电力电子单相桥式整流电路设计.doc

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1、电力电子技术课程设计报告电力电子单相桥式整流电路设计姓 名 学 号 年 级 专 业 系（院） 指导教师 2012年 01 月 05 日引言电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。电力电子技术是应用于电力领域的电子技术。具体的说，就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。目前所用的电力电子器件均用半导体制成，故也称为电力半导体器件。电力电子技术所变换的“电力”，功率可以大到数百MW甚至GW，也可以小到数W甚至1W以下。随着科学技术的日益发展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路结构

2、简单、控制方便、性能稳定,利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方法,得到了广泛应用。由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制，而构成的一门完整的学科。故其学习方法与电子技术和控制技术有很多相似之处，因此要学好这门课就必须做好实验和课程设计，因而我们进行了此次课程设计。又因为整流电路应用非常广泛，而锯齿波移相触发三相晶闸管全控整流电路又有利于夯实基础，故我们单结晶体管触发的单相晶闸管全控整流电路这一课题作为这一课程的课程设计的课题。摘要掌握晶闸管的使用，用晶闸管控制单相桥式全控

3、整流电路（阻感性负载）并画出整流电路中输入输出、各元器件的电压、电流波形，理解单相桥式全控整流电路阻感负载的工作原理和基本计算。选择触发电路的结构，考虑保护电路。一计划任务书1.1.设计任务：1.设计方案的比较，并选定设计方案.2完成单元电路的设计和主要元器件的说明.3.完成主电路的原理分析，各住要元器件的选择.1.2.课程设计的要求熟悉整流和触发电路的基本原理，能够运用所学的理论知识分析设计任务。（2）掌握基本电路的数据分析、处理；描绘波形并加以判断。（3）能正确设计电路，画出线路图，分析电路原理。（4）按时参加课程设计指导，定期汇报课程设计进展情况。（5）广泛收集相关技术资料。（6）独立思

4、考，刻苦钻研，严禁抄袭。（7）按时完成课程设计任务，认真、正确地书写课程设计报告。（8）培养实事求是、严谨的工作态度和认真的工作作风。二. 设计内容2.1方案的选择电源 变压器 整流电路 负载 变压器触发电路单相相控整流电路可分为单相半波、单相全波和单相桥式相控流电路，它们所连接的负载性质不同就会有不同的特点。下面分析各种单相控整流电路在带电阻性负载、电感性负载和反电动势负载时的工作情况。单相半控整流电路的优点是：线路简单、调整方便。弱点是：输出电压脉动冲大，负载电流脉冲大（电阻性负载时），且整流变压器二次绕组中存在直流分量,使铁心磁化，变压器不能充分利用。而单相全控式整流电路具有输出电流脉动

5、小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向的半波，没有直流磁化问题，变压器利用率高的优点。 单相全控式整流电路其输出平均电压是半波整流电路2倍，在相同的负载下流过晶闸管的平均电流减小一半；且功率因数提高了一半。 根据以上的比较分析因此选择的方案为单相全控桥式整流电 路（负载为阻感性负载）。 三 电路设计方案当负载由电阻和电感组成时称为阻感性负载。例如各种电机的励磁绕组,整流输出端接有平波电抗器的负载等等。单相桥式整流电路带阻感性负载的电路如上图所示。由于电感储能,而且储能不能突变因此电感中的电流不能突变,即电感具有阻碍电流变化的作用。当流过电感中的电流变化时,在电感两端将产生感应电动势,引起

6、电压降UL负载中电感量的大小不同，整流电路的工作情况及输出Ud、id 的波形具有不同 的特点。当负载电感量L较小（即负载阻抗角），控制角时，负载上的电流不连续；当电感L增大时，负载上的电流不连续的可能性就会减小；当电感L很大，且LdRd示时，这种负载称为大电感负载。此时大电感阻止负载中电流的变化，负载电流连续，可看作一条水平直线。在电源电压u2 正半周期间， 晶闸管T1 、T2 承受正向电压，若在t=时触发，T1 、T2 导通，电流经T1 、负载、T2 和Tr二次形成回路，但由于大电感的存在，u2 过零变负时，电感上的感应电动势使T1 、T2 继续导通，直到T3、T4 被触发时，T1 、T2

7、承受反向电压而截止。输出电压的波形出现了负值部分。在电源电压u2 负半周期间，晶闸管T3、T4 承受正向电压，在t=+时触发，T3、T4 导通，T1 、T2 反向则制，负载电流从T1 、T2 中换流至T3、T4中。在t=2时，电压u2过零，T3、T4因电感中的感应电动势一直导通，直到下个周期T1 、T2 导通时，T3、T4因加反向电压才截止。值得注意的是，只有当=/2时，负载电流才连续，当/2时，负载电流不连续，而且输出电压的平均值均接近于零，因此这种电路控制角的移相范围是0/2。性能指标分析：整流电路的性能常用两个技术指标来衡量：一个是反映转换关系的用整流输出电压的平均值表示；另一个是反映输

8、出直流电压平滑程度的，称为纹波系数。1)整流输出电压平均值= （3.5.1）2)纹波系数纹波系数用来表示直流输出电压中相对纹波电压的大小，即3.2晶闸管的触发条件（1）: 晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通； （2）：晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管都才能导通；（3）：晶闸管一旦导通门极旧失去控制作用；（4）：要使晶闸管关断，只能使其电流小到零一下.3.3晶闸管的分类晶闸管分为：快速晶闸管，逆导晶闸管，双向晶闸管，光控晶闸管，门极可关断晶闸管（GTO），电力晶闸管（GTR），功率场效应晶闸管（MOSFET），绝缘珊双极晶闸管（IGBT），MOS

9、控制晶闸管，集成门极换向晶闸管.静电感应晶体管。3.4主要元器件的参数选择额定电压UTn通常取UDRM和URRM中较小的，再取靠近标准的电压等级作为晶闸管型的额定电压。在选用管子时，额定电压应为正常工作峰值电压的23倍，以保证电路的工作安全。晶闸管的额定电压 UTn （23）UTM （5.1）UTM ：工作电路中加在管子上的最大瞬时电压 额定电流IT(AV) IT(AV) 又称为额定通态平均电流。其定义是在室温40和规定的冷却条件下，元件在电阻性负载流过正弦半波、导通角不小于170的电路中，结温不超过额定结温时，所允许的最大通态平均电流值。将此电流按晶闸管标准电流取相近的电流等级即为晶闸管的额

10、定电流。要注意的是若晶闸管的导通时间远小于正弦波的半个周期，即使正向电流值没超过额定值，但峰值电流将非常大，可能会超过管子所能提供的极限，使管子由于过热而损坏。 在实际使用时不论流过管子的电流波形如何、导通角多大，只要其最大电流有效值ITM ITn ,散热冷却符合规定，则晶闸管的发热、温升就能限制在允许的范围。ITn ：额定电流有效值，根据管子的IT(AV) 换算出，IT(AV) 、ITM ITn 三者之间的关系： （5.2） （5.3）波形系数：有直流分量的电流波形，其有效值与平均值之比称为该波形的波形系数，用Kf表示。 （5.4）额定状态下， 晶闸管的电流波形系数 （5.5）晶闸管承受最大

11、电压为考虑到2倍裕量，取500V.晶闸管的选择原则：、所选晶闸管电流有效值ITn 大于元件 在电路中可能流过的最大电流有效值。、 选择时考虑（1.52）倍的安全余量。即ITn 1.57 IT(AV) （1.52）ITMIT(AV)(1.52) （5.6）因为IT=I/,则晶闸管的额定电流为=12.5A(输出电流的有效值为最小值，所以该额定电流也为最小值)考虑到2倍裕量,取25A.即晶闸管的额定电流至少应大于25A.在本次设计中我选用4个MCR100-8的晶闸管.、 若散热条件不符合规定要求时，则元件的额定电流应降低使用。 通态平均管压降 UT(AV) 。指在规定的工作温度条件下，使晶闸管导通的

12、正弦波半个周期内阳极与阴极电压的平均值，一般在0.41.2V。 维持电流IH 。指在常温门极开路时，晶闸管从较大的通态电流降到刚好能保持通态所需要的最小通态电流。一般IH值从几十到几百毫安，由晶闸管电流容量大小而定。 门极触发电流Ig 。在常温下，阳极电压为6V时，使晶闸管能完全导通所需的门极电流，一般为毫安级。 断态电压临界上升率du/dt。在额定结温和门极开路的情况下，不会导致晶闸管从断态到通态转换的最大正向电压上升率。一般为每微秒几十伏。 通态电流临界上升率di/dt。在规定条件下，晶闸管能承受的最大通态电流上升率。若晶闸管导通时电流上升太快，则会在晶闸管刚开通时，有很大的电流集中在门极

13、附近的小区域内，从而造成局部过热而损坏晶闸管。四.驱动电路与保护电路的设计4.1典型全控型器件的驱动电路GTO是电流驱动型器件。它的导通控制与普通晶闸管相似，但对触发前沿的幅值和陡度要求较高，且一般需要在整个导通期间施加正向门极电流。要使GTO关断则需施加反向门极电流，对其幅值和陡度的要求则更高，幅值需达到阳极电流的1/3左右，陡度需达50A/s，其中强负脉冲宽度约30s，负脉冲总宽度100s，关断后还需在门极-阴极间施加约5V的负偏压，以提高器件的抗干扰能力。GTO一般用于大容量电流的场合，其驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直流耦合式两

14、种类型。直流耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可以得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较为广泛，其缺点是功耗大，效率低。直流耦合式GTO驱动电路的电源由高频电源经二极管整流后得到，二极管VD1和电容C1提供+5V电压，VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路，提供+15V电压，VD4和电容C4提供-15V电压。场效应晶体管V1开通时，输出正强脉冲；V2开通时，输出正脉冲平顶部分；V2关断而V3开通时输出负脉冲；V3关断后电阻R3和R4提供门极负偏压。4.2 电力电子器件的保护在电力电子器件电路中，除了电力电子器件参数要选择合适，驱动电路设计良好外，采用合适的过电压保护，过电流保护

15、，du/dt保护和di/dt保护也是必不可少的。4.2.1 过电压的产生及过电压保护电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压两类。(1):外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因，包括：操作过电压：由分闸，合闸等开关操作引起的过电压，电网侧的操作过电压会由供电变压器电磁感应耦合，或由变压器绕组之间的存在的分布电容静电感应耦合过来。雷击过电压：由雷击引起的过电压。(2): 内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程，包括以下几个部分。换相过电压：由于晶闸管或者与全控型器件反并联的续流二极管在换相结束后不能恢复阻断能力时，因而有较大的反向电流通过，使残存的载流子恢复

16、，而当其恢复了阻断能力时，反向电流急剧减小，这样的电流突变会因线路电感而在晶闸管阴阳极这间或与续流二极管反并联的全控型器件两端产生过电压。关断过电压：全控型器件在较高频率下工作，当器件关断时，因正向电流的迅速降低而线路电感在器件两端感应出的过电压。各电压保护措施及配置位置，各电力电子装置可视具体情况只来用采用其中的几种。其中RC3和RCD为抑制内因过电压的装置，其功能属于缓冲电路的范畴。在抑制外因过电压的措施中，采用RS过电压抑制电路是最为常见的。RC过电压抑制电路可接于供电变压器的两侧（通常供电电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称阀侧）或电力电子电路的直侧流。对于大容量的电力电子装置，可采用图

17、139所示的反向阻断式RC电路。有关保护电路的参数计算可参考相关的工程手册。采用雪崩二极管，金属氧化物压敏电阻，硒堆和转折二极管（BOD）等非线性元器件来限制或吸收过电压也是较为常用的手段。4.2.2 过电流保护电力电子电路运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流现象。过电流分载和短路两种情况。一般电力电子均同时采用几种过电压保护措施，怪提高保护的可靠性和合理性。在选择各种保护措施时应注意相互协调。通常，电子电路作为第一保护措施，快速熔断器只作为短路时的部分区断的保护，直流快速断路器在电子电力动作之后实现保护，过电流继电器在过载时动作。在选择快熔时应考虑：1、电压等级应根据快熔熔断后实际承受

18、的电压来确定。2、电流容量应按照其在主电路中的接入方式和主电路连接形式确定。快熔一般与电力半导体体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流母线中。3、快熔的It值应小于被保护器件的允许It值。4、为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。快熔对器件的保护方式分为全保护和短保护两种。全保护是指无论过载还是短路均由快熔进行保护，此方式只适用于小功率装置或器件使用裕量较大的场合。短路保护方式是指快熔只要短路电流较大的区域内起保护作用，此方式需与其他过电流保护措施相配合。对一些重要的且易发生短路的晶闸管设备，或者工作频率较高，很难用快熔保护的全控型器件，需要采用电子电路进

19、行过电流保护。除了对电动机起动时的冲击电流等变化较慢的过电流可以用控制系统本身调节器进行对电流的限制之外，需设置专门的过电流保护电子电路，检测到过流之后直接调节触发，驱动电路，或者关断被保护器件。此外，常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，这种措施对器件过电流的五. 单相桥式全控整流电路原理说明5.1.阻感性负载1）工作原理:假设电路已经工作在稳定状态， 图5.1阻感性负载电路（a）工作波形（b）假设 ，负载电流连续，近似为一平直的直线。 （1）输出电压平均值Ud和输出电流平均值Id（2）晶闸管的电流平均值IdT和有效值IT （3）输出电流有效值I和变压器二次电流有效值I2（4）晶闸管

20、所承受的最大正向电压和反向电压均为六元器件和电路参数计算6.1 晶闸管的结构晶闸管是大功率的半导体器件，从总体结构上看，可区分为管芯及散热器两大部分，分别如图1-6及图1-7所示。 a） 螺栓型 b）平板型 c）符号图6.1 晶闸管管芯及电路符号表示管芯是晶闸管的本体部分，由半导体材料构成，具有三个与外电路可以连接的电极：阳极，阴极和门极（或称控制极），其电路图中符号表示如图1-6c）所示。散热器则是为了将管芯在工作时由损耗产生的热量带走而设置的冷却器。按照晶闸管管芯与散热器间的安装方式，晶闸管可分为螺栓型与平板型两种。螺栓型（图1-6a）依靠螺栓将管芯与散热器紧密连接在一起，并靠相互接触的一

21、个面传递热量。a）自冷 b）风冷 c）水冷 图6.2 晶闸管的散热器晶闸管管芯的内部结构如图1-3所示，是一个四层（P1N1P2N2）三端（A、K、G）的功率半导体器件。它是在N型的硅基片（N1）的两边扩散型半导体杂质层（P1、P2），形成了两个PN结J1、J2。再在P2层内扩散型半导体杂质层N2又形成另一个PN结J3。然后在相应位置放置钼片作电极，引出阳极A，阴极K及门极G，形成了一个四层三端的大功率电子元件。这个四层半导体器件由于三个PN结的存在，决定了它的可控导通特性。图6.3 晶闸管管芯结构原理图 6.2 晶闸管的工作原理通过理论分析和实验验证表明：1） 只有当晶闸管同时承受正向阳极电

22、压和正向门极电压时晶闸管才能导通，两者不可缺一。2） 晶闸管一旦导通后门极将失去控制作用，门极电压对管子随后的导通或关断均不起作用，故使晶闸管导通的门极电压不必是一个持续的直流电压，只要是一个具有一定宽度的正向脉冲电压即可，脉冲的宽度与晶闸管的开通特性及负载性质有关。这个脉冲常称之为触发脉冲。3） 要使已导通的晶闸管关断，必须使阳极电流降低到某一数值之下（约几十毫安）。这可以通过增大负载电阻，降低阳极电压至接近于零或施加反向阳极电压来实现。这个能保持晶闸管导通的最小电流称为维持电流，是晶闸管的一个重要参数。晶闸管为什么会有以上导通和关断的特性，这与晶闸管内部发生的物理过程有关。晶闸管是一个具有

23、P1N1P2N2四层半导体的器件，内部形成有三个PN结J1、J2、J3，晶闸管承受正向阳极电压时，其中J1、J3承受反向阻断电压，J2承受正向阻断电压。这三个PN结的功能可以看作是一个PNP型三极管VT1（P1N1P2）和一个NPN型三极管VT2（N1P2N2）构成的复合作用，如图1-9所示。图6.4 晶闸管的等效复合三极管效应可以看出，两个晶体管连接的特点是一个晶体管的集电极电流就是另一个晶体管的基极电流，当有足够的门极电流Ig流入时，两个相互复合的晶体管电路就会形成强烈的正反馈，导致两个晶体管饱和导通，也即晶闸管的导通。如果晶闸管承受的是反向阳极电压，由于等效晶体管VT1、VT2均处于反压

24、状态，无论有无门极电流Ig，晶闸管都不能导通。6.3 晶闸管的基本特性1静态特性静态特性又称伏安特性，指的是器件端电压与电流的关系。这里介绍阳极伏安特性和门极伏安特性。（1） 阳极伏安特性晶闸管的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压Uak与阳极电流ia之间的关系曲线，如图1-10所示。图6.5 晶闸管阳极伏安特性正向阻断高阻区；负阻区；正向导通低阻区；反向阻断高阻区阳极伏安特性可以划分为两个区域：第象限为正向特性区，第象限为反向特性区。第象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。（2） 门极伏安特性晶闸管的门极与阴极间存在着一个PN结J3，门极伏安特性就是指这个PN结上正向门极电

25、压Ug与门极电流Ig间的关系。由于这个结的伏安特性很分散，无法找到一条典型的代表曲线，只能用一条极限高阻门极特性和一条极限低阻门极特性之间的一片区域来代表所有元件的门极伏安特性，如图1-11阴影区域所示。 图6.6 晶闸管门极伏安特性2动态特性晶闸管常应用于低频的相控电力电子电路时，有时也在高频电力电子电路中得到应用，如逆变器等。在高频电路应用时，需要严格地考虑晶闸管的开关特性，即开通特性和关断特性。（1）开通特性晶闸管由截止转为导通的过程为开通过程。图1-12给出了晶闸管的开关特性。在晶闸管处在正向阻断的条件下突加门极触发电流，由于晶闸管内部正反馈过程及外电路电感的影响，阳极电流的增长需要一

26、定的时间。从突加门极电流时刻到阳极电流上升到稳定值IT的10%所需的时间称为延迟时间td，而阳极电流从10%IT上升到90%IT所需的时间称为上升时间tr，延迟时间与上升时间之和为晶闸管的开通时间tgt=td+tr，普通晶闸管的延迟时间为0.51.5s，上升时间为0.53s。延迟时间随门极电流的增大而减少，延迟时间和上升时间随阳极电压上升而下降。图6.7 晶闸管的开关特性（2）关断特性通常采用外加反压的方法将已导通的晶闸管关断。反压可利用电源、负载和辅助换流电路来提供。要关断已导通的晶闸管，通常给晶闸管加反向阳极电压。晶闸管的关断，就是要使各层区内载流子消失，使元件对正向阳极电压恢复阻断能力。

27、突加反向阳极电压后，由于外电路电感的存在，晶闸管阳极电流的下降会有一个过程，当阳极电流过零，也会出现反向恢复电流，反向电流达最大值IRM后，再朝反方向快速衰减接近于零，此时晶闸管恢复对反向电压的阻断能力。6.4晶闸管的选型该电路为大电感负载，电流波形可看作连续且平直的。Ud=100V时，不计控制角余量按=0计算由Ud=0.9U2得U2=111V 取150VU =（23）U=（23）U2=（23）150V=7351102 V取U为1000V当=1时，晶闸管额定电流= =0.64A考虑2倍裕量：取1.28A七. 整流变压器额定参数计算在很多情况下晶闸管整流装置所要求的交流供电电压与电网往往不能一致

28、，同时又为了减少电网与整流装置的相互干扰，使整流主电路与电网隔离，为此需要配置整流变压器。整流变压器根据主电路的型式、负载额定电压和额定电流，算出整流变压器二次相电压U2、一次与二次额定电流以及容量。由于整流变压器二次与一次电流都不是正弦波，因而存在着一定的谐波电流，引起漏抗增大，外特性变软以及损耗增大，所以在设计或选用整流变压器时，应考虑这些因素。7.1 二次相电压U2平时我们在计算U2是在理想条件下进行的，但实际上许多影响是不可忽略的。如电网电压波动、管子本身的压降以及整流变压器等效内阻造成的压降等。所以设计时U2应按下式计算：U2=式中 U负载的额定电压； 整流元件的正向导通压降，一般取

29、1V； 电流回路所经过的整流元件（VT及VD）的个数（如桥式=2，半波电路=1）； A理想情况下=0时U与U2的比值，查表可知； 电网电压波动系数，一般取0； 最少移相角，在自动控制系统中总希望U2值留有调节余量，对于可逆直流调速系统取3035，不可逆直流调速系统取1015； C线路接线方式系数，查表单相桥式C取0V； U变压器阻抗电压比，100KV以及取U=0.05，100KVA以上取U=0.050.1； 二次侧允许的最大电流与额定电流之比。对于一般的中小容量整流调压装置，其U2值也可以用以下公式估算： U2=（1.151.2） 所以根据以知的参数及查表得： U2=143.9V故我们选择晶闸

30、管的型号为：KP1.28-10。7.2 一次与二次额定电流及容量计算如果不计变压器的励磁电流，根据变压器磁动势平衡原理可得一次和二次电流关系式为： K= 式中 、变压器一次和二次绕组的匝数； K变压器的匝数比。 由于整流变压器流过的电流通常都是非正弦波，所以其电流、容量计算与线路型式有关。单相桥式可控整流电路计算如下： 大电感负载时变压器二次电流的有效值为 2=Id=I=1AU2=110V由一次侧和二次侧电压得：=2= =0.5 故=0.5A变压器二次侧容量为 S2=U2=110KVA八. 设计结果分析该电路为大电感负载，电流波形可看作连续且平直的。（1）输出电压平均值Ud和输出电流平均值Id

31、（2）晶闸管的电流平均值IdvT和有效值IvT （3）输出电流有效值I和变压器二次电流有效值I2（4）晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压均为 图8.1 总电路9 心得体会 理论的学习使我们掌握了有关近现代的电力电子器件的原理和功能。随着科技的不断发展进步电力电子器件也同我们的生活息息相关，在我们的生活中扮演的角色也越来越重要。 在做电力电子课程设计的过程中我们更能认真和全面的对所学知识有一个全面和系统更深刻的了解和掌握。在这个过程中我们认真的查阅了大量的资料和工具书增长了我们的知识，开阔了我们的视野，是一种让学生更加接近社会和生活的有效方法。这就要求我们在学习和生活得过程中每个人都要学会应用

32、资源和我们自身的优势，让自己有能面对任何苦难都不认输的豪情。还要 有过硬的技术水平，在走出大学的时候能让自己成为有用之人。不要自己成为大学包装的绣花枕头。通过课程设计让自己明白自己所差的 还很多很多在接下来的日子里一定要努力学习以备将来走入社会能不让人用轻飘飘的眼神看自己。也用自己的所学来证明自己的尊严和人格。在这次设计中，由于我们知识的欠缺，设计的并不详细，知识的衔接也不理想，错误应该是有的，但我们已经努力了，设计中错误的地方希望老师能谅解，加以指点。九.设计总结电力电子技术课程设计是电力电子技术课程理论教学之后的一个实践教学环节，它训练了我们的综合运用学过的变流电路原理的基础知识，独立进行

33、查找资料、选择方案、设计电路、撰写报告，进一步加深对变流电路基本理论的理解，提高运用基本技能的能力，为今后的学习和工作打下坚实的基础。 这次的课程设计是我收获最大的一次，虽然中途遇到了不少困难，但还是被我逐步解决了。这次是我首次做课程设计，感觉比较棘手，因为它不单是要求你单纯地完成一个题目，而是要求你对所学的知识都要弄懂，并且能将其贯穿起来，是综合性比较强的，尽管如此，我还是迎难而上了，首先把设计任务搞清，不能盲目地去做，你连任务都不清楚从何做起呢，接下来就是找相关资料，我每天除了上图书馆就是在网上找资料，然后对资料进行整理，找资料说起来好像很简单，但真正做起来是需要耐心的，不是你所找的就一定

34、是有用的，所以这个过程中要花费一些时间做看似无用功的事，其实不尽然，这其中也拓展了你的知识面。总之，这次课程设计不仅增加了我的知识积累，让我有机会将课堂上所学的电力电子理论知识运用到实际中，了解了这些知识在电源上丰富而强大的用途，为将来的毕业设计打下了基础，还让我懂得自主学习的重要性，还有做什么事情都要有恒心，有信心，动脑子去想，就一定有所收获。十. 参考文献刘志刚电力电子装置本科生毕业设计与学士论文 王维电力电子技术及应用东南大学出版社2000年马建国.孟宪元.电子设计自动化技术基础.清华大学出版社,2004马建国.电子系统设计.北京：高等教育出版社,2004王锁萍.电子设计自动化教程.四川：电子科技大学出版社，2002王兆安 刘进军 电力电子技术（第五版）16