第三章 半导体三极管及放大电路基础PPT讲稿.ppt
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1、第三章 半导体三极管及放大电路基础第1页,共162页,编辑于2022年,星期二教学目的和要求教学目的和要求:1.理解三极管的结构、参数和放大作用。理解三极管的结构、参数和放大作用。2.掌握三种基本组态放大电路的知识。掌握三种基本组态放大电路的知识。3.掌握放大电路的图解分析法,包括静态和动态。掌握放大电路的图解分析法,包括静态和动态。4.掌握放大电路的小信号模型分析法。掌握放大电路的小信号模型分析法。5.理解放大电路工作点的稳定问题。理解放大电路工作点的稳定问题。6.6.理解放大电路的频率响应。理解放大电路的频率响应。教学重点与难点教学重点与难点:重点:共射极放大电路,放大电路图解分析法(动重
2、点:共射极放大电路,放大电路图解分析法(动态分析)、小信号模型分析法。态分析)、小信号模型分析法。难点:小信号模型分析法、放大电路的频率响应。难点:小信号模型分析法、放大电路的频率响应。第2页,共162页,编辑于2022年,星期二第一节第一节 半导体三极管半导体三极管BJTBJT一、一、BJTBJT的结构简介的结构简介(BJT,Bipolar Junction Transistor,(BJT,Bipolar Junction Transistor,双极结型晶体管)双极结型晶体管)BJTBJT是通过一定工艺,将是通过一定工艺,将两个两个PNPN结结结合在一起的器件。具有结合在一起的器件。具有电流
3、放大电流放大作用。作用。半导体三极管(半导体三极管(BJTBJT、晶体管)分类:、晶体管)分类:按频率分:按频率分:高频管、低频管;高频管、低频管;按功率分:按功率分:小、中、大功率管;小、中、大功率管;按半导体材料分:按半导体材料分:硅管、锗管等;硅管、锗管等;按结构分:按结构分:NPNNPN型、型、PNPPNP型型;e b c外形外形第3页,共162页,编辑于2022年,星期二becNNP基极基极(Base)发射极发射极(Emitter)集电极集电极(Collector)NPNeb cbecIbIeIcNPN型半导体三极管(型半导体三极管(BJT)第4页,共162页,编辑于2022年,星期
4、二两种类型的两种类型的BJTBJTbecNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BcePNP型becIbIeIcNPN和和PNP型型BJT具有几乎等同的特性,仅各电极端具有几乎等同的特性,仅各电极端电压极电压极性和电流流向性和电流流向不同。不同。第5页,共162页,编辑于2022年,星期二becNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区:较薄,掺杂浓度低集电区:面积较大发射区:掺杂浓度较高NPNeb c第6页,共162页,编辑于2022年,星期二becNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结集电结两种两种不不同类型同类型的半导的半导体结合体结合在
5、一起在一起时,交时,交界处会界处会形成形成PN结结。第7页,共162页,编辑于2022年,星期二二、二、BJT的电流分配与放大作用的电流分配与放大作用1 1、三种组态、三种组态 双双极极型型三三极极管管有有三三个个电电极极,其其中中两两个个可可以以作作为为输输入入,两两个个可可以以作作为为输输出出,这这样样必必然然有有一一个个电电极极是是公公共共电电极极。三三种种接接法法也也称称三三种种组态组态。共发射极共发射极接法,发射极作为公共电极,用接法,发射极作为公共电极,用CECE表示;表示;共集电极共集电极接法,集电极作为公共电极,用接法,集电极作为公共电极,用CCCC表示;表示;共基极共基极接法
6、,基极作为公共电极,用接法,基极作为公共电极,用CBCB表示。表示。第8页,共162页,编辑于2022年,星期二 半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态:放大工作状态:发射结发射结加正向电压(加正向电压(正向偏置正向偏置),),集电结集电结加反向加反向电压(电压(反向偏置反向偏置)。NPNRCRbVCCVBB+_IBICIEVo第9页,共162页,编辑于2022年,星期二BECNNPEBRBECIE基区空穴向发射区的扩散可忽略。IBE(2)进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE ,多数扩散到集电结。
7、(1)发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。2、BJT内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程第10页,共162页,编辑于2022年,星期二BECNNPEBRBECIE(3)集电结反偏,有少子形成的反向饱和电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO ICEIBEICE(4)从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICE。第11页,共162页,编辑于2022年,星期二IB=IBE-ICBO IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE动态演示动态演示两种载流子参与导电,称为双极型晶体管。两种载流子参与导电,
8、称为双极型晶体管。第12页,共162页,编辑于2022年,星期二半导体三极管内部载流子的传输过程半导体三极管内部载流子的传输过程第13页,共162页,编辑于2022年,星期二3、放大作用、放大作用mA AVVUCEUBERBIBECEB实验线路实验线路基极B与电源EB正极相连集电极C与电源EC正极相连发射极E与电源EB、EC负极相连-共发射极接法发射结正偏集电结反偏第14页,共162页,编辑于2022年,星期二改变电路中可变电阻改变电路中可变电阻RB的值,基极电流的值,基极电流IB集电极电流集电极电流IC和发射极电流和发射极电流IE都都发生改变,测量结果如下:发生改变,测量结果如下:IB/mA
9、IC/mAIE/mA00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.95死区电压,晶体管才会出现iB指当指当集集-射极电压射极电压vCE为常数时,输入电路中为常数时,输入电路中基极电流基极电流iB与与基基-射极电压射极电压vBE之间的关系曲线。之间的关系曲线。iB=f(vBE)|vCE=常数常数三极管的输入特性与二极管的伏安特性曲线相似三极管的输入特性与二极管的伏安特性曲线相似:随随vCE增大输入曲线右移,当增大输入曲线右移,当vCE 1V时,随时,随vCE增大,右移很小,所以增大,右移很小,所以用用vCE=1时的特性曲线近似代替时的特性曲线近似代替vC
10、E1时的特性曲线。时的特性曲线。第20页,共162页,编辑于2022年,星期二2、输出特性输出特性指当指当基极电流基极电流iB为常数时,输出电路中为常数时,输出电路中集电极电流集电极电流iC与与集集-射射极电压极电压vCE之间的关系曲线。之间的关系曲线。iC=f(vCE)|iB=常数常数输出特性输出特性起始部分很陡,起始部分很陡,v vCECE略有增加,略有增加,i iC C增加很快,增加很快,i iC C受受v vCECE的影响很大。的影响很大。v vCECE超过某一数值后,输出超过某一数值后,输出特性是特性是一组间隔基本均匀,比一组间隔基本均匀,比较平坦的平行直线较平坦的平行直线。第21页
11、,共162页,编辑于2022年,星期二2、输出特性输出特性iC(mA)1234IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满足iC=iB称为线性区(放大区)。是一组间隔基本均匀,比较平坦的平行直线。当vCE大于一定的数值时,iC只与iB有关,iC=iB。-放大作用vCE(V)36912第22页,共162页,编辑于2022年,星期二iC(mA)1234vCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中vCEvBE,集电结正偏,iBiC,vCE0.3V称为饱和区。即输出特性直线上升和弯曲部分为饱和区。第23页,共162页,编辑于2022年,星期二IC(mA
12、)1234vCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中:IB=0,IC=ICEO,vBEIC,饱和压降,饱和压降vCE 0.3V。(3)截止区:截止区:vBE死区电压,死区电压,IB=0,IC 0放大电路中尽量避免工作到饱和区和截止区。放大电路中尽量避免工作到饱和区和截止区。第25页,共162页,编辑于2022年,星期二四、四、BJTBJT的主要参数的主要参数1 1、电流放大系数电流放大系数 前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为共射共射接法接法,相应地还有共基、共集接法。,相应地还有共基、共
13、集接法。共射共射直流电流放大倍数直流电流放大倍数:工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为流信号。基极电流的变化量为 iB,相应的集电极电流变化为相应的集电极电流变化为 iC,则则交流电流放大倍数交流电流放大倍数为:为:第26页,共162页,编辑于2022年,星期二例:例:UCE=6V时时:IB=40 A,IC=1.5mA;IB=60 A,IC=2.3mA。说明说明:两两个个电电流流放放大大倍倍数数含含义义不不同同,一一般般在在工工作作电电流流不不十十分分大大的的情情况况下下,可以作可以作近似近似处理,可混用。处
14、理,可混用。与与T有关,有关,T升高,升高,增大,同型号的三极管增大,同型号的三极管有差别。有差别。第27页,共162页,编辑于2022年,星期二共基极接法共基极接法的电流放大系数:的电流放大系数:直流放大系数:直流放大系数:交流放大系数:交流放大系数:第28页,共162页,编辑于2022年,星期二2 2、极间反向电流、极间反向电流(1 1)集电极)集电极-基极反向饱和电流基极反向饱和电流I ICBOCBO AICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流,受温度的变化影响。条件:发射极开路集电极处于反向偏置I ICBOCBO越小越好越小越好锗管几微安到几十微安,硅管小于等于锗管几微安
15、到几十微安,硅管小于等于1 1微安微安第29页,共162页,编辑于2022年,星期二BECNNPICBOICEO=IBE+ICBOIBE IBEICBO进入N区,形成IBE。根据放大关系,由于IBE的存在,必有电流IBE。集电结反偏有ICBOICEO受温度影响很大,受温度影响很大,当温度上升时,当温度上升时,ICEO增加很快,所以增加很快,所以IC也也相应增加。相应增加。三极管的三极管的温度特性较差。温度特性较差。(2 2)集电极)集电极-射极反向截止电流射极反向截止电流ICEO条件:基极开路、集电结处于反向偏置,发射结处于正向偏置时集电极电流。(穿透电流)第30页,共162页,编辑于2022
16、年,星期二3、极限参数、极限参数(1)集电极最大允许电流)集电极最大允许电流ICM指指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。(2)集电极最大允许功率损耗)集电极最大允许功率损耗PCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。与温度有关。表示集电结上允许损耗功率的最大值。与温度有关。PCM=iCvCBiCvCE热损耗必定导致结温热损耗必定导致结温上升,所以上升,所以PC 有限制。有限制。PC PCM第31页,共162页,编辑于2022年,星期二iCvCE集电极最大允许功耗PCM ICM安全工作区集电极最大电流ICM集-射极反向击穿电压V(BR)
17、CEO第32页,共162页,编辑于2022年,星期二(3)(3)反向击穿电压反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力。不仅与反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力。不仅与管子本身特性有关,还取决于外部电路的接法。管子本身特性有关,还取决于外部电路的接法。a.V(BR)CBO发射极开路时的集电结击穿电压。下标发射极开路时的集电结击穿电压。下标CB代代表集电极和基极,表集电极和基极,O代表第三个电极代表第三个电极E开路。开路。b.V(BR)EBO集电极开路时发射结的击穿电压。集电极开路时发射结的击穿电压。c.V(BR)CEO基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。基极开路
18、时集电极和发射极间的击穿电压。对于对于V(BR)CER表示表示BE间接有间接有电阻电阻,V(BR)CES表示表示BE间是间是短路短路的。的。第33页,共162页,编辑于2022年,星期二反向击穿电压的测试原理电路:反向击穿电压的测试原理电路:BR代表击穿之意,是Breakdown的字头。几个击穿电压在大小上有如下关系:V(BR)CBOV(BR)CESV(BR)CERV(BR)CEOV(BR)EBO第34页,共162页,编辑于2022年,星期二第二节第二节 共射极放大电路共射极放大电路三极管放大三极管放大电路有三种电路有三种形式(组态)形式(组态)共射放大电路共射放大电路共基放大电路共基放大电路
19、共集放大电路共集放大电路以共射放大器为例讲解工作原理第35页,共162页,编辑于2022年,星期二一、共射放大电路的基本组成一、共射放大电路的基本组成放大元件iC=iB,工作在放大区,要保证集电结反偏,发射结正偏。vivo输入输入输出输出参考点参考点Rb+VCCVBBRCC1C2T第36页,共162页,编辑于2022年,星期二集电极电源,为电路提供能量。并保证集电结反偏。Rb+VCCVBBRCC1C2T第37页,共162页,编辑于2022年,星期二集电极电阻,将变化的电流转变为变化的电压。Rb+VCCVBBRCC1C2T第38页,共162页,编辑于2022年,星期二使发射结正偏,并提供适当的静
20、态工作点。基极电源与基极电阻Rb+VCCVBBRCC1C2T固定偏流电路第39页,共162页,编辑于2022年,星期二Rb+VCCVBBRCC1C2T隔断隔断放大电路放大电路与与负负载载之间的直流通之间的直流通路。路。耦合电容耦合电容(隔断隔断放大放大电路电路与与信号源信号源之间的之间的直流通路直流通路)vi输入输入vo输出输出耦合电容耦合电容(隔直电容隔直电容)C1、C2输入耦合电容输入耦合电容C1保证信号加到发射结,保证信号加到发射结,不影响发射结偏置。不影响发射结偏置。输出耦合电容输出耦合电容C2保证信号输送到负载,保证信号输送到负载,不影响集电结偏置。不影响集电结偏置。第40页,共16
21、2页,编辑于2022年,星期二可以省去电路改进:采用单电源供电电路改进:采用单电源供电Rb+VCCVBBRCC1C2T第41页,共162页,编辑于2022年,星期二单电源供电电路单电源供电电路+VCCRCC1C2TRb第42页,共162页,编辑于2022年,星期二组成一个放大器的组成一个放大器的基本原则基本原则。(1)发射结必须正偏,集电结必须反偏发射结必须正偏,集电结必须反偏,以保证放大器处于放,以保证放大器处于放大状态。大状态。(2)对输入回路,应当使)对输入回路,应当使输入的电压信号变成电流信号输入的电压信号变成电流信号,因为,因为ic=ib(3)对输出回路,应当)对输出回路,应当尽可能
22、将信号送到负载尽可能将信号送到负载。(4)为保证放大器不失真地放大,直流下的电流和电压)为保证放大器不失真地放大,直流下的电流和电压(静(静态工作点)态工作点)必须必须设置得合适设置得合适。第43页,共162页,编辑于2022年,星期二二、共射放大电路的工作原理二、共射放大电路的工作原理1、静态工作点、静态工作点vi=0时时由于电源的存在Ib0IC0IBICIE=IB+ICRb+VCCRCC1C2T第44页,共162页,编辑于2022年,星期二IBICVBEVCE(IC,VCE)(IB,VBE)Rb+VCCRCC1C2T第45页,共162页,编辑于2022年,星期二(IB,VBE)和和(IC,
23、VCE)分别对应于分别对应于输入、输出特性曲线输入、输出特性曲线上的一个点,上的一个点,称为称为静态工作点静态工作点。IBVBEQIBVBEICVCEQVCEIC第46页,共162页,编辑于2022年,星期二2、静态工作点的估算、静态工作点的估算IBQICQVBEQVCEQ解得解得IBQ=(VCC-VBEQ)/RB因为发射结正偏时因为发射结正偏时VBEQ0.7V或者或者0.3V,所以,所以IBQVCC/RB ICQ=IBQ VCEQ=VCCICQRC由此得到由此得到Q点的四个值点的四个值由输入回路由输入回路VCC=VBEQ+IBQRB由输出回路由输出回路VCC=ICQRC+VCEQ由电流分配的
24、关系由电流分配的关系ICQ=IBQRB+VCCRC第47页,共162页,编辑于2022年,星期二2、静态工作点的估算、静态工作点的估算(1)画画出出实实际际放放大大电电路路的的直直流流通通路路。并并在在电电路路上上标标出出IB、IC、VBE、VCE。(2)根据直流通路列出输入回路、输出回路的电压方程。根据直流通路列出输入回路、输出回路的电压方程。(3)利用方程利用方程IC=IB。(4)解方程组得到)解方程组得到IB、IC、VCE。VBE用估算的方法写出。用估算的方法写出。第48页,共162页,编辑于2022年,星期二3、放大过程、放大过程假设有一微小的输入假设有一微小的输入vi输出的交流电压输
25、出的交流电压vo=-icRCRLRB+VCCVBRCC1C2TviIBQICQVBEQVCEQvBE=VBE+viiB=IB+ibvCE=VCC-iCRC=VCC-(IC+ic)RC =VCC-ICRC-icRC =VCE-icRCiC=iB=IB+ib=IC+ic第49页,共162页,编辑于2022年,星期二IBVBEQICVCEvCE怎么变化怎么变化假设假设vBE有一微小的变化有一微小的变化ictvit第50页,共162页,编辑于2022年,星期二vCE的变化沿一条直线的变化沿一条直线vce相位如何相位如何vce与与vi反相!反相!ICVCEictvcet第51页,共162页,编辑于202
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