纯金属结晶讲稿.ppt
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1、关于纯金属结晶关于纯金属结晶10/9/20221第一页,讲稿共四十四页哦10/9/20222第一章第一章 金属的晶体结构金属的晶体结构1-1 金属金属1-2 金属的晶体结构金属的晶体结构1-3 实际金属的晶体结构实际金属的晶体结构本章作业本章作业第二页,讲稿共四十四页哦10/9/202231-3 实际金属的晶体结构实际金属的晶体结构一、点缺陷一、点缺陷二二、线线缺缺陷陷:在在两两个个方方向向上上尺尺寸寸很很小小,而而另另一一个个方方向向上上尺尺寸较大的缺陷。主要是位错。寸较大的缺陷。主要是位错。三三、面面缺缺陷陷:在在一一个个方方向向上上尺尺寸寸很很小小,而而另另外外两两个个方方向向上上尺尺寸
2、较大的缺陷。如晶界、相界、表面等。寸较大的缺陷。如晶界、相界、表面等。四四、体体缺缺陷陷:在在三三维维方方向向上上尺尺度度都都较较大大的的缺缺陷陷,又又称称三三维维缺缺陷陷。如沉淀相、空洞等。如沉淀相、空洞等。返返 回回第三页,讲稿共四十四页哦10/9/20224主要内容主要内容 1.刃型位错刃型位错 2.螺型位错螺型位错3.柏氏矢量柏氏矢量 4.位错密度位错密度二、二、线缺陷(位错)线缺陷(位错)返返 回回第四页,讲稿共四十四页哦10/9/202253.柏氏矢量柏氏矢量 柏氏矢量的概念柏氏矢量的概念 柏氏矢量的确定方法柏氏矢量的确定方法 柏氏矢量的物理意义柏氏矢量的物理意义 柏氏矢量的特性柏
3、氏矢量的特性 混合位错混合位错返返 回回第五页,讲稿共四十四页哦10/9/20226 混合位错混合位错实际位错线一般并不是直线,而且位错线受力后形状实际位错线一般并不是直线,而且位错线受力后形状实际位错线一般并不是直线,而且位错线受力后形状实际位错线一般并不是直线,而且位错线受力后形状也会变化,曲线上任意一点的位错线的方向用该点的也会变化,曲线上任意一点的位错线的方向用该点的也会变化,曲线上任意一点的位错线的方向用该点的也会变化,曲线上任意一点的位错线的方向用该点的切线方向表示,当位错线既不垂直也不平行柏氏矢量切线方向表示,当位错线既不垂直也不平行柏氏矢量切线方向表示,当位错线既不垂直也不平行
4、柏氏矢量切线方向表示,当位错线既不垂直也不平行柏氏矢量时,这种位错叫时,这种位错叫时,这种位错叫时,这种位错叫混合位错混合位错混合位错混合位错。由于位错是已滑移区和未滑移区的边界,所以实际晶体由于位错是已滑移区和未滑移区的边界,所以实际晶体由于位错是已滑移区和未滑移区的边界,所以实际晶体由于位错是已滑移区和未滑移区的边界,所以实际晶体中位错不能终止在晶内,只能终止在内外表面(露头),中位错不能终止在晶内,只能终止在内外表面(露头),中位错不能终止在晶内,只能终止在内外表面(露头),中位错不能终止在晶内,只能终止在内外表面(露头),在晶内只能自身封闭成环或结成三维位错网络。在晶内只能自身封闭成环
5、或结成三维位错网络。在晶内只能自身封闭成环或结成三维位错网络。在晶内只能自身封闭成环或结成三维位错网络。第六页,讲稿共四十四页哦10/9/20227形成位错环时,位错性质类型的确定:形成位错环时,位错性质类型的确定:形成位错环时,位错性质类型的确定:形成位错环时,位错性质类型的确定:ABAB、CDCD段段段段 b b b b 刃型位错刃型位错刃型位错刃型位错ABAB段:正刃;段:正刃;段:正刃;段:正刃;CDCD段:负刃段:负刃段:负刃段:负刃BCBC、DADA段段段段 b b b b 螺型位错螺型位错螺型位错螺型位错BCBC段:右螺;段:右螺;段:右螺;段:右螺;DADA段:左螺段:左螺段:
6、左螺段:左螺A A点:左螺,点:左螺,点:左螺,点:左螺,B B点:正刃点:正刃点:正刃点:正刃C C点:右螺,点:右螺,点:右螺,点:右螺,D D点:负刃点:负刃点:负刃点:负刃其它为混其它为混其它为混其它为混 A AB BC CD Db b b b图图图图1-56 1-56 确定位错环的位错性质类型确定位错环的位错性质类型确定位错环的位错性质类型确定位错环的位错性质类型b b b bA AB BC CD D第七页,讲稿共四十四页哦10/9/20228可以通过一些物理的和化学的方法将晶体中的位错显示出可以通过一些物理的和化学的方法将晶体中的位错显示出可以通过一些物理的和化学的方法将晶体中的位
7、错显示出可以通过一些物理的和化学的方法将晶体中的位错显示出来。通常的方法有:来。通常的方法有:来。通常的方法有:来。通常的方法有:n n 侵蚀法侵蚀法侵蚀法侵蚀法n n 电镜观察(图电镜观察(图电镜观察(图电镜观察(图1-57 1-57)n n X X射线衍射间接检查位错射线衍射间接检查位错射线衍射间接检查位错射线衍射间接检查位错返返 回回图图图图1-57 1-57 电镜下焊缝金属中电镜下焊缝金属中电镜下焊缝金属中电镜下焊缝金属中AFAF内位错内位错内位错内位错第八页,讲稿共四十四页哦10/9/202294.位错密度位错密度晶体中位错量的多少用位错密度来表示。晶体中位错量的多少用位错密度来表示
8、。晶体中位错量的多少用位错密度来表示。晶体中位错量的多少用位错密度来表示。位错密度位错密度位错密度位错密度:单位体积中位错线的总长度或通过单位面积:单位体积中位错线的总长度或通过单位面积:单位体积中位错线的总长度或通过单位面积:单位体积中位错线的总长度或通过单位面积的位错数目。的位错数目。的位错数目。的位错数目。位错密度,位错密度,位错密度,位错密度,mm-2-2;V V 晶体的体积;晶体的体积;L 晶体中位错的总长度晶体中位错的总长度一般充分退火的多晶体金属中,一般充分退火的多晶体金属中,1010101212mm-2 经剧烈冷塑性变形金属中,经剧烈冷塑性变形金属中,1015151010161
9、6mm-2-2,即在,即在,即在,即在1 13 3 的金属内,含有的位错总长度达千百万公里。的金属内,含有的位错总长度达千百万公里。的金属内,含有的位错总长度达千百万公里。的金属内,含有的位错总长度达千百万公里。第九页,讲稿共四十四页哦10/9/202210位错的存在和密度的大小对机械性能、位错的存在和密度的大小对机械性能、位错的存在和密度的大小对机械性能、位错的存在和密度的大小对机械性能、扩散及相变有重要的影响,如图扩散及相变有重要的影响,如图扩散及相变有重要的影响,如图扩散及相变有重要的影响,如图1-581-58所示。所示。所示。所示。若金属晶体不含位错,将接近理论若金属晶体不含位错,将接
10、近理论强度强度T=G/2T=G/2。如直径为如直径为如直径为如直径为1.61.6mm的铁晶的铁晶的铁晶的铁晶须(位错密度极低),其须(位错密度极低),其须(位错密度极低),其须(位错密度极低),其 b b=13400=13400 MPaMPa;有位错存在强度大大下降有位错存在强度大大下降有位错存在强度大大下降有位错存在强度大大下降,退火纯铁,退火纯铁,退火纯铁,退火纯铁的的的的 10101010101111mm-2-2,b b=300 MPa=300 MPa;经合金化、冷变形、热处理强化后经合金化、冷变形、热处理强化后经合金化、冷变形、热处理强化后经合金化、冷变形、热处理强化后 1010151
11、510101616mm-2,b b=3000MPa=3000MPa。m 1234图图图图1-58 1-58 晶体的塑变抗晶体的塑变抗晶体的塑变抗晶体的塑变抗力与力与力与力与 的关系的关系的关系的关系11理论强度理论强度理论强度理论强度22晶须强度晶须强度晶须强度晶须强度33未强化纯金属强度未强化纯金属强度未强化纯金属强度未强化纯金属强度44合金化、冷变形、热处理合金化、冷变形、热处理合金化、冷变形、热处理合金化、冷变形、热处理的合金强度的合金强度的合金强度的合金强度返返 回回第十页,讲稿共四十四页哦10/9/202211三、面缺陷三、面缺陷面面面面缺缺缺缺陷陷陷陷包包包包括括括括外外外外表表表
12、表面面面面(表表表表面面面面和和和和自自自自由由由由界界界界面面面面)和和和和内内内内表表表表面面面面(晶晶晶晶界界界界、亚亚亚亚晶晶晶晶界界界界、孪孪孪孪晶晶晶晶界界界界、堆堆堆堆垛垛垛垛层层层层错错错错和和和和相相相相界界界界等等等等)。面面面面缺缺缺缺陷陷陷陷对对对对材材材材料料料料的的的的力力力力学学学学和物理化学性能具有重要影响。和物理化学性能具有重要影响。和物理化学性能具有重要影响。和物理化学性能具有重要影响。1.1.晶体表面晶体表面晶体表面晶体表面 2.2.晶界晶界晶界晶界 3.亚晶界亚晶界亚晶界亚晶界 4.4.堆垛层错堆垛层错堆垛层错堆垛层错 5.5.相界相界相界相界 6.6.
13、晶界特性晶界特性晶界特性晶界特性返返 回回第十一页,讲稿共四十四页哦10/9/2022121.晶体表面晶体表面晶体外表面上的原子与内部原子所处的环境不同晶体外表面上的原子与内部原子所处的环境不同。在。在内部,每一个原子都被周围原子对称包围,而外侧被内部,每一个原子都被周围原子对称包围,而外侧被气、液等原子或分子包围,内部原子的作用力比外表气、液等原子或分子包围,内部原子的作用力比外表面的原子大,内外受力不平衡,使表面原子偏离平衡面的原子大,内外受力不平衡,使表面原子偏离平衡位置,引起晶格畸变,使表面能量升高,出现额外的位置,引起晶格畸变,使表面能量升高,出现额外的自由能,即自由能,即表面能表面
14、能表面能表面能。与表面张力同量纲、同数值与表面张力同量纲、同数值与表面张力同量纲、同数值与表面张力同量纲、同数值。单位。单位。单位。单位为为为为J J 或或或或N/mN/m。第十二页,讲稿共四十四页哦10/9/202213影响表面能的因素:影响表面能的因素:表面原子密度表面原子密度 表面原子密度越大,表面能越小。因此,表面原子密度越大,表面能越小。因此,表面原子密度越大,表面能越小。因此,表面原子密度越大,表面能越小。因此,晶体易使密排面裸露在表面。晶体易使密排面裸露在表面。晶体易使密排面裸露在表面。晶体易使密排面裸露在表面。表面曲率半径表面曲率半径表面曲率半径表面曲率半径 表面曲率半径越大,
15、曲率越小,表面能表面曲率半径越大,曲率越小,表面能表面曲率半径越大,曲率越小,表面能表面曲率半径越大,曲率越小,表面能越小,反之,亦然。越小,反之,亦然。越小,反之,亦然。越小,反之,亦然。外部介质性质外部介质性质 外部介质的分子或原子对晶体界面原外部介质的分子或原子对晶体界面原外部介质的分子或原子对晶体界面原外部介质的分子或原子对晶体界面原子的作用力与晶体内部原子对界面原子的作用力相差子的作用力与晶体内部原子对界面原子的作用力相差子的作用力与晶体内部原子对界面原子的作用力相差子的作用力与晶体内部原子对界面原子的作用力相差越大,则表面能越大。越大,则表面能越大。越大,则表面能越大。越大,则表面
16、能越大。晶体的性质晶体的性质 晶体本身的结合能高,熔点高,则表晶体本身的结合能高,熔点高,则表晶体本身的结合能高,熔点高,则表晶体本身的结合能高,熔点高,则表面能大。面能大。面能大。面能大。返返 回回第十三页,讲稿共四十四页哦10/9/2022142.晶界晶界实际金属是多晶体,每个晶粒的晶体结构相同,但位向实际金属是多晶体,每个晶粒的晶体结构相同,但位向实际金属是多晶体,每个晶粒的晶体结构相同,但位向实际金属是多晶体,每个晶粒的晶体结构相同,但位向不同,位向差小到几十分大到几十度。不同,位向差小到几十分大到几十度。不同,位向差小到几十分大到几十度。不同,位向差小到几十分大到几十度。两个空间位向
17、不同的相邻晶粒之间的界面叫两个空间位向不同的相邻晶粒之间的界面叫晶界。晶界。晶界。晶界。小角度晶界小角度晶界小角度晶界小角度晶界晶粒的位相差小于晶粒的位相差小于晶粒的位相差小于晶粒的位相差小于1010的晶界称为的晶界称为小角度晶界小角度晶界。小角度晶界小角度晶界小角度晶界小角度晶界是由一系列位错排列而成。如刃型对称倾侧晶是由一系列位错排列而成。如刃型对称倾侧晶是由一系列位错排列而成。如刃型对称倾侧晶是由一系列位错排列而成。如刃型对称倾侧晶界(图界(图界(图界(图1-59),螺型扭转晶界(图),螺型扭转晶界(图1-601-60)。)。)。)。第十四页,讲稿共四十四页哦10/9/202215 大角
18、度晶界大角度晶界大角度晶界大角度晶界晶粒的位相差大于晶粒的位相差大于晶粒的位相差大于晶粒的位相差大于1010的晶界称为的晶界称为的晶界称为的晶界称为大角度晶界大角度晶界大角度晶界大角度晶界。大约有大约有大约有大约有3 35 5个原子间距原子排列,个原子间距原子排列,个原子间距原子排列,个原子间距原子排列,规则性较差,晶格畸变很大,可以规则性较差,晶格畸变很大,可以规则性较差,晶格畸变很大,可以规则性较差,晶格畸变很大,可以认为处于由一个晶粒向另一个晶粒认为处于由一个晶粒向另一个晶粒认为处于由一个晶粒向另一个晶粒认为处于由一个晶粒向另一个晶粒位向过渡的折中位置(图位向过渡的折中位置(图位向过渡的
19、折中位置(图位向过渡的折中位置(图1-611-61)。)。)。)。大角度晶界还可能有大角度晶界还可能有大角度晶界还可能有大角度晶界还可能有共格晶界共格晶界共格晶界共格晶界:晶:晶:晶:晶界上的原子正好处于两晶粒的共界上的原子正好处于两晶粒的共界上的原子正好处于两晶粒的共界上的原子正好处于两晶粒的共同结点上(图同结点上(图同结点上(图同结点上(图1-621-62)图图图图1-61 1-61 大角度晶界大角度晶界大角度晶界大角度晶界图图图图1-62 1-62 共格晶界共格晶界共格晶界共格晶界返返 回回第十五页,讲稿共四十四页哦10/9/202216图图图图1-59 1-59 对称倾侧晶界及其形成示
20、意图对称倾侧晶界及其形成示意图对称倾侧晶界及其形成示意图对称倾侧晶界及其形成示意图对称倾侧晶界的形成对称倾侧晶界的形成对称倾侧晶界的形成对称倾侧晶界的形成对称倾侧晶界对称倾侧晶界对称倾侧晶界对称倾侧晶界位错墙位错墙倾侧前倾侧前倾侧后倾侧后返返 回回第十六页,讲稿共四十四页哦10/9/202217返返 回回图图图图1-60 1-60 螺型扭转晶界螺型扭转晶界螺型扭转晶界螺型扭转晶界第十七页,讲稿共四十四页哦10/9/2022183.亚晶界亚晶界每个晶粒内部位向也有微每个晶粒内部位向也有微每个晶粒内部位向也有微每个晶粒内部位向也有微小的差别,由许多位向差小的差别,由许多位向差小的差别,由许多位向差
21、小的差别,由许多位向差很小的小区域(亚晶粒)很小的小区域(亚晶粒)很小的小区域(亚晶粒)很小的小区域(亚晶粒)组成,位向差仅几分,最组成,位向差仅几分,最组成,位向差仅几分,最组成,位向差仅几分,最多多多多1-21-2,如图,如图,如图,如图1-631-63所示。所示。亚晶粒之间的边界叫亚晶粒之间的边界叫亚晶粒之间的边界叫亚晶粒之间的边界叫亚晶界。亚晶界。亚晶界。亚晶界。实验证实,亚晶界属于小实验证实,亚晶界属于小角度晶界。角度晶界。图图图图1-63 1-63 亚晶界结构示意图亚晶界结构示意图亚晶界结构示意图亚晶界结构示意图返返 回回第十八页,讲稿共四十四页哦10/9/2022194.堆垛层错
22、堆垛层错 概念:概念:实际晶体中,晶面堆垛次序发生局部差错而形成的实际晶体中,晶面堆垛次序发生局部差错而形成的实际晶体中,晶面堆垛次序发生局部差错而形成的实际晶体中,晶面堆垛次序发生局部差错而形成的晶体缺陷,称为晶体缺陷,称为晶体缺陷,称为晶体缺陷,称为堆垛层错堆垛层错堆垛层错堆垛层错,简称为,简称为层错层错。形式:形式:fcc晶格,原子的堆垛次序为晶格,原子的堆垛次序为晶格,原子的堆垛次序为晶格,原子的堆垛次序为ABC ABC C ABC ABC 层错:层错:ABC AB ABC 影响:影响:层错破坏了晶体的周期性完整性,引起能量的升高。层错破坏了晶体的周期性完整性,引起能量的升高。层错破坏
23、了晶体的周期性完整性,引起能量的升高。层错破坏了晶体的周期性完整性,引起能量的升高。层错能:层错能:产生单位面积层错所需的能量,称之。产生单位面积层错所需的能量,称之。产生单位面积层错所需的能量,称之。产生单位面积层错所需的能量,称之。返返 回回第十九页,讲稿共四十四页哦10/9/2022205.相界相界合金的组织往往由多个相合金的组织往往由多个相组成组成。不同的相具有不同的。不同的相具有不同的。不同的相具有不同的。不同的相具有不同的晶体结构和化学成分。晶体结构和化学成分。晶体结构和化学成分。晶体结构和化学成分。具有不同晶体结构的两相之间具有不同晶体结构的两相之间具有不同晶体结构的两相之间具有
24、不同晶体结构的两相之间的分界叫的分界叫的分界叫的分界叫相界相界相界相界。相界结构有三种:相界结构有三种:相界结构有三种:相界结构有三种:共格界面共格界面共格界面共格界面、半共格界面半共格界面和和非共格界面非共格界面。如图。如图1-64所示。所示。所示。所示。返返 回回具有完善共格关系的具有完善共格关系的界面界面能量最低界面界面能量最低具有弹性畸变具有弹性畸变的共格界面的共格界面半共格界面半共格界面半共格界面半共格界面界面能量最高界面能量最高图图图图1-64 1-64 各种相界面结构示意图各种相界面结构示意图各种相界面结构示意图各种相界面结构示意图第二十页,讲稿共四十四页哦10/9/202221
25、6.晶界特性晶界特性晶界、亚晶界或其它界面上的原子排列很不规则,晶晶界、亚晶界或其它界面上的原子排列很不规则,晶晶界、亚晶界或其它界面上的原子排列很不规则,晶晶界、亚晶界或其它界面上的原子排列很不规则,晶格畸变很大,位错密度高,具有一定的格畸变很大,位错密度高,具有一定的格畸变很大,位错密度高,具有一定的格畸变很大,位错密度高,具有一定的界面能界面能界面能界面能或或晶界晶界能能。所以原子出于高能状态,活性很大,对金属的许。所以原子出于高能状态,活性很大,对金属的许。所以原子出于高能状态,活性很大,对金属的许。所以原子出于高能状态,活性很大,对金属的许多过程都有重要作用。多过程都有重要作用。多过
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