金属塑性变形物理基础位错理论.ppt
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1、金属塑性变形物理基础位错理论现在学习的是第1页,共71页1.1 位错概念的引人 实验发现,晶体塑性变形后表面上出现明显的滑移台阶。解释塑性变形1.1.1 经典塑性变形理论 认为滑移台阶是理想的完整晶体在切应力作用下,上、下两半晶体作刚性整体移动而造成的,图1-1所示。原子从一个平衡位置移到下一个平衡位置时,切应力的变化为:现在学习的是第2页,共71页 图1-1现在学习的是第3页,共71页=设m=化简得m=理想晶体的临界切应力。现在学习的是第4页,共71页 一般工程用金属的切变模量G为104105Nmm2,m应该为103104Nmm2,数量级。而一般纯金属单晶体的临界切应力只有(100.1)Nm
2、m2,,由此可见,理论计算值与实测值相差很大。如Al 计算值为4.3103Nmm2,实测值为0.8Nmm2,理论值为实测值的5400倍;Zn 计算值为6.0103Nmm2,而实测值为0.18Nmm2,,理论值约为实测值的34000倍;Fe理论计算为13.5103Nmm2,实测值为17Nmm2,理论值约为实测值的800倍。人们放弃了经典理论,设想滑移是一个逐步进行的过程。现在学习的是第5页,共71页1.1.2 位错理论 1925年,R.Becker提出了一个假设,认为由于真实晶体中有热应力的存在。热运动产生了各种频率的弹性波向各个方向传播,可能在晶体中造成局部的应力峰,外加应力+应力峰=理论强度
3、,得到 =m-aT 此式只说明晶体的强度随温度的升高而减弱,而未说明晶体强度的差异。现在学习的是第6页,共71页 后来,E.Orowan对此理论进行了修正:(1)晶体中存在结构上的缺陷;(2)由热运动可能发生应力的反向运动;(3)考虑到硬化因素,提高强度。二十年代初到三十年代中说明以下几点(1)晶体易产生滑移;(2)使晶体产生滑移应力与温度关系不大;(3)晶体表面上的滑移痕迹并不都是从晶体的一边贯通到另一边,而是有时终止在晶体的中部。现在学习的是第7页,共71页1934年,提出了位错的概念,1947年低碳钢的屈服效应,位错理论得到了很大发展,1950年以后,用电镜直接观察到位错。至此,位错的存
4、在才最终得到间接证明。从此以后,位错理论得以迅速发展。它是一门很重要的基本理论。现在学习的是第8页,共71页1.2 位错模型和柏氏矢量 1.2.1 位错的分类:刃型位错 其特征刃型位错不一定是直线,也可以是折线。刃型位错有一多余的半原子面。滑移面只有一个。位错周围的点阵发生弹性畸变,既有切应变,也有正应变。滑移线的移动方向与滑移方向平行。现在学习的是第9页,共71页螺型位错 特征螺型位错一定是一条直线。螺型位错原子呈轴对称。其滑移面是不定的。螺型位错周围的点阵发生弹性畸变,只有平行于位错线的切应变,无正应变。滑移线的移动方向与滑移方向垂直。混合位错 不论那种位错,当它们扫过滑移面到达表面时,晶
5、体产生滑移。现在学习的是第10页,共71页1.2.2 柏氏矢量 准确简便描述位错的性质其作用:判断位错类型;估算位错应变能;分析位错反应等。(1)柏氏矢量 的确定柏氏回路(2)柏氏矢量 的性质一条位错线,只有一个柏氏矢量;汇集一点的位错线,它们的柏氏矢量和为零;一根位错线不能终止在晶体内部,只能终止在晶体表面。现在学习的是第11页,共71页位错环 b现在学习的是第12页,共71页1.2.3 位错密度描述位错多少的参数(1)定义:单位体积中位错的总长度。=cm/cm3 (2)位错的形成液态结晶时形成。晶体经过塑性变形回复和再结晶及其它热处理,位错的密度变化。(3)位错的观察和测量薄膜透射技术和观
6、察试样表面的位错露头。现在学习的是第13页,共71页1.3 位错的应力场和应变场1.3.1 位错的应力场其作用:位错的应变能、线张力、相互作用。假设:各向异性、不连续并具有点阵结构的晶体 均匀连续的弹性介质。适用范围:位错中心区域以外的区域,不适用于错排严重的位错中心区域。现在学习的是第14页,共71页(1)螺型位错应力场现在学习的是第15页,共71页是一个纯切应力场现在学习的是第16页,共71页(2)刃型位错应力场有正应力也有切应力;在滑移面上,正应力为零,切应力为最大;滑移面上方,x轴向上的正应力为压应力。现在学习的是第17页,共71页1.3.2 位错应变能因位错使晶体增加的内能。位错的应
7、变能可分为两部分:一部分E:位错中心的应变能;另一部分E0:位错中心以外弹性应变能。即E总=E+E0,一般E为E总的10%15%,可忽略。此时,位错应变能一般指E0。它可通过在晶体内“制得”一个位错所作的功求得。现在学习的是第18页,共71页E螺=E刃=则 E刃=E螺,一般取0.3,所以 E 螺=E刃 混合位错E混=(1-cos2)ln 现在学习的是第19页,共71页式中:混合位错柏氏矢量与位错线之间的夹角R0:位错中心区域的半径R:位错应力场遍及范围的半径,一般为10-4cmb:为点阵常数,这时单位长度的位错线应变能为:EKGb2式中K为比例常数,一般为0.51。可知:E与b的平方成正比,b
8、 E,位错越稳定。现在学习的是第20页,共71页1.3.3 位错的线张力定义:每增加单位长度的位错线所作的功或增加的位错能。,因此位错线张力T与位错能在数值上相等,即有 T=KGb2当位错线为直线时K=1,当位错线弯曲时,K=0.5。现在学习的是第21页,共71页1.4 位错的运动及晶体的塑性变形 晶体在宏观上的塑性变形是它在微观上位错运动的结果。位错的运动方式有两种:滑移运动-保守运动,晶体体积不变;攀移运动-非保守运动,晶体体积变化。现在学习的是第22页,共71页1.4.1 位错的滑移运动(1)刃位错的滑移运动 如1-2图所示,若位错线上的原子沿切应力方向移动不到一个原子间距,周围其它原子
9、稍作调整,多余半原子面和位错线就可以向前移动一个原子间距。可见位错移动具有易动性。现在学习的是第23页,共71页图1-2示出了位错由晶体的一端扫到另一端现在学习的是第24页,共71页(2)螺位错的滑移运动 如图所示位错线上的原子只需在切应力作用下向前移动一个原子间距的分数倍的距离,位错线可以向左移动一个原子间距。现在学习的是第25页,共71页由上述位错的滑移过程可知:1)位错滑移具有移动性-相同之处。2)刃位错:位错线的滑移方向与柏氏矢量平行;螺位错:位错线的滑移方向与柏氏矢量垂直;3)螺位错可以进行交滑移-不同之处。交滑移:螺位错在几个滑移面上沿一个滑移方向进行的滑移。现在学习的是第26页,
10、共71页(3)点阵阻力 位错滑移受到的阻力:应力场-晶体内其它缺陷;点阵阻力-克服晶格点阵的位垒.现在学习的是第27页,共71页由此式可知:1)晶体滑移时所需的切应力是低的,与实测值的临界切应力值近似;2)滑移面间距a越大,柏氏矢量b越小,阻力越小;3)位错宽度越小,阻力越大.现在学习的是第28页,共71页1.4.2 刃位错的攀移运动 其攀移运动是通过多余半原子的扩展或收缩来实现的。正攀移:位错线上的原子或(空位)离开或(进入)位错线的结果;负攀移:位错线上的间隙原子(或空位)进入(或离开)位错线的结果。位错线成为空位的发源地或陷井。现在学习的是第29页,共71页1)位错攀移运动的条件:温度:
11、位错的攀移要靠晶体中空位或间隙原子的扩散来实现。因此应在较高温度下,空位或间隙原子具有足够扩散激活能才能进行。现在学习的是第30页,共71页2)攀移的驱动力渗透力:晶体中不平衡空位浓度会促进位错的攀移;正应力:垂直于多余半原子面的正应力使晶体的体积变化,促进位错作攀移运动。现在学习的是第31页,共71页1.4.3 位错的滑移运动和晶体的塑性变形 设一晶体的滑移面积为A,高为H,如位错从一端扫到另一端,产生一个柏氏矢量b的切位移,则有切应变 =bH如果位错扫过的面积为A,没有扫过晶体的整个滑移面,这时的位移量为AbA,所以这时的切应变 =现在学习的是第32页,共71页现在学习的是第33页,共71
12、页现在学习的是第34页,共71页1.5 位错在应力场中的受力 晶体塑变是其内部位错滑移的结果。位错运动:一是受外加应力场驱使;二是晶体内其它位错的应力场的驱使。将“作用于位错线上驱使它运动的力”定义为位错受力。目的:可以判断位错运动方向;讨论位错间相互作用的基础。现在学习的是第35页,共71页 应力场对位错的作用力外力使晶体变形所作的功与位错受力运动所作的功相等。W1=Lds(A)/AW2=FLdsW1=W2所以 F=b F表示单位长度位错线上的受力,它的大小为b,方向垂直于位错线,与位错线的运动方向一致。现在学习的是第36页,共71页1.6 位错间的交互作用1.6.1 平行螺位错间的交互作用
13、若两平行位错的柏氏矢量方向相同,位错相斥;方向相反,位错相吸。力的大小与距离成反比,与两者柏氏矢量大小之积成正比.与位置无关1.6.2 平行刃位错间交互作用受力大小与位错在应力场中的位置有关;受力方向与两条位错线的柏氏矢量方向有关;现在学习的是第37页,共71页当在同一个滑移面上时,同号位错相互排斥而远离;异号位错互相吸引而靠近,当相遇时,合并而消失.1.6.3 垂直位错间的交互作用螺位错与刃位错垂直时:螺位错对刃位错的作用力是沿着x轴变化的;当x0时,受力最大,逐渐远离的点其受力逐渐减小;在x0的刃位错线上受力方向与z轴方向相反,在x0 上,受力方向为z轴方向.现在学习的是第38页,共71页
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