可以实现的最高频率,也就清晰地表明了CPLD器件的速度等级。4.其他辅助功能模块如JTAG编程模块,一些全局时钟、全局使能、全局复位/置位单元等。第24页,本讲稿共52页2.3.2FPGA芯片的内部结构芯片的内部结构 目前主流的FPGA仍是基于查找表技术的,已经远远超出了先前版本的基本性能,并且整合了常用功能(如RAM、时钟管理和DSP)的硬核(ASIC型)模块。如图1所示(注:图1只是一个示意图,实际上每一个系列的FPGA都有其相应的内部结构)FPGA芯片主要由6部分完成,分别为:可编程输入输出单元、基本可编程逻辑单元、完整的时钟管理、嵌入块式RAM、丰富的布线资源、内嵌的
13、底层功能单元和内嵌专用硬件模块。第25页,本讲稿共52页-Xilinx的VirtexII内部结构第26页,本讲稿共52页-可编程输入输出单元(IOB)可编程输入/输出单元简称I/O单元,是芯片与外界电路的接口部分,完成不同电气特性下对输入/输出信号的驱动与匹配要求。FPGA内的I/O按组分类,每组都能够独立地支持不同的I/O标准。通过软件的灵活配置,可适配不同的电气标准与I/O物理特性,可以调整驱动电流的大小,可以改变上、下拉电阻。目前,I/O口的频率也越来越高,一些高端的FPGA通过DDR寄存器技术可以支持高达2Gbps的数据速率。第27页,本讲稿共52页-典型的IOB内部结构示意图第28页
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