电子元件识别060308.doc

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1、4.1 电阻器要点提示 4.1.1 符号4.1.2 种类4.1.3 参数 4.1.4 规格标注方法 4.1.5 性能测量 4.1.6 敏感型电阻器 内容简介电子产品中的各种元器件种类繁多，其性能和应用范围有很大不同。随着电子工业的飞速发展，电子元器件中的新产品层出不穷，其品种规格十分繁杂。本章只对电阻器、电位器、电容器、电感器、晶体管及集成电路等最常用的电子元器件作简要介绍，希望能对众多的电子元器件有个概括的了解。同时本章也将对最常用的便携式测量仪表万用表的结构、原理及使用方法做扼要叙述。 电阻器是电子产品中最常用的电子元件。它是耗能元件，在电路中分配电压、电流、，用作负责电阻和阻抗匹配等。4

2、.1.1符号电阻器在电路图中用字母R表示。图41电阻器常用符号4.1.2种类电阻器种类很多，按制造工艺和材料，电阻器可分为：合金型、薄膜型和合成型。按照使用范围和用途，电阻器又可分为：普通型电阻器、精密型电阻器、高频型电阻器、高压型电阻器、高阻型电阻器、熔断型电阻器、敏感型电阻器、电阻网络、无引线片式电阻器等。4.1.3参数电阻器的主要参数有标称阻值、允许误差（精度等级）、额定功率、温度系数、噪声、最高工作电压、高频特性等。在选用电阻器时一般只考虑标称阻值、允许误差和额定功率这三项最主要的参数，其它参数在有特殊需要时才考虑。1） 标称阻值电阻器表面所标注的阻值叫标称阻值。不同精度等级的电阻器，

3、其阻值系列不同。标称阻值是按国家规定的电阻器标称阻值选定的，标称阻值系列见表1-2，组织单位为欧（）。表4-2 电阻器标称阻值系列标称阻值系列允许误差精度等级电阻器标称值E6 20%1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8E1210%1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 E245%1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 2） 允许误差电阻器的允许误差就是指电阻器的实际阻值对于标称阻

4、值的允许最大范围，它标志着电阻器的阻值精度。普通电阻器的误差有+5%、+10%、+20%三个等级，允许误差越小， 电阻器的精度越高。精密电阻器的允许误差可分为+2%、+1%、+0.5%、. +0.001%等十几个等级。3） 额定功率电阻器通电工作时，本身要发热，如果温度过高就会将电阻器烧毁。在规定的温度中允许电阻器承受的最大功率，即在此功率限度以下，电阻器可以长期稳定地工作、不会显著改变其性能、不会损坏的最大功率限度就称为额定功率。电阻器的额定功率系列见表4-3所示线绕电阻额定功率系列非线绕电阻额定功率系列0.05 0.125 0.25 0.51 2 4812 16 25 4050 75 10

5、0 150250 500 0.05 0.125 0.25 0.51 2 5 1025 50 1004.1.4规格标注方法由于受电阻器表面积的限制，通常只在电阻器外表面上标注电阻器的类别、标称阻值、精度等级和额定功率，对于额定功率小于0.5w的小电阻器，一般只标注称阻值和允许误差，材料类型和功率常从其外形尺寸和颜色来判断。电阻器的规格标注通常采用文字符号和色标法两中方法。1） 文字符号直标法在电阻器表面将电阻器的材料类型和主要参数的数值直接标出，如图4-2所示图42电阻器的直标法（1） 阻值欧(100欧姆)用表示千欧(103欧姆)用k表示兆欧(106欧姆)用M表示千兆欧(109欧姆)用G表示兆兆

6、欧(1012欧姆)用T表示（2） 允许误差（3） 额定功率表44为常用的碳膜电阻器和金属膜电阻器外形尺寸和额定功率的关系额定功率（W）碳膜电阻（RT）金属膜电阻（RJ）长度（mm）直径（mm）长度（mm）直径（mm）1/81/41/212 1118.52830.548.5 3.95.55.57.29.5 6878.310.813.018.5 22.522.94.26.68.6 （4） 材料类型表45电阻器材料和代表字母符号符号TJXHYCSIN材料碳膜金属膜线绕 合成膜 氧化膜沉积膜 有机实芯玻璃釉膜无机实芯2） 色标法这里用不同颜色的色环在电阻器的表面标志出其最主要的参数的标注方法。表46色

7、标所代表的意义颜色有效数字乘数 允许偏差（%）工作电压（V）银色金色黑色棕色红色橙色黄色绿色蓝色紫色灰色白色无色 0123456789 10-210-1100101102103104105106107108109 105120.50.20.1+5-2020 46.310162532405063 此表也适用于电容器，其中工作电压的颜色标志只适用于电解电容器，同时色点应标在正极色环电阻器有三、四环、五环三种标法。三环色电阻器：表示标称电阻值（精度均为+20%）。四环色电阻器：表示标称电阻值和精度。五环色电阻器：表示标称电阻值（三位有效数字）及精度。4.1.5 性能测量电阻器的主要参数数值一般都标注

8、在电阻器的外表上。电阻器的阻值，在保证测试精度的条件下，可用多种仪器进行测量，也可以采用电流表电压表法或比较法。仪器的测量误差应比被测试电阻器允许偏差至少小两个等级。用万用表欧姆挡测电阻器的电阻值时，首先要进行调零，然后选择不同档次，使指针尽可能指示在表盘的中部，以提高测量精度。4.1.6敏感型电阻器敏感型电阻器是指那些电特性对外界温度，电压，机械力，亮度，湿度，磁通密度，气体浓度等物理量反应敏感的电阻元件。目前，常见的敏感电阻器有热敏，光敏，压敏，力敏，磁敏，湿敏和气敏电阻器。下面对最常用的热敏电阻器和光敏电阻器作一简单介绍。1）热敏电阻器热敏电阻器是利用半导体的电阻率受温度的影响很大的性质

9、制成的温度敏感器件。在半导体中，载流子的数目只有原子数目的几千分之一到几万分之一，相邻自由电子间的距离是原子间距离的几十倍到几百倍。与气体分子运动相似，半导体中自由电子的运动是因热运动而产生的。和金属不同，半导体的电阻率不仅受温度影响明显，而且随温度的升高而减小。热敏电阻器的分类：热敏电阻器按电阻温度特性可分为负温度系数热敏电阻器和正温度系数热敏电阻器。根据使用条件，可分为直热式，旁热式和延迟用三种热敏电阻器。直热式热敏电阻器是利用电阻体本身通过电流来取得热源而改变电阻值的。旁热式则尽量减低自家热所产生的电阻变化，而用管形热敏电阻器中央或珠形热敏电阻器外部的加热器的加热电流来改变电阻值的。延迟

10、用热敏电阻器是利用电阻自加热来改变电阻值，进而电流随着时间而变的现象即瞬变现象制成的。按照工作温度范围的不同，又可分为常温热敏电阻器，低温热敏电阻器和高温热敏电阻器。热敏电阻器的构造包括：用热敏材料制成的电阻体、引线及壳体。根据使用要求，可以把热敏电阻器制成各种形状，如图所示。点击查看热敏电阻的外形结构：点击查看热敏电阻的的体温表原理：2）光敏电阻光敏电阻是利用半导体材料的电阻率受光照的影响很大的性质制成的。（1）光敏电阻的结构及种类光敏电阻是利用半导体光材料制成的，其原理图及符号如图4-6所示。它是由一块涂在绝缘板上的光导体薄膜和两个电极所构成。外加一顶电压后，光生载流子在电场的作用下沿一定

11、方向运动，即在回路中形成电流，这就达到了光电转换的目的。光敏电阻按其光谱范围来分，有对紫外线敏感的、对可见光敏感的和对红外线敏感的三种。按所用材料的不同有硒、硒碲、硫化物、硒化物等光敏电阻。（2）光敏电阻的光照特性和伏安特性光照特性 光敏电阻的光照特性指其电阻随光照强度变化的关系。图1-7是典型的硫化物镉光敏电阻的光照特性。从图中可以看出，随光照强度的增加，光敏电阻的数值迅速下降，然后逐渐趋于饱和，这时如光强再增大，电阻变化很小。伏-安特性 指光敏电阻上外加电压和流过的电流的关系。图18是典型的烧结膜光敏电阻的伏安特性。由图可以见，所加电压愈高，光电流愈大，无饱和现象，同时，不同的光照，伏安特

12、性有不同的斜率。1.2 电位器要点提示 1.2.1 符号1.2.2 种类1.2.3 参数 1.2.4 规格标注方法 1.2.5 性能测量 内容简介电位器是一种连续可调的电子元件，对外有三个引出端，一个是滑动端，另外两个是固定端。滑动端可以在两个固定端之间上滑动，使其与固定端之间的电阻值发生变化。在电路中，电位器常用来调节电阻值或电位。1.2.1 符号电位器在电路中用字母R，常用的图形符号如图49所示。图49电位器图形符号1.2.2 种类电位器的种类很多，用途各不相同，通常可按其材料、结构特点、调节机构运动方式等进行分类。根据所用材料不同，电位器可分为线绕电位器和非线绕电位器两大类。前者额定功率

13、大、噪声低、温度稳定性好、寿命长，其缺点是制作成本高、阻值范围小、分布电感和分布电容大，他在电子仪器中应用较多，有碳膜电位器、和成碳膜电位器、金属膜电位器、玻璃釉膜电位器、有机实芯电位器等。它们的共同特点是阻值范围宽、制作容易、分布电感和分布电容小，其缺点是噪声比线绕电位器大，额定功率较小，寿命较短。这类电位器广泛应用于收音机、电视机、收录机等家用电器中。根据结构不同，电位器又可分为单圈电位器、多圈电位器，单联、双联和多联电位器，又可分带开关电位器、锁紧和非锁紧式电位器。根据调节方式不同，电位器还可分为旋转式电位器和直滑式电位器两种类型。前者电阻体呈圆弧形，调节时滑动片在电阻体上作旋转运动；后

14、者电阻体呈长条形，调整时，滑动片在电阻体上作直线运动。这两种电位器的结构和外形如图110所示。随着表面安装技术和微组装技术的发展，在小型化电子仪器设备中采用了矩形片式电位器，其体积小、重量轻、阻值范围较宽、可靠性高、高频特性好、易焊接，是自动化表面安装的理想元件。1.2.3参数电位器的技术参数很多，最主要的参数有三项：标称阻值、额定功率和阻值变化规律。1） 标称阻值标在电位器产品上的名义阻值，其系列与电阻器的阻值标称系列相同。允许误差范围为：20%、10%、5%、2%、1%。精度电位器的允许误差可达到0.1%。2） 额定功率电位器的额定功率是指两个固定端之间允许耗散的最大功率，滑动头与固定端之

15、间所承受功率要小与这个额定功率。表18电位器额定功率系列值 额定功率系列（W）线绕电位器（W）非线绕电位器（W）0.0250.050.10.250.51.01.62351016254063100 0.250.51.01.62351016254063100 0.0250.050.10.250.51.0233） 阻值变化规律电位器的阻值变化规律是指其阻值随滑动片触点旋转角度之间的变化关系。这种关系理论上可以是任意函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式，分别用A、B、C表示。在使用中，直线式电位器适于作分压、偏流的调整；对数式电位器适于作音调控制和黑白电视机对比调整；指数式电位器适于作音量控制

16、。1.2.4 规格标方法电位器一般都用直标法，其类型、阻值、额定功率、误差都直接标在电位器上。电位器类型常用标志符号见表19所示。另外，在旋转电位器中，有时用ZS1表示轴没有经过特加工的圆轴；ZS3表示轴端带凹槽；ZS5表示轴端铣成平面。表19电位器常用标志符号及意义字母意义WTWHWNWXWSWIWJWY碳膜电位器合成碳膜电位器无机实芯电位器线绕电位器有机实芯电位器玻璃釉膜电位器金属膜电位器氧化膜电位器另外在旋转式电位器中，有时用ZS1表示轴端没有经过特殊加工的圆轴；ZS3表示轴端带凹槽；ZS5表示轴端铣成平面。1.2.5 性能测量根据电位器的标称阻值大小适当选择万用表“”挡的挡位，测量电位

17、器两固定端的电阻值是否与标称值相符。如果万用表指针不动，则表明电阻体与其相应的引出端断了；如果万用表指针的阻值比标称阻值大许多，表明已经坏了。测量滑动端与任一固定端之间阻值变化情况。慢慢移动滑动端，如果万用表指针移动平稳，没有跳动和跌落现象，表明电位器电阻体良好，滑动端接触可靠。测量滑动端与固定端之间阻值变化时，开始时的量小阻值越小越好，即零位电阻要小。对于WH型合成碳膜电位器，直线式的标称阻值小于10K的，零位电阻小于10；标称值大于10K，零位电阻小于50。对数式和指数式电位器，其零位电阻小于50。当滑动端移动到极限位置时，电阻值为最大，该值与标称值一致。由此说明电位器的质量较好。旋转转轴

18、或移动滑动端时，应感觉平滑且没有过紧过松的感觉。电位器的引出端子和电阻体应接触牢靠，不要有松动情况。 对于有开关的电位器，用万用表Rx1挡检测开关接通和断开情况，阻值应为零和无穷大。1.3 电容器要点提示 1.3.1 符号1.3.2 种类1.3.3 参数 1.3.4 规格标注方法 1.3.5 性能测量 内容简介电容器是电子电路中常用的元件，它是由两个金属电极，中间夹一层电介质构成，电容器是储能元件。电容器在电路中具有隔断直流、通过交流的特性，通常可完成滤波、旁路、级间耦合以及与电感线圈组成振荡回路等功能。1.3.1 符号电容器在电路图中用字母C表示，常用图形符号如图所示图412电容器图形符号1

19、.3.2 种类电容器的种类很多，分类方法也各不同。通常按介质材料不同分为纸介电容器、有机薄膜电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容器、云母电容器、电解电容器等。按结构不同分为固定电容器、可变电容器、半可变电容器等。另外，还有多种片式电容器。如：片式独石电容器、片式有机薄膜电容器、片式云母电容器、片式钽电解电容器和片式铝电解电容器。其中以片式独石电容器产量最大，这种片式电容器是由多个单层陶瓷电容器片叠置并联而成。1.3.3 参数表示电容器性能的参数很多，这里介绍一些常用的参数。1） 标称容量与允许误差电容量是电容器的最基本的参数。标在电容器外壳上的电容量数值称为标称电容量，是标准化了的电容值，由标准系列

20、规定。常用的标称系列和电阻器的相同。不同类别的电容器，其标称容量系列也不一样。当标称容量范围在0.11uF时，标称系列采用E6系列。当标称容量范围在1100uF时，采用1、2、4、6、8、10、15、20、30、50、60、80、100系列。对于电解电容器采用E6系列。标称容量与实际电容量有一定的允许误差，允许误差用百分数或误差等级表示。允许误差分为五：1%、2%、5%、10%级和20%。有的电解电容器的容量误差范围较大，在-20%+100%。2） 额定工作电压电容器的额定工作电压是指电容器长期连续可靠工作时，极间电压不允许超过的规定电压值，否则电容器就会被击穿损坏。额定工作电压数值一般以直流

21、电压在电容器上标出。3） 绝缘电阻电容器的绝缘电阻是指电容器两极间的电阻，或叫漏电电阻。电容器中的介质并不是绝对的绝缘体，多少总有些漏电。除电解电容器械外，一般电容器漏电流是很小的。显然，电容器的漏电电流越大，绝缘电阻越小。当漏电电流较大时，电容器发热，发热严重时导致电容器损坏。使用中，应选择电阻大的为好。1.3.4 规格标注方法电容器的规格标注方法有直标法、数码表示法和色标法。1） 直标法它是将主要参数和技术指标直接标注在电容器表面上。电容量的单位用：F、mf、uf、nF、pF表示。允许误差直接用百分数表示。2） 数码表示法不标单位，直接用数码表示容量。用三位数码表示容量大小，单位为pF，前

22、两位数字是电容量的有效数字。后一位是零的个数。3） 色标法色标法通常有三种颜色，沿着引线方向。前两种色标表示有效数字，第三色标表示有效数字后面零的个数，单位为pF。1.3.5 性能测量电容器在使用以前要对其进行检查，检查电容器有否短路、断路、漏电、失效等。1） 漏电测量用万用的Rx1k或Rx10k挡测量电容器时除空气电容器外，指针一般回到位置附近，指针稳定时的读数为电容器的绝缘电阻，阻值越大，表明漏电越小。如指针距零欧近，表明漏电太大不能使用。有的电容器漏电电阻到达位置后，以向零欧方向摆动，表明漏电严重，也不能使用。2） 短路和断路测量用万用表的欧姆挡根据被测量电容器的容量选择适当量程来测量电

23、容是否断路。对于0.01uF以下的小电容，指针偏转极小，不易看出，需用专门仪器测量。如果指针一点都不偏转，调换表笔以后仍不偏转，表明电容器已经断路。如果指针偏转到零欧姆处不再返回，表明电容器已经击穿短路。对于可变电容器可将表笔分别接到动片和定片上，然后慢慢转动动片，如果出现电阻为零，说明有碰片现象，可用工具消除碰片，恢复正常。3） 电容量的测量用万用表的欧姆挡Rx1k或Rx10k挡测电容器的容量，开始指针快速正偏一个角度，然后逐渐向方向退回。再互换表笔测量，指针偏转角度比上次更大，这表明电容器的充放电过程正常。指针开始偏转角度越大，回的速度越慢，表明电容量越大。与已知电容量的电容器作测量比较，

24、可以大概估计被测电容量的大小。4)判别电解电容器的极性因电解电容量正反向不同接法时的绝缘电阻相差较大，所以可用万用表欧姆挡测量电解电容器的漏电电阻，并记下该阻值，然后调换表笔再测一次，再次漏电阻中，大的那次，黑表笔接电解电容器的正极，红表笔接负极。 1.4 电感器要点提示 4.4.1 符号4.4.2 种类 4.4.3 参数4.4.4 规格标注方法4.4.5 性能测量 内容简介电感器是依据电磁感应原理制成，一般由导线绕制而成。在电路中具有通直流电、阻止交流电通过的能力。它广泛应用于调谐、滤波、震荡、耦合、均衡、延迟、匹配、补偿等电路。1.4.1 符号在电路中电感器用字母L表示,常用的图形符号如图

25、4-14所示。空心电感线圈带磁心的可调电感线圈带铜心的可调电感线圈带磁心的电感线圈带铁心的线圈图414电感线圈的图形符号1.4.2 种类电感器的种类很多，分类方法也不一样。按电感器的工作特征分为：固定电感器、可边电感器、微调电感器。按结构分为：单层线圈、多层线圈、蜂房线圈、带磁心线圈、可变电感线圈以及低频扼流线圈。各种电感线圈都具有不同的特点和用途。但它们都是用漆包线、纱包线、裸铜绕线在绝缘骨架上或铁新上构成，而且每圈之间要彼此绝缘。下面介绍几中常用的电感器。1） 固定电感器它是指生产厂家制造的带有磁心的电感器，也称微型电感器。这种电感器是将导线绕在磁心上，然后用塑料壳封装或用环氧树脂包封而成

26、。这种电感器体积小、重量轻、结构牢固、安装方便。其电感量可用数值直接标在外壳上，也可用色环表示，但我国生产的固定电感器已不再采用色标法标注，而是直接将电感数值标出，这种电感器习惯上仍称为色码电感。固定电感器有卧式和立式两种，其电感量一般为0.1-3000uH。电感量的允许误差用、即5%、10%、20%表示，直接标在电感器上。工作频率为10kHz-200MHz之间。2） 铁粉心或铁氧提新线圈为了调整方便，提高电感量和品质因数，常在线圈中假如一种特制材料-铁粉心或铁氧体，不同的频率，采用不用的磁心。利用螺纹的旋动，可调节磁心与线圈的相对位置，从而也改变了这种线圈的电感量。3） 阻流圈阻流圈又称扼流

27、圈，可分成高频扼流圈和低频扼流圈。高频扼流圈在电路中用来阻止高频信号通过而让低频交流信号和直流通过，它的电感量一般只有几微亨。低频扼流圈又称滤波线圈，一般在线圈中插有铁心。它与电容器组成滤波电路，消除整流后残存的交流成分，让直流通过。其电感量较大，一般为几亨。4） 片式电感器片式电感器有片式叠层电感器、片式线绕电感器和片式可变电感器三种。1.4.3 参数1） 电感量电感量的单位是亨，用H表示。常用的有毫亨（mH）、微亨（uH）、毫微亨（nH）。换算单位为1H=103Mh=106uH=109nH电感量的大小与线圈匝数、直径、内部有无磁心、绕制方式等有直接关系。圈数越多，电感量越大；线圈内有铁心、

28、磁心的，比无铁心、磁心的电感量大。2） 品质因数品质因数是表示线圈质量高低的一个参数，用字母Q表示。Q值高，线圈损耗就小。3） 分布电容线圈匝与匝之间具有电容，这一电容称之为“分布电容”。此外，屏蔽罩之间，多层绕组的层与层之间，绕组与底版见也都存在着分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值下降。为见效分布电容，可减小线圈骨架的直径，用细导线绕制线圈，采用间绕法、蜂房式绕法。1.4.4 规格标注方法固定电感器的电感量可用数字直接标在电感器的外壳上。电感量的允许误差用、即5%、10%、20%表示，直接标在电感器的外壳上。1H=103Mh=106uH=109nH1.4.5 性能测量如果要准确测量电感线圈

29、的电感量L和品质因数Q，就需要用专门仪器来进行测量，而且测试步骤较为复杂。一般用万用表欧姆挡Rx1或Rx10挡，测电感器的阻值，若为无穷大，表明电感器断路；如电阻很小，说明电感器正常。在电感量相同的多个电感器中，如果电阻值小，则表明Q值很高。1.5 晶体管与集成电路要点提示1.5.1 晶体管 1.5.2 集成电路 内容简介晶体管又称半导体管，半导体是一类导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。集成电路是在半导体晶体管制造工艺的其础上发展起来的新型电子器件。它将有源器件二极管、三极管和无源元件电阻、电容以及连接线等同时制作在很小的一块半导体材料或绝缘基片上，成为具有特定功能的电路，然后加外壳封装成一

30、个电路单元。这种在结构上形成紧密联系的整体电路，称之为集成电路。集成电路与分立电路相比，具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、电路性能稳定等诸多优点。1.5.1 晶体管通常将晶体管分立器件分为：晶体二，双极型晶体管，场效应管，可控硅。1）晶体二极管导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为“半导体”。 通常将可运动的带电粒子称为“载流子”，电子和空穴都是载流子。 N型半导体：在硅晶体中掺入五价元素（磷、锑），自由电子是多子、空穴是少子。P型半导体：在硅晶体中掺入三价元素（硼、铟），空穴是多子、自由电子是少子。PN结的形成通过一定的工艺，将一块完整的半导体的一部分掺杂成N型半导体，另一部分掺杂成P型

31、半导体，形成P区和N区。P区和N区交界面的过渡区称为PN结。二极管的结构二极管的电路符号光敏二极管结构 在PN结内部有两种运动：（a）扩散：由于浓度差而引起的从高浓度到低浓度的运动。由于多子浓度高，所以扩散是多子的运动。（b）漂移：载流子在电场力作用下而产生的定向运动。少子在内电场的作用下而产生的运动是漂移。多子的扩散运动是空间电荷区加宽，使内电场加强，使少子的漂移运动加强。然而少子漂移运动加强又使空间电荷区边窄；当两种运动达到动态平衡时，空间点化区的宽度也就稳定下来了。PN结的单向导电性（1）二极管的伏安特性和主要参数 （a）外加正向电压当PN结的P区接电源正极，N区接电源负极时称为外加正向

32、电压，简称正偏。扩散运动而形成的电流大大超过漂移运动而产生的电流，形成正向电流IF，称PN结处于导通状态（b）外加反向电压当PN结的P区接电源负极，N区接电源正极时，称为外加反向电压，简称反偏。漂移运动而形成的电流超过了扩散运动形成的电流，形成反向电流IR，由于漂移电流是少子运动产生的，所以室温下反向电流很小。通常称PN结处于截止状态。（c）PN结伏安特性 导通电压（开启电压）当外加电压较小时，PN结处于截止状态当外加电压大于导通电压时，正向电流i随u呈指数关系增加。锗PN结 UON0.1V硅PN结 UON0.5 击穿电压（U（RB）当加反向电压时，PN结处于截止状态，IR很少，可当反向电压大

33、于击穿电压U（RB）时IR急剧增加，可应用这个特性制成稳压管。（2） 二极管的符号及其主要参数（a） 符号：（b） 参数： 最大正向电流IF指允许流过的最大电流；在正常工作状态下应使IDIF 反向击穿电压URB二极管反向被击穿时，对其施加的反向电压值。 反向电流IR在温室下测得的凡响电流值约为几十纳安。受温度影响很大。 最高工作频率FT向恢复时间tre是工作频率的上限值，当电路的工作频率超过FT时，二极管失去单向导电性。反向恢复时间tre二极管在开关运用时，由导通状态变为截止状态所经历的时间通常为n秒。开启时间小于凡响恢复时间。 温度影响由于二极管内含有良种接瘤子，特别是少子的漂移运动受温度的

34、影响很大。当温度升高，IR急剧增加。结电压也受温度影响。（2）二极管极性判别将万用表拨在R100或R1k电阻挡上，两支表笔分别接触二极管的两个电极测其阻值，记下此时的阻值。两支表笔调换，再测一次阻值。两次测量中，阻值小的那一次，测出的是二极管的正向电阻，黑表笔接触的是二极管的正极，红表笔接触的是二极管的负极，如图125所示。二极管极性判别 顺便指出。测量一般小功率二的正、反向电阻，不宜使用R*1和R10K挡，前者通过二极管的正向电流较大，可能烧毁管子；后者加在二极两端的反电压太高，易将管子击穿。（3）二极管的性能测量二极管性能鉴别的最简单方法是用万用表测其正、反向电阻值，阻值相关越大，说明它的

35、单向导电性能越好。对于检波二极管或锗小功率二极管，使用R100挡，其正向电阻约为1001000之间；对于硅管，约为几百欧姆到几千欧姆之间。反向电阻，不论是锗管还是硅管，一般都在几百千欧以上，而且硅管比锗管大。对于小功率二极管一般选用R100或R1K挡；中、大功率二极管一般选用R1或R10挡。发光二极管用R10K测基正、反向阻值，当正向电阻小于50K，反向电阻大于200K时均为正常。测量时，若二极管的正、反向电阻为无穷大，即表针不动时，说明基内部断路；反之，若其正反向电阻近似为0时，说明其内部有短路故障；如果二极管的正、反向电阻值相差太小，说明其性能变坏或失效。2) 晶体三极管：（双极型晶体管）

36、（1） 三极管基本结构和分类在一块半导体晶片上制造两个符合要求的PN结，就构成了一个晶体三极管。按PN结的组合方式不同。三极管有PNP型和NPN型两种，如图126所示。它们都有三个不同不同导电区域：中间部分称为基区；两端部分一个称为发射区，另一个称为集电区。每个导电区上有一个电极，分别称为基极、发射极、集电极，常用字母a、b、c表示。发射区与基区交界面处形成的PN结称为发射结；集电区与基区交界面处形成的PN结称为集电结。三极管的基本结构 发射区掺杂浓度高，因而多数载流子的浓度很高。 基区很薄，而且掺杂浓度很低，因而多子浓度很低。集电区掺杂也较低，它的多子浓度低于发射区，所以集电极和发射极不能互

37、换。（2）晶体三极管的放大原理当发射结正偏，集电结反偏时，三极管内部有以下集中运动发射区向基区发射电子，形成发射极电流IE，方向与电子运动的方向相反。电子在基区中的扩散与复合：电子到基区后由向集电区扩散，被集电极吸收形成集电极电流IC，极少的一部分与基区的空穴符合，形成基区符合电流IBN。电子被集电极收集：集电结反向偏置时，组织集电区的电子向基区扩散，但有利于吸收基区扩散过来的电子，形成集电区收集电流ICN。三极管放大的原理：即利用发射极注入的电子在基区的扩散大大超过符合而实现的。电流之间的关系：基极电流IB，集电极电流IC，发射极电流IE，则有：IE=IB+IC IC=IB（为电流放大系数）

38、三极管的开关状态在数字电路中，三极管经常被当做开关使用，管子截止状态和饱和状态是开关工作时的两种稳态，而放大状态是管子从一种稳态向另一种稳态过渡的状态。 三极管的主要参数 共发射极电流放大系数 集电极发射极击穿电压UCEO当UCEgt;UCEO时，则CE结被击穿，管子工作在一种过压工作状态，电流会急剧增加，管子容易被击穿损坏。 集电极最大电流ICM指集电极允许流过的最大电流值。 最大功率PCM指集电极允许的最大功率。 特征频率fT当工作频率增高时，会下降，当f=fT时，=1，三极管失去放大能力。 集电极发射极饱和压降UCES（3）管型判别和电极判别所谓管型判别，是指判别一只失掉型号的管子，是P

39、NP还是NPN，是硅管还是锗管，是高频管还是低频管；而电极判别，则指分辨出它的e、b、c极。 测判三极管的口诀 三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。一、 三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R100或R1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。由图可见，红表

40、笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。二、 PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据

41、基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。三、 顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表

42、笔c极b极e极红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。(2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔e极b极c极红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。四、 测不出，动嘴巴若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头

43、，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。3）场效应管场效应三极管简称场效应管，它是由半导体材料构成的。与普通双极型相比，场效应管具有很多特点。 场效应管是一种单极型半导体（内部只有一种载流子多子）分四类：N沟通增强型 P沟通增强型 N沟通耗尽型 P沟通耗尽型增强型Mos管的特性曲线场效应管有四个电极，栅极G、漏极D、源极S和衬底B，通常字内部将衬底B与源极S相连，这样，场效应管在外型上是一个三端电路元件场效管是一种压控电流源器件，即流入的漏极电流iD栅源电压UGS控制。（1）转移特性曲线应注意： 转移特性曲线反映控制电压UGS与电流iD之间的关系。 当UGS很小时，iD基本为零，管子截止；当UGS大于某一个电压UTN时iD随UGS的变化而变化，UTN称为开启电压，约为2V。 无论是在UGSUTN或UGSUTN时，间的等效电阻rGS值极高，可达数百兆欧，由于是可以为iD0。（2）输出特性曲线输出特性是在给顶UGS的条件下，iD与UDS之间的关系。可分三个区域。 夹断区：UGSUTN且uDS值较大。这时iD只取于uGS，而与uDS无关。（3）Mos管开关条件和特点管型状态 NM