存储器原理与接口PPT讲稿.ppt
《存储器原理与接口PPT讲稿.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《存储器原理与接口PPT讲稿.ppt(52页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、存储器原理与接口第1页,共52页,编辑于2022年,星期六5.1存储器分类一、有关存储器几种分类n n存储介质分类半导体存储器半导体存储器磁盘和磁带等磁表面存储器磁盘和磁带等磁表面存储器光电存储器光电存储器 第2页,共52页,编辑于2022年,星期六n n按存取方式分类随机存储器随机存储器RAM(RandomAccessMemory)RAM(RandomAccessMemory)只读存储器只读存储器ROMROM(Read-OnlyMemoryRead-OnlyMemory)串行访问存储器串行访问存储器(SerialAccessStorage)(SerialAccessStorage)第3页,共
2、52页,编辑于2022年,星期六n按在计算机中的作用分类主存储器(内存)辅助存储器(外存)高速缓冲存储器第4页,共52页,编辑于2022年,星期六二、半导体存储器的分类二、半导体存储器的分类1、随机存取存储器RAM2、只读存储器ROM第5页,共52页,编辑于2022年,星期六二、半导体存储器的分类二、半导体存储器的分类1、随机存取存储器RAMa.静态RAM(ECL,TTL,MOS)b.动态RAM第6页,共52页,编辑于2022年,星期六2、只读存储器ROMa.掩膜式ROM b.可编程的PROM c.可用紫外线擦除、可编程的EPROM d.可用电擦除、可编程的E2PROM等 第7页,共52页,编
3、辑于2022年,星期六绝缘层绝缘层浮动栅雪崩注入式浮动栅雪崩注入式MOS管管可用紫外线擦除、可编程的EPROM第8页,共52页,编辑于2022年,星期六n编程编程n使栅极带电n擦除擦除nEPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口n当一定光强的紫外线透过窗口照射时,所有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉,使浮栅恢复初态。n一般照射2030分钟后,读出各单元的内容均为FFH,说明EPROM中内容已被擦除。第9页,共52页,编辑于2022年,星期六 浮栅隧道氧化层浮栅隧道氧化层MOS管管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide):浮栅与漏区间的氧化物层极薄(:浮栅与漏区间的
4、氧化物层极薄(20纳米以下),称纳米以下),称为隧道区。当隧道区电场大于为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时隧道区双向导通。时隧道区双向导通。当隧道区的等效电容极当隧道区的等效电容极小时,加在控制栅和漏极小时,加在控制栅和漏极间的电压大部分降在隧道间的电压大部分降在隧道区,有利于隧道区导通。区,有利于隧道区导通。擦除和写入均利用擦除和写入均利用隧道效应隧道效应10ms可用电擦除、可编程的E2PROM第10页,共52页,编辑于2022年,星期六分分 类类掩模掩模ROM可编程可编程ROM(PROM)可擦除可编程可擦除可编程ROM(EPROM)随机存储器随机存储器RAM静态存储器静态存储器SR
5、AM动态存储器动态存储器DRAM按按功功能能(Read-Only Memory)(Random Access Memory)(Programmable ROM)(Erasable PROM)UVEPROMEEPROM只读存储器只读存储器ROMFlash Memory(Ultra-Violet)(Electrically)电可擦除电可擦除紫外线擦除紫外线擦除(Static RAM)快闪存储器快闪存储器(Dynamic RAM)只能读出不能写入只能读出不能写入,断电不失断电不失还可以按制造工艺分还可以按制造工艺分为双极型和为双极型和MOS型两型两种。种。主要指标:存储容量、存取速度。主要指标:存储
6、容量、存取速度。存储容量存储容量:用字数用字数位数表示,也可只用位数表示。如,某动态存储器位数表示,也可只用位数表示。如,某动态存储器的容量为的容量为109位位/片。片。第11页,共52页,编辑于2022年,星期六三、多层存储结构概念1、核心是解决容量、速度、价格间的矛盾,建立起多层存储结构。一个金字塔结构的多层存储体系充分体现出容量和速度关系第12页,共52页,编辑于2022年,星期六第13页,共52页,编辑于2022年,星期六2、多层存储结构寄存器Cache(高速缓存)内存磁盘磁道、光盘第14页,共52页,编辑于2022年,星期六Cache主存层次:解决CPU与主存的速度上的差距;主存辅存
7、层次:解决存储的大容量要求和低成本之间的矛盾。第15页,共52页,编辑于2022年,星期六5.2、主存储器结构一、主存储器的主要技术指标n n存储容量n n存取速度n n可靠性n n功耗第16页,共52页,编辑于2022年,星期六1、容量存储容量 存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量(寻址空间,由CPU的地址线决定)实际存储容量:在计算机系统中具体配置了多少内存。第17页,共52页,编辑于2022年,星期六2、存取速度 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间,又称为读写周期。SDRAM:12ns 10ns 8nsRDRAM:1ns 0.625ns第18页,共52页,编辑于
8、2022年,星期六3、可靠性可靠性是用平均故障间隔时间来衡量(MTBF,MeanTimeBetweenFailures)4、功耗 功耗通常是指每个存储元消耗功率的大小 第19页,共52页,编辑于2022年,星期六二、主存储器的基本组成MOS型器件构成的RAM,分为静态和动态RAM两种,静态RAM通常有6管构成的触发器作为基本存储电路静态存储单元,动态RAM通常用单管组成基本存储电路。第20页,共52页,编辑于2022年,星期六1 1、静态存储单元、静态存储单元、静态存储单元、静态存储单元第21页,共52页,编辑于2022年,星期六第22页,共52页,编辑于2022年,星期六(2 2)动态存储单
9、元)动态存储单元)动态存储单元)动态存储单元 第23页,共52页,编辑于2022年,星期六(3 3 3 3)、结构)、结构)、结构)、结构n n 地址译码地址译码地址译码地址译码n n 输入输出控制输入输出控制输入输出控制输入输出控制n n 存储体存储体 第24页,共52页,编辑于2022年,星期六地地址址线线控制线控制线数据线数据线存储体存储体译译码码器器输输入入输输出出控控制制单译码结构单译码结构第25页,共52页,编辑于2022年,星期六地址译码器:接收来自地址译码器:接收来自CPU的的n n位地址,经译码后产生位地址,经译码后产生2 2n个地址选择信号,实现对片内存储单元的选址。个地址
10、选择信号,实现对片内存储单元的选址。控制逻辑电路:接收片选信号CSCS及来自CPUCPU的读/写控制信号,形成芯片内部控制信号,控制数据的读出和写入(双向双向)。存储体:是存储芯片的主体,由基本存储元按照一定的排列规律构成。第26页,共52页,编辑于2022年,星期六译码器译码器译码器译码器矩阵译码电路矩阵译码电路行线行线列线列线地地址址线线地址线地址线第27页,共52页,编辑于2022年,星期六第28页,共52页,编辑于2022年,星期六第29页,共52页,编辑于2022年,星期六一一、8086CPU的管脚及功能的管脚及功能 8086是16位CPU。它采用高性能的N沟道,耗尽型负载的硅栅工艺
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 存储器 原理 接口 PPT 讲稿
限制150内