2022年模拟电子技术基础试题汇总附有答案.docx

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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆模拟电子技术基础试题汇总一. 挑选题 1当温度上升时,二极管反向饱和电流将 A ； A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如下列图,由此可判定该三极管 D A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示 . 设 VCCVBE, LCEO0,就在静态时该三极管处 于 B A.放大区 B.饱和区 C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是 B ； A 温度稳固性 B单向导电性 C放大作用 D滤波特性5. 在由 NPN型 BJT组成的

2、单管共发射极放大电路中, 如静态工作点过高,简单产生名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆 B 失真； A 截止失真 B饱和 v 失真 C双向失真 D线性失真 6. 电路如下列图, 二极管导通电压 UD0.7V,关于输出电压的说法正确选项 B ； A ：uI1=3V,uI2 =0.3V 时输出电压为 3.7V； B ：uI1=3V,uI2 =0.3V 时输出电压为 1V； C ：uI1=3V,uI2 =3V时输出电压为 5V； D ：只有当 uI1=0.3V,uI2=0.3V 时输出电压为才为

3、 1V；7. 图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由 Q2 点移动到 Q3点可能的缘由是； A ：集电极电源 +VCC电压变高 RC变高B：集电极负载电阻 C ：基极电源 +VBB电压变高D：基极回路电阻Rb变高；名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆8. 直流负反馈是指 C A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈 D. 耦合电路中的负反馈只存在于直接9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是 B 反馈环内的干扰和A 输入信号所

4、包含的干扰和噪声 B. 噪声C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中, A为抱负运放,就电路的输出电压约为 A A. 2.5V B. 5V C. 6.5V D. 7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,如输入电压S1=80mV, S2=60mV,就差模输入电压id 为 B A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地协作,可以在信号源与低阻负载间接入名师归纳总结 C ；共基电路第 3 页,共 36 页A. 共射电路 B. - - - - - - -精选学习资料 - - - - -

5、- - - - 学而不思就惘,思而不学就殆C. 共集电路 D. 共集 -共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时, 如 i 为正弦波,就 o D A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真C. 肯定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区分是,前者的运放通常工作在 A ；A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在 A 情形下简单引起自激；A. 回路增益 A F 大 B 反馈系数太小C. 闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少16. LC

6、正弦波振荡电路如图1-9 所示,该电路 D ；A. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡B. 由于不满意相位平稳条件,不能产生正弦波振荡C. 满意振荡条件能产生正弦波振荡D. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆图 1-9 图 1-10 17. 图 1-10 所示电路显现故障,经测量得知 的可能缘由为 D ；VE=0,VC=VCC,故障A. R c 开路 B. Rc短路 C. Re 短路 D. Rb1开路18. 与甲类功率放大方式比较,乙类 式的主要优点

7、是 C ；OCL互补对称功率放大方A. 不用输出变压器 B. 不用输出端大电容C. 效率高 D. 无交越失真19. 共模抑制比 KCMR越大,说明电路 C ；A. 放大倍数越稳固 B. C. 抑制温漂才能越强 D. 越大沟通放大倍数越大 输入信号中的差模成分20. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带名师归纳总结 B ；A. 变宽 B. 变窄 C. 不变 D. 与第 5 页,共 36 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆各单级放大电路无关21. 双端输入 . 双端输出差分放大电路如下列图；已知静态时,Vo=Vc

8、1Vc,设差模电压增益A vd100,共模电压增益AVc0,V i110mV,Vi25mV,就输出电压V 为 D ；B. 1000 mV C. 250 mV A. 125mV D. 500 mV 22. 对于图所示的复合管,假设ICEO1和ICEO2分别表示 T1.T2单管工作时的穿透电流,就复合管的穿透电流 I CEO 为 D ；A. I CEO I CEO 2 B. I CEO I CEO 1 I CEO 2C. I CEO I CEO 1 D. I CEO 1 I CEO 1 I CEO 223. 某外表放大电路,要求 Ri 大,输出电流稳固,应选 A ；A. 电流串联负反馈 B. 电压

9、并联负反馈名师归纳总结 C. 电流并联负反馈 D. 电压串联第 6 页,共 36 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆负反馈24. 多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比,通频带 B ；变窄 C不变 D与单级放大电路 A 变宽 B无关25. 电流源电路的特点是输出电流恒定,沟通等效电阻 D ； A 等于零 B C 等于直流等效电阻 D比直流等效电阻小 远远大于直流等效电阻26. 放大电路产生零点漂移的主要缘由是 A ； A 采纳了直接耦合方式 B 采纳了阻容耦合方式 C 采纳了正 . 负双电源供电 D 增益太大 27.

10、 二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为 D ； B-20dB/十倍频程 A20dB/ 十倍频程 C40dB 十倍频程 D-40dB/ 十倍频程28. 当有用信号的频率低于 100Hz时,应采纳 A 滤波电路； A 低通 B 高通 C 带通 D 带阻 29. 在输入量不变的情形下,如引入反馈后 C ,就说明引入的反馈是正反馈； 输入电阻增大 净输入量增大 输出电阻增大 净输入量减小名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆 30.如要求放大电路取用信号源的电流小,而且输出电压基本不

11、随负载变化而变化,在放大电路中应引入的负反馈类型为 B ； A 电流串联 B 电压串联 C 电流并联 D 电压并联 31. 假如把一个二极管直接同一个电动势为 1.5V、内阻为 0 的电池正向连接,就该管 C ； A 、击穿 B、电流为 0 C 、电流过大使管子烧坏 D、正常导通 32. 差分放大器左管输入电压 +100mV,右管输入 -300mV,其共模输入B；名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆A、100mV B、-100mV C、200mV D、-200mV 33. 电流串联负反馈电路

12、的放大参量为 D ； A 、电压放大倍数 B、电流放大倍数 C 、转移电阻 D、转移电导；击穿 34. 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 A A 恒流区 B 可变电阻区 C 夹断区 D 区 35. 直接耦合放大电路存在零点漂移的缘由主要是 C ； A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 36. 差动放大电路的主要特点是 A ； A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号； B 既放大差模信号,又放大共模信号 C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号,又抑制共模信号；37. 互补输出级采纳射极输出方式是为了使 D ；

13、A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载才能强38. 集成运放电路采纳直接耦合方式是由于 C ； A 可获得较高增益 B 可使温漂变小名师归纳总结 - - - - - - -第 9 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻39. 在输入量不变的情形下,如引入反馈后 B ,就说明引入的是负反馈； A输入电阻增大 B净输入量减小 C 净输入量增大D输出量增大40. 在 RC桥式正弦波振荡电路中,当满意相位起振条件时,就其中电压放大电路的放大倍数必需满意 D 才能起振；V

14、 3 D AV V = 3 C AA AV = 1 B A3 41滞回比较器有2 个门限电压,因此在输入电压从足够低逐步增大到足够高的过程中,其输出状态将发生 A 次跃变；A 1 B 2 C 3 D 0 42 利 用 石 英 晶 体 的 电 抗 频 率 特 性 构 成 的 振 荡 器 是 B Af fs 时,石英晶体呈感性,可构成串联型晶体振荡器 Bf fs 时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器名师归纳总结 Cfsffp时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器第 10 页,共 36 页时,石英晶体呈感性,可构成串联型晶体振荡器Dfsffp- - - - - - -精选学习资料 - -

15、- - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆二. 填空题1当温度上升时, 三极管的以下参数变化趋势为：电流放大系数增大,反向饱和电流 I CBO 增大,I B 不变时,发射结正向电压 VBE 减小； 2某差动放大电路的输入信号 v i 1 20 mV , v i 2 10 mV , 就该差动放大电路的差模信号v id30 mV, vic 5 mV 假如该差动放大电路的差模增益为 100 倍,共模增益为 10 倍,就输出电压为 3050 mV； 3. 某放大电路的对数幅频特性如下列图；由图可知,该电路的中频电压增益 A Vm = 100 倍；上限截止频率 f H = 2 10 6 Hz

16、 ,下限截止频率 f L = 20 Hz； 4. 串联负反馈只有在信号源内阻很小时,其反馈成效才显著,并联负反馈只有在信号源内阻 很大 时,其反馈成效才显著； 5. 图 16 中各电路的沟通反馈类型和极性 反馈组态 分别为：图 a 为 电流串联负名师归纳总结 负反馈,图 b 为电流并联负反馈,图 c 为电压并联第 11 页,共 36 页反馈；- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆 6. 试打算以下情形应选用的滤波器类型；当有用信号频率低于500Hz时,宜选用 低通 滤波器；当期望抑制 50Hz 沟通电源的干扰时,宜选用带阻 滤波器

17、；当期望抑制 1kHz 以下的信号时,宜选用 高通 滤波器；7饱和失真与截止失真属于 非线性 失真,而幅频失真与相频失真属于 线性 失真；8负反馈按采样和求和方式的不同有四种类型分别为 电压串联负反馈、 电流串联负反馈、 电压并联负反馈 和 电流并联负反馈； 9正弦波振荡电路的起振条件为 A F 1； 10 为防止产生交越失真, 互补推挽功率放大电路一般工作在 甲乙类 类状态； 11 抱负运放工作在线性区时有两个主要的特点,分别为 虚短名师归纳总结 - - - - - - -第 12 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆和虚断； 12 在

18、串联型石英晶体振荡电路中,晶体等效为 L ；而在并；联型石英晶体振荡电路中,晶体等效为 R 13 放大器的输入电阻反映放大器 小；而输出电阻反映出向信号源索取电流的大放大器的 带负载的才能 才能； 14. 场效应管被称为单极型晶体管是由于 场效应管仅靠多数载流子导电； 15. 晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 饱和 区时,I C I b； 16. 场效应管可分为 绝缘栅 型场效应管和结型场效应管两种类型； 17. 在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共基基本放大电路只能放大电压不能放大电流； 18. 在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中显现的 电容视为开路,电感视为

19、短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻；名师归纳总结 19. 电流源电路是模拟集成电路的基本单元电路,其特点是电第 13 页,共 36 页小, 动态输出流变化电阻很大,并具有温度补偿作用； 常作为放大电路的有源- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆负载或为放大电路供应 20. 稳固的直流偏置；集电极电流从而实现晶体管是利用基极电流来掌握放大的半导体器件； 21. 放 大 电 路 的 交 流 通 路 用 于 研 究 放 大 电 路 的 动 态 参数； 22. 为判定放大电路中引入的反馈是电压反馈仍是电流反馈,通常令输出电压为零,看反

20、馈是否依旧存在；如输出电压置零后反馈不复存在就为 电压反馈； 23. 仅存在于放大电路的沟通通路中的反馈称为 沟通反馈； 24. 通用集成运放电路由 输入级 . 中间级 . 输出级和偏置电路四部分组成； 25. 假如集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端名师归纳总结 是同相输入端,否就该输入端是反相输入端；第 14 页,共 36 页 26. 差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的,差模放大倍数越大越- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆好, 共模放大倍数 越小越好； 27. 为了保证 PNP

21、型三极管工作在放大区,要求三极管的 UBE 0 ； 28. 在三种组态基本放大电路中,共射 组态同时有电压和电流放大作用,共集组态向信号索取的电流小,带负载才能强； 29. 集成运放的输入级都采纳差动放大电路,输出级通常采用甲乙类互补电路； 30. 已知某差动放大电路的差模电压放大倍数Ad=100,共模抑制比 KCMR=60dB,就其共 31. 模信号放大倍数 AC = 0.1 ；负反馈；为了产生为稳固电路的输出信号,电路应采纳一个正弦波信号,电路 32. 应采纳正反馈；线性区,而直流负反馈的作用是稳固静态工作点在模拟运算电路时,集成运算放大器工作在 33. 在比较器电路中,集成名师归纳总结

22、34. 运算放大器工作在非线性区；第 15 页,共 36 页在甲类,乙类和甲乙类三种功率放大电路中,效率最低的是,失真最小的甲类是甲乙类；- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆 35. 滞回比较器与单限比较器相比,它具有抗干扰才能强的特点； 36. 抱负运放工作在线性区时的两个特点是 虚短 和 虚断； 37. 正弦波振荡电路一般由四部分组成,即放大电路、反馈网络 、 选频网络 和稳幅环节； 38. 不管是单相半波整流电路或是单相全波和单相桥式整流电路,都是利用二极管具有 39. 单向导电性,将沟通电压变换为单向脉冲电压；振为了得到

23、频率稳固度高的正弦波信号,应采纳石英晶体荡电路； 40. 共射共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,名师归纳总结 41. 故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路；第 16 页,共 36 页负反馈系统产生自激的条件是T j1,相应的振幅条件是1,相位T j 42. 条件是T；放大器级间耦合方式有三种：直接 耦合；阻容 耦合； 变耦合；在集成压器 43. 电路中通常采纳直接 耦合；差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制 共模信号；- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆 44. 乙类推挽放大器的主要失真是交越

24、失真,要排除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器； 45 某三极管共基电流放大系数 0 . 98,就共射电流放大系数49 ；当该三极管处于放大区时,假如基极电流为 20uA,就集电极电流为 0.98 mA,发射极电流为 1 mA； 46. 为了稳固放大电路的直流重量应当引入 直流 负反馈；为了稳固电路的输出沟通电压应当引入电压负反馈；为了提高电路的输入电阻应当引入串联负反馈； 47. 某差动放大电路的输入信号v i120 mV,v i i 210 mV,就该差动放大电路的差模信号v id30 mV, vic 5 mV 假如该差动放大电路的差模增益为 100 倍,共模增益为 10 倍,就输出电压为

25、 3050 mV； 48 为了抑制 1000Hz以下的信号应选用 高通 滤波器,为了抑制 50Hz的沟通电源名师归纳总结 的干扰,应选用帶阻滤波器；第 17 页,共 36 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆 49. 在模拟运算电路时,集成运算放大器工作在线性区,而在比较器电路中,集成运算放大器工作在非线性区；,Avc0,R 0 50 抱负电压型集成运算放大器的参数：A vd0 ； 51 二极管最显著的特性是单向导电性,当硅二极管在正向导通时其两端的电压为0.7 V ； 52 场效应管属于电压 掌握器件；场效应管从结构上分成结

26、型和绝缘栅型两大类型； 53 绝缘栅型场效应管又分为增强型和 耗尽型 ,两者区分是耗尽型有原始沟道而增强型没有原始沟道；应实行沟通串联 54 如期望减小放大电路从信号源索取的电流,应采纳沟通并联负反馈；如期望取得较强的反馈作用而信号源内阻又很大,负反馈；当负载变沟通电流负反馈；化时,如期望输出电流稳固；应采纳三. 判定题名师归纳总结 1、在 P型半导体中假如掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型第 18 页,共 36 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆半导体； 2、 处 于 放 大 状 态 的 晶 体 管 , 集 电 极 电

27、 流 是 多 子 扩 散 运 动 形 成 的 ； 3、 放 大 电 路 只 要 能 放 大 信 号 功 率 就 可 以 称 其 有 放 大 作 用 ； 4、 由 于 阻 容 耦 合 多 级 放 大 电 路 有 耦 合 电 容 , 所 以 不 适 合 放 大 频 率 低 的 信 号 ； 5、 如 放 大 电 路 的 放 大 倍 数 为 正 , 就 引 入 的 反 馈 一 定 是 正 反 馈 ； 6. 因 为 N 型 半 导 体 的 多 子 是 自 由 电 子 , 所 以 它 带 负 电 ； 7. 由于放大的对象是变化量, 所以当输入信号为直流信号时, 任何放大电路的输出都毫无变化. 8. 如放大

28、 电路的放 大倍 数为 负 ,就 引入 的反 馈肯定 是负 反馈9. 电路产生自激振荡的条件是：幅度条件为 A F1,相位条件为；argA F2 nn=0,1,2, 10. 二极管稳压电路一般由稳压二极管 反向接法 和负载并联而得名师归纳总结 - - - - - - -第 19 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆到； 11. 功率放大电路的主要任务是向负载供应足够大的输出功率,因而 采纳微变效法来分析； 12. 三极管工作在放大区的条件是外加直流电源的极性应使三极管 发射结正向偏置,集电极反向偏置； 13. 硅二极管的开启电压为0.5V

29、 左右,锗二极管为0.1V 左右； 14. 在 运 算 电 路 中 , 集 成 运 放 的 反 相 输 入 端 均 为 虚 地 ； 15. 功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情形下,负载上 可能获得的最大交流功率； 16. 外 加 反 向 电 压 , PN 结 中 的 耗 尽 层 宽 度 将 变 宽 ； 17. 当二极管的外加反向电压增加到肯定值时,反向电流急剧增加 反向击穿 ,所以二极管名师归纳总结 不能工作在反向击穿区；第 20 页,共 36 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆 18 在 H 参 数 中 , hi

30、e 为 基 极 发 射 极 间 的 直 流 输 入 电 阻 ； 19 场 效 应 管 是 利 用 一 种 多 子 导 电 , 其 受 温 度 的 影 响 很 小 ； 20 设反馈系数为F,电流负反馈时放大器输入阻抗上升1+A 倍 21振荡器具有较稳固振荡的缘由,是振荡系统中具有选频网络； 22全波整流电路有 4 个整流管, 所以流过每个整流管的电流为负载 电流的四分之一； 23只 要 是 共 射 放 大 电 路 , 输 出 电 压 的 底 部 失 真 都 是 饱 和 失真 ； 24如 放 大 电 路 的 放 大 倍 数 为 负 , 就 引 入 的 反 馈 一 定 是 负 反馈 ； 25负 反

31、馈 放 大 电 路 的 放 大 倍 数 与 组 成 它 的 基 本 放 大 电 路 的放 大 倍数 量 纲 相 同 ； 26 在 运 算 电 路 中 , 集 成 运 放 的 反 相 输 入 端 均 为 虚 地 ；名师归纳总结 - - - - - - -第 21 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆 27. 凡是运算电路都可利用“ 虚短” 和“ 虚断” 的概念求解运算关 系； 28. 只要电路引入了正反馈,就肯定会产生正弦波振荡； 29. 在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“ 虚地”； 30. 电压负反馈稳固输出电压,电流负反馈稳固输

32、出电流； 31. 使输入量减小的反馈是负反馈,否就为正反馈； 32. 产生零点漂移的缘由主要是晶体管参数受温度的影响； 33. 利用两只 NPN型管构成的复合管只能等效为 NPN型管； 34. 本征半导体温度上升后两种载流子浓度仍旧相等； 35. 未加外部电压时, PN结中电流从 P区流向 N区； 36. 集成运放在开环情形下肯定工作在非线性区； 37. 只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡； 名师归纳总结 - - - - - - -第 22 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆38. 直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路； 39.

33、稳固振荡器中晶体三极管的静态工作点,有利于提高频率稳固 度； 40. 只要工作点合适, 晶体管放大器就不会使输出信号的波形产生失 真； 41. 同一放大电路,如要其增益增大,就其通频带宽度将减小； 42 差动 差分 放大器的电压增益仅与其输出方式 关,而与输入方式无关； 单端或双端 有43. 为使输出电压稳固, 稳压电源的输出电阻应愈大愈好； 三. 分析运算题1测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图 2-1 a.b.c 所示,试判定它们分别工作在什么状态 三极管和二极管均为硅管； 饱和. 放大. 载止. 倒置；设全部的名师归纳总结 - - - - - - -第 23 页,共 36 页精选学习

34、资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆图 2-1 解答： 1T1截止, T2 倒置, T3饱和1从下图所示各三极管电极上测得的对地电压数据中,分析各管的类型以及它在电路中所处的工作状态；（1）是锗管仍是硅管？（2）是 NPN型仍是 PNP型？（3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏,是烧断仍是短路？）名师归纳总结 提 示 ： 注 意 在 放 大 区 , 硅 管UBEUBUE0 . 7 V, 锗 管第 24 页,共 36 页UBE0 . 3 V, 且UCEUCUE0.7V ； 而 处 于 饱 和 区 时 ,UCE0 . 7V；- -

35、 - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆解：a NPN 硅管,工作在饱和状态；b PNP 锗管,工作在放大状态；c PNP 锗管,管子的 b-e 结已开路；d NPN 硅管,工作在放大状态；e PNP 锗管,工作在截止状态；f PNP 锗管,工作在放大状态；g NPN 硅管,工作在放大状态；h PNP 硅管,工作在临界饱和状态；十、二极管电路如下列图,设二极管均为抱负二极管,vs=10sin t（V）；（1）画出负载 RL两端电压 vo的波形；名师归纳总结 - - - - - - -第 25 页,共 36 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学而不思就惘,思而不学就殆（2）如 D3 开路,试重画 vo 的波形；（3）如 D3被短路,会显现什么现象？（3）如 D3被短路,就在输入电压的正半周将使电源短路,烧坏电 源；2共射放大电路如下列图； 1 试确定电路的静态工作点 写出 I BQ. I CQ和 VCEQ的表达式 ； 2 画出该放大器的