THSCCG1实训指导书.doc

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1、THSCCG-1型传感器技术实训装置 简介一、概述“THSCCG-1型传感器技术实训装置”是根据中华人民共和国教育行业标准电工电子类实训基地仪器设备配备标准，教育部“振兴21世纪职业教育课程改革和教材建设规划”要求，按照职业教育的教学和实训要求研发的产品。适合高职院校、职业学校的仪器仪表、自动控制、电子技术与机电技术等专业的实训教学。二、设备构成实训装置主要由实训台、三源板、传感器和变送模块组成。1. 实训台部分1k10kHz音频信号发生器、130Hz低频信号发生器、四组直流稳压电源：15V、+5V、210V、224V可调、数字式电压表、频率/转速表、定时器以及高精度温度调节仪组成。2. 三源

2、板部分 热源：0220V交流电源加热，温度可控制在室温120 oC，控制精度1 oC。 转动源：224V直流电源驱动，转速可调在04500 rpm。 振动源：振动频率1Hz30Hz（可调）。3. 传感器及变送模块部分 传感器包含金属应变传感器，差动变压器传感器，磁电传感器，Pt100温度传感器，K型热电偶，光电开关，霍尔开关。变送模块包括电桥、电压放大器、差动放大器、电荷放大器、低通滤波器、相敏检波器、移相器、温度检测与调理等共五个模块。 本实训台，作为教学实训仪器，传感器基本上都采用工业应用的传感器，以便学生有直观的认识，变送模块上附有变送器的原理框图，测量连接线用定制的接触电阻极小的迭插式

3、联机插头连接。三、实训内容本装置的实训项目共34项，包括基本技能实训项目25项，应用型实训项目9项。涉及压力、振动、位移、温度、转速等常见物理量的检测。通过这些实训项目，使学生能够更全面的学习和掌握信号传感、信号处理、信号转换、的整个过程。目 录传感器基本技能实训一、 金属箔式应变片单臂电桥搭建二、 金属箔式应变片半桥搭建三、 金属箔式应变片全桥搭建四、 扩散硅压阻压力传感器差压测量五、 差动变压器的性能测试六、 激励频率对差动变压器特性的影响测试七、 差动变压器零点残余电压补偿八、 电容式传感器的位移特性测试九、 电容传感器动态特性测试十、 直流激励时霍尔式传感器的位移特性测试十一、 交流激

4、励时霍尔式传感器的位移特性测试十二、 霍尔式传感器振动测量十三、 磁电式传感器转速测量十四、 压电式传感器振动测量十五、 电涡流传感器的位移特性测试十六、 被测体材质、面积大小对电涡流传感器的特性影响测试十七、 电涡流传感器测量振动十八、 光纤传感器的位移特性测试十九、 光纤传感器测量振动二十、 PT100温度控制的应用二十一、 集成温度传感器的温度特性测试二十二、 铂电阻温度特性测试二十三、 热电偶的冷端温度补偿二十四、 气敏传感器测试酒精浓度二十五、 湿敏传感器湿度测量传感器应用实训二十六、 直流全桥的应用电子秤定标二十七、 交流全桥的应用振动测量二十八、 差动变压器的应用振动测量二十九、

5、 光电转速传感器的应用转速测量三十、 开关型霍尔传感器的应用转速测量三十一、 光纤传感器的应用转速测量三十二、 K型热电偶的应用测量温度三十三、 E型热电偶的应用测量温度三十四、 智能调节仪应用转速控制传感器基本技能实训一 金属箔式应变片单臂电桥搭建一、实训目的：了解金属箔式应变片的应变效应，掌握单臂电桥的接线方法和用途。二、实训仪器：实训台、应变传感器实验模块、托盘、砝码、万用表（自备）。三、相关原理：电阻丝在外力作用下发生机械变形时，其电阻值发生变化，这就是电阻应变效应，描述电阻应变效应的关系式为：R/R=K，式中R/R为电阻丝电阻相对变化，K为应变灵敏系数，=l/l为电阻丝长度相对变化。

6、金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感组件，如图1-1所示，四个金属箔应变片分别贴在弹性体的上下两侧，弹性体受到压力发生形变，应变片随弹性体形变被拉伸，或被压缩。 图1-1 应变传感器安装图图1-2 单臂电桥接线图通过这些应变片转换被测部位受力状态变化、电桥的作用完成电阻到电压的比例变化，如图1-2所示R5、R6、R7为固定电阻，与应变片一起构成一个单臂电桥，其输出电压Uo= （1-1）E为电桥电源电压，R为固定电阻值，式1-1表明单臂电桥输出为非线性，非线性误差为L=。四、实训内容与操作步骤1应变传感器上的各应变片已分别接到应变传感器模块左上方的R1、R2、R3、R4上，可用万

7、用表测量判别，R1=R2=R3=R4=350。2差动放大器调零。从实训台接入15V电源，检查无误后，合上实训台电源开关，将差动放大器的输入端Ui短接并与地短接，输出端Uo2接数显电压表（选择2V档）。将电位器Rw3调到增益最大位置（顺时针转到底），调节电位器Rw4使电压表显示为0V。关闭实训台电源。（Rw3、Rw4的位置确定后不能改动）3按图1-2连线，将应变式传感器的其中一个应变电阻（如R1）接入电桥与R5、R6、R7构成一个单臂直流电桥。4加托盘后电桥调零。电桥输出接到差动放大器的输入端Ui，检查接线无误后，合上主控台电源开关，预热五分钟，调节Rw1使电压表显示为零。5在应变传感器托盘上放

8、置一只砝码，读取数显表数值，依次增加砝码和读取相应的数显表值，直到200g砝码加完，计下数显表值，填入下表1-1，关闭电源。表11重量(g)电压(mV)五、实训报告根据表11计算系统灵敏度SU/W（U输出电压变化量，W重量变化量）和非线性误差f1=m/yF.S 100，式中m为输出值（多次测量时为平均值）与拟合直线的最大偏差；yFS为满量程（200g）输出平均值。六、注意事项加在应变传感器上的压力不应过大，以免造成应变传感器的损坏！二 金属箔式应变片半桥搭建一、实训目的：比较半桥与单臂电桥的不同性能，掌握其接线方法。二、实训仪器：同项目一三、相关原理：不同受力方向的两只应变片接入电桥作为邻边，

9、如图2-1。电桥输出灵敏度提高，非线性得到改善，当两只应变片的阻值相同、应变数也相同时，半桥的输出电压为 Uo=EK/2 = （2-1）E为电桥电源电压，式2-1表明，半桥输出与应变片阻值变化率呈线性关系。四、实训内容与操作步骤1应变传感器已安装在应变传感器实验模块上，可参考图1-1。2差动放大器调零，参考实训项目一步骤2。3按图2-1接线，将受力相反（一片受拉，一片受压）的两只应变片接入电桥的邻边。4加托盘后电桥调零，参考实训项目一步骤4。5在应变传感器托盘上放置一只砝码，读取数显表数值，依次增加砝码和读取相应的数显表值，直到200g砝码加完，计下数显表值，填入下表，关闭电源。表2-1重量(

10、g)电压(mV)五、实训报告根据表2-1的数据，计算灵敏度L=U/W，非线性误差f2六、思考题引起半桥测量时非线性误差的原因是什么？ 图2-1 双臂电桥接线图三 金属箔式应变片全桥搭建一、实训目的：了解全桥测量电路的性能，掌握其接线方法。二、实训仪器：同项目一。三、相关原理：全桥测量电路中，将受力性质相同的两只应变片接到电桥的对边，不同的接入邻边，如图3-1，当应变片初始值相等，变化量也相等时，其桥路输出：Uo=KE （3-1） E为电桥电源电压，式3-1表明，全桥输出灵敏度比半桥又提高了一倍，非线性误差得到进一步改善。四、实训内容与操作步骤1应变传感器已安装在应变传感器实验模块上，可参考图1

11、-1。2差动放大器调零，参考实训项目一步骤2。3按图 3-1接线，将受力相反（一片受拉，一片受压）的两对应变片分别接入电桥的邻边。4加托盘后电桥调零，参考实训项目一步骤4。 图3-15在应变传感器托盘上放置一只砝码，读取数显表数值，依次增加砝码和读取相应的数显表值，直到200g砝码加完，计下数显表值，填入下表3-1，关闭电源。 图3-1 全桥电路接线图表3-1重量(g)电压(mV)五、实训报告根据记录表3-1的数据，计算灵敏度L=U/W，非线性误差f3 四 扩散硅压阻压力传感器差压测量一、实训目的：了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理与方法。二、实训仪器压力传感器模块、温度传感器模块、数显

12、单元、直流稳压源+5V、15V。三、相关原理在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法，摩托罗拉公司设计出X形硅压力传感器如下图所示：在单晶硅膜片表面形成4个阻值相等的电阻条。并将它们连接成惠斯通电桥，电桥电源端和输出端引出，用制造集成电路的方法封装起来，制成扩散硅压阻式压力传感器。扩散硅压力传感器的工作原理：在X形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流，当敏感芯片没有外加压力作用，内部电桥处于平衡状态，当有剪切力作用时，在垂直电流方向将会产生电场变化，该电场的变化引起电位变化，则在端可得到被与电流垂直方向的两测压力引起的输出电压Uo。 （4-1）式中d为元件两端距离。实验接线图如图4

13、-2所示，MPX10有4个引出脚，1脚接地、2脚为Uo+、3脚接+5V电源、4脚为Uo-；当P1P2时，输出为正；P1P2时，输出为负。图4-1 扩散硅压力传感器原理图四、实训内容与操作步骤1接入+5V、15V直流稳压电源，模块输出端Vo2接控制台上数显直流电压表，选择20V档，打开实训台总电源。4调节Rw2到适当位置并保持不动，用导线将差动放大器的输入端Ui短路，然后调节Rw3使直流电压表200mV档显示为零，取下短路导线。5气室1、2的两个活塞退回到刻度“17”的小孔后，使两个气室的压力相对大气压均为0，气压计指在“零”刻度处，将MPX10的输出接到差动放大器的输入端Ui，调节Rw1使直流

14、电压表200mv档显示为零。6保持负压力输入P2压力零不变，增大正压力输入P1的压力到0.01MPa，每隔0.005Mpa记下模块输出Uo2的电压值。直到P1的压力达到0.095Mpa；填入下表。P(kP) Uo2（V）7保持正压力输入P1压力0.095Mpa不变，增大负压力输入P2的压力，从0.01MPa每隔0.005Mpa记下模块输出Uo2的电压值。直到P2的压力达到0.095Mpa；填入下表。P(kP) Uo2（V）8保持负压力输入P2压力0.095Mpa不变，减小正压力输入P1的压力，每隔0.005Mpa记下模块输出Uo2的电压值。直到P1的压力为0.005Mpa；填入下表。P(kP)

15、 Uo2（V）9保持负压力输入P1压力0Mpa不变，减小正压力输入P2的压力，每隔0.005Mpa记下模块输出Uo2的电压值。直到P2的压力为0.005Mpa；填入下表。P(kP) Uo2（V）10实验结束后，关闭实训台电源，整理好实验设备。五、实训报告1根据实验所得数据，计算压力传感器输入P（P1-P2）输出Uo2曲线。计算灵敏度L=U/P，非线性误差f。图4-2 扩散硅压力传感器接线图五 差动变压器性能测试一、实训目的掌握差动变压器位移测量的方法二、实训仪器实训台、差动变压器模块、测微头、差动变压器、示波器（自备）三、相关原理差动变压器由一只初级线圈和两只次级线圈及一个铁芯组成。铁芯连接被

16、测物体，移动线圈中的铁芯，由于初级线圈和次级线圈之间的互感发生变化促使次级线圈的感应电动势发生变化，一只次级感应电动势增加，另一只感应电动势则减小，将两只次级线圈反向串接（同名端连接）引出差动输出。输出的变化反映了被测物体的移动量。四、实训内容与操作步骤1根据图5-1将差动变压器安装在差动变压器模块上。 图5-1 图5-22将传感器引线插头插入模块的插座中，音频信号由振荡器的“00”处输出，打开主控台电源，调节音频信号输出的频率和幅度（用示波器监测），使输出信号频率为4-5KHz，幅度为Vp-p=2V，按图5-2接线（1、2接音频信号，3、4为差动变压器输出，接放大器输入端）。3用示波器观测U

17、o的输出，旋动测微头，使示波器上观测到的波形峰峰值Vp-p为最小，这时可以左右位移，假设其中一个方向为正位移，另一个方向位称为负，从Vp-p最小开始旋动测微头，每隔0.2mm从示波器上读出输出电压Vp-p值，填入下表51，再从Vp-p最小处反向位动测微头，在操作过程中，注意左、右位移时，初、次级波形的相位关系。五、实训报告1操作过程中注意差动变压器输出的最小值即为差动变压器的零点残余电压大小。根据表61画出Vop-pX曲线，作出量程为1mm、3mm灵敏度和非线性误差。表（5-1）差动变压器位移X值与输出电压数据表。V(mV)X(mm)六 差动变压器零点残余电压补偿一、实训目的：掌握差动变压器零

18、点残余电压补偿的方法二、实训仪器：实训台、差动变压器模块、测微头、差动变压器、示波器（自备）三、相关理论：由于差动变压器两只次级线圈的等效参数不对称，初级线圈的纵向排列不均匀性，次级线圈的不均匀，不一致性，铁芯的B-H特性非线性等，因此在铁芯处于差动线圈中间位置时其输出并不为零，称其为零点残余电压。四、实训内容与操作步骤1安装好差动变压器，利用示波器观测并调整音频振荡器“00”输出为4KHz ，2V峰峰值；按图6-1接线。2模块R1、C1、RW1、RW2为电桥单元中调平衡网络。3用示波器监测放大器输出；4调整测微头，使放大器输出信号最小。5依次调整RW1、RW2，使示波器显示的电压输出波形幅值

19、降至最小。6此时示波器显示即为零点残余电压的波形。7记下差动变压器的零点残余电压值峰峰值（Vop-p）。（注：这时的零点残余电压经放大后的零点残余电压V零点 p-pK，K为放大倍数）。8可以看出，经过补偿后的残余电压的波形是一不规则波形，这说明波形中有高频成分存在。图6-1 五、实训报告 1分析经过补偿的零点残余电压波形。 七 激励频率对差动变压器特性的影响测试一、实训目的：了解初级线圈激励频率对差动变压器输出性能的影响二、实训仪器：同实训项目五三、相关理论：差动变压器输出电压的有效值可以近似表示为： 式7-1式7-1中Lp、Rp为初级线圈的电感和损耗电阻，Ui、为激励信号的电压和频率，M1、

20、M2为初级与两次级线圈的互感系数，由关系式可以看出，当初级线圈激励频率太低时，RP22LP2，则输出电Uo受频率变动影响较大，且灵敏度较低，只有当2LP2RP2时输出Uo与无关，当然过高会使线圈寄生电容增大，影响系统的稳定性。四、实训内容与操作步骤1按照实训五安装传感器和接线。开启实训台电源开关。2选择音频信号的频率为1KHz，Vp-p=2V。（用示波器监测）。3用上示波器观察Uo输出波形，移动铁芯至中间位置即输出信号最小时的位置。固定测微头。4旋动测微头，向左（或右）旋到离中心位置1mm处，使Uo有较大的输出。5分别改变激励频率从1KHZ9KHZ，幅值不变，频率由频率/转速表监测。将测试结果

21、记入表71表7-1激励频率与输出电压的关系。F(Hz)1KHz2 KHz3 KHz4 KHz5 KHz6 KHz7 KHz8 KHz9 KHzV0(V)五、实训报告1根据表7-1作出幅频特性曲线。八 电容式传感器的位移特性测试一、实训目的：了解电容传感器的结构及特点二、实训仪器：电容传感器、电容传感器模块、测微头、数显直流电压表、直流稳压电源、绝缘护套三、相关原理：电容式传感器是指能将被测物理量的变化转换为电容量变化的一种传感器它实质上是具有一个可变参数的电容器。利用平板电容器原理： （8-1）式中，S为极板面积，d为极板间距离，0真空介电常数，r介质相对介电常数，由此可以看出当被测物理量使S

22、、d或r发生变化时，电容量C随之发生改变，如果保持其中两个参数不变而仅改变另一参数，就可以将该参数的变化单值地转换为电容量的变化。所以电容传感器可以分为三种类型：改变极间距离的变间隙式，改变极板面积的变面积式和改变介质电常数的变介电常数式。这里采用变面积式，如图11-1两只平板电容器共享一个下极板，当下极板随被测物体移动时，两只电容器上下极板的有效面积一只增大，一只减小，将三个极板用导线引出，形成差动电容输出。 图8-1四、实训内容与操作步骤1按图8-2将电容传感器安装在电容传感器模块上，将传感器引线插入实验模块插座中。图8-2 电容传感器安装图2将电容传感器模块的输出UO接到数显直流电压表。

23、3接入15V电源，合上主控台电源开关，将电容传感器调至中间位置，调节Rw，使得数显直流电压表显示为0（选择2V档）。（Rw确定后不能改动）4旋动测微头推进电容传感器的共享极板（下极板），每隔0.2mm记下位移量X与输出电压值V的变化，填入下表8-1X(mm) V(mV)五、实训报告：1根据表8-1的数据计算电容传感器的系统灵敏度S和非线性误差f。九 电容传感器动态特性测试一、实训目的：了解电容传感器的动态性能的测量原理与方法。二、实训仪器：电容传感器、电容传感器模块、相敏检波模块、振荡器频率/转速表、直流稳压电源、振动源、示波器。三、相关原理：与电容传感器位移特性实验原理相同四、实训内容与操作

24、步骤：1将电容传感器的安装到振动源传感器支架上，传感器引线接入传感器模块，输出端Uo接相敏检波模块低通滤波器的输入Ui端，低通滤波器输出Uo接示波器。调节Rw到最大位置（顺时针旋到底），通过“紧定旋钮”使电容传感器的动极板处于中间位置，Uo输出为0。2主控台振荡器“低频输出”接到振动台的“激励源”，振动频率选“5-15Hz”之间，振动幅度初始调到零。3将实验台15V的电源接入实验模块，检查接线无误后，打开实验台电源，调节振动源激励信号的幅度，用示波器观察实验模块输出波形。4保持振荡器“低频输出”的幅度旋钮不变，改变振动频率（用数显频率计监测），用示波器测出Uo输出的峰-峰值。保持频率不变，改变

25、振荡器“低频输出”的幅度，测量Uo输出的峰-峰值。填入下表振动频率(Hz)56789101112131415182022242630Vp-p(V)五、实训报告：1分析差动电容传感器测量振动的波形，作F-Vp-p曲线，找出振动源的固有频率十 直流激励时霍尔式传感器的位移特性测试一、实训目的：了解霍尔传感器的原理与应用。二、实训仪器：霍尔传感器模块、霍尔传感器、测微头、直流电源、数显电压表。三、相关原理：根据霍尔效应，霍尔电势UH=KHIB，其中KH为灵敏度系数，由霍尔材料的物理性质决定，当通过霍尔组件的电流I一定，霍尔组件在一个梯度磁场中运动时，就可以用来进行位移测量。四、实训内容与操作步骤1将

26、霍尔传感器安装到霍尔传感器模块上，传感器引线接到霍尔传感器模块9芯航空插座。按图10-1接线。2开启电源，直流数显电压表选择“2V”档，将测微头的起始位置调到“10mm”处，手动调节测微头的位置，先使霍尔片大概在磁钢的中间位置（数显表大致为0），固定测微头，再调节Rw1使数显表显示为零。3分别向左、右不同方向旋动测微头，每隔0.2mm记下一个读数，直到读数近似不变，将读数填入下表X（mm）U(mV) 表10-1 图10-1 霍尔传感器直流激励接线图五、实训报告作出UX曲线，计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。十一 交流激励时霍尔式传感器的位移特性测试一、实训目的：了解交流激励时霍尔传感器的

27、特性二、实训仪器：霍尔传感器模块、移相相敏检波模块、霍尔传感器、测微头、直流电源、数显电压表。三、相关原理：交流激励时霍尔式传感器与直流激励一样，基本工作原理相同，不同之处是测量电路。四、实训内容与操作步骤：1将霍尔传感器的安装到霍尔传感器实验模块上，接线如下图。图11-12调节振荡器的音频调频和音频调幅旋钮，使音频振荡器的“00”输出端输出频率为1K，Vp-p=4V的正弦波（注意：峰峰值不应过大，否则烧毁霍尔组件）。3开启电源，直流数显电压表选择“2V”档，将测微头的起始位置调到“10mm”处，手动调节测微头的位置，使霍尔片大概在磁钢的中间位置（数显表大致为0），固定测微头，再调节Rw1，R

28、w2，用示波器检测使霍尔传感器模块输出Uo为一条直线。4移动测微头，使霍尔传感器模块有较大输出，调节移相器旋钮，使检波器输出为一全波。4退回测微头，使数字电压表显示为0，以此作为0点，每隔0.2mm记一个读数，直到读数近似不变，将读数填入下表。X（mm）U(mV) 表11-1五、实训报告 作出UX曲线，计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。十二 霍尔式传感器振动测量实验一、实训目的：了解霍尔组件的应用测量振动二、实训仪器：霍尔传感器模块、霍尔传感器、振动源、直流稳压电源、通信接口三、相关原理：这里采用直流电源激励霍尔组件，原理参照实验十三四、实训内容与操作1将霍尔传感器安装在振动台上。传感器

29、引线接到霍尔传感器模块的9芯航空插座。按下图接线。打开主控台电源。 图12-12先将传感器固定在传感器支架的连桥板上，调节“紧定旋钮”和“微动升降旋钮”使霍尔传感器大致处于磁芯的中间位置，调节Rw1使输出Uo为0；调节“低频调幅”旋钮到中间位置，调节“低频调频”旋钮使低频输出为5Hz，将实验台上的“低频输出”接到三源板的“激振源输入”，使振动梁振动。3通过通信接口的CH1通道用上位机软件观测其输出波形。可调节“低频调幅”和“低频调频”旋钮，观测振动源在不同振幅和频率的波形。（避免在“低频调幅”最大的时候使振动台达到共振，共振频率13Hz左右，以免损坏传感器）五、实训报告1选择不同的中心点测量振

30、动，比较霍尔输出波形的变化，并分析其原因2考虑用交流激励霍尔组件，输出应是什么波形。十三 磁电式传感器转速测量一、实训目的：掌握磁电式传感器测量转速的方法。二、实训仪器：实训台、转动源、磁电感应传感器三、相关原理：磁电感应式传感器是以电磁感应原理为基础，根据电磁感应定律，线圈两端的感应电动势正比于线圈所包围的磁通对时间的变化率，即 其中W是线圈匝数，线圈所包围的磁通量。若线圈相对磁场运动速度为v或角速度w，则上式可改为e=-WBlv或者e=-WBSw，l为每匝线圈的平均长度；B线圈所在磁场的磁感应强度；S每匝线圈的平均截面积。四、实训内容与操作步骤1按下图安装磁电感应式传感器。传感器底部距离转

31、动源45mm（目测），“转动电源”接到224V直流电源输出（注意正负极，否则烧坏电机）。磁电式传感器的两根输出线接到频率/转速表。2调节224V电压调节旋钮，每间隔0.5V，记录转动源的转速值，并可通过示波器观测其输出波形。图13-1五、实训报告1分析磁电式传感器测量转速原理。 2根据记录的驱动电压和转速，作V-RPM曲线。十四 压电式传感器振动测量一、实训目的：了解压电式传感器测量振动的原理和方法。二、实训仪器：振动源、信号源、直流稳压电源、压电传感器模块、移相检波低通模块三、相关原理：压电式传感器由惯性质量块和压电陶瓷片等组成（观察实验用压电式加速度计结构）工作时传感器感受与试件相同频率的

32、振动，质量块便有正比于加速度的交变力作用在压电陶瓷片上，由于压电效应，压电陶瓷产生正比于运动加速度的表面电荷。四、实训内容与操作步骤1将压电传感器安装在振动梁的圆盘上。2将振荡器的“低频输出”接到三源板的“低频输入”，并按下图14-1接线，合上主控台电源开关，调节低频调幅到最大、低频调频到适当位置，使振动梁的振幅逐渐增大。3将压电传感器的输出端接到压电传感器模块的输入端Ui1，Uo1接Ui2，Uo2接移相检波低通模块低通滤波器输入Ui，输出Uo接示波器，观察压电传感器的输出波形Uo。图14-1五、实训报告1改变低频输出信号的频率，记录振动源不同振动幅度下压电传感器输出波形的频率和幅值。并由此得

33、出振动系统的共振频率。振动频率(Hz)56789101112131415182022242630Vp-p(V)十五 电涡流传感器的位移特性测试一、实训目的：了解电涡流传感器测量位移的工作原理和特性。二、实训仪器：电涡流传感器、铁圆盘、电涡流传感器模块、测微头、直流稳压电源、数显直流电压表、测微头。三、相关原理：通过高频电流的线圈产生磁场，当有导电体接近时，因导电体涡流效应产生涡流损耗，而涡流损耗与导电体离线圈的距离有关，因此可以进行位移测量。四、实训内容与操作步骤1按下图15-1安装电涡流传感器。 图15-12在测微头端部装上铁质金属圆盘，作为电涡流传感器的被测体。调节测微头，使铁质金属圆盘的

34、平面贴到电涡流传感器的探测端，固定测微头。图15-23传感器连接按图15-2，将电涡流传感器连接线接到模块上标有“”的两端，实验范本输出端Uo与数显单元输入端Ui相接。数显表量程切换开关选择电压20V档，模块电源用连接导线从主控台接入+15V电源。 4合上主控台电源开关，记下数显表读数，然后每隔0.2mm读一个数，直到输出几乎不变为止。将结果列入下表15-1。X（mm）UO(V)表15-1五、实训报告1根据表15-1数据，画出UX曲线，根据曲线找出线性区域及进行正、负位移测量时的最佳工作点，并计算量程为1mm、3 mm及5mm时的灵敏度和线性度（可以用端点法或其它拟合直线）。十六 被测体材质、

35、面积大小对电涡流传感器的特性影响测试一、实训目的：了解不同的被测体材料对电涡流传感器性能的影响。二、实训仪器：电涡流传感器、铁、铜和铝圆盘、电涡流传感器模块、测微头、直流稳压电源、数显直流电压表、测微头。三、相关原理：涡流效应与金属导体本身的电阻率和磁导率有关，因此不同的材料就会有不同的性能。在实际应用中，由于被测体的材料、形状和大小不同会导致被测体上涡流效应的不充分，会减弱甚至不产生涡流效应，因此影响电涡流传感器的静态特性，所以在实际测量中，往往必须针对具体的被测体进行静态特性标定。四、实训内容与操作步骤：1安装图及接线图与实训十五相同。2重复实训十五的步骤，将铁质金属圆盘分别换成铜质金属圆

36、盘和铝质金属圆盘。将实验资料分别记入下面表16-1、16-2。表16-1 铜质被测体X（mm）V(V) 表16-2 铝质被测体X（mm）V(V)3重复实训十五的步骤，将被测体换成比上述金属圆片面积更小的被测体，将实验资料记入下表16-3。表16-3 小直径的铝质被测体X（mm）V(V)五、实训报告1根据表16-1、表16-2和表16-3分别计算量程为1mm和3mm时的灵敏度和非线性误差（线性度）。十七 电涡流传感器测量振动一、实训目的：了解电涡流传感器测量振动的原理与方法。二、实训仪器：电涡流传感器、振动源、低频振荡器、直流稳压电源、电涡流传感器模块、通信接口（含上位机软件）、铁质圆片。三、相

37、关原理：根据电涡流传感器动态特性和位移特性，选择合适的工作点即可测量振幅。四、实训内容与操作步骤1将铁质被测体平放到振动台面的中心位置，根据图17-1安装电涡流传感器，注意传感器端面与被测体振动台面（铁材料）之间的安装距离即为线形区域。2将电涡流传感器的连接线接到模块上标有“”的两端，模块电源用连接导线从主控台接入+15V电源。实验模板输出端与通信接口的CH1相连。将振荡器的“低频输出”接到三源板的“低频输入”端，“低频调频”调到最小位置、“低频调幅”调到最大位置，合上主控台电源开关。3调节“低频调频”旋钮，使振动台有微小振动（不要达到共振状态）。从上位机观察电涡流实验模块的输出波形。（注意不

38、要达到共振，共振时，幅度过大，振动面可能会面传感器接触，容易损坏传感器） 图17-1五、实训报告：1有一个振动频率为10KHz的被测体需要测其振动参数，你是选用压电式传感器还是电涡流传感器或认为两者均可？十八 光纤传感器的位移特性测试一、 实训目的：了解反射式光纤位移传感器的原理与应用。二、实训仪器：光纤位移传感器模块、Y型光纤传感器、测微头、反射面、直流电源、数显电压表。三、相关原理：反射式光纤位移传感器是一种传输型光纤传感器。其原理如图18-1所示：光纤采用型结构，两束光纤一端合并在一起组成光纤探头，另一端分为两支，分别作为光源光纤和接收光纤。光从光源耦合到光源光纤，通过光纤传输，射向反射

39、面，再被反射到接收光纤，最后由光电转换器接收，转换器接收到的光源与反射体表面的性质及反射体到光纤探头距离有关。当反射表面位置确定后，接收到的反射光光强随光纤探头到反射体的距离的变化而变化。显然，当光纤探头紧贴反射面时，接收器接收到的光强为零。随着光纤探头离反射面距离的增加，接收到的光强逐渐增加，到达最大值点后又随两者的距离增加而减小。反射式光纤位移传感器是一种非接触式测量，具有探头小，响应速度快，测量线性化（在小位移范围内）等优点，可在小位移范围内进行高速位移检测。 图18-1 反射式光纤位移传感器原理 图18-2 光纤位移传感器安装示意图四、实训内容与操作步骤1光纤传感器的安装如图18-2所

40、示，将Y型光纤安装在光纤位移传感器实验模块上。探头对准镀铬反射板，调节光纤探头端面与反射面平行，距离适中；固定测微头。接通电源预热数分钟。2将测微头起始位置调到14cm处，手动使反射面与光纤探头端面紧密接触，固定测微头。3实验模块从主控台接入15V电源，合上主控台电源。4将模块输出“Uo”接到直流电压表（20V档），仔细调节电位器Rw使电压表显示为零。5旋动测微器，使反射面与光纤探头端面距离增大，每隔.1读出一次输出电压值，填入下表18-1X（mm）Uo(V)五、实训报告 1根据所得的实验数据，确定光纤位移传感器大致的线性范围，并给出其灵敏度和非线性误差。十九 光纤传感器测量振动一、实训目的：了解光纤传感器动态位移性能。二、实训仪器：光纤位移传感器、光纤位移传感器实验模块、振动源、低频振荡器、通信接口（含上位机软件）。三、 相关原理：利用光纤位移传感器的位移特性和其较高的