阜新负性光刻胶项目可行性研究报告(模板).docx
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1、泓域咨询/阜新负性光刻胶项目可行性研究报告目录第一章 行业、市场分析7一、 大陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建,国产光刻胶企业迎来重大机遇7二、 光致产酸剂(Photo-AcidGenerator,PAG)8第二章 项目概况10一、 项目名称及项目单位10二、 项目建设地点10三、 可行性研究范围10四、 编制依据和技术原则10五、 建设背景、规模12六、 项目建设进度13七、 环境影响13八、 建设投资估算13九、 项目主要技术经济指标14主要经济指标一览表14十、 主要结论及建议16第三章 项目背景分析17一、 聚4-羟基苯乙烯(PHOST)17二、 DUV光刻胶化学放大型KrF&ArF光刻胶
2、18三、 强化企业创新主体地位19四、 激发人才创新活力19五、 项目实施的必要性20第四章 建设方案与产品规划21一、 建设规模及主要建设内容21二、 产品规划方案及生产纲领21产品规划方案一览表22第五章 项目选址24一、 项目选址原则24二、 建设区基本情况24三、 提高要素配置质量和效率27四、 项目选址综合评价27第六章 SWOT分析说明29一、 优势分析(S)29二、 劣势分析(W)31三、 机会分析(O)31四、 威胁分析(T)33第七章 发展规划37一、 公司发展规划37二、 保障措施43第八章 运营模式45一、 公司经营宗旨45二、 公司的目标、主要职责45三、 各部门职责及
3、权限46四、 财务会计制度49第九章 进度规划方案53一、 项目进度安排53项目实施进度计划一览表53二、 项目实施保障措施54第十章 环境保护分析55一、 环境保护综述55二、 建设期大气环境影响分析55三、 建设期水环境影响分析56四、 建设期固体废弃物环境影响分析57五、 建设期声环境影响分析58六、 环境影响综合评价58第十一章 组织机构管理59一、 人力资源配置59劳动定员一览表59二、 员工技能培训59第十二章 原辅材料及成品分析61一、 项目建设期原辅材料供应情况61二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理61第十三章 节能说明62一、 项目节能概述62二、 能源消费种类和数量分析
4、63能耗分析一览表64三、 项目节能措施64四、 节能综合评价65第十四章 工艺技术方案分析66一、 企业技术研发分析66二、 项目技术工艺分析69三、 质量管理70四、 设备选型方案71主要设备购置一览表72第十五章 投资计划方案74一、 投资估算的依据和说明74二、 建设投资估算75建设投资估算表79三、 建设期利息79建设期利息估算表79固定资产投资估算表81四、 流动资金81流动资金估算表82五、 项目总投资83总投资及构成一览表83六、 资金筹措与投资计划84项目投资计划与资金筹措一览表84第十六章 经济效益86一、 经济评价财务测算86营业收入、税金及附加和增值税估算表86综合总成
5、本费用估算表87固定资产折旧费估算表88无形资产和其他资产摊销估算表89利润及利润分配表91二、 项目盈利能力分析91项目投资现金流量表93三、 偿债能力分析94借款还本付息计划表95第十七章 项目招标方案97一、 项目招标依据97二、 项目招标范围97三、 招标要求97四、 招标组织方式100五、 招标信息发布103第十八章 总结104第十九章 补充表格106主要经济指标一览表106建设投资估算表107建设期利息估算表108固定资产投资估算表109流动资金估算表110总投资及构成一览表111项目投资计划与资金筹措一览表112营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表113利
6、润及利润分配表114项目投资现金流量表115借款还本付息计划表117本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 行业、市场分析一、 大陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建,国产光刻胶企业迎来重大机遇半导体工业沿摩尔定律向前发展,光刻技术是基石。摩尔定律的延续离不开光刻技术的进步,目前全球最为顶尖且实现量产的光刻工艺为台积电的5nm制程工艺(2020年),3nm制程工艺预计将于2022年正式投产。而大陆方面,最为领先的晶圆代工企业中芯国
7、际已于2021年实现7nm制程工艺的突破,但仍与世界顶尖水平存在着约2代技术的差距,对应的技术研发周期约为3-4年。半导体光刻胶为晶圆制造核心材料,大陆产品仍存较大技术差距。在所有的晶圆制造材料中,半导体光刻胶凭借其复杂且精准的成分组成要求而具有最高的价值含量。半导体光刻胶产品由低端到高端可分为g线、i线、KrF、ArF和EUV光刻胶,最高端的EUV光刻胶基本被日本和美国企业所垄断。大陆方面目前仅实现了KrF光刻胶的量产,ArF光刻胶产品仍处于下游客户验证阶段并未形成实际性的量产产能,而最高端的EUV光刻胶的技术储备近乎空白。行业政策与“大基金”加持,助力光刻胶突破“卡脖子”技术壁垒。“十四五
8、”规划提出了“强化国家战略科技力量”的方针,重点强调要从“卡脖子”问题清单和国家重大需求中找出科学问题。集成电路的产业发展一直是我国的“卡脖子”问题之一,其中半导体光刻胶等产品领域存在有明显的“受制于人”的问题,而突破这些“卡脖子”技术壁垒必将成为践行“强化国家战略科技力量”这一宏观战略的重点之一。自2014年6月国务院发布国家集成电路产业发展推进纲要以来,国家不断地通过政策、科研专项基金、产业基金等多种形式为国内光刻胶企业的发展提供支持。大陆晶圆代工产能增速全球第一,聚焦成熟制程利好国产化推进。根据SIA和BCG预测,2021-2030年期间中国大陆的晶圆代工产能增速在全球范围内将排名第一。
9、伴随着大陆晶圆代工产能的快速扩张,特别是28nm及以上成熟制程晶圆代工产能快速扩张,大陆市场对于光刻胶等半导体材料的需求将与日俱增。而中美贸易摩擦对于半导体材料的限制或禁运,将加快国内已实现量产突破的产品向国内晶圆代工厂商的导入进度。同时,半导体光刻胶企业在获得持续订单后有望形成正反馈循环,依靠可持续性的资金流入,推动现有半导体光刻胶产品的产能扩增及新一代半导体光刻胶产品的研发。二、 光致产酸剂(Photo-AcidGenerator,PAG)化学放大的效果主要由PAG带来,PAG经过光照后可产酸,催化分子链反应,增强曝光部分和未曝光部分的溶解性差异。根据不同的化学结构PAG可分为鎓盐类、二甲
10、酰亚胺N-磺酰基类、安息香磺酰酸类、硝基苯磺酸类、砜类、肟酯类、三嗪类等。在选择PAG时,要考虑其产酸效率、酸扩散速率、耐热性、透明性、溶解性、酸性强弱、分解挥发产物等因素。三苯基六氟锑酸盐(TPS-SbF6)是首例用于化学放大型光刻胶的PAG,然而由于其含有金属离子容易对电子设备造成污染,所以逐渐被磺酸盐类取代。目前,KrF和ArF光刻胶中多用鎓盐来作为PAG,例如三芳基硫鎓盐和二芳基碘鎓盐。鎓盐由阳离子和阴离子组成,因此可以通过设计阴阳离子的结构达到改善PAG性能的目的,特别是PAG的阴离子结构对光刻胶的分辨率、灵敏度和线边粗糙度等关键指标有重要影响。第二章 项目概况一、 项目名称及项目单
11、位项目名称:阜新负性光刻胶项目项目单位:xx有限责任公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx园区,占地面积约66.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围报告是以该项目建设单位提供的基础资料和国家有关法令、政策、规程等以及该项目相关内外部条件、城市总体规划为基础,针对项目的特点、任务与要求,对该项目建设工程的建设背景及必要性、建设内容及规模、市场需求、建设内外部条件、项目工程方案及环境保护、项目实施进度计划、投资估算及资金筹措、经济效益及社会效益、项目风险等方面进行全面分析、测算和论证,以确定该项目建
12、设的可行性、效益的合理性。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;2、中国制造2025;3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册(第三版);4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。(二)技术原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠,保证项目投产后,能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠,并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施,以降低投资,加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全
13、设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求,符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案,以最大程度减少投资,提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性,实事求是地作出研究结论。五、 建设背景、规模(一)项目背景先进制程的发展并不意味着中低端产品的淘汰。芯片是由很多层结构有机地堆砌而成的,根据芯片结构设计,每一层的结构与沟槽尺寸各有区别。在芯片的制造过程中,特别是先进制程芯片的制造过程中,如果每一层都使用最先进光刻工艺、设备、材料来进行制造的话,对于晶圆制造厂商而言其建设芯片生产线的资本开支、后期设备的维护成本以及原材料成本将会过高。因
14、此在芯片中,有很多层的结构其实是可以使用前一代或者更早期的光刻工艺来完成的,这就使得KrF光刻胶、i线光刻胶和g线光刻胶等半导体光刻胶中相对中低端的产品在先进制程中也仍有用武之地。也正因如此,全球最顶级的光刻机厂商ASML在拥有了大量ArF和EUV光刻机的产品下,也仍然对外出售KrF光刻机和iLine光刻机等中低端产品。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积44000.00(折合约66.00亩),预计场区规划总建筑面积93786.59。其中:生产工程59650.45,仓储工程23179.82,行政办公及生活服务设施8141.02,公共工程2815.30。项目建成后,形成年产xx吨负性光刻胶的
15、生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx有限责任公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目污染物主要为废水、废气、噪声和固废等,通过污染防治措施后,各污染物均可达标排放,并且保持相应功能区要求。本项目符合各项政策和规划,本项目各种污染物采取治理措施后对周围环境影响较小。从环境保护角度,本项目建设是可行的。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资32975.98万元,其中:建设投资2
16、6241.44万元,占项目总投资的79.58%;建设期利息568.83万元,占项目总投资的1.72%;流动资金6165.71万元,占项目总投资的18.70%。(二)建设投资构成本期项目建设投资26241.44万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用22225.87万元,工程建设其他费用3448.39万元,预备费567.18万元。九、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入57100.00万元,综合总成本费用43582.72万元,纳税总额6196.21万元,净利润9905.37万元,财务内部收益率22.49%,财务净现值9060.24万
17、元,全部投资回收期5.79年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积44000.00约66.00亩1.1总建筑面积93786.591.2基底面积27280.001.3投资强度万元/亩378.282总投资万元32975.982.1建设投资万元26241.442.1.1工程费用万元22225.872.1.2其他费用万元3448.392.1.3预备费万元567.182.2建设期利息万元568.832.3流动资金万元6165.713资金筹措万元32975.983.1自筹资金万元21367.183.2银行贷款万元11608.804营业收入万元57100.00正常运营年
18、份5总成本费用万元43582.726利润总额万元13207.167净利润万元9905.378所得税万元3301.799增值税万元2584.3010税金及附加万元310.1211纳税总额万元6196.2112工业增加值万元20284.8613盈亏平衡点万元19397.05产值14回收期年5.7915内部收益率22.49%所得税后16财务净现值万元9060.24所得税后十、 主要结论及建议通过分析,该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构,改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。第三章 项目背景分析一、 聚4-羟基苯乙烯(PHOST)聚4-羟基苯乙烯(PHOS
19、T)因其在248nm波长下的透明性、高灵敏度和抗刻蚀性等优势,成为了用于KrF光刻技术的光刻胶的主要成分。通过引入不同的酸致脱保护基团,在光致产酸剂的配合下就可以使得KrF光刻胶拥有一定的光响应性,从而在光照条件下发生聚合物的溶解度变化。常见的酸致脱保护基团包括4-叔丁基氧基羰基(t-BOC)类、酯类和乙缩醛类三种。目前主流的KrF化学放大型正性光刻胶往往是具有多种取代基团的共聚物,通过调节聚合物整体的分子量和带有不同取代基团单体的配比来调节光刻胶的性能。根据KrF光刻胶的活化能,可以将KrF光刻胶分为高活化能胶(俗称高温胶,如ESCAP)和低活化能胶(低温胶,如乙缩醛类)。高温胶和低温胶因脱
20、保护的温度差异,导致了比较明显的性能差异。此外,由于空气中存在有一定量的碱性分子,在KrF光刻胶曝光后,光刻胶会接触空气导致曝光后所产生的光酸会被空气中的碱性成分中和掉,最终会造成光刻胶灵敏度的大幅度变化,这一现象被称为曝光到显影的时间延迟问题(PED)。为了解决这一问题,工业界除了采取在洁净室、光刻机等关键地方安装化学成分过滤器以外,还可以通过在光刻胶表面涂布一层保护层来隔绝空气中的碱性物质。二、 DUV光刻胶化学放大型KrF&ArF光刻胶在20世纪90年代初期,半导体光刻工艺的技术节点已发展至线宽0.25m,i线光刻技术及重氮萘醌-酚醛树脂体系光刻胶已不能满足如此高的分辨率要求,因此人们开
21、始寻求适用于具有更短波长的深紫外(DeepUltra-Violet,DUV)的光刻胶体系,即DUV光刻胶。当时的KrF和ArF等深紫外光刻机的曝光剂量都比较低,对于量子产率只有0.20.3的重氮萘醌-酚醛树脂体系光刻胶而言,只有极大程度地提高其灵敏度,最终曝光所产生的图像的对比度才能满足要求。此外,当光线从光刻胶顶部向光刻胶底部传播时会被逐渐吸收,如果底部光强不足,外加光刻胶灵敏度较低,则最终容易形成梯形形貌。梯形形貌会明显影响后续工艺的正常进行,从而限制光刻工艺分辨率的进一步提升。因此,提高光刻胶灵敏度的“化学放大”势在必行。1982年,美国IBM公司Ito和Wilson等人正式提出了化学放
22、大型光刻胶(ChemicallyAmplifiedResist,CAR)的概念。化学放大型光刻胶在光引发下能够产生一种催化剂,促使光化学反应迅速进行或者引发链式反应,从而快速改变基质性质进而产生图像。化学放大型光刻胶通常由聚合物骨架、光致产酸剂(Photo-AcidGenerator,PAG)、刻蚀阻挡基团、酸根、保护基团、溶剂等组成。三、 强化企业创新主体地位引导创新资源向企业集聚,增强政策的靶向作用,支持企业加大科研投入,提升企业涵养技术能力。利用高新技术企业、科技型中小企业科技创新优势,聚焦“四个优势产业”以及中药蒙药、固废利用、生态治理等特色领域,开展关键技术攻关和创新产品研发应用,打
23、造具有阜新特色的技术创新链。发挥龙头企业引领支撑作用,实施高新技术企业倍增计划,建立科技型中小微企业培育库,完善企业全生命周期梯度培育链条,打造一批“雏鹰”“瞪羚”“独角兽”企业和行业领军企业。面向京津冀地区、沈阳现代化都市圈,加强与加强与中科院沈阳分院等科技创新源头对接,引导企业承接溢出技术和成果。鼓励企业牵头组建技术创新战略联盟,加强与大连化物所、上海有机所、沈阳农业大学等高校院所产学研合作,促进更多科技成果在我市转化落地。四、 激发人才创新活力围绕区域产业布局和市场需求,深化人才发展体制机制改革,建立健全培养引进、评价激励、发展保障和柔性流动等机制,全方位培养、引进、用好人才。加强创新型
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