基本电子器件优秀PPT.ppt

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1、基本电子器件第1页，本讲稿共81页2.1半导体的基半导体的基本知识本知识2.1.1本征半导体本征半导体2.1.2杂质半导体杂质半导体2.1.3PN结结第2页，本讲稿共81页2.1.1 本征半导体本征半导体半导体半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体半导体 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子载流子 自由运动的带电粒子。自由运动的带电粒子。共价键共价键 相邻原子共有价电子所形成的束缚。相邻原子共有价电子所形成的束缚。第3页，本讲稿共81页硅硅(锗锗)的原子结构的原子结构简化简化模型模型惯性核惯性核硅硅(锗锗)的共价

2、键结构的共价键结构价电子价电子自自由由电电子子(束缚电子束缚电子)空空穴穴空穴空穴空穴可在共空穴可在共价键内移动价键内移动第4页，本讲稿共81页半导体的特性：光敏性光照影响 热敏性温度影响 掺杂性杂质半导体第5页，本讲稿共81页2.1.2 杂质半导体杂质半导体一、一、N 型半导体和型半导体和 P 型半导体型半导体N 型半导体型半导体+5+4+4+4+4+4磷原子磷原子自由电子自由电子电子为电子为多多数载流数载流子（多子）子（多子）空穴为空穴为少少数载流数载流子（少子）子（少子）第6页，本讲稿共81页P 型半导体型半导体+3+4+4+4+4+4硼原子硼原子空穴空穴空穴空穴 多子多子电子电子 少子

3、少子第7页，本讲稿共81页二、二、P 型、型、N 型半导体的简化图示型半导体的简化图示负离子负离子多数载流子多数载流子少数载流子少数载流子正离子正离子多数载流子多数载流子 少数载流子少数载流子P型半导体型半导体N型半导体型半导体第8页，本讲稿共81页2.1.3 PN 结结一、一、PN 结结(PN Junction)的形成的形成1.载流子的载流子的浓度差浓度差引起多子的引起多子的扩散扩散2.复合使交界面复合使交界面形成空间电荷区形成空间电荷区(耗尽层耗尽层)空间电荷区特点空间电荷区特点:无载流子，无载流子，阻止扩散进行，阻止扩散进行，利于少子的漂移。利于少子的漂移。内建电场内建电场第9页，本讲稿

4、共81页3.扩散和漂移达到扩散和漂移达到动态平衡动态平衡扩散电流扩散电流 等于漂移电流，等于漂移电流，总电流总电流 I=0二、二、PN 结的单向导电性结的单向导电性第10页，本讲稿共81页P 区区N 区区内电场内电场外电场外电场外电场使多子向外电场使多子向 PN 结移动结移动,中和部分离子中和部分离子使空间电荷区变窄。使空间电荷区变窄。IF限流电阻限流电阻扩散运动加强形成正向电流扩散运动加强形成正向电流 IF。IF=I多子多子 I少子少子 I多子多子2.外加外加反向反向电压电压(反向偏置反向偏置)reverse bias P 区区N 区区内电场内电场外电场外电场外电场使少子背离外电场使少子背离

5、 PN 结移动，结移动，空间电荷区变宽。空间电荷区变宽。IRPN 结的结的单向导电性单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大：正偏导通，呈小电阻，电流较大;反偏截止，电阻很大，电流近似为零。反偏截止，电阻很大，电流近似为零。漂移运动加强形成反向电流漂移运动加强形成反向电流 IRIR=I少子少子 01.外加外加正向正向电压电压(正向偏置正向偏置)forward bias第11页，本讲稿共81页三、三、PN 结的伏安特性结的伏安特性反向饱和反向饱和电流电流温度的温度的电压当量电压当量电子电量电子电量玻尔兹曼常玻尔兹曼常数数当当 T=300(27 C)：UT =26 mVOu/VI/mA正向特性正向

6、特性反反向向击击穿穿加正向电压时加正向电压时加反向电压时加反向电压时iIS第12页，本讲稿共81页2.2半导体二半导体二极管极管2.2.1 半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型2.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性2.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数2.2.4 稳压二极管稳压二极管2.2.5 二极管的应用举例二极管的应用举例第13页，本讲稿共81页2.2.1 半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型构成：构成：PN 结结+引线引线+管壳管壳=二极管二极管(Diode)符号：符号：A(anode)C(cathode)分类：分类：按材料分按材料分硅二极管硅二极管锗

7、二极管锗二极管按结构分按结构分点接触型点接触型面接触型面接触型平面型平面型第14页，本讲稿共81页点接触型点接触型正极正极引线引线触丝触丝N 型锗片型锗片外壳外壳负极负极引线引线负极引线负极引线 面接触型面接触型N型锗型锗PN 结结 正极引线正极引线铝合金铝合金小球小球底座底座金锑金锑合金合金正极正极引线引线负极负极引线引线集成电路中平面型集成电路中平面型PNP 型支持衬底型支持衬底第15页，本讲稿共81页第16页，本讲稿共81页OuD/ViD/mA正向特性正向特性Uth死区死区电压电压iD=0Uth=0.5 V 0.1 V(硅管硅管)(锗管锗管)U UthiD 急剧上升急剧上升0 U Uth

8、 UD(on)=(0.6 0.8)V硅管硅管 0.7 V(0.1 0.3)V锗管锗管 0.2 V反向特性反向特性ISU(BR)反反向向击击穿穿U(BR)U 0 iD=IS 0.1 A(硅硅)几十几十 A(锗锗)U U(BR)反向电流急剧增大反向电流急剧增大(反向击穿反向击穿)2.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性第17页，本讲稿共81页硅管的伏安特性硅管的伏安特性锗管的伏安特性锗管的伏安特性604020 0.02 0.040 0.4 0.82550iD/mAuD/ViD/mAuD/V0.20.4 25 50510150.010.020第18页，本讲稿共81页温度对二极管特性的影响温度对二

9、极管特性的影响604020 0.0200.42550iD/mAuD/V20 C90 CT 升高时，升高时，UD(on)以以(2 2.5)mV/C 下降下降第19页，本讲稿共81页2.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数1.IF 最大整流电流最大整流电流(最大正向平均电流最大正向平均电流)2.URM 最高反向工作电压最高反向工作电压，为为 U(BR)/2 3.IR 反向电流反向电流(越小单向导电性越好越小单向导电性越好)4.fM 最高工作频率最高工作频率(超过时单向导电性变差超过时单向导电性变差)iDuDU(BR)I FURMO第20页，本讲稿共81页2.2.4 稳压二极管稳压二极管一、伏安

10、特性一、伏安特性符号符号工作条件：工作条件：反向击穿反向击穿iZ/mAuZ/VO UZ IZmin IZmax UZ IZ IZ特性特性第21页，本讲稿共81页二、主要参数二、主要参数1.稳定电压稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。两端的反向电压值。2.稳定电流稳定电流 IZ 越大稳压效果越好，越大稳压效果越好，小于小于 Imin 时不稳压。时不稳压。3.最大工作电流最大工作电流 IZM 最大耗散功率最大耗散功率 PZMP ZM=UZ IZM第22页，本讲稿共81页补充：补充：发光二极管与光敏二极管发光二极管与光敏二极管一、发光二极管一、发光二极管 LE

11、D(Light Emitting Diode)1.符号和特性符号和特性工作条件：工作条件：正向偏置正向偏置一般工作电流几十一般工作电流几十 mA，导通电压导通电压(1 2)V符号符号u/Vi /mAO2特性特性第23页，本讲稿共81页2.主要参数主要参数电学参数：电学参数：I FM，U(BR)，IR光学参数：光学参数：峰值波长峰值波长 P，亮度亮度 L，光通量光通量 发光类型：发光类型：可见光：可见光：红、黄、绿红、黄、绿显示类型：显示类型：普通普通 LED，不可见光：不可见光：红外光红外光点阵点阵 LED七段七段 LED,第24页，本讲稿共81页第25页，本讲稿共81页二、光敏二极管二、光敏

12、二极管1符号和特性符号和特性符号符号特性特性uiO暗电流暗电流E=200 lxE=400 lx工作条件：工作条件：反向偏置反向偏置2.主要参数主要参数电学参数：电学参数：暗电流，光电流，最高工作范围暗电流，光电流，最高工作范围光学参数：光学参数：光谱范围，灵敏度，峰值波长光谱范围，灵敏度，峰值波长实物照片实物照片第26页，本讲稿共81页补充：补充：选择二极管限流电阻选择二极管限流电阻步骤：步骤：1.设定工作电压设定工作电压(如如 0.7 V；2 V(LED)；UZ)2.确定工作确定工作电流电流(如如 1 mA；10 mA；5 mA)3.根据欧姆定律求电阻根据欧姆定律求电阻 R=(UI UD)/

13、ID(R 要选择标称值要选择标称值)第27页，本讲稿共81页例例 1 画出硅二极管构成的桥式整流电路在画出硅二极管构成的桥式整流电路在ui=15sin t(V)作用下输出作用下输出 uO 的波形。的波形。(按理想模型按理想模型)Otui/V15RLV1V2V3V4uiBAuO2.2.5 二极管应用举例二极管应用举例第28页，本讲稿共81页OtuO/V15Otui/V15第29页，本讲稿共81页例例 2 分析简单稳压电路的工作原理，分析简单稳压电路的工作原理，R 为限流电阻。为限流电阻。IR=IZ+ILUO=UI IR RUIUORRLILIRIZ第30页，本讲稿共81页2.32.3双极型晶体管

14、双极型晶体管2.3.1 晶体三极管晶体三极管2.3.2 晶体三极管的特性曲线晶体三极管的特性曲线2.3.3 晶体三极管的主要参数晶体三极管的主要参数第31页，本讲稿共81页(Semiconductor Transistor)2.3.1 晶体三极管晶体三极管一、结构、符号和分类一、结构、符号和分类NNP发射极发射极 E基极基极 B集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型ECBECB第32页，本讲稿共81页分类分类：按材料分：按材料分：硅管、锗管硅管、锗管按功率分：按功率分：小功率管小

15、功率管 1 W中功率管中功率管 0.5 1 W第33页，本讲稿共81页二、电流放大原理二、电流放大原理1.三极管放大的条件三极管放大的条件内部内部条件条件发射区掺杂浓度高发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏2.满足放大条件的三种电路满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共发射极共集电极共集电极共基极共基极第34页，本讲稿共81页3.三极管内部载流子的传输过程三极管内部载流子的传输过程1)发射区向基区注入多子发射区向基区注入多子电子电子，形成发射极电流形成发射极电流

16、IE。I CN多数向多数向 集电结方向扩散形成集电结方向扩散形成 ICN。IE少数与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成 IBN。I BN基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供(IB)集电区少子漂移集电区少子漂移(ICBO)I CBOIBIBN IB+ICBO即：即：IB=IBN ICBO 2)电子到达基区后电子到达基区后(基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略)第35页，本讲稿共81页I CNIEI BNI CBOIB 3)集电区收集扩散过集电区收集扩散过 来的载流子形成集来的载流子形成集 电极电流电极电流 ICICI C=ICN +ICBO 第36页，本讲稿共81页4

17、.三极管的电流分配关系三极管的电流分配关系5.三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用第37页，本讲稿共81页2.3.2 晶体三极管的特性曲线晶体三极管的特性曲线一、输入特性一、输入特性输入输入回路回路输出输出回路回路与二极管特性相似与二极管特性相似第38页，本讲稿共81页O特性基本特性基本重合重合(电流分配关系确定电流分配关系确定)特性右移特性右移(因集电结开始吸引电子因集电结开始吸引电子)导通电压导通电压 UBE(on)硅管：硅管：(0.6 0.8)V锗管：锗管：(0.2 0.3)V取取 0.7 V取取 0.2 V第39页，本讲稿共81页二、输出特性二、输出特性iC/mAuCE/V50 A

18、40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 43211.截止区：截止区：IB 0 IC=ICEO 0条件：条件：两个两个PN结反偏结反偏截止区截止区ICEO第40页，本讲稿共81页iC/mAuCE/V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 43212.放大区：放大区：放大区放大区截止区截止区条件：条件：发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏特点：特点：水平、等间隔水平、等间隔ICEO第41页，本讲稿共81页iC/mAuCE/V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 43213.饱和区：饱和区：uCE u BEuCB=u

19、CE u BE 0条件：条件：两个两个PN结正偏结正偏特点：特点：IC IB临界饱和时：临界饱和时：uCE=uBE深度饱和时：深度饱和时：0.3 V(硅管硅管)UCE(SAT)=0.1 V(锗管锗管)放大区放大区截止区截止区饱饱和和区区ICEO第42页，本讲稿共81页三、温度对特性曲线的影响三、温度对特性曲线的影响(略略)1.温度升高，输入特性曲线温度升高，输入特性曲线向左移。向左移。温度每升高温度每升高 1 C，UBE (2 2.5)mV。温度每升高温度每升高 10 C，ICBO 约增大约增大 1 倍。倍。OT2 T1第43页，本讲稿共81页2.温度升高，输出特性曲线温度升高，输出特性曲线向

20、上移。向上移。iCuCE T1iB=0T2 iB=0iB=0温度每升高温度每升高 1 C，(0.5 1)%。输出特性曲线间距增大。输出特性曲线间距增大。O第44页，本讲稿共81页2.3.3 晶体三极管的主要参数晶体三极管的主要参数一、电流放大系数一、电流放大系数1.共发射极电流放大系数共发射极电流放大系数iC/mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 4321 直流电流放大系数直流电流放大系数 交流电流放大系数交流电流放大系数一般为几十一般为几十 几百几百Q第45页，本讲稿共81页二、极间反向饱和电流（略）二、极间反向饱和电流（略）CB 极极间反向饱和

21、电流间反向饱和电流 ICBOCE 极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICEO第46页，本讲稿共81页三、极限参数三、极限参数1.ICM 集电极最大允许电流，超过时集电极最大允许电流，超过时 值明显降低。值明显降低。2.PCM 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PC=iC uCE。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 区区第47页，本讲稿共81页2.4场效应管场效应管 引言引言2.4.1 结型场效应管结型场效应管2.4.3 场效应管的主要参数场效应管的主要参数2.4.2 MOS 场效应管场效应管第48页，本讲稿共81页引引 言言场效应管场效应管 FET(

22、Field Effect Transistor)类型：类型：结型结型 JFET(Junction Field Effect Transistor)绝缘栅型绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET)第49页，本讲稿共81页特点：特点：1.单极性器件单极性器件(一种载流子导电一种载流子导电)3.工艺简单、易集成、功耗小、工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低体积小、成本低2.输入电阻高输入电阻高 (107 1015 ，IGFET 可高达可高达 1015 )第50页，本讲稿共81页2.4.1 结型场效应管结型场效应管(略略)1.结构与符号结构与符号N 沟道沟道 JFETP 沟道沟

23、道 JFET第51页，本讲稿共81页2.工作原理工作原理uGS 0，uDS 0 此时此时 uGD=UGS(off)；沟道楔型沟道楔型耗尽层刚相碰时称耗尽层刚相碰时称预夹断。预夹断。预夹断预夹断当当 uDS ，预夹断预夹断点点下移。下移。第52页，本讲稿共81页3.转移特性和输出特性转移特性和输出特性UGS(off)当当 UGS(off)uGS 0 时时,uGSiDIDSSuDSiDuGS=3 V 2 V 1 V0 V 3 VOO第53页，本讲稿共81页一、增强型一、增强型 N 沟道沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi FET)2.4.2 MOS 场效应管场效应管1.结构与符

24、号结构与符号P 型衬底型衬底(掺杂浓度低掺杂浓度低)N+N+用扩散的方法用扩散的方法制作两个制作两个 N 区区在硅片表面生一在硅片表面生一层薄层薄 SiO2 绝缘层绝缘层S D用金属铝引出用金属铝引出源极源极 S 和漏极和漏极 DG在绝缘层上喷金在绝缘层上喷金属铝引出栅极属铝引出栅极 GB耗耗尽尽层层S 源极源极 SourceG 栅极栅极 Gate D 漏极漏极 DrainSGDB第54页，本讲稿共81页2.工作原理工作原理1)uGS 对导电沟道的影响对导电沟道的影响(uDS=0)反型层反型层(沟道沟道)第55页，本讲稿共81页1)uGS 对导电沟道的影响对导电沟道的影响(uDS=0)a.当当

25、 UGS=0，DS 间为两个背对背的间为两个背对背的 PN 结；结；b.当当 0 UGS UGS(th)DS 间间的的电电位位差差使使沟沟道道呈呈楔楔形形，uDS，靠靠近近漏漏极极端端的的沟沟道道厚厚度度变变薄。薄。预夹断预夹断(UGD=UGS(th)：漏极附近反型层消失。漏极附近反型层消失。预夹断发生之前：预夹断发生之前：uDS iD。预夹断发生之后：预夹断发生之后：uDS iD 不变。不变。第57页，本讲稿共81页3.转移特性曲线转移特性曲线2 4 64321uGS/ViD/mAUDS=10 VUGS(th)开启电压开启电压O第58页，本讲稿共81页4.输出特性曲线输出特性曲线可变电阻区可

26、变电阻区uDS uGS UGS(th)uDS iD ，直到预夹断，直到预夹断饱和饱和(放大区放大区)uDS，iD 不变（恒流）不变（恒流）uDS 加在耗尽层上，沟道电阻不变加在耗尽层上，沟道电阻不变截止区截止区uGS UGS(th)全夹断全夹断 iD=0 iD/mAuDS/VuGS=2 V4 V6 V8 V截止区截止区 饱和区饱和区可可变变电电阻阻区区放大区放大区恒流区恒流区OuGS iD （放大，压控）（放大，压控）第59页，本讲稿共81页二、耗尽型二、耗尽型 N 沟道沟道 MOSFET（略）（略）SGDB Sio2 绝绝缘缘层层中中掺掺入入正正离离子子在在 uGS=0 时时已已形形成成沟沟

27、道道；在在 DS 间加正电压时形成间加正电压时形成 iD，uGS UGS(off)时，全夹断。时，全夹断。第60页，本讲稿共81页二、耗尽型二、耗尽型 N 沟道沟道 MOSFET输出特性输出特性uGS/ViD/mA转移特性转移特性IDSSUGS(off)夹断夹断电压电压饱和漏饱和漏极电流极电流当当 uGS UGS(off)时，时，uDS/ViD/mAuGS=4 V 2 V0 V2 VOO第61页，本讲稿共81页三、三、P 沟道沟道 MOSFET增强型增强型耗尽型耗尽型SGDBSGDB第62页，本讲稿共81页N 沟道沟道增强型增强型SGDBiDP 沟道沟道增强型增强型SGDBiD2 2 OuGS

28、/ViD/mAUGS(th)SGDBiDN 沟道耗尽沟道耗尽型型iDSGDBP 沟道耗尽沟道耗尽型型UGS(off)IDSSuGS/ViD/mA 5 O5FET 符号、特性的比较符号、特性的比较第63页，本讲稿共81页O uDS/ViD/mA5 V2 V0 V2 VuGS=2 V0 V 2 V 5 VN 沟道结沟道结型型SGDiDSGDiDP 沟道结沟道结型型uGS/ViD/mA5 5 OIDSSUGS(off)O uDS/ViD/mA5 V2 V0 VuGS=0 V 2 V 5 V第64页，本讲稿共81页2.4.3 场效应管的主要参数场效应管的主要参数1.开启电压开启电压 UGS(th)(增

29、强型增强型)夹断电压夹断电压 UGS(off)(耗尽型耗尽型)指指 uDS=某值，使漏极某值，使漏极 电流电流 iD 为某一小电流时为某一小电流时 的的 uGS 值。值。UGS(th)UGS(off)2.饱和漏极电流饱和漏极电流 IDSS耗尽型场效应管，当耗尽型场效应管，当 uGS=0 时所对应的漏极电流。时所对应的漏极电流。IDSSuGS/ViD/mAO第65页，本讲稿共81页1.运放的电压传输特性运放的电压传输特性：2.6集成器件集成器件第66页，本讲稿共81页2.理想运算放大器：理想运算放大器：开环电压放大倍数开环电压放大倍数 AV=差摸输入电阻差摸输入电阻 rid=输出电阻输出电阻 r

30、0=0为了扩大运放的线性区，为了扩大运放的线性区，给运放电路引入负反馈：给运放电路引入负反馈：运放工作在线性区的分析方法：运放工作在线性区的分析方法：虚短（虚短（U+=U-）虚断（虚断（i+=i-=0）3.线性区线性区第67页，本讲稿共81页小小 结结第第 2 2 章章第68页，本讲稿共81页一、两种半导体和两种载流子一、两种半导体和两种载流子两种载流两种载流子的运动子的运动电子电子 自由电子自由电子空穴空穴 价电子价电子两两 种种半导体半导体N 型型 (多电子多电子)P 型型 (多空穴多空穴)二、二、二极管二极管1.1.特性特性特性特性 单向单向导电导电导电导电正向电阻小正向电阻小(理想为理

31、想为 0)，反向电阻大反向电阻大()。第69页，本讲稿共81页iDO uDU(BR)I FURM2.主要参数主要参数正向正向 最大平均电流最大平均电流 IF反向反向 最大反向工作电压最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿超过则击穿)反向饱和电流反向饱和电流 IS (受温度影响受温度影响)IS第70页，本讲稿共81页3.二极管的等效模型二极管的等效模型理想模型理想模型 (大信号状态采用大信号状态采用)正偏导通正偏导通 电压降为零电压降为零 相当于理想开关闭合相当于理想开关闭合反偏截止反偏截止 电流为零电流为零 相当于理想开关断开相当于理想开关断开UD(on)=(0.6 0.8)V估算时取估算时

32、取 0.7 V硅管：硅管：锗管：锗管：(0.1 0.3)V0.2 V导通压降：导通压降：第71页，本讲稿共81页4.特殊二极管特殊二极管工作条件工作条件主要用途主要用途稳压二极管稳压二极管反反 偏偏稳稳 压压发光二极管发光二极管正正 偏偏发发 光光光敏二极管光敏二极管反反 偏偏光电转换光电转换第72页，本讲稿共81页三、两种半导体放大器件三、两种半导体放大器件双极型半导体三极管双极型半导体三极管(晶体三极管晶体三极管 BJT)单极型半导体三极管单极型半导体三极管(场效应管场效应管 FET)两种载流子导电两种载流子导电多数载流子导电多数载流子导电晶体三极管晶体三极管1.形式与结构形式与结构NPN

33、PNP三区、三极、两结三区、三极、两结2.特点特点基极电流控制集电极电流并实现基极电流控制集电极电流并实现放大放大第73页，本讲稿共81页放放大大条条件件内因：发射区载流子浓度高、内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大基区薄、集电区面积大外因：外因：发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏3.电流关系电流关系IE=IC+IBIC=IB IE=(1+)IB 第74页，本讲稿共81页4.特性特性iC/mAuCE /V100 A80 A60 A40 A20 AIB=0O 3 6 9 124321O0.4 0.8iB/AuBE/V60402080死区电压死区电压(Uth)：0.5 V(硅管

34、硅管)0.1 V(锗管锗管)工作电压工作电压(UBE(on)：0.6 0.8 V 取取 0.7 V(硅管硅管)0.2 0.3 V 取取 0.3 V(锗管锗管)饱饱和和区区截止区截止区第75页，本讲稿共81页iC/mAuCE /V100 A80 A60 A40 A20 AIB=0O 3 6 9 124321放大区放大区饱饱和和区区截止区截止区放大区特点：放大区特点：1)iB 决定决定 iC2)曲线水平表示恒流曲线水平表示恒流3)曲线间隔表示受控曲线间隔表示受控第76页，本讲稿共81页5.参数参数特性参数特性参数电流放大倍数电流放大倍数 极间反向电流极间反向电流ICBOICEO极限参数极限参数IC

35、MPCMU(BR)CEOuCEOICEOiCICMU(BR)CEOPCM安安 全全 工工 作作 区区=(1+)ICBO第77页，本讲稿共81页场效应管场效应管1.分类分类按导电沟道分按导电沟道分 N 沟道沟道P 沟道沟道按结构分按结构分 绝缘栅型绝缘栅型(MOS)结型结型按特性分按特性分 增强型增强型耗尽型耗尽型uGS=0 时，时，iD=0uGS=0 时，时，iD 0增强型增强型耗尽型耗尽型(耗尽型耗尽型)第78页，本讲稿共81页2.特点特点栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流输入电阻高，工艺简单，易集成输入电阻高，工艺简单，易集成由于由于 FET 无栅极电

36、流，故采用无栅极电流，故采用转移特性转移特性和和输出特性输出特性描述描述3.特性特性第79页，本讲稿共81页四、晶体管电路的基本问题和分析方法四、晶体管电路的基本问题和分析方法三种工作状态三种工作状态状态状态电流关系电流关系 条条 件件放大放大I C=IB发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏饱和饱和 I C IB两个结正偏两个结正偏ICS=IBS 集电结零偏集电结零偏临界临界截止截止IB U(th)则则导通导通以以 NPN为为 例：例：UBE UB UE放大放大UE UC UB饱和饱和PNP 管管UC UB UC U B饱和饱和2.电流判别法电流判别法IB IBS 则则饱和饱和IB IBS 则则放大放大第81页，本讲稿共81页