2022年电磁场与电磁波总结---期末复习用3.docx
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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载电磁场与电磁波总结第一章一、矢量代数AAB=ABcosCAB=eABABsinAB C = BC A = CAB BCBACAC二、三种正交坐标系 1. 直角坐标系矢量线元dle xxeyye zz矢量面元d Sexdxdyyeydzdxezdxdyezexey体积元 dV = dx dy dz 单位矢量的关系exee ze ye ze x2. 圆柱形坐标系矢量线元dlededezdz l 矢量面元dSed dzezdd体积元dVdddze zezeeee = e zee单位矢量的关系3. 球坐标系矢量线元 dl = erdr
2、 + erdersin d矢量面元 dS = er r2sindd体积元dVr2sindrddee = e ree re单位矢量的关系eree三、矢量场的散度和旋度 1. 通量与散度SAd SdivAAlim v 0SAdSv2. 环流量与旋度lAdlrot = A enlim Sl 0l AdlmaxS3. 运算公式名师归纳总结 AA1A xr2A yrA z si n A r1AA1A1AA z第 1 页,共 7 页xyzz1A rr2rs i ns i nA1eeeze xeye zAxyzAAzA xAyA zA z- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - -
3、 - eree学习必备欢迎下载Ar21r r ArsinA zsinA r4. 矢量场的高斯定理(散度定理)与斯托克斯定理SAdSVAdV l l AdlSAdS四、标量场的梯度1. 方向导数与梯度u标量函数 u 的梯度是矢量,其方向为u 变化率最大的方向+ ezucosulim l 0u Mu M0uP 0ucosucoslP 0llxyze ne xueyuuelucosgrad uunxyz2. 运算公式ue ruue xuueeyue zuueue1uezuxyzze1r1urrsinz五、无散场与无旋场1. 无散场uA 00FAA 为无散场 F 的矢量位2. 无旋场u 为无旋场 F
4、的标量位F- u六、拉普拉斯运算算子1. 直角坐标系2A x2A x2u2A x2 u2A2u2uAy2A y2Aex2A xe y2A ye2A z2A z2A z2 xy22 zzx,22Ay2A y,2A z2A zx2y22 zx2y22 zx2y22 z2. 圆柱坐标系2Ae2A12u12Au1A2 u12 u2Aez2A ze222 zA2A22223. 球坐标系名师归纳总结 2u1rr2ur21sinur2122u第 2 页,共 7 页r2rsinsin2- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 2Ae r2A r学习必备2cot欢迎下载2Ar2
5、2A2A rAr2r2r2sine2A2A rr212A22cosAAr2sinr2sin2e2Ar22A rr21A2cossinsinr2sin2七、亥姆霍兹定理假如矢量场 F 在无限区域中到处是单值的,且其导数连续有界,就当矢量场的 散度 、 旋度 和边界条件( 即 矢 量 场 在 有 限 区 域 V边 界 上 的 分 布 ) 给 定 后 , 该 矢 量 场 F 唯 一 确 定 为F r A r 其中 4 1V r F rr dV A r 4 1V r F rr dV其次章一、麦克斯韦方程组1. 静电场真空中:SEd =q=1VdV(高斯定理)E(高斯定理微分形式)000lEdl01E0
6、(无旋场)0Vrr dV场强运算:E r 4rr3介质中:SDd SqlEd l0DE0极化:D0EPD1e0Er0EE电介质中高斯定律的微分形式说明电介质内任一点电位移矢量的散度等于该点自由电荷体密度,即 D 的通量源是自由电荷,电位移线始于正自由电荷最终负自由电荷;极化电荷面密度PSP nP en极化电荷体密度PP2. 恒定电场电荷守恒定律:J sdsdSdq0dVdvJJt0dtdt传导电流: JESJ0恒定电场方程:3. 恒定磁场名师归纳总结 真空中:Bdl0I (安培环路定理)SBdS0第 3 页,共 7 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - -
7、B0J学习必备0欢迎下载B介质中:磁感应强度:B r 0VJ r r3rdV0B0H4rrlHd lISBdJS0H磁化:HBMB1m0H =rH =04. 电磁感应定律El Bl Eind ldSBdS +CvBdl(法拉第电磁感应定律)dtt5.位移电流时变条件下电留恋续性防程:HJDt位移电流:JddDdt6. Maxwell Equations 及各式意义lHd lSJBD dSH0JBDttlEd lSd SEttSDd SVdVDSBdS0B二、边界条件1. 一般形式e nE1E20 e nH1H20J(S)e nD1D 2SenB 1B 22. 抱负导体界面和抱负介质界面e nE
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