大理功率器件项目实施方案.docx
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1、泓域咨询/大理功率器件项目实施方案大理功率器件项目实施方案xxx集团有限公司目录第一章 行业、市场分析10一、 功率器件是新能源发电的核心器件10二、 功率器件面临国产化窗口,当前国产化率仍有较大空间11三、 IGBT和大功率MOSFET是功率器件增长的主要驱动力12第二章 背景、必要性分析15一、 IGBT应用步入成熟期,国产替代空间广阔15二、 充电桩功率模块17三、 拓展投资空间18第三章 公司基本情况19一、 公司基本信息19二、 公司简介19三、 公司竞争优势20四、 公司主要财务数据22公司合并资产负债表主要数据22公司合并利润表主要数据23五、 核心人员介绍23六、 经营宗旨25
2、七、 公司发展规划25第四章 项目概况31一、 项目名称及项目单位31二、 项目建设地点31三、 可行性研究范围31四、 编制依据和技术原则32五、 建设背景、规模33六、 项目建设进度34七、 环境影响34八、 建设投资估算35九、 项目主要技术经济指标35主要经济指标一览表36十、 主要结论及建议37第五章 产品规划方案38一、 建设规模及主要建设内容38二、 产品规划方案及生产纲领38产品规划方案一览表38第六章 建筑物技术方案40一、 项目工程设计总体要求40二、 建设方案41三、 建筑工程建设指标42建筑工程投资一览表42第七章 项目选址44一、 项目选址原则44二、 建设区基本情况
3、44三、 激发人才创新创造活力46四、 项目选址综合评价47第八章 发展规划分析48一、 公司发展规划48二、 保障措施52第九章 运营管理55一、 公司经营宗旨55二、 公司的目标、主要职责55三、 各部门职责及权限56四、 财务会计制度59第十章 项目环境影响分析65一、 编制依据65二、 环境影响合理性分析66三、 建设期大气环境影响分析67四、 建设期水环境影响分析69五、 建设期固体废弃物环境影响分析70六、 建设期声环境影响分析70七、 建设期生态环境影响分析72八、 清洁生产72九、 环境管理分析73十、 环境影响结论74十一、 环境影响建议75第十一章 人力资源分析76一、 人
4、力资源配置76劳动定员一览表76二、 员工技能培训76第十二章 工艺技术说明79一、 企业技术研发分析79二、 项目技术工艺分析81三、 质量管理82四、 设备选型方案83主要设备购置一览表84第十三章 原辅材料分析85一、 项目建设期原辅材料供应情况85二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理85第十四章 项目规划进度87一、 项目进度安排87项目实施进度计划一览表87二、 项目实施保障措施88第十五章 投资估算89一、 投资估算的依据和说明89二、 建设投资估算90建设投资估算表94三、 建设期利息94建设期利息估算表94固定资产投资估算表96四、 流动资金96流动资金估算表97五、 项目总
5、投资98总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表99第十六章 项目经济效益101一、 基本假设及基础参数选取101二、 经济评价财务测算101营业收入、税金及附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表103利润及利润分配表105三、 项目盈利能力分析105项目投资现金流量表107四、 财务生存能力分析108五、 偿债能力分析109借款还本付息计划表110六、 经济评价结论110第十七章 风险评估分析112一、 项目风险分析112二、 项目风险对策114第十八章 项目总结分析116第十九章 补充表格117主要经济指标一览表117建设投资估算表118建设期利
6、息估算表119固定资产投资估算表120流动资金估算表121总投资及构成一览表122项目投资计划与资金筹措一览表123营业收入、税金及附加和增值税估算表124综合总成本费用估算表124固定资产折旧费估算表125无形资产和其他资产摊销估算表126利润及利润分配表127项目投资现金流量表128借款还本付息计划表129建筑工程投资一览表130项目实施进度计划一览表131主要设备购置一览表132能耗分析一览表132报告说明基于不同衬底的特性,硅、碳化硅和氮化镓衬底的功率器件呈现出不同的工作范围和应用场景。硅基功率器件主要用于25V-6500V和相对低频的应用范围,典型应用场景包括工控、家电等;碳化硅功率
7、器件的工作电压介于650V-3300V,主要应用于相对高频和高压的场景;氮化镓器件工作电压相对较低,介于80V-600V之间,但具有很好的高频性能,主要应用场景包括快充、高端服务器、5G通信等领域。根据谨慎财务估算,项目总投资7829.39万元,其中:建设投资6074.29万元,占项目总投资的77.58%;建设期利息76.62万元,占项目总投资的0.98%;流动资金1678.48万元,占项目总投资的21.44%。项目正常运营每年营业收入16600.00万元,综合总成本费用13035.10万元,净利润2609.39万元,财务内部收益率25.71%,财务净现值3929.08万元,全部投资回收期5.
8、16年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。该项目的建设符合国家产业政策;同时项目的技术含量较高,其建设是必要的;该项目市场前景较好;该项目外部配套条件齐备,可以满足生产要求;财务分析表明,该项目具有一定盈利能力。综上,该项目建设条件具备,经济效益较好,其建设是可行的。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 行业、市场分析一、 功率器件是新能源发电的核心器件在新能源发电应用中,功率半导体主要应用在汇流、整流、逆变、变压等场景,可以将光伏和风电产生的在不同频率、电压等级的电流转
9、化成电网能够容纳的标准电流。在光伏应用中,太阳能板发出的直流电经过汇流和逆变,转换成低压交流电,再经过变压器转换成并网需要的高压交流电;在风电应用中,风机发出的变化的交流电先经过整流器转换成直流电,经过直流升压电路,并被逆变器转换成并网需要的高压交流电。光伏和风电的逆变器由于需求的功率和电压等级较高,通常以IGBT和SiC器件为主。光伏逆变器可进一步分为组串式逆变器和集中式逆变器,2021年国内新增光伏装机中80%左右采用组串式逆变器。组串式逆变器安装在汇流箱之前,因此除了DCAC模块以外,还安装有汇流模块,组串式逆变器的额定功率通常在200kW以下,而集中式逆变器的额定功率通常在600kW-
10、3000kW不等。据北极星太阳能光伏网统计,2021年截至11月国内累计招标近30GW的光伏逆变器项目中,组串式逆变器的招标规模约为23GW,约占81%,而集中式逆变器招标规模约为5GW,占比约18.5%,国内光伏逆变器仍以组串式为主,且份额有上升趋势。从均价来看,组串式逆变器由于需求的数量较多,含汇流模块等原因,相较于集中式逆变器的价格更高。据英飞凌数据,集中式逆变器中IGBT成本约为2500欧元/MW(2000-3000欧元/MW),组串式逆变器中IGBT成本约3500欧元/MW(2500-5000欧元/MW)。光伏用功率器件在制造难度、成本要求等方面相对较高,国产替代节奏总体较为缓慢。相
11、较于工控、汽车等应用领域,光伏逆变器中的IGBT模块要求更高的频率,更高的能量转化效率,对极端环境更高的可靠性要求以及更复杂的定制化要求,因此当前光伏逆变器的国产化节奏较缓慢。当前国内新能源快速推进,下游需求空间广阔,且客户降成本诉求较高,国产厂商高性能产品快速突破,且相较国外厂商具有价格优势,未来国产替代潜力较大。二、 功率器件面临国产化窗口,当前国产化率仍有较大空间国内功率半导体市场国产化率不足30%,国内厂商仍有较大成长空间。据Omida,2021年全球和中国功率半导体市场空间分别为462亿美元和182亿美元,至2025年,全球和中国市场空间有望分别达到548亿美元和195亿美元,相比2
12、021年复合增速分别有望达到5.92%和4.55%。当前国内功率器件仍主要依赖进口,据测算,国内功率器件主要上市公司2021年相关收入占当前国内功率器件市场份额为22.08%,相比2020年提升7.81pct,但当前国产替代仍有较大空间。且国内厂商主要以二极管、晶闸管等技术壁垒相对较低的品类为主,在大功率MOSFET、IGBT等领域的国产化率更低。当前全球大功率器件需求快速上升,全球供给相对不足,而国产厂商技术快速跟进,客户认可度持续提升,当前时点是功率器件国产替代的重要窗口期,国产厂商未来有望在大功率MOSFET、IGBT、SiC等器件获得更高的国产化率。三、 IGBT和大功率MOSFET是
13、功率器件增长的主要驱动力类别来看,功率半导体可以粗分为功率IC和功率器件两大类别。其中,功率器件主要包括二极管、晶闸管和晶体管,功率IC又包括电源管理IC和驱动IC等。二极管和晶闸管出现的时间相对较早,总体结构和生产工艺较为简单,目前需求增长较快的IGBT、MOSFET等属于晶体管系列,当前正处于下游景气度高企和国产替代的关键时期。从功能来看,功率器件主要用于电能变换和电能控制电路,主要功能为逆变、整流、变压和变频;而功率IC则由于进一步封装了驱动、控制、保护、接口、监测等外围电路,从而具有电源管理、驱动电路、电能变换和控制等功能。功率器件按照开关控制能力可分为不可控型器件、半控型器件和全控型
14、器件。1)二极管:二极管中商业化较为成功的器件包括PiN功率二极管和肖特基势垒功率二极管,其中,PiN功率二极管具备耐高压、低泄漏电流和低导通损耗等特点,但开关速度较慢;而肖特基势垒功率二极管则具备较高的开关频率、但有较大的泄露电流、较低的击穿电压和较差的高温特性,二者呈现互补关系。当前市场正在通过工艺改进及材料替换来开发具有更优的高压、高频特新的二极管。2)晶闸管:晶闸管是一种半控型功率器件,早期由于其较高的电压和应用电流,被广泛应用率高功率场景,而新型功率MOS,尤其是IGBT的出现则在一定程度上替代了晶闸管的应用。3)BJT:双极结型晶体管是结构相对简单的功率器件,其在功率和频率上的表现
15、都不突出,但由于其工艺成熟、成本较低等优点,仍在低端功率应用场景中具备一定的份额。4)IGBT:IGBT的出现大大拓宽了硅基功率半导体的工作电压范围,其最高工作电压达到6500V,同时具备功率MOS相对合适的工作频率,在电动车、轨道交通、电网、光伏和风电等领域具有广泛的应用。5)MOSFET:功率MOS可以进一步细分为平面型MOSFET、沟槽型MOSFET、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET,分别具有不同的功率和频率特性,应用场景较为广泛。IGBT和功率MOS有望成为全球功率器件市场的主要增长来源。2020年全球功率半导体市场规模达到452亿美元,其中功率IC市场规模为243亿美元,功率器件
16、市场规模为209亿美元。功率器件中,二极管、晶闸管、BJT、功率MOS和IGBT的市场规模分别为38.7亿美元、4.7亿美元、18.1亿美元、81亿美元和66.5亿美元。其中二极管和晶闸管市场规模总体较为平稳,而受益于新能源汽车、光伏、风电、电网建设等下游需求的持续增长,IGBT和大功率MOSFET的市场空间仍保持快速上升的态势,其中IGBT在2021年-2023年全球市场空间的复合增速有望达到7.48%。第二章 背景、必要性分析一、 IGBT应用步入成熟期,国产替代空间广阔IGBT全称为绝缘栅极晶体管,可以被认为是MOSFET和BJT(双极型三极管)组成的混合型器件,具有MOSFET的高输入
17、阻抗,同时兼具晶闸管等双极型器件的低导通压降,以及具有相对合适的工作频率。从应用场景来划分,开关频率大于20kHz的应用场景主要采用MOSFET,电压等级大于1200V以上的高压场景主要采用IGBT,在介于两者之间的场景,主要根据应用的需求采用MOSFET或IGBT的解决方案。目前IGBT的发展主要有三大特征:1)产品不追求制程,生产模式以IDM为主;2)通过改进元胞设计概念、改进垂直结构等方式提升产品在功耗、工作温度、频率等方面的性能;3)不同代际和技术路线的IGBT产品根据其性能、价格、稳定性等综合因素广泛适用于各种不同场景,例如目前工控、家电及大部分汽车IGBT使用英飞凌第四代(沟槽栅)
18、产品,较高端车型使用英飞凌第七代(EDT2产品)。功率器件的击穿电压取决于电场给载流子施加的速度是否能造成半导体材料发生雪崩击穿,因此宽禁带半导体具备更大的击穿电场强度,碳化硅(3.4eV)和氮化镓(3.2eV)的禁带宽度远大于硅(1.12eV),从而碳化硅和氮化镓功率器件的击穿电压高于硅基器件。2)频率:功率半导体的开关时间取决于载流子迁移速度、晶体管发射级和集电极的间距,因而具备更高饱和电子迁移速率和相对小体积的氮化镓(2.5*107cm/s)和碳化硅(2*107cm/s)功率器件的频率性能高于硅(1*107cm/s)基功率器件。此外,第三代半导体在最高工作温度方面同样显著优于硅基功率器件
19、。基于不同衬底的特性,硅、碳化硅和氮化镓衬底的功率器件呈现出不同的工作范围和应用场景。硅基功率器件主要用于25V-6500V和相对低频的应用范围,典型应用场景包括工控、家电等;碳化硅功率器件的工作电压介于650V-3300V,主要应用于相对高频和高压的场景;氮化镓器件工作电压相对较低,介于80V-600V之间,但具有很好的高频性能,主要应用场景包括快充、高端服务器、5G通信等领域。当前SiC和GaN材料仍在开发早期,当前国内大力投资第三代半导体材料,预计未来有望实现对国外厂商的弯到超车。据CASAResearch统计,2019年国内第三代半导体材料市场空间为24亿元。而过去几年国内第三代半导体
20、投资快速增长,2020年中国SiC和GaN投资规模分别达到550亿元和144亿元,产业的大力投资预期有望带来第三代半导体技术的加速成熟和市场空间的快速增长,预计至2025年,中国第三代半导体市场空间有望达到315亿元,相比2019年CAGR增速达到53.60%。二、 充电桩功率模块由于直流充电桩需要整流,并且具有更高的工作电流和功率,因此使用功率半导体价值量较大的主要是直流充电桩。直流充电桩中主要用到功率器件的模块包括整流模块、功率因数校正模块和DCDC模块,目前直流充电桩中用到的功率器件主要包括650V-1200V的二极管、IGBT和SiC器件等。当前国内功率厂商中,时代电气、斯达半导、比亚
21、迪半导体、士兰微和宏微科技等厂商已取得车企定点项目。其中时代电气主供中车旗下商用车,并和广汽、东风等乘用车企合资成立IGBT模块封装公司,目前已大批量供货广汽、东风、小鹏、理想等客户;斯达半导与国内大部分主流车企取得合作关系,当前客户包括比亚迪、广汽、长安、奇瑞、北汽等;比亚迪半导体IGBT模块主供母公司,同时小部分外售给东风、长安等车企;士兰微当前主供客户包括零跑、汇川、上汽、吉利等厂商;宏微科技正在和一汽、北汽、长城等厂商进行定点项目认证工作。从企业优势来看,时代电气、斯达半导、士兰微技术进展较快,目前已有英飞凌4代(沟槽栅)和7代(精细沟槽栅)对标产品,而比亚迪半导体由于背靠母公司比亚迪
22、,在汽车模块出货规模上具备优势。而价格方面,国内厂商相比海外龙头英飞凌具备明显的价格优势,预计随着产品稳定性、产能的逐步提升,国内厂商在汽车IGBT领域与海外公司相比具备竞争优势。三、 拓展投资空间优化投资结构,加快补齐基础设施、农业农村、公共安全、公共卫生、防灾减灾等领域短板。鼓励民营企业参与国有企业重大投资、成果转化和资产整合项目,有效扩大民间投资。做好项目储备和招商安商稳商工作,支持行业协会和驻大理商会发挥作用,积极引进企业投资。建立项目分类筹融资机制,规范灵活使用财政投入、地方政府专项债券和金融机构贷款、企业债券等市场化融资,探索投融资模式,大幅度减少政府对资源的直接配置,形成市场主导
23、的投资内生增长机制。第三章 公司基本情况一、 公司基本信息1、公司名称:xxx集团有限公司2、法定代表人:董xx3、注册资本:860万元4、统一社会信用代码:xxxxxxxxxxxxx5、登记机关:xxx市场监督管理局6、成立日期:2012-10-147、营业期限:2012-10-14至无固定期限8、注册地址:xx市xx区xx9、经营范围:从事功率器件相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)二、 公司简介公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导
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