安庆碳化硅器件项目投资计划书参考范文.docx
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1、泓域咨询/安庆碳化硅器件项目投资计划书安庆碳化硅器件项目投资计划书xxx有限责任公司目录第一章 项目建设背景、必要性8一、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力8二、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低9三、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积10四、 建设产业链高效协同的先进制造业集群11五、 提升开放型经济发展水平12六、 项目实施的必要性13第二章 市场预测15一、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代15二、 光伏:SiC光伏逆变器性能提升显著,广泛应用未来可期16第三章 项目概况17一、 项
2、目概述17二、 项目提出的理由18三、 项目总投资及资金构成19四、 资金筹措方案19五、 项目预期经济效益规划目标19六、 项目建设进度规划20七、 环境影响20八、 报告编制依据和原则20九、 研究范围21十、 研究结论22十一、 主要经济指标一览表22主要经济指标一览表22第四章 项目选址分析25一、 项目选址原则25二、 建设区基本情况25三、 推进开发区高质量发展28四、 项目选址综合评价29第五章 产品规划与建设内容30一、 建设规模及主要建设内容30二、 产品规划方案及生产纲领30产品规划方案一览表31第六章 法人治理结构32一、 股东权利及义务32二、 董事34三、 高级管理人
3、员38四、 监事40第七章 SWOT分析43一、 优势分析(S)43二、 劣势分析(W)45三、 机会分析(O)45四、 威胁分析(T)46第八章 组织机构、人力资源分析50一、 人力资源配置50劳动定员一览表50二、 员工技能培训50第九章 原辅材料及成品分析52一、 项目建设期原辅材料供应情况52二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理52第十章 节能方案54一、 项目节能概述54二、 能源消费种类和数量分析55能耗分析一览表56三、 项目节能措施56四、 节能综合评价58第十一章 项目环保分析59一、 编制依据59二、 建设期大气环境影响分析60三、 建设期水环境影响分析61四、 建设期固
4、体废弃物环境影响分析62五、 建设期声环境影响分析62六、 环境管理分析63七、 结论64八、 建议64第十二章 工艺技术分析66一、 企业技术研发分析66二、 项目技术工艺分析68三、 质量管理69四、 设备选型方案70主要设备购置一览表71第十三章 投资计划72一、 编制说明72二、 建设投资72建筑工程投资一览表73主要设备购置一览表74建设投资估算表75三、 建设期利息76建设期利息估算表76固定资产投资估算表77四、 流动资金78流动资金估算表79五、 项目总投资80总投资及构成一览表80六、 资金筹措与投资计划81项目投资计划与资金筹措一览表81第十四章 项目经济效益分析83一、
5、基本假设及基础参数选取83二、 经济评价财务测算83营业收入、税金及附加和增值税估算表83综合总成本费用估算表85利润及利润分配表87三、 项目盈利能力分析87项目投资现金流量表89四、 财务生存能力分析90五、 偿债能力分析91借款还本付息计划表92六、 经济评价结论92第十五章 风险评估分析94一、 项目风险分析94二、 项目风险对策96第十六章 项目综合评价98第十七章 附表99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表99固定资产折旧费估算表100无形资产和其他资产摊销估算表101利润及利润分配表102项目投资现金流量表103借款还本付息计划表104建设投资估算表105
6、建设投资估算表105建设期利息估算表106固定资产投资估算表107流动资金估算表108总投资及构成一览表109项目投资计划与资金筹措一览表110本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目建设背景、必要性一、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块,在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期,主要器件类型为SiC二极管,以及在高端车系应用,目前渗透率较低。未来随着:1)特斯拉、比亚迪等
7、头部新能源车厂带来的“示范效应”,更多车企将会逐步采用SiC方案;2)碳化硅器件价格逐步下降,成本经济效益不断提升;3)800V架构时代来临,SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显,损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年,特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCMOSFET,开启电动汽车使用SiC先河,随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中,在2020年比亚迪汉搭载自主研发制造的SiCMOSFET控制模块,整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年,碳化硅器件
8、在新能源汽车中应用进入快速增长阶段,国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息,在未来几年,小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用SiC器件,新能源汽车中应用SiC器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。二、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管(IGBT、MOSFET等)是OBC中主要应用的功率器件,采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢
9、复硅基二极管。1)影响二极管损耗的指标包括正向导通压降(VF)、反向恢复电流(IR)、输入电容(QC)和开通关断速度等。相比于硅基SBD,SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计,使得反向恢复损耗极低,在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时,QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势,在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时,由于SiC材料的优势,SiC二极管的结温更高,其可在更高温度下保持正常工作状态,在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外,SiC二极管可实现更高频率及功率密度,从而提升系统整体效率。全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺
10、寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC,可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。三、 主逆变器:800V系统下SiCM
11、OSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案,如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET,如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT,则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右(按照艾睿供应商网站价格计算,实际大批量采购价格更低),但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素,会率先在中高端车型上使用。1)损耗更低:根据ST的数据,800V系统下,1200VSiCMOSFE
12、T较IGBT总损耗更低,在常用的25%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%,在100%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2)高压下性能优势更加明显:在400V左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下,功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT,但对比之下,SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据,在400V电压平台下,SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升;而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场
13、上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知,1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显,主要体现为损耗降低幅度更大。3)耐高温:SiC的结温更高,能够在超过175度的高温下正常工作,较IGBT更加适合高温环境。4)体积节约:根据ST,在10kHz工作频率和800V架构的情况下,对于一个210kW的逆变器,若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案:1)使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2;2)开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3)损耗的降低使得PCU(电源控制单元)的尺寸得以减少,相对应的冷却系统体积也将得以简化。四、 建设产业
14、链高效协同的先进制造业集群加速推进首位产业和战略性新兴产业集群化发展,强化产业协同发展,推进产业基础高级化、产业链现代化。实施千亿产业引领工程,充分发挥江淮、振宜、雷萨等整车企业龙头带动作用,继续加大整车企业引进培育力度,形成50万辆整车产能,带动汽车零部件和汽车电子发展,建成汽车千亿产业集群;推进安庆石化转型升级等重大项目,大力发展工程塑料、高性能树脂纤维、复合材料、电子化学品,着力延伸产业链、提升聚集度,建成化工新材料千亿产业集群。支持装备制造、医工医药、电子信息、纺织服装、食品加工、绿色包装、医卫制品等产业做大做强、做特做精,形成规模优势、配套优势和部分领域先发优势,打造一批五百亿级产业
15、集群。培育实体经济领军力量,打造10家左右百亿级“群主”企业、“链长”企业和一批行业“冠军”企业。大力发展新能源汽车、新一代信息技术、新能源、新材料、高端装备、智能网联汽车、绿色环保等战略性新兴产业,积极布局人工智能、生物工程、前沿新材料等未来产业。推进质量强市建设,完善质量管理、标准计量、检验检测、认证认可等质量技术服务体系,引导企业围绕研发创新、设计创意、生产制造、质量管理实施品牌战略,打造一批叫响国内国际市场的知名品牌。大力弘扬企业家精神、劳模精神、劳动精神、工匠精神,形成支持实体经济发展的良好社会环境。五、 提升开放型经济发展水平健全外贸企业孵化培育机制,加快培育出口企业集群,打造一批
16、创新型外贸龙头企业和自主品牌企业,建设一批省级和国家级外贸转型示范基地,支持企业建设出口产品海外仓。加大国际化招商引资力度,引进一批重大外资项目。支持优势企业面向国际市场、提升竞争能力,深度参与“一带一路”等投资合作,提升“走出去”规模和水平。支持外向型企业布局国内销售网络,加强渠道和品牌建设,推动内外销产品同线同标同质,促进内贸外贸、线上线下一体融合。六、 项目实施的必要性(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资
17、源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第二章 市场预测一、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加
18、速替代大功率直流充电桩需求旺盛,SiC协力实现高效快充。政策方面,2020年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个150kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提升。Yole预计2020-2025年,全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30%的CAGR增长,高于平均的15.6%。SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动
19、车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在DC/DC中,使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效率。同样在AC/DC中,使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上,SiC方案能使得整体充电器
20、体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz下,采用SiC二极管替代Si二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多80%输出功率的提升。二、 光伏:SiC光伏逆变器性能提升显著,广泛应用未来可期基于硅基器件的传统逆变器成本约占光伏发电系统10%,却是系统能量损耗的主要来源之一。使用SiCMOSFET功率模块的光伏逆变器,其转换效率可从98.8%提升至99%以上,能量损耗降低8%,相同条件下输出功率提升27%,推动发电系统在体积、寿命及成本上实现重要突破。英飞凌最早于2012年推出CoolSiC
21、系列产品应用于光伏逆变器,2020年以来,西门子、安森美等众多厂商陆续推出相关产品,碳化硅光伏逆变器应用进一步推广。据CASA数据,2020年光伏逆变器中碳化硅器件渗透率为10%,预计2025年将增长至50%。高效、高功率密度、高可靠和低成本为光伏逆变器未来发展趋势,SiC器件有望迎来广阔增量空间。第三章 项目概况一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:安庆碳化硅器件项目2、承办单位名称:xxx有限责任公司3、项目性质:扩建4、项目建设地点:xx园区5、项目联系人:汪xx(二)主办单位基本情况公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定,制定并由股东大会审议通过了董事会议事规
22、则,董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司坚持提升企业素质,即“企业管理水平进一步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念,倡导“诚信尊重”的企业情怀;坚持“品质营造未来,细节决定成败”为质量方针;以“真诚服务赢得市场,以优质品质谋求发展”的营销思路;以科学发展观纵观全局,争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”
23、的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx园区,占地面积约31.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xxx吨碳化硅器件/年。二、 项目提出的理由OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管(IGBT、MOSFET等)是OBC中主要应用的功率器件,采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的
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