大同存储设备项目投资计划书参考模板.docx
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1、泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书目录目录第一章第一章 行业、市场分析行业、市场分析.7一、行业发展现状及未来发展趋势.7二、行业发展面临的机遇与挑战.7三、产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线.9第二章第二章 项目背景、必要性项目背景、必要性.13一、半导体存储产业链特征.13二、全球半导体存储产业概况.14三、加大与东部地区产业转移承接合作.16四、项目实施的必要性.17第三章第三章 建设单位基本情况建设单位基本情况.18一、公司基本信息.18二、公司简介.18三、公司竞争优势.19四、公司主要财务数据.20公司合并资产负债表主要数据.20公司合并利润表主要数据.20五、核心人员介绍.2
2、1六、经营宗旨.22七、公司发展规划.23第四章第四章 项目总论项目总论.28泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书一、项目概述.28二、项目提出的理由.29三、项目总投资及资金构成.31四、资金筹措方案.31五、项目预期经济效益规划目标.31六、项目建设进度规划.32七、环境影响.32八、报告编制依据和原则.32九、研究范围.34十、研究结论.34十一、主要经济指标一览表.35主要经济指标一览表.35第五章第五章 项目选址分析项目选址分析.37一、项目选址原则.37二、建设区基本情况.37三、加快构建一流创新生态,孕育转型发展新动能.40四、以京同合作带动融入京津冀协同发展.42五、项目选址综
3、合评价.43第六章第六章 建设方案与产品规划建设方案与产品规划.44一、建设规模及主要建设内容.44二、产品规划方案及生产纲领.44产品规划方案一览表.45泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书第七章第七章 建筑工程说明建筑工程说明.46一、项目工程设计总体要求.46二、建设方案.46三、建筑工程建设指标.47建筑工程投资一览表.48第八章第八章 法人治理法人治理.50一、股东权利及义务.50二、董事.57三、高级管理人员.62四、监事.64第九章第九章 发展规划发展规划.67一、公司发展规划.67二、保障措施.71第十章第十章 人力资源配置分析人力资源配置分析.74一、人力资源配置.74劳动定
4、员一览表.74二、员工技能培训.74第十一章第十一章 原辅材料供应、成品管理原辅材料供应、成品管理.76一、项目建设期原辅材料供应情况.76二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.76第十二章第十二章 项目实施进度计划项目实施进度计划.78泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书一、项目进度安排.78项目实施进度计划一览表.78二、项目实施保障措施.79第十三章第十三章 环境保护方案环境保护方案.80一、编制依据.80二、建设期大气环境影响分析.81三、建设期水环境影响分析.82四、建设期固体废弃物环境影响分析.83五、建设期声环境影响分析.83六、环境管理分析.84七、结论.86八、建议.86第十
5、四章第十四章 投资方案投资方案.87一、投资估算的依据和说明.87二、建设投资估算.88建设投资估算表.90三、建设期利息.90建设期利息估算表.90四、流动资金.92流动资金估算表.92五、总投资.93总投资及构成一览表.93六、资金筹措与投资计划.94泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书项目投资计划与资金筹措一览表.95第十五章第十五章 经济效益及财务分析经济效益及财务分析.96一、经济评价财务测算.96营业收入、税金及附加和增值税估算表.96综合总成本费用估算表.97固定资产折旧费估算表.98无形资产和其他资产摊销估算表.99利润及利润分配表.101二、项目盈利能力分析.101项目投资现
6、金流量表.103三、偿债能力分析.104借款还本付息计划表.105第十六章第十六章 招标方案招标方案.107一、项目招标依据.107二、项目招标范围.107三、招标要求.108四、招标组织方式.110五、招标信息发布.110第十七章第十七章 风险分析风险分析.112一、项目风险分析.112二、项目风险对策.115第十八章第十八章 总结分析总结分析.116泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书第十九章第十九章 附表附件附表附件.118主要经济指标一览表.118建设投资估算表.119建设期利息估算表.120固定资产投资估算表.121流动资金估算表.122总投资及构成一览表.123项目投资计划与资金筹
7、措一览表.124营业收入、税金及附加和增值税估算表.125综合总成本费用估算表.125利润及利润分配表.126项目投资现金流量表.127借款还本付息计划表.129泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书第一章第一章 行业、市场分析行业、市场分析一、行业发展现状及未来发展趋势行业发展现状及未来发展趋势集成电路产业是现代信息产业的基础,集成电路主要分为存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片、微处理器芯片等。根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)数据,2020 年全球集成电路产业规模为 3,612.26 亿美元,其中存储芯片规模为 1,174.82 亿美元,约占集成电路产业总体规模的 32.52%,与逻辑芯片共同
8、构成集成电路产业的两大支柱。二、行业发展面临的机遇与挑战行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇(1)国家政策高度重视集成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。近年来,为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展,国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策,国家层面也设立相应产业投资基金,给行业注入新动力。(2)下游应用行业蓬勃发展,国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施,下游制造业的升级换代进程加快,其中消泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书费电子
9、、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势,直接推动存储器产业链的持续扩张,有利于维持存储器行业需求端的规模增长。(3)存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展,全球集成电路行业经历了向中国转移的过程,中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下,存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线,下游晶圆加工工艺持续改进,国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平,为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。(4)信创产业助力存储行业发展近年来,国家大力推动信创产业发展
10、,从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件,再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环,当前信创产业处于全面提速阶段,必将对整个国产存储产业链起到带动作用。2、行业挑战(1)高端技术人才不足泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下,高端技术才是企业抓住机遇、发展壮大的关键。国内具备战略视野和产业运营经验的领军型人才和国际高端技术人才相对稀缺。(2)国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现,当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中,国内存储晶圆制造仍
11、处于起步阶段,专利和技术积累相对薄弱,虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产,但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较大差距。(3)我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段,与国际大厂依然存在技术差距,尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板,目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此,产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展。三、产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和
12、资本门槛,早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书势,全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累,不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗,随着制程工艺不断逼近极限,芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高,研发资本投入不断增加。同时,主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能,维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash 市场竞争格局及技术路线NANDFlash 全球市场高度集中,根据 Omdia(IHSMarkit)数据,2020 年全球 NANDFlash
13、市场规模为 571.95 亿美元,由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK 海力士、英特尔六家公司主导,其中三星电子全球市场份额约 34%,此外,SK 海力士收购英特尔 NANDFlash业务已于 2021 年获得主要市场监管当局批准,全球 NANDFlash 市场将进一步集中。技术路线方面,主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash 存储密度。目前,存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位(bit)量和提升 3DNANDFlash 的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量,NANDFlash 分为 SLC、MLC、TLC、QLC。SLC(Single-level
14、Cell)为每个存储单元存储的数据只有 1 位,而 MLC(Multi-levelCell)、TLC(Triple-levelCell)和 QLC(Quad-泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书LevelCell)每个存储单元存储的数据分别为 2 位、3 位与 4 位,存储密度梯度提升。传统 NANDFlash 为平面闪存(2DNAND),3DNAND 使用多层垂直堆叠技术,拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子 2013 年率先开发出可以商业化应用的 24 层3DNAND,2020 年 3DNAND 高端先进制程进入 176 层阶段。2、DRAM 市场竞争格局及技术路
15、线DRAM 全球市场相较于 NANDFlash 更为集中,2020 年全球 DRAM 市场规模为 663.83 亿美元,由三星电子、SK 海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面,行业龙头三星电子于 2014 年率先实现 20 纳米制程量产(4GbDDR3DRAM),将技术路线竞争引入 20nm 时代,此后DRAM 制程大约每两年实现一次突破,从 1Xnm(16nm-19nm)到 1Ynm(14nm-16nm)到 1Znm(12-14nm)。2021 年 1 月,美光科技率先宣布量产 1nm(接近 10nm)DRAM 产品,主流原厂开始进入 1nm 制程阶段。目前市场高端制程为 1Znm,该
16、制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5 及 LPDDR4X/5。3、中国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来,在集成电路产业政策和国家集成电路基金等市场资本的扶持推动下,中国在 DRAM 与 NANDFlash 两大存储核心领域均取得关键技术突破,以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书力与国际主流原厂快速缩小;依托中国市场广阔需求,市场份额取得实质进展。尽管国产晶圆生产取得实质进展,但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储原厂仍有显著差距。泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书第二章第二章 项目背景、必要性项目背景、必要性一、半导体存储产业
17、链特征半导体存储产业链特征半导体存储产业链形态与逻辑芯片产业有所不同。逻辑芯片产业从 1990 年代起,受降低成本和提升效率等要素驱动,原来主流的 IDM(设计-制造垂直整合)模式向产业链分工模式切换,Fabless(设计)、Foundry(制造)、Test(测试)各环节开始独立,产业链纵向分化;而半导体存储器由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密,半导体存储主要晶圆厂仍采用 IDM 模式经营。同时,半导体存储器核心功能即为数据存储,存储晶圆标准化程度高,应用场景所需的功能则在 NANDFlash 主控芯片设计、固件开发以及 SiP 封装等产业链后端环节实现。因此存储原厂完成晶圆制造后,仍需
18、开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。由于以上的产业特征,部分存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透,同时独立的存储器供应商(含品牌商)应运而生。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆 IC 设计与提升晶圆制程,在产品应用领域,囿于产品化成本等要素限制,原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户(如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户)。存储原厂的目标市场之外,仍存在极为广泛的应用场景和市场需求,包括细分行业存储泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书需求(如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等)以及主流应用市场中小客户的需求。存储器
19、厂商面向下游细分行业客户的客制化需求,进行晶圆分析、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计、芯片测试、提供后端的技术支持等,将标准化存储晶圆转化为存储产品,扩展了半导体存储器的应用场景,提升了半导体存储器在各类应用场景的适用性,推动实现存储晶圆的产品化,是半导体存储产业链承上启下的重要环节。领先的存储器厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉,推动存储产品企业塑造自身的品牌形象,进而巩固其市场地位并改善利润空间,推动其增加研发投入,形成良性循环。二、全球半导体存储产业概况全球半导体存储产业概况1、全球半导体存储产业在波动中呈现总体增长趋势半导体存储器作为电子系统的基本组成部分,是现代信息产业应
20、用最为广泛的电子器件之一。随着现代电子信息系统的数据存储需求指数级增长,半导体存储出货量持续大幅增长,另一方面,由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破,单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势,市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。2、DRAM 与 NANDFlash 是半导体存储的主流市场泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书半导体存储市场中,DRAM 和 NANDFlash 占据主导地位,根据ICInsights 数据,2019 年全球半导体存储器市场中 DRAM 占比达 58%,NANDFlash 约占 40%,此外 NORFlash 占据约 1%的市场份额。随着电子产
21、品对即时响应速度和数据处理速度的要求不断提高和CPU 升级迭代,DRAM 器件的主流存储容量亦持续扩大。近年来随着NANDFlash 技术不断发展,单位存储成本的经济效益不断优化,应用场景持续拓展,用户需求不断攀升。在长期增长的总体趋势下,DRAM 和NANDFlash 的短期市场规模与产品价格受到晶圆技术迭代与产能投放、下游端市场需求、渠道市场备货,以及全球贸易环境等多重因素影响,供求平衡较为敏感。(1)NANDFlash 市场根据 Omdia(IHSMarkit)数据,2020 年全球 NANDFlash 市场实现销售额为 571.95 亿美元,较 2019 年增长 24.17%。2012
22、 年至 2017年,全球 NANDFlash 在数据爆炸中保持持续稳定增长,特别是 2016 年至 2018 年初,受 4G 智能手机等移动终端需求驱动,以及存储原厂的生产工艺从 2D 向 3D 升级造成的产能切换,NANDFlash 供不应求,量价齐升,市场快速扩张。2018 年初,4G 智能手机市场经过数年发展趋于饱和,同时存储原厂基本完成 3DNANDFlash 的工艺升级,导致晶圆单位存储密度大幅度提升,NANDFlash 供过于求,价格迎来拐点并持续下泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书跌,而由于存储原厂产能投放充足,存储原厂持续将产能传导至渠道市场,市场规模仍保持增长惯性,直至 2
23、019 年大幅回落。2020 年受新冠疫情影响,居家办公、远程通信需求持续拉动个人电脑、服务器市场增长,同时全球产能受疫情管制措施干扰,DRAM 与 NANDFlash 价格上涨,2020 年市场规模实现增长。(2)DRAM 市场根据 Omdia(IHSMarkit)数据,2020 年全球 DRAM 市场实现销售额为 663.83 亿美元,较 2019 年小幅增长 6.75%。DRAM 市场由于集中度更高,主要供应商的产能布局和市场需求之间的动态平衡更为脆弱,存储原厂产能规划对市场价格和总体规模影响较大。2018 年由于三大存储原厂 DRAM 制程切换中产能储备不足,与 NANDFlash 年
24、初即迎来价格拐点不同,市场缺货行情支撑 DRAM 价格仍然保持增长至 2018第三季度,并助推 2018 年市场规模实现较高增长,此后 DRAM 与NANDFlash 同样受疲软需求拖累,2019 年 DRAM 价格及市场规模均大幅跳水,2020 年市场需求有所恢复性增长。三、加大与东部地区产业转移承接合作加大与东部地区产业转移承接合作深入推进供给侧改革,适应产业链重构、消费结构升级和品质提升的新趋势,以能源革命为引领,以“六新”为支撑,参与国内大循环。主动对接粤港澳大湾区、长江经济带等国家大战略,主动承接东泓域咨询/大同存储设备项目投资计划书部区域产业升级型转移。依托农牧资源优势,加快承接现
25、代纺织、绿色食品等农牧产品精深加工产业,以“大同品牌+省外制造”的中东部产能合作新模式助推本土企业做大做强。大力承接新能源电池、大规模数据存储中心、现代医药、光伏装备等能耗型高新技术产业。积极打造“柔性制造+新零售”等新模式、新业态,引领产业转型升级。谋划建设同苏、同浙、同深合作产业园,打造中东部产能合作载体。四、项目实施的必要性项目实施的必要性(一)提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提
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