逻辑门与组合逻辑.ppt
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1、关于逻辑门与组合逻辑现在学习的是第1页,共30页3.1 3.1 逻辑门逻辑门 TTL(Transistor-Transistor-Logic)门)门:用晶体管制作。用晶体管制作。特点:速度快、负载能力强,特点:速度快、负载能力强,功耗较大、集成度低。功耗较大、集成度低。MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)门)门:用用“金属氧化物半导体金属氧化物半导体”绝缘栅场效管制作。绝缘栅场效管制作。特点:集成度高、功耗低,特点:集成度高、功耗低,速度较慢、负载能力较弱。速度较慢、负载能力较弱。实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为逻辑门。按制实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单
2、元电路称为逻辑门。按制作材料分为:作材料分为:目前,目前,MOS门电路的性能得到极大的提高,门电路的性能得到极大的提高,大规模、超大规模集成电路一般采用大规模、超大规模集成电路一般采用MOS工艺工艺制造。制造。TTL门门CMOS门门超大规模超大规模MOS集成电路集成电路现在学习的是第2页,共30页3.1.1 简单逻辑门电路简单逻辑门电路简单逻辑门电路指或门、与门及非门电路,也称基本逻辑门。简单逻辑门电路指或门、与门及非门电路,也称基本逻辑门。逻辑门由逻辑门由两种两种MOS管构成:管构成:NMOS管、管、PMOS管管NMOS管:管:NMOS管的符号管的符号 G 栅极栅极 D 漏极漏极 S 源极源
3、极 BN 衬底衬底 栅极加高电平,漏极栅极加高电平,漏极与源极间导通,与源极间导通,D-S相当于接通的开关相当于接通的开关 栅极加低电平,漏极栅极加低电平,漏极与源极间截止,与源极间截止,D-S相当于断开的开关相当于断开的开关 现在学习的是第3页,共30页PMOS管:管:PMOS管的符号管的符号 G 栅极栅极 S 源极源极 D 漏极漏极 BN 衬底衬底 栅极加低电平,源极栅极加低电平,源极与漏极间导通,与漏极间导通,D-S相当于接通的开关相当于接通的开关 栅极加高电平,源栅极加高电平,源极与漏极间截止,极与漏极间截止,D-S相当于断开的相当于断开的开关开关 现在学习的是第4页,共30页1.1.
4、非门电路非门电路 用用NMOS管和管和PMOS管互补组成的管互补组成的CMOS非非门电路。门电路。A为输入端,为输入端,F为输出为输出端。端。输入为高电平时的输入为高电平时的等效电路。等效电路。T6截止,截止,T5导通。结导通。结果输出端经果输出端经T5接接“地地”,F为低电平。为低电平。输入为低电平时的等输入为低电平时的等效电路。效电路。T5截止,截止,T6导通。结果导通。结果电源经电源经T6传到输出端,传到输出端,F为高电平为高电平。AF0110非门的真值表非门的真值表 非门的逻辑表达式非门的逻辑表达式 非门的逻辑符号非门的逻辑符号 现在学习的是第5页,共30页2.2.或门电路或门电路CM
5、OS或门电路或门电路 A=1、B=0时的等效电路时的等效电路 非门非门串联串联并联并联或门的真值表或门的真值表 或门的逻辑表达式或门的逻辑表达式 或门的逻辑符号或门的逻辑符号A BF0 000 111 011 11现在学习的是第6页,共30页3.3.与门电路与门电路非门非门串联串联并联并联与门的逻辑符号与门的逻辑符号A BF0 000 101 001 11与门的真值表与门的真值表 与门的逻辑表达式与门的逻辑表达式 F=A B现在学习的是第7页,共30页3.1.2 复合逻辑门电路复合逻辑门电路 将常用的复合运算制成集成门电路,称为复合逻辑门电路。将常用的复合运算制成集成门电路,称为复合逻辑门电路
6、。1.1.与非门电路与非门电路与非门的逻辑符号与非门的逻辑符号与非与非门的门的逻辑表达式逻辑表达式 A BF0 010 111 011 10与非门的真值表与非门的真值表现在学习的是第8页,共30页或非门的逻辑符号或非门的逻辑符号或非或非门的门的逻辑表达式逻辑表达式 A BF0 010 101 001 10或非门的真值表或非门的真值表2.2.或非门电路或非门电路与或非门的逻辑符号与或非门的逻辑符号与或非与或非门的逻辑表达式门的逻辑表达式 3.3.与或非门电路与或非门电路现在学习的是第9页,共30页4.4.异或门、同或门异或门、同或门 同或门逻辑门符号同或门逻辑门符号 异或门逻辑表达式异或门逻辑表
7、达式 异或门逻辑门符号异或门逻辑门符号 同或门逻辑表达式同或门逻辑表达式 “同同或或”实实际际上上是是“异异或或”之之非非,因因此此,“同同或或”逻逻辑辑也也叫叫“异异或或非非”逻逻辑辑,其其逻逻辑辑功功能能可可用用“异异或或”门门和和“非非”门门来来实实现现,故故“同或同或”门电路很少用到。门电路很少用到。现在学习的是第10页,共30页5三态门三态门 三态门有三种输出状态:低阻抗的三态门有三种输出状态:低阻抗的0、1状态、高阻抗状态。状态、高阻抗状态。三态门电路三态门电路三态门逻辑符号三态门逻辑符号 三态门真值表三态门真值表 E AG1 G2F0 01 100 10 011 01 0高阻态高
8、阻态1 11 0高阻态高阻态当当E=0时,时,F=A。表示数据可以从输入端传向输出端。表示数据可以从输入端传向输出端。当当 E=1时,无论时,无论A为何值,上管和下管均为截止,输出端呈高阻态。输入为何值,上管和下管均为截止,输出端呈高阻态。输入端与输出端被隔离。端与输出端被隔离。三态门通常用于多路数据的切换。三态门通常用于多路数据的切换。现在学习的是第11页,共30页3.1.3 门电路的主要外特性参数门电路的主要外特性参数 开门电平开门电平VON与关门电平与关门电平VOFF 输出高电平输出高电平VOH与输出低电平与输出低电平VOL 扇入系数扇入系数Nr 扇出系数扇出系数Nc VON:使输出达到
9、标准低电平时,应在输入端施加的最小电平值;使输出达到标准低电平时,应在输入端施加的最小电平值;VOFF:使输出达到标准高电平时,应在输入端施加的最大电平值。使输出达到标准高电平时,应在输入端施加的最大电平值。VON与与VOFF的差距越大,抗干扰能力越强,但所需驱动信号的幅度越大。的差距越大,抗干扰能力越强,但所需驱动信号的幅度越大。VOH:输入端接低电平、输出端开路时,器件输出的实际电平值;:输入端接低电平、输出端开路时,器件输出的实际电平值;VOL :输入端接高电平、输出端开路时器件输出的实际电平值。:输入端接高电平、输出端开路时器件输出的实际电平值。Nr:器件的输入端数目。一般为器件的输入
10、端数目。一般为15,最多不超过,最多不超过8。若器件的输入端不够,可采取级联的方式扩展;若器件有多余的输入端,则应在保证所若器件的输入端不够,可采取级联的方式扩展;若器件有多余的输入端,则应在保证所需逻辑功能的前提下,将多余的输入端接需逻辑功能的前提下,将多余的输入端接“地地”或接高电平。或接高电平。Nc:输出端最多能驱动其它同类门的输入端的个数。标准:输出端最多能驱动其它同类门的输入端的个数。标准TTL门为门为8。现在学习的是第12页,共30页 平均时延平均时延tPDtPD:信号通过实际逻辑门时,输出信号滞后于输入信号的平均时间。:信号通过实际逻辑门时,输出信号滞后于输入信号的平均时间。从输
11、入波形上升沿的从输入波形上升沿的50处,到输出波形下降沿的处,到输出波形下降沿的50处之间的时间间隔定处之间的时间间隔定义为前沿延迟义为前沿延迟tPLH,定义,定义tPHL为类似的后沿延迟,为类似的后沿延迟,则平均时延为:则平均时延为:平均时延反映了门电路的工作速度。平均时延反映了门电路的工作速度。现在学习的是第13页,共30页3.1.4 3.1.4 正逻辑与负逻辑正逻辑与负逻辑负逻辑:用高电平负逻辑:用高电平 H H 表示逻辑值表示逻辑值“0”,用低电平,用低电平 L L 表示逻辑值表示逻辑值“1”。问题:正逻辑下的与门问题:正逻辑下的与门,在,在负逻辑下是什么门?负逻辑下是什么门?A BF
12、L LLL HLH LLH HHA BF0 000 101 001 11A BF1 111 010 110 00与门电路与门电路 用电平表示与门用电平表示与门的功能。的功能。注意:不管是注意:不管是正逻辑还是负逻正逻辑还是负逻辑,电平关系是辑,电平关系是一样的。一样的。用用正逻辑描述正逻辑描述与门的逻辑功能,与门的逻辑功能,结果为与运算。结果为与运算。用负用负逻辑描述逻辑描述“与门与门”的逻辑功的逻辑功能。结果为或运算。能。结果为或运算。结论:正逻辑下的与门结论:正逻辑下的与门,在,在负逻辑下却实现或逻辑运算。负逻辑下却实现或逻辑运算。现在学习的是第14页,共30页照此分析,可得如下结论:照此
13、分析,可得如下结论:正逻辑下的或门正逻辑下的或门,在,在负逻辑下实现与运算;负逻辑下实现与运算;正逻辑下的非门正逻辑下的非门,在,在负逻辑下仍然实现非运算。负逻辑下仍然实现非运算。为便于区分采用何种逻辑,在逻辑符号的输入端上加一个小圆圈表示负逻辑下的为便于区分采用何种逻辑,在逻辑符号的输入端上加一个小圆圈表示负逻辑下的门电路符号。门电路符号。常用逻辑门的正逻辑和负逻辑符号如下:常用逻辑门的正逻辑和负逻辑符号如下:正逻辑负逻辑或门与门与门或门与非门或非门或非门与非门异或门同或门现在学习的是第15页,共30页3.2 组合逻辑电路分析目的:已知一个逻辑电路,找出其输入与输出之间的逻辑关系,从而了解目
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