昆明平板显示靶材项目申请报告.docx

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1、泓域咨询/昆明平板显示靶材项目申请报告报告说明如2020年，金钼股份通过自主进行工装技术设计、改造，先后攻克了超宽幅钼靶所用钼板坯的规格设计、钼基板板型控制、大规格板坯机加工精度控制等技术难题，成功制备出宽1800mm，长度2300mm的G6代钼靶材，产品各项指标已经达到国际先进水平，成功将G6代钼整靶推向全球最先进的OLED生产线使用，如三星、京东方。且公司主要产品已经量产，并具有超大（宽幅1800mm，单重超600Kg）、超纯（Mo99.97%）、超细晶粒等特点，制备难度大，精度要求高。根据谨慎财务估算，项目总投资22030.95万元，其中：建设投资17575.58万元，占项目总投资的79

2、.78%；建设期利息474.72万元，占项目总投资的2.15%；流动资金3980.65万元，占项目总投资的18.07%。项目正常运营每年营业收入44200.00万元，综合总成本费用35558.71万元，净利润6316.41万元，财务内部收益率22.11%，财务净现值7825.93万元，全部投资回收期5.80年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通运输及水电供应均有充分保证，有优越的建设条件。，企业经

3、济和社会效益较好，能实现技术进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 背景及必要性8一、 靶材在平板显示中的应用8二、 显示面板靶材市场规模预测10三、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展11第二章 市场预测15一、 供给：日企占据国内市场主导地位，国产替代逐渐提速15二、 国产替代

4、+技术革新，高端靶材需求强劲19第三章 项目概况22一、 项目名称及建设性质22二、 项目承办单位22三、 项目定位及建设理由23四、 报告编制说明24五、 项目建设选址26六、 项目生产规模26七、 建筑物建设规模26八、 环境影响26九、 项目总投资及资金构成26十、 资金筹措方案27十一、 项目预期经济效益规划目标27十二、 项目建设进度规划28主要经济指标一览表28第四章 产品方案31一、 建设规模及主要建设内容31二、 产品规划方案及生产纲领31产品规划方案一览表31第五章 建筑工程说明33一、 项目工程设计总体要求33二、 建设方案33三、 建筑工程建设指标34建筑工程投资一览表3

5、5第六章 项目选址分析37一、 项目选址原则37二、 建设区基本情况37三、 提升科技创新引领力39四、 持续扩大有效投资40五、 项目选址综合评价40第七章 运营管理模式42一、 公司经营宗旨42二、 公司的目标、主要职责42三、 各部门职责及权限43四、 财务会计制度46第八章 发展规划53一、 公司发展规划53二、 保障措施59第九章 SWOT分析61一、 优势分析（S）61二、 劣势分析（W）63三、 机会分析（O）63四、 威胁分析（T）64第十章 建设进度分析70一、 项目进度安排70项目实施进度计划一览表70二、 项目实施保障措施71第十一章 项目环境保护72一、 编制依据72二

6、、 环境影响合理性分析72三、 建设期大气环境影响分析73四、 建设期水环境影响分析74五、 建设期固体废弃物环境影响分析75六、 建设期声环境影响分析75七、 环境管理分析76八、 结论及建议77第十二章 劳动安全生产79一、 编制依据79二、 防范措施80三、 预期效果评价86第十三章 人力资源分析87一、 人力资源配置87劳动定员一览表87二、 员工技能培训87第十四章 投资方案90一、 投资估算的编制说明90二、 建设投资估算90建设投资估算表92三、 建设期利息92建设期利息估算表93四、 流动资金94流动资金估算表94五、 项目总投资95总投资及构成一览表95六、 资金筹措与投资计

7、划96项目投资计划与资金筹措一览表97第十五章 项目经济效益99一、 基本假设及基础参数选取99二、 经济评价财务测算99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表101利润及利润分配表103三、 项目盈利能力分析104项目投资现金流量表105四、 财务生存能力分析107五、 偿债能力分析107借款还本付息计划表108六、 经济评价结论109第十六章 项目风险分析110一、 项目风险分析110二、 项目风险对策112第十七章 总结114第十八章 补充表格116主要经济指标一览表116建设投资估算表117建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表120总投资及构

8、成一览表121项目投资计划与资金筹措一览表122营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123利润及利润分配表124项目投资现金流量表125借款还本付息计划表127第一章 背景及必要性一、 靶材在平板显示中的应用若根据工艺的不同，FPD行业用靶材也可大致分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射用靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等材料。IGZO为TFT激活层，一般用于手机LTPOOLED技术和大尺寸OLED技术。IGZO也可以被用于LCD的制造和X-ray探测器的制造。在国内的LCD生产中，BOEB18和B19用IGZO作为TFT激活层。在老旧产线中，京东方也利用IGZO来替

9、代a-Si以生产精度更高的X-ray探测器。ITO和IZO为透明导电电极。其中ITO被广泛的运用于OLED和LCD的制造中，而IZO时而会被用于顶发射OLED的阴极来使用。Cu、Al、Mo和Ti等金属则做为金属走线，被广泛的运用于Array的TFT生产中，其中钼或者合金材料靶材常作为OLED器件的阴极使用，此外铝靶也可作为阴极使用。蒸镀用靶材一般为Ag和Mg两种金属。Ag和Mg合金一般用于小尺寸OLED面板产线中的阴极制作。除此以外，Ag也可以作为顶发射OLED器件中的阳极反射层使用。其中薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)是当前的主流平面显示技术，金属溅射靶材则是制造TFT-LCD过程中

10、最关键的材料之一。薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有轻薄、功耗低、成本低等优点，目前TFT-LCD大约占80%以上的显示面板市场份额。这类显示面板是由大量的液晶显示单元阵列组成(如4K分辨率的屏幕含有800多万个显示单元阵列)，而每一个液晶显示单元，都由一个单独的薄膜晶体管(TFT)所控制和驱动。薄膜晶体管阵列的制作原理，是在真空条件下，利用离子束流去轰击固体，使固体表面的原子电离后沉积在玻璃基板上，经过反复多次的“沉积+刻蚀”，一层层(一般为712层)地堆积制作出薄膜晶体管阵列。这种被轰击的固体，即用溅射法沉积薄膜的原材料，就被称作溅射靶材。除LCD外，近年来快速发展的OLED面板产

11、业靶材需求增长也十分明显。OLED典型结构是在氧化铟锡（ITO）玻璃上制作一层几十纳米厚的发光材料，ITO透明电极作为器件的阳极，钼或者合金材料作为器件的阴极。从阴阳2极分别注入电子和空穴，在一定电压驱动下，被注入的电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层并复合，形成激子并使发光分子产生单态激子，单态激子衰减发光。平板显示制造中主要使用的靶材为钼铝铜金属靶材和氧化铟锡（ITO）靶材，部分平板显示企业也会用到钛靶、钽靶、铌靶、铬靶以及银靶等。其中钼靶材和ITO靶材合计需求占比在60%70%左右。但由于各家企业所采用的溅射工艺不同，其所选的溅射靶材也有区别。如，京东方用铜靶、铝靶、钼靶

12、和钼铌靶，韩国三星用钽靶、钛靶，但不用钼铌靶，中电熊猫用钛靶，但不用钼靶、钽靶等。以8.5代液晶显示面板生产线为例，一条8.5代线每年靶材的大致消耗120套铝靶、110套铜靶、60套钼靶、5套钼铌10靶。此外据新材料产业新型显示产业的ITO靶材市场探讨，目前国内单条8.5代线ITO靶材年需求量约40吨，6代线ITO靶材年需求量约20吨。二、 显示面板靶材市场规模预测受益平板显示面板需求上涨和我国平板显示面板国产替代提升，预计2025年我国FDP用靶材市场规模将达到320亿元（折合约50亿美元），预计21-25年CAGR为18.9%。整体来看，全球显示面板出货量增长已趋于平稳，参考Frost&S

13、ullivan数据，2021-2025年全球显示面板出货量增速不断降低，预计2024年全球显示面板出货量将达到2.73亿平方米，2020-2024年年均复合增速仅为2.9%。我国平板显示面板出货量增速明显快于全球显示面板增速，2020-2024年年均复合增速为6.3%，,国产替代趋势明显，预计2024年我国显示面板出货量将占全球显示面板出货量的42.5%。受益平板显示面板需求上涨和我国平板显示面板国产替代提升，我国显示面板靶材市场预计也将保持较快增长，参考IHS预测，预计2025年我国FDP用靶材市场规模将达到320亿元（折合约50亿美元），预计21-25年CAGR为18.9%。在全球显示面板

14、靶材中的占比将提升到57.7%。三、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,，对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关，随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步，溅射靶材也需要随之变化，随着半导体技术的不断发展，集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变，此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的

15、需求，对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高，这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1：大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向，但随尺寸增加，靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加，对技术要求就越高。晶圆尺寸越大，可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积，得以达到效率最佳化，相对于8英寸晶圆而言，12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2：多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材，其中铝与铜为两大主流导线工艺

16、。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺，一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线，110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用，常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料，钽靶则配合铜靶使用，作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上，从全球晶圆厂产能建设情况来看，12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线由于具有更低的电迁移效应，及更低的电阻，有降低功耗、提高运算速度等作用，应用量在逐步增大。据SEMI数据显示，如今12英

17、寸晶圆约占64%，8英寸晶圆占比达26%，其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出，也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此，芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰，因可靠性、抗干扰性、低成本等优势，110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势3：高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料，通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。在下游应用领域中，半导体产业对溅

18、射靶材和溅射薄膜的品质要求最高，随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来，相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展，同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关，为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求，所需要的溅射靶材纯度不断攀升，通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内，美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒，依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位，议价能力强，国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日

19、美进口。但经过多年的靶材技术开发，近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破，已开始逐步实现国产替代。第二章 市场预测一、 供给：日企占据国内市场主导地位，国产替代逐渐提速我国显示面板靶材高度依赖进口，日企在国内市场仍然占据主导地位，但国产替代逐渐提速。当前该领域竞争格局以攀时、世泰科、贺利氏、爱发科、住友化学、JX金属等为代表的国外少数几家跨国集团占据主导地位，其中攀时、世泰科等厂商是全球钼靶材的主要供应商，住友化学、爱发科等厂商占据了全球铝靶材的大部分市场，三井矿业、JX金属、优美科等厂商是全球ITO靶材的主要供应商，爱发科、JX金属等厂商是全球铜靶材的主要供应商。国内以隆华科技、

20、江丰电子、阿石创、有研新材、先导稀材为主，国产替代正逐渐加速。铝靶：目前国内液晶显示行业用铝靶材主要被日资企业主导，由于价格较低，是平板显示行业常用的溅射靶材，但近年来正逐步被铜靶所替代。外企方面：爱发科电子材料(苏州)有限公司大约占据国内50%左右的市场份额。其次，住友化学也占有一部分市场份额。国产方面:江丰电子从2013年左右开始介入铝靶材，目前已大批量供货，是国产化铝靶材的龙头企业。另外，南山铝业、新疆众和等企业也具备高纯铝的生产能力铜靶：从溅射工艺的发展趋势上来讲，对铜靶材的需求比例一直在逐步增加，加之，近几年国内液晶显示行业的市场规模整体上有所扩大，因此，平板显示行业对铜靶材的需求量

21、将继续呈上升趋势。外企方面:爱发科电子材料(苏州)有限公司几乎垄断着国内铜靶材市场，市场占有率在80%以上，且该公司近几年营收的增加额，主要来自于铜靶材销量的增加。国产方面:有研新材具备高纯铜原料生产能力，但目前主要致力于半导体行业用圆形靶材生产，对液晶显示行业铜靶仅有500吨产能;洛铜集团具备高纯铜生产能力但不生产靶材，且高纯铜原料价格和进口原料相比，在价格方面无明显竞争优势;江丰电子引进海外高端人才，致力于开发高纯铜原料和铜靶材，即将批量生产。钼靶：钼靶材国内需求占全球超过一半，国产化率约有50%。钼靶具体可分为条靶、宽靶和管靶3种，其中，4.5代、5.5代和6代线一般使用宽幅钼靶，而8.

22、5代及以上世代线用使用组合条靶或管靶。外企方面:国外的奥地利攀时、德国世泰科、日本爱发科等企业已基本退出了这部分市场。国产方面:国内钼靶材企业主要集中在洛阳地区，其中，隆华节能下属的洛阳高新四丰电子材料有限公司占据了国内60%多的市场份额，另外，洛阳高科钼钨材料有限公司占据了国内大约10%左右的市场份额。宽幅钼靶:外企方面:国外的攀石、世泰科等企业在国内宽幅钼靶材市场占据较大市场。国产方面:四丰电子大尺寸宽幅钼靶已经开始批量供货；阿石创和金钼股份两家上市公司也充分利用各自在宽幅靶材轧制和靶材加工及销售方面的优势开展紧密合作，金钼股份向阿石创销售宽幅钼靶坯和条形钼靶坯(条形靶坯由宽幅靶坯切割而成

23、)，阿石创负责后续绑定等工序和成品销售工作。钼管靶：每条8.5代线对钼管靶的需求量约为30吨/年。钼管靶8.5代线及以上常用钼靶，每套包含12根，每根单重约为300kg，每套重量约为3600kg。由于钼管靶的实际利用率约为70%，因此，每套钼管靶的成膜重量约为2500kg。每条8.5代线对钼管靶的需求量约为30吨/年。另外，钼管靶的供应商，除了要通过其面板生产企业的认证外，还要通过钼管靶溅射设备生产商美国AKT公司的认证，并且要被收取钼管靶售价约5%的认证费。截止2017年底，国内采用管靶溅射设备的生产线只有1条，业内也普遍认为钼管靶的发展空间并不大。钼铌10合金靶。西部材料下属西安瑞福莱钨钼

24、有限公司和爱发科公司合作，经多次试验攻关，已于2017年成功轧制出了氧含量小于1000106，致密度达99.3%的Mo-Nb合金靶坯。此外金钼集团也已实现高纯大尺寸钼铌管状靶材顺利交付，攻克了大规格钼铌合金靶材制粉、烧结、加工等关键工艺难题，掌握了大尺寸靶材的核心制备技术。经第三方机构检测，制备出的钼铌合金靶材各项指标达到要求。在此基础上，项目组又承接了用户管状靶材的订购需求，顺利交付了3套高纯大尺寸钼铌合金管状靶材，且品质优良。钼铌合金管状靶材直径大于150毫米、长度达到2100毫米，纯度可达99.99%，氧含量小于500ppm。ITO靶材：ITO靶材是由90%的氧化铟与10%的氧化锡配比而

25、成，相对密度要求大于99.5%。目前全球铟消耗量中40%50%以上是用于制备加工ITO靶材。外企方面：全球ITO靶材市场主要供应商有日矿金属、三井矿业、优美科等，其中日矿和三井几乎占据了高端TFT-LCD市场用ITO靶材的全部份额和大部分触摸屏面板市场,爱发科也有相关产品，东曹、日立、住友、VMC、三星、康宁等企业也掌握核心技术。目前中国ITO靶材供应约一半左右依赖进口。本土厂商生产的ITO靶材主要供应中低端市场，约占国内市场30%的份额；而高端TFT-LCD、触摸屏用ITO靶材几乎全部从日本、韩国进口。国产方面：近年来，国内多家厂商宣布进入ITO靶材领域，但实际量产和导入并不顺利，也尚未实现

26、批量供应。据集微网调研，目前国内有能力量产并供货的ITO靶材厂商有先导稀材，其ITO靶材产能预计已经达1100吨/年（清远200吨LCD用ITO靶材，100吨5G手机ITO靶材，合肥800吨），隆华科技全资子公司晶联光电的ITO靶材产能已经达到100吨/年，且在建200吨/年，映日科技的ITO靶材产能已经达到120吨/年，戊电科技的ITO靶材产能已经达到50吨/年等，而阿石创ITO靶材产能实际占比较小。近年来部分国内企业目前也已通过相关认证，在下游市场得到较为广泛的应用。国内的靶材厂商都正在不断提升技术工艺和生产设备，努力通过TFT-LCD试镀测试打开高端OLED显示领域的大门。二、 国产替代

27、+技术革新，高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来，靶材是制备功能薄膜的核心原材料，主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域，实现导电或阻挡等功能。2020年全球靶材市场规模约188亿美元，我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看，四家日美巨头占据80%靶材市场，国内溅射靶材主要应用于中低端产品，国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代，技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域，纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移，预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元，21-25

28、年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展，其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面，日美厂商约占90%份额，但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破，同时产能也在不断扩张，预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。国产替代+产品迭代，我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺，可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等，纯度和技术要求仅次于半导体，一般在4N甚至5N以上，但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升，预计25年我国F

29、DP靶材市场规模将达50亿美元，21-25年CAGR为18.9%。此外预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看，我国显示面板靶材高度依赖进口，日企在国内市场仍然占据主导地位，国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主，国产替代正逐渐加速。Hit量产元年开启，靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池，纯度一般在4N以上。随着HIT电池和薄膜电池的发展，预计25年我国市场规模将接近38亿美元，21-25年CAGR为56.1%。供给方面，由于国内薄膜电池及HIT电池市场规模尚小，相关靶材企业也较少，多处起步阶段，其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大，

30、此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆，磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作，常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主，中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低，且记录媒体研发重心主要在半导体存储，预计传统机械键盘成长空间有限，磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。第三章 项目概况一、 项目名称及建设性质（一）项目名称昆明平板显示靶材项目（二）项目建设性质本项目属于新建项目二、 项

31、目承办单位（一）项目承办单位名称xx集团有限公司（二）项目联系人徐xx（三）项目建设单位概况公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。公司秉承“诚实、信

32、用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。三、 项目定位及建设理由据悉2019年金钼股份钼靶材产品销售同比增长222%，跻身成为三星全球第二大供应商。2020年钼靶材产品销量同比增加47%。预计随着OLED的快速崛起，钼靶未来将保持较高增长。参考DSCC数据，预计2025年，中国大陆的Gen6OLED产线大约需要消耗46Ton的Al和248Ton高纯Mo。其中京

33、东方、深天马和华星大致会消耗总量的37%、20%和17%。此外，得益于优异的电学性能，铜靶将在显示屏生产得到广泛运用，据DSCC测算，中国大陆Gen10.5工厂对高纯Cu的需求会从2021年599吨，逐步增加到2025年的976吨。G8.5+产线对高纯Cu的需求将会超过8000吨。据悉，为满足超高清电视性能需要和未来4K、8K产业规划，现在国内所有的Gen10.5代产线均已采取铜制程。同时，也为了进一步增加高端IT产品的刷新率和分辨率，一些较小的产线也逐步开始进行Cu制程的改建，不少Gen8.5和Gen8.5代线也在逐渐的全部或者部分转向Cu制程。预计到2025年，所有G8.5+的产线均会采用

34、Cu制程。“十四五”时期将重点抓好十一个方面的工作：一是坚持创新驱动塑造发展新优势；二是构建更具竞争力的现代经济体系；三是努力创建更加开放的活力昆明；四是构筑区域协调发展新格局；五是全面推进乡村振兴；六是建设韵味浓厚的文化强市；七是提升中国健康之城知名度；八是打造绿色低碳的美丽昆明；九是全面深化改革激发动力；十是共建共享幸福美好城市；十一是提升社会治理和安全保障能力。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）报告编制原则1、立足

35、于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。（二） 报告主要内容根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析；7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。五、 项目建设选址本期项目选址位于xx园区，占地面积约55.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，

36、交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx吨平板显示靶材的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积69535.19，其中：生产工程39608.83，仓储工程18821.17，行政办公及生活服务设施5817.95，公共工程5287.24。八、 环境影响拟建项目的建设满足国家产业政策的要求,项目选址合理。项目建成所有污染物达标排放后，周围环境质量基本能够维持现状。经落实污染防治措施后，“三废”产生量较少，对周围环境的影响较小。因此，本项目从环保的角度看，该项目的建设是可行的。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资

37、构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资22030.95万元，其中：建设投资17575.58万元，占项目总投资的79.78%；建设期利息474.72万元，占项目总投资的2.15%；流动资金3980.65万元，占项目总投资的18.07%。（二）建设投资构成本期项目建设投资17575.58万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用15287.06万元，工程建设其他费用1799.68万元，预备费488.84万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资22030.95万元，其中申请银行长期贷款9688.27万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目

38、预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：44200.00万元。2、综合总成本费用（TC）：35558.71万元。3、净利润（NP）：6316.41万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.80年。2、财务内部收益率：22.11%。3、财务净现值：7825.93万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。主要经济指标一览表序

39、号项目单位指标备注1占地面积36667.00约55.00亩1.1总建筑面积69535.191.2基底面积21633.531.3投资强度万元/亩311.352总投资万元22030.952.1建设投资万元17575.582.1.1工程费用万元15287.062.1.2其他费用万元1799.682.1.3预备费万元488.842.2建设期利息万元474.722.3流动资金万元3980.653资金筹措万元22030.953.1自筹资金万元12342.683.2银行贷款万元9688.274营业收入万元44200.00正常运营年份5总成本费用万元35558.716利润总额万元8421.887净利润万元63

40、16.418所得税万元2105.479增值税万元1828.4410税金及附加万元219.4111纳税总额万元4153.3212工业增加值万元13919.2513盈亏平衡点万元18313.37产值14回收期年5.8015内部收益率22.11%所得税后16财务净现值万元7825.93所得税后第四章 产品方案一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积36667.00（折合约55.00亩），预计场区规划总建筑面积69535.19。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx集团有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx吨平板显示靶材，预计年营业收入44200.00万元。二、 产品规

41、划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1平板显示靶材吨xxx2平板显示靶材吨xxx3平板显示靶材吨xxx4.吨5.吨6.吨合计xxx44200.00高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料，通常半导体靶材纯

42、度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。在下游应用领域中，半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高，随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来，相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展，同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关，为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求，所需要的溅射靶材纯度不断攀升，通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。第五章 建筑工程说明一、 项目工程设计总体要求1、建筑结构设计力求贯彻“经济、实用和兼顾美观”的原则，根据工艺需要，结合当地地质条件及地需条

43、件综合考虑。2、为满足工艺生产的需要，方便操作、检修和管理，尽量采取厂房一体化，充分考虑竖向组合，立求缩短管线，降低能耗，节约用地，减少投资。3、为加快建设速度并为今后的技术改造留下发展空间，主厂房设计成轻钢结构，各层主要设备的悬挂、支撑均采用钢结构，实现轻型化，并满足防腐防爆规范及有关规定。二、 建设方案（一）混凝土要求根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）之规定，确定构筑物结构构件最低混凝土强度等级，基础混凝土结构的环境类别为一类，本工程上部主体结构采用C30混凝土，上部结构构造柱、圈梁、过梁、基础采用C25混凝土，设备基础混凝土强度等级采用C30级，基础混凝土垫层为C15级，

44、基础垫层混凝土为C15级。（二）钢筋及建筑构件选用标准要求1、本工程建筑用钢筋采用国家标准热轧钢筋：基础受力主筋均采用HRB400，箍筋及其它次要构件为HPB300。2、HPB300级钢筋选用E43系列焊条，HRB400级钢筋选用E50系列焊条。3、埋件钢板采用Q235钢、Q345钢，吊钩用HPB235。4、钢材连接所用焊条及方式按相应标准及规范要求。（三）隔墙、围护墙材料本工程框架结构的填充墙采用符合环境保护和节能要求的砌体材料（多孔砖），材料强度均应符合GB50003规范要求：多孔砖强度MU10.00，砂浆强度M10.00-M7.50。（四）水泥及混凝土保护层1、水泥选用标准：水泥品种一般

45、采用普通硅酸盐水泥，并根据建（构）筑物的特点和所处的环境条件合理选用添加剂。2、混凝土保护层：结构构件受力钢筋的混凝土保护层厚度根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）规定执行。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积69535.19，其中：生产工程39608.83，仓储工程18821.17，行政办公及生活服务设施5817.95，公共工程5287.24。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程11033.1039608.834753.341.11#生产车间3309.9311882.651426.001.22#生产车间2758.289902.211188.341.33#生产车间2647.949506.121140.801.44#生产车间2316.958317.85998.202仓储工程6490.0618821.172226.642.11#仓库1947.025646.35667.992.22#仓库1622.524705.29556.662.33#仓库1557.614517.08534.392.44#仓库1362.913952.45467.593办公生活配套1328.305817.95913.743.1行政办公楼863.393781.67593.933.2宿舍及食堂464.9020