集成电路工艺讲义 优秀课件.ppt
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1、集成电路工艺讲义 第1页,本讲稿共36页余误差函数分布图:第2页,本讲稿共36页扩散开始时,表面放入一定量的杂质源,而在以后的扩散过程中不再有杂质加入,这种扩散就是有限源的扩散。有限源扩散时的初始条件图:第3页,本讲稿共36页在有限源扩散情况下,表面浓度与扩散深度成反比,扩散愈深,则表面浓度愈低。第4页,本讲稿共36页扩散结深第5页,本讲稿共36页决定扩散结深的因素共有4个:1、衬底杂质浓度NE 2、表面杂质浓度Ns3、扩散时间t4、扩散温度T第6页,本讲稿共36页扩散层的方块电阻第7页,本讲稿共36页对扩散结深影响最大的因素是扩散温度和扩散时间,特别是扩散温度。因此,在扩散过程中炉温的控制很
2、关紧要,通常要求炉温的偏差小于等于1。第8页,本讲稿共36页扩散温度与扩散时间的选择预沉积的温度T不可过低第9页,本讲稿共36页主要扩散方法n一、液态源扩散 n二、固态源扩散 n 箱法扩散:在高温下,杂质氧化物源的蒸气将充满整个箱内空间,并与硅在表面起作用。n三、固固扩散n 低温淀积掺杂氧化层第10页,本讲稿共36页高浓度浅扩散中的反常现象高浓度磷扩散的反常浓度分布图:第11页,本讲稿共36页结深和方块电阻的测量第12页,本讲稿共36页四探针法测量电阻率第13页,本讲稿共36页离子注入设备第14页,本讲稿共36页注入离子的浓度分布注入离子浓度的下降表格:N/Nmax0.5 10-110-210
3、-310-410-510-610-71.2233.74.34.85.35.7第15页,本讲稿共36页二氧化硅网络每一个硅原子的周围有四个氧原子,构成所谓硅氧正四面体;而两个相邻的SiO4四面体之间则依靠公用一个顶角氧而联系起来,这种把两个SiO4四面体联系起来的氧原子称为桥键氧。整个SiO2玻璃就是由这种SiO4四面体依靠桥键氧相连而混乱排列所构成的,是三维的环状网络结构。显然,SiO2玻璃的这种结构是较疏松的。在正常情况下,其中氧原子与硅原子数目之比为2:1。第16页,本讲稿共36页HCl的氧化过程,实质上就是在热生长SiO2膜的同时,往SiO2中掺入一定数量的氧离子的过程。氧离子较多的填补
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