《电子技术基础》自测题答案.doc
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1、电子技术基础自测题答案一、名词解释 1、导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,如硅、锗以及大多属金属氧化物和硫化物。2、完全纯净的半导体。3、在半导体的晶体结构中,相邻原子外的价电子组成共有电子对的结构。4、共价键中的空位子。5、在本征半导体中掺入三价元素,使半导体中的空穴为多数载流子的空穴型半导体。6、在本征半导体中掺入五价元素,使半导体中的自由电子为多数载流子的电子型半导体。7、将P型和N型半导体有机地结合成一个整体后,在它们交介面处形成的空间电荷区,或称耗尽区,或称阻挡层、内电场。8、三极管放大电路中,集电极电流与基极电流之比,或集电极电流的变化量与基极电流变化量之比。9、当加在二极管两端
2、的正向电压超过某值时,二极管才导通,该值就称为死区电压。10、三极管输出特性中,IB=0以下的区域。11、三极管输出特性曲线的近似垂直上升的部分与IC轴之间的区域。12、三极管输出特性曲线的截止区和饱和区之间的区域。13、在多级放大电路中,各个单级放大电路之间的连接。14、斜率为-的直线,表示放大电路的输出回路中电压与电流的关系。15、将脉动的直流电变为比较平滑的直流电的过程。16、能稳定直流输出电压的作用。17、在三极管的输出特性上,直流负载线与某条输出特性曲线的交点,用Q点表示。18、放大电路的输出电压与输入电压之比。19、放大电路输出量的一部分或全部,回送到放大电路的输入端,使电压放大倍
3、数减小。20、放大电路中反馈信号与输出信号之比。21、差动放大电路的差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比。22、放大电路的频率特性中,上限频率与下限频率之间的频率范围。23、多级放大电路中,两个单级电路直接连接。24、具有很高开环电压放大倍数的直接耦合的多级放大电路。25、具有四层半导体、三个PN结和三个电极,分别称阳极A、阴极K和控制极G的大功率半导体器件,又称可控硅。26、当晶闸管阳极电流减小到一定值时,晶闸管从导通变为阻断,该电流称维持电流。或维持晶闸管继续导通所须的最小阳极电流。27、把交流电变换为电压值在一定范围内可以调节的整流电路。28、单结晶体管伏安特性曲线上的最高点。29、具
4、有一个PN结和三个电极,分别称发射极E和两个基极B1、B2,又称双基极二极管的半导体器件。30、与晶闸管阳极电路相连接的电路。31、能够产生触发脉冲使晶闸管触发导通的电路。32、单结晶体管伏安特性中对应于峰点P的电压。33、单结晶体管伏安特性中对应于峰点P的电流。34、单结晶体管伏安特性中对应于谷点V的电压。35、单结晶体管伏安特性中对应于谷点V的电流。36、晶闸管在正向电压下不导通的范围。37、晶闸管在控制极加上触发脉冲后的导通范围。38、随时间做连续变化的信号。39、不随时间做连续变化的信号,信号数值的大小和增减可采用数字形式。40、输出信号与输入信号之间存在一定逻辑关系的开关电路。41、
5、当决定一件事情的各种条件全部具备后,这件事才能发生的逻辑关系。42、在决定一件事情的几个条件中,只要有一个或几个具备,事情就会发生的逻辑关系。43、结果和条件处于相反状态的逻辑关系。44、输出状态只决定于同一时刻各输入变量的组合,与先前状态无关的逻辑电路。45、具有存储逻辑功能的电路。46、具有两个稳定状态的触发器。47、具有一个稳定状态和维持一定时间的暂稳状态的触发器。48、没有稳定状态,电路在“0”和“1”之间不断变化,可输出连续方波的电路。又称多谐振荡器。49、用来存放数码或运算结果的逻辑部件。50、将输入的二进制代码“翻译”成相对应的输出信号的电路。51、将被控对象或信号用特定的二进制
6、代码来表示的电路。52、从脉冲前沿的0.5到脉冲后沿的0.5所需时间,也称脉冲持续时间。53、脉冲信号(电压或电流)变化的最大值。54、周期性脉冲前、后两次出现脉冲的时间间隔。55、从脉冲幅度的0.1倍上升至0.9倍所需的时间,也称脉冲上升时间或上升沿。56、从脉冲幅度的0.9倍下降到0.1倍所需时间,也称脉冲下降时间或下降沿。57、脉冲跃变后的值比初始值高,即幅度A0的脉冲。58、脉冲跃变后的值比初始值低,即幅度A0的脉冲。59、由于放大电路的静态工作点过低,接近或位于截止区,使输出电压波形失真。60、由于放大电路的静态工作点过高,接近或位于饱和区,使输出电压波形失真。二、填空题1、自由电子
7、 空穴 2、P N 3、空穴 电子 4、单方向 P区 N区 5、高频检波 低频整流 6、整流 7、半波 全波 8、0.9 9、0.5 0.2 10、价电子 空穴 11、发射结 集电结 12、减少脉动程度 平直 13、限流电阻 稳压管 14、4.5 14.1 15、截止 过低或接近截止区 16、饱和 过高或接近饱和区 17、集电 基 发射 18、100 19、截止 20、饱和 21、向左 增大 22、基极 静态工作点 23、相反 反相 24、晶体管输入电阻 rbe=300+(1+) 25、受控恒流源icib 26、电压放大倍数 27、串联电压 28、串联电压Au1 小于近似等于1 29、相同 射
8、极跟随 30、输入 输出 31、获得最大功率 损耗 32、N型沟道 P型沟道 33、增强 34、采样电路 基准电压 比较放大 调整管 35、差模放大倍数与共模放大倍数之比或Ad/AC 抑制共模信号 36、2倍 37、Auo= rid= ro=0 KCMRR= 38、两个输入端的电流为零或i-=i+0 两输入端电位相等或u-=u+ 39、阳极A 阴极K 控制(或门)极G 40、维持电流IH 41、+=(或180) 42、发射 基 43、负阻 触发 44、快速熔断器 过电流继电器 过流截止 45、阻容 46、“与”门 “或”门 “非”门 & A47、 B F F=48、“有0出1” “全1出0”
9、49、“与非”门关闭 “与非”门开启 50、一个 暂稳 51、没有稳定状态 连续方波 52、逻辑代数 53、后沿(或下降沿) Qn+1= 54、前沿(或上升沿) Qn+1= 55、低 高 56、累计脉冲 57、N 58、清零 59、同步 60、负脉冲 61、七 62、系统误差 偶然误差 疏失误差 63、64、比较的标准 比较的方法 测量设备(或比较手段) 65、/60三、判断题 1、 2、 3、 4、 5、6、 7、 8、 9、 10、11、 12、 13、 14、 15、16、 17、 18、 19、 20、21、 22、 23、 24、 25、26、 27、 28、 29、 30、31、
10、32、 33、 34、 35、36、 37、 38、 39、 40、41、 42、 43、 44、 45、46、 47、 48、 49、 50、51、 52、 53、 54、 55、56、 57、 58、 59、 60、61、 62、 63、 64、 65、66、四、选择题 1、 2、 3、 4、 5、6、 7、 8、 9、 10、11、 12、 13、 14、 15、16、 17、 18、 19、 20、21、 22、 23、 24、 25、26、 27、 28、 29、 30、31、 32、 33、 34、 35、36、 37、 38、 39、 40、41、 42、 43、 44、 45、
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