连云港半导体硅片项目可行性研究报告(参考范文).docx
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1、泓域咨询/连云港半导体硅片项目可行性研究报告连云港半导体硅片项目可行性研究报告xxx投资管理公司目录第一章 项目建设背景、必要性9一、 半导体景气高涨,带动上游材料市场需求扩张9二、 硅片是芯片制造的核心原材料,技术壁垒高12三、 创新驱动发展建设国家创新型城市15四、 建设现代化国际性海滨城市促进城乡协调发展20五、 项目实施的必要性24第二章 建设单位基本情况26一、 公司基本信息26二、 公司简介26三、 公司竞争优势27四、 公司主要财务数据30公司合并资产负债表主要数据30公司合并利润表主要数据30五、 核心人员介绍30六、 经营宗旨32七、 公司发展规划32第三章 绪论34一、 项
2、目名称及建设性质34二、 项目承办单位34三、 项目定位及建设理由36四、 报告编制说明38五、 项目建设选址40六、 项目生产规模40七、 建筑物建设规模40八、 环境影响41九、 项目总投资及资金构成41十、 资金筹措方案41十一、 项目预期经济效益规划目标42十二、 项目建设进度规划42主要经济指标一览表42第四章 选址可行性分析45一、 项目选址原则45二、 建设区基本情况45三、 构建双循环战略链接打造双向开放新高地51四、 项目选址综合评价57第五章 建筑技术分析58一、 项目工程设计总体要求58二、 建设方案59三、 建筑工程建设指标60建筑工程投资一览表61第六章 运营模式分析
3、63一、 公司经营宗旨63二、 公司的目标、主要职责63三、 各部门职责及权限64四、 财务会计制度68第七章 发展规划分析73一、 公司发展规划73二、 保障措施74第八章 法人治理76一、 股东权利及义务76二、 董事79三、 高级管理人员83四、 监事86第九章 人力资源配置分析88一、 人力资源配置88劳动定员一览表88二、 员工技能培训88第十章 项目进度计划90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十一章 项目环保分析92一、 编制依据92二、 环境影响合理性分析93三、 建设期大气环境影响分析95四、 建设期水环境影响分析96五、 建设期固体
4、废弃物环境影响分析97六、 建设期声环境影响分析97七、 建设期生态环境影响分析98八、 清洁生产99九、 环境管理分析100十、 环境影响结论102十一、 环境影响建议102第十二章 原辅材料供应及成品管理104一、 项目建设期原辅材料供应情况104二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理104第十三章 投资方案105一、 投资估算的依据和说明105二、 建设投资估算106建设投资估算表108三、 建设期利息108建设期利息估算表108四、 流动资金110流动资金估算表110五、 总投资111总投资及构成一览表111六、 资金筹措与投资计划112项目投资计划与资金筹措一览表113第十四章 经济
5、收益分析114一、 经济评价财务测算114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表119二、 项目盈利能力分析119项目投资现金流量表121三、 偿债能力分析122借款还本付息计划表123第十五章 招标及投资方案125一、 项目招标依据125二、 项目招标范围125三、 招标要求125四、 招标组织方式128五、 招标信息发布128第十六章 总结分析129第十七章 附表附录130主要经济指标一览表130建设投资估算表131建设期利息估算表132固定资产投资估算表133流动资金估算表134总投资
6、及构成一览表135项目投资计划与资金筹措一览表136营业收入、税金及附加和增值税估算表137综合总成本费用估算表137利润及利润分配表138项目投资现金流量表139借款还本付息计划表141报告说明硅片大厂扩产滞后下游需求,供需缺口有望持续:半导体行业高景气带动晶圆厂加大资本开支,提高产能,根据ICInsights数据,预计2022年集成电路行业产能增长8.7%达到2.64亿片(约当8寸),产能利用率93.0%,基本与2021年持平,晶圆产能的提高将带动上游半导体材料如硅片等市场需求增长。从上游的硅片厂商情况来看,行业龙头日本盛高、环球晶圆、Siltronic、SKSiltron等均提出了不同规
7、模的扩产计划,其中日本盛高计划斥资2287亿日元加快生产12英寸硅片,预计2023下半年开始陆续投产;环球晶圆将在现有工厂和新厂逐步扩产,总金额最高达1000亿台币,预计2023年下半年开始逐季度增加。硅片大厂目前基本处于满产满销状态,新增产能要从2023年下半年开始才陆续释放,滞后于下游晶圆厂的扩产节奏,行业供需缺口有望持续扩大。根据谨慎财务估算,项目总投资20342.73万元,其中:建设投资15340.44万元,占项目总投资的75.41%;建设期利息329.43万元,占项目总投资的1.62%;流动资金4672.86万元,占项目总投资的22.97%。项目正常运营每年营业收入45000.00万
8、元,综合总成本费用37489.78万元,净利润5487.05万元,财务内部收益率19.46%,财务净现值6926.74万元,全部投资回收期6.18年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目建设背景、必要性一、 半导体景气高涨,带动上游材料市场需求
9、扩张在5G、物联网、汽车电子、云计算等需求的带动下,半导体市场需求持续增长。2020年尽管受到疫情的影响,全球半导体市场规模依然同比增长6.8%,达到了4404亿美元,预计2021年、2022年全球半导体市场规模分别为5530亿美元、6015亿美元,同比分别增长25.6%、8.8%。从分地区来看,2021年和2022年亚太市场规模增速将高于全球平均,分别为26.7%、8.4%,在全球市场的占比分别为62.11%、61.90%。半导体行业高景气,带动在晶圆厂大幅扩张资本开支,提高产能。2019-2021年全球集成电路产能(约当8英寸)分别为2.10亿片、2.24亿片、2.43亿片,同比分别+4.
10、1%、+6.5%、+8.5%,产能利用率分别为85.8%、85.5%、93.8%,预计2022年集成电路行业产能增长8.7%达到2.64亿片,产能利用率93.0%,接近2021年水平。2022年新增产能主要来自于今年计划新增的10座300mm晶圆厂(比2021年新增少3座)。半导体材料直接销售的下游客户为各大晶圆厂,受益于半导体产能持续扩张,上游材料市场景气高涨。根据SEMI数据,受半导体产业整体大环境影响,2015-2019年全球半导体材料行业市场规模呈波动变化趋势,2018年在晶圆制造厂和封装厂出货增长和先进工艺发展的推动下,全球半导体材料市场首次超过500亿美元,在全球半导体产品的强烈需
11、求的影响下,2020年全球半导体材料市场的规模达到了554.8亿美元,同比增长6.41%,2021年达到了642.7亿美元,同比增长15.84%,增速进一步提高。中国大陆半导体材料市场规模从2016年起逐年增长,2017年达到76亿美元,2020年增长至97.83亿美元,2017-2020年复合增长率为7.8%;2020年中国大陆半导体材料市场规模超过韩国成为全球第二,同比增速为19.45%,是全球仅有的两个增长市场之一,2021年中国大陆半导体材料市场规模达到119亿美元,同比增长21.94%。半导体硅片是占比最高的材料,长期受益于大数据、汽车电子发展从半导体材料的市场结构来看,可以分为晶圆
12、制造材料和封装材料,根据SEMI数据,2020年晶圆制造材料占比为63%,封装材料占比37%,晶圆制造材料占比较高。硅片是份额最大的晶圆制造材料。硅片又称硅晶圆,是以硅为材料制成的圆形薄片,是目前产量最大、应用最广的半导体材料,目前90%以上的芯片需要使用半导体硅片制造。根据SEMI数据,2020年硅片市场份额约为晶圆制造材料的35%,是占比最高的半导体材料。在全球晶圆出货量持续提高的带动下,上游硅片市场规模持续增长,从2015年的72亿美元增长至2020年的112亿美元。根据SEMI统计,预计2021年全球半导体硅片市场规模140亿美元,同比增长25%,增速大幅提高。中国半导体硅片市场规模增
13、速超过全球。2010年至2013年,中国大陆半导体硅片市场发展趋势与全球市场一致。2014年起,中国大陆半导体硅片市场步入快速发展阶段。2016年至2021年间,中国大陆半导体硅片销售额从5亿美元上升至16.56亿美元,年均复合增长率高达27.08%,远高于同期全球半导体硅片的年均复合增长率。不同尺寸硅片对应不同的下游需求。12英寸硅片主要应用于制造智能终端中逻辑芯片和存储芯片等,8英寸硅片主要应用于汽车电子、工业自动化和指纹识别等成熟工艺的逻辑电路、模拟电路和功率器件MOSFET、IGBT等高端产品,6英寸及以下尺寸硅片主要应用于功率半导体中的低端产品(比如二极管晶闸管等)。全球数据流量持续
14、高速增长是半导体硅片需求成长的重要推动力。随着云计算、大数据、人工智能、物联网等热门技术的大规模应用,数据流量呈现出指数级增长态势,根据SUMCO数据,全球数据流量有望从2020年的不到60ZB增长至2025年的约170ZB,年复合增长率约25%。数据流量的大规模增长需要性能更加强劲的逻辑芯片以及容量更加大、速度更加快的存储芯片支持。根据SUMCO的数据,逻辑芯片晶体管密度平均每年增长16%,与全球数据流量的25%的复合增速相比还差9%,这部分将由芯片面积的增长来弥补,进而带动半导体硅片需求增长。汽车电子是半导体硅片需求成长的另一动能。随着未来电动化、自动驾驶、智能座舱等技术不断落地与渗透,汽
15、车电子市场规模将逐年增长,这也为涉足汽车产业链的汽车电子、半导体企业提供了可观的发展机遇。根据Statista,2020年全球汽车电子市场规模约2200亿美元,预计2028年规模将增涨至4000亿美元以上,年复合增长率8%。在互联网、娱乐、节能、安全四大趋势的驱动下,汽车电子化水平日益提高,汽车电子在整车制造成本中的占比不断提高,预计2030年接近50%。根据SUMCO,2020年汽车电子对8寸硅片的需求约为75万片/月,预计将在2024年达到约150万片/月,实现翻倍。二、 硅片是芯片制造的核心原材料,技术壁垒高硅片是半导体制造核心原材料:半导体硅片是生产集成电路、分立器件、传感器等半导体产
16、品的关键材料,是半导体产业链基础性的一环,其核心工艺包括单晶工艺、成型工艺、抛光工艺、外延工艺等,技术专业化程度颇高。通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件,目前90%以上的半导体产品使用硅基材料制造。半导体硅片行业属于技术密集型行业,具有研发投入高、研发周期长、研发风险大的特点,同时半导体硅片也是我国半导体产业链与国际先进水平差距最大的环节之一。硅片的质量直接决定下游晶圆生产的良率。晶圆的加工是整个半导体产业的第二环节,而硅片的质量决定了下游IDM和Fountry厂商所生产的晶圆的良率,因此硅片厂商想要进入IDM和Fountry厂商的供应链需要经过较长时间的验证且一经确定
17、后不会被轻易替代。晶圆加工完成后再经过封测环节及可得到芯片。而芯片按照用途不同主要可以分为传感器类芯片、计算类芯片、存储类芯片、连接器类芯片和模拟芯片等。硅片制备流程复杂,技术难度高。半导体产业使用的是单晶硅片,其生产流程为,首先从硅矿中制备多晶硅,多晶硅在单晶炉内的培育生长生成单晶硅棒,单晶硅棒经过切割、倒角、研磨、刻蚀、抛光、清洗等环节,得到硅片成品。制备过程的技术重难点包括硅片纯度、氧含量、表面颗粒、晶体缺陷、表面/体金属含量、翘曲度、平整度、体电阻率等参数的控制。最终产出的硅片需要达到高纯度、低杂质含量、高平坦度的要求,并且具有特定的电学性能。单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的
18、,目前制备单晶硅的方法主要有直拉法(CZ法)和悬浮区熔法(FZ法);该技术的重点在于保证拉制出的硅锭保持极高纯度水平(纯度至少为99.999999999%)的同时,有效控制晶体缺陷的密度。直拉法:在一个直筒型的热系统用石墨电阻加热,将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化,并保持略高于硅熔点的温度,然后将籽晶插入熔体表面进行熔接,同时转动籽晶,再反转坩埚,籽晶缓慢向上提升,经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程,得到单晶硅。悬浮区熔法的原理是将圆柱形硅棒固定于垂直方向,利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区,这两个棒朝相反方向旋转;然后将在多晶棒与籽晶间只靠表面张力形成的熔
19、区沿棒长逐步向上移动进行单晶生长,单晶棒的直径主要由顶部和底部的相对旋转速率控制。相比悬浮区熔法,直拉法成本更低,生长速率较快,更适合大尺寸(12英寸)单晶硅棒的拉制,目前约85%单晶硅片皆由直拉法制成,主要应用在逻辑、存储器芯片中。悬浮区熔法很适合制作电力电子器件(因为产出的硅片电阻率较高),悬浮区熔法制备的单晶硅占有的市场份额较小(约15%)。按单晶硅棒后续处理的不同工艺,硅片可分为抛光片、外延片、SOI硅片等。抛光片(PW):由单晶硅棒经过切割、研磨、抛光等工艺而产出。抛光片应用广泛,目前半导体行业所使用的硅片70%都为抛光片,既可直接用于制作存储芯片与功率器件等半导体器件,又可作为外延
20、片、SOI片的衬底材料。外延片(EW):以抛光片为衬底,沿着原来的结晶方向生长出一层新单晶层(外延层)而产出,即外延片=衬底+外延层。随着半导体制造工艺的进步,外延片应用增加,占比逐渐上升,28nm以上的制程都需要使用外延技术,故未来外延片将占据主流。外延片被大规模应用于对稳定性、缺陷密度、高电压及电流耐受性等有高要求的半导体器件中,主要包括MOSFET、晶体管等功率器件,以及CIS、PMIC等模拟器件,终端应用包括汽车、高端装备制造、能源管理、通信、消费电子等。绝缘体上硅(SOI):在两个抛光片之间夹一层具有高电绝缘性的氧化物层,再将其粘合在一起而产出。SOI共有三层结构:底层起支撑作用;顶
21、层用于蚀刻电路;氧化层起到保护芯片上的晶体管,减小晶体管的静电电容,加快晶体管的状态切换,提高器件运行速度等作用。SOI具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点,适用于耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上,如射频前端芯片、功率器件、汽车电子芯片、传感器以及星载芯片等。三、 创新驱动发展建设国家创新型城市深入实施创新驱动发展战略,以建设国家创新型城市为抓手,立足“中华药港”、燃气轮机大科学装置、新材料产业基地等重点科创载体和平台,在更高水平上集聚创新资源,加速攻关核心关键技术,在科技创新上争当表率,推动经济增长向创新驱动转变。(
22、一)建设创新创业载体聚焦优势特色产业,以产业升级、企业需求为导向,构建以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系,打造“地标产业+产业研发服务平台+高新技术企业和高端研发机构”的产业创新发展生态,深化区域性产业科技创新体系建设。1、建设技术研发创新平台聚焦产业发展需求,规划建设花果山大道科创走廊,打造科创资源集中承载区和创新经济发展引领区。积极融入国家科技创新战略布局,建成高效低碳燃气轮机试验装置国家重大科技基础设施项目,促进科技成果落地转化,集聚一批燃气轮机配套及关联企业。到2025年,建成省级以上企业研发机构200个,大中型工业企业研发机构基本实现全覆盖。推动设立海外研发机构、
23、海外联合实验室、离岸孵化器等平台,配置全球创新资源,承接高端技术转移。2、建设创新创业孵化平台发挥高新区创新发展示范引领作用,建设科技服务大市场,加快建设“创业苗圃孵化器加速器”孵化链、众创社区(研发社区)和科技服务业集聚区。深化建设国家农业科技园区,加快东海县省级农高区建设,创建国家级农高区。3、培育创新型企业强化企业创新主体地位,完善企业创新支持服务,支持大中小企业和各类主体融通创新,培育充满活力的创新型企业集群。4、强化企业创新主体地位加大对企业自主创新的引导和支持,鼓励加大科技研发投入,加强应用技术研发和先进技术应用,促进科技成果向现实生产力转化。支持参与国家、省级科技计划和重大工程项
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