芯片测试规范.pdf
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1、芯片测试规范测试规范测试规范1.1.适用范围适用范围1.1 本规范为导入 DDR 芯片的测试方法和标准,以验证和确认新物料是否适合批量生产;.2.2.目的目的2.1 使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循,有据可依。3.3.可靠性测试可靠性测试6.1:如果替代料是 FLASH 的话,我们一般需要做 10 个循环的拷贝校验(我们测试工具 APK 设置:500M/拷贝次数/重启 10 次)6.2:如果替代料是 DDR 的话,我们也需要验证 DDR 的运行稳定性,那么也需要做循环拷贝校验(测试工具 APK 设置:500M/拷贝次数/重启 5 次)PS:1.拷贝次数=(FLASH 可用容量*1024
2、M/500M)-12.DDR 验证只需要验证运行稳定性,所以一般做 3-5 个循环就 OK 了,FLASH 要求比较严格,一般需要做 10 个循环以上;3.考虑到 FLASH 压力测试超过 20 次以上可能会对 MLC 造成影响,故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。7.常温老化:PND 我们一般跑模拟导航持续运行 12H,安卓我们一般运行MP4-1080P 持续老化 12H,老化后需要评估休眠唤醒是否正常;8.高低温老化:环境(60 度,-10 度)基于高低温下 DDR 运行稳定性或存在一定的影响,DDR 替代需要进行高低温老化,我们 PND 一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便,就
3、运行MP4 各持续老化 12H。从多年的经验来看,FLASH 对于温度要求没有这么敏感。9.自动重启测试:一般做 50 次/PCS,需要每次启动系统都能正常启动;-一般是前面恢复出厂设置有问题,异常的机器排查才会用到;10.复位、通断电测试:这个测试属于系统破坏性测试,测试非正常操作是否存在掉程序的现象,一般做 20 次/PCS,要求系统能够正常启动。1.焊接效果,如果是内部焊接的话,需要采用 X-RAY 评估,LGA 封装的话就需要 SMT 制程工艺规避空洞率;2.功能测试;版本号/修改码:A第1页,共5页芯片测试规范3.休眠电流、休眠唤醒测试:DDR 必测项目,反复休眠唤醒最好 3-5 次
4、/PCS,休眠电流大小自行定义;FLASH 测不测影响不大;4.容量检查,容量标准你们根据客户需求自行定义,当然是越大越好;-大货时这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选;5.恢复出厂设置:我们一般做 50 次/PCS,运行正常的话界面会显示 50 次测试完成,如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源;6.FLASH 压力测试:这部分需要分开来说明4.4.测试环境测试环境温度:252湿度:60%70%;大气压强:86kPa 106kPa。5.5.测试工具测试工具可调电源(最好能显示对应输出电流)可调电子负载示波器万用表6.6.测试参数测试参数表 1 电源芯片测试参数待测参数待测参数
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