邵阳存储设备项目招商引资方案模板.docx

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1、泓域咨询/邵阳存储设备项目招商引资方案目录第一章 项目背景及必要性8一、 行业发展现状及未来发展趋势8二、 半导体存储器简介8三、 半导体存储产业链特征10四、 提升产业现代化水平，打造国家重要先进制造业高地11第二章 项目概况15一、 项目名称及建设性质15二、 项目承办单位15三、 项目定位及建设理由16四、 报告编制说明18五、 项目建设选址20六、 项目生产规模20七、 建筑物建设规模21八、 环境影响21九、 项目总投资及资金构成21十、 资金筹措方案22十一、 项目预期经济效益规划目标22十二、 项目建设进度规划22主要经济指标一览表23第三章 市场分析25一、 全球半导体存储产业

2、概况25二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线27三、 行业发展面临的机遇与挑战29第四章 项目选址33一、 项目选址原则33二、 建设区基本情况33三、 积极拓宽对外经贸合作35四、 全面融入新发展格局36五、 项目选址综合评价36第五章 产品方案与建设规划38一、 建设规模及主要建设内容38二、 产品规划方案及生产纲领38产品规划方案一览表38第六章 SWOT分析说明40一、 优势分析（S）40二、 劣势分析（W）41三、 机会分析（O）42四、 威胁分析（T）43第七章 法人治理结构51一、 股东权利及义务51二、 董事56三、 高级管理人员60四、 监事63第八章 运营模式分析64

3、一、 公司经营宗旨64二、 公司的目标、主要职责64三、 各部门职责及权限65四、 财务会计制度68第九章 环境影响分析72一、 环境保护综述72二、 建设期大气环境影响分析73三、 建设期水环境影响分析77四、 建设期固体废弃物环境影响分析78五、 建设期声环境影响分析78六、 环境影响综合评价78第十章 劳动安全评价79一、 编制依据79二、 防范措施80三、 预期效果评价86第十一章 工艺技术及设备选型87一、 企业技术研发分析87二、 项目技术工艺分析90三、 质量管理91四、 设备选型方案92主要设备购置一览表93第十二章 进度计划94一、 项目进度安排94项目实施进度计划一览表94

4、二、 项目实施保障措施95第十三章 项目节能方案96一、 项目节能概述96二、 能源消费种类和数量分析97能耗分析一览表97三、 项目节能措施98四、 节能综合评价99第十四章 人力资源配置分析100一、 人力资源配置100劳动定员一览表100二、 员工技能培训100第十五章 投资估算及资金筹措102一、 投资估算的编制说明102二、 建设投资估算102建设投资估算表104三、 建设期利息104建设期利息估算表105四、 流动资金106流动资金估算表106五、 项目总投资107总投资及构成一览表107六、 资金筹措与投资计划108项目投资计划与资金筹措一览表109第十六章 经济效益及财务分析1

5、11一、 经济评价财务测算111营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表112固定资产折旧费估算表113无形资产和其他资产摊销估算表114利润及利润分配表116二、 项目盈利能力分析116项目投资现金流量表118三、 偿债能力分析119借款还本付息计划表120第十七章 项目风险防范分析122一、 项目风险分析122二、 项目风险对策124第十八章 项目综合评价127第十九章 附表附录129主要经济指标一览表129建设投资估算表130建设期利息估算表131固定资产投资估算表132流动资金估算表133总投资及构成一览表134项目投资计划与资金筹措一览表135营业收入、税金及附加

6、和增值税估算表136综合总成本费用估算表136固定资产折旧费估算表137无形资产和其他资产摊销估算表138利润及利润分配表139项目投资现金流量表140借款还本付息计划表141建筑工程投资一览表142项目实施进度计划一览表143主要设备购置一览表144能耗分析一览表144报告说明RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度慢于SRAM；此外，由于DRAM需要

7、周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器，主要用作CPU处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。根据谨慎财务估算，项目总投资17008.29万元，其中：建设投资13414.59万元，占项目总投资的78.87%；建设期利息167.60万元，占项目总投资的0.99%；流动资金3426.10万元，占项目总投资的20.14%。项目正常运营每年营业收入36100.00万元，综合总成本费用27175.35万元，净利润6542.74万元，财务内部收益率32.12%，财务净现值13306.70万元，全部投资回收期4.55年。本

8、期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。通过分析，该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构，改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目背景及必要性一、 行业发展现状及未来发展趋势集成电路产业是现代信息产业的基础，集成电路主要分为存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片、微处理器芯片等。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2020年全球集成电路产业规模为3,612.26亿美元，其中存储芯片规模为1,174.8

9、2亿美元，约占集成电路产业总体规模的32.52%，与逻辑芯片共同构成集成电路产业的两大支柱。二、 半导体存储器简介存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放，半导体存储是集成电路的重要分支。1、易失性存储易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态

10、随机存取存储器（SRAM）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度慢于SRAM；此外，由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器，主要用作CPU处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。2、非易失性存储非易失性存储主要指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信

11、息，故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（MaskROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“只读”限制。Flash主要包括NANDFlash和NORFlash。NANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他ROM；在正常使用情况下，Flash所存的电荷（数据）可长期保存；同时，NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决

12、方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash特点在于允许CPU直接从存储单元中读取代码执行（eXecuteInPlace,XIP），即应用程序可直接在Flash内运行，而不必再读到系统RAM中；但NORFlash写入和擦除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。三、 半导体存储产业链特征半导体存储产业链形态与逻辑芯片产业有所不同。逻辑芯片产业从1990年代起，受降低成本和提升效率等要素驱动，原来主流的IDM（设计-制造垂直整合）模式向产业链分工模式切换，Fabless（设计）、Foundry（制造）、Test（测试）各环节开始独立，产业链纵向分化

13、；而半导体存储器由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密，半导体存储主要晶圆厂仍采用IDM模式经营。同时，半导体存储器核心功能即为数据存储，存储晶圆标准化程度高，应用场景所需的功能则在NANDFlash主控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现。因此存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。由于以上的产业特征，部分存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透，同时独立的存储器供应商（含品牌商）应运而生。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆IC设计与提升晶圆制程，在产品应用领域，囿于产品化成本等要素限制，原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和

14、客户（如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户）。存储原厂的目标市场之外，仍存在极为广泛的应用场景和市场需求，包括细分行业存储需求（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等）以及主流应用市场中小客户的需求。存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求，进行晶圆分析、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计、芯片测试、提供后端的技术支持等，将标准化存储晶圆转化为存储产品，扩展了半导体存储器的应用场景，提升了半导体存储器在各类应用场景的适用性，推动实现存储晶圆的产品化，是半导体存储产业链承上启下的重要环节。领先的存储器厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉，推

15、动存储产品企业塑造自身的品牌形象，进而巩固其市场地位并改善利润空间，推动其增加研发投入，形成良性循环。四、 提升产业现代化水平，打造国家重要先进制造业高地坚持把发展经济的着力点放在实体经济上，以背水一战的决心、卧薪尝胆的狠心、久久为功的恒心发展产业特别是先进制造业，加快构建现代化产业体系。（一）推动先进制造业高质量发展建设千亿级先进制造业产业集群，巩固壮大实体经济根基。实施装备制造业智能化改造行动，建设全球知名的先进装备制造基地。实施中国（邵阳）特种玻璃谷特色产业园建设行动，打造具有国际先进水平的新型显示器件制造基地。实施机械零部件配套行动，建设全国有影响力的专用汽车、工程机械、轨道交通等零部

16、件配套基地。实施智能家电家居提升行动，建设中南地区领先的智能家电家居生产基地。实施特色轻工“专精特新”行动，建设中部地区最大的特色轻工研发、生产基地。实施中医药产业创优行动，建设全国特色中医药制造基地。实施新能源新材料培育行动，建设中部地区重要的新能源新材料生产基地。实施质量提升行动，加强标准、计量、专利、检测等建设，打造邵阳制造业品牌，提高竞争力和美誉度。（二）提升产业链供应链现代化水平实施制造强市“一二三工程”，加快推进先进装备制造、显示功能材料、智能家居家电、时尚用品、循环经济、中医药、互联网七大工业新兴优势产业链建设。实施产业基础再造计划，提升新型显示器件、核心基础零部件、关键基础材料

17、、先进基础工艺等供给能力，打造自主可控、安全高效的产业链供应链。实施产业链精准招商计划，优化区域产业链布局，每个县、园区围绕一至两个主导产业建链补链延链强链。（三）推动先进制造业与现代服务业深度融合落实先进制造业与现代服务业融合政策支持，建设先进制造业相关上下游企业和现代服务业企业产业联盟。大力发展工业品流通、现代物流、现代金融、电子商务、商务会展、总部经济、科技服务、服务外包等生产性服务业，鼓励各类市场主体参与基础性、公益性服务业供给，推动生产性服务业向专业化和价值链高端延伸。（四）推动数字产业化和产业数字化建设大数据中心，大力发展数字经济，加快新一代信息技术和制造业融合发展，推进数字经济产

18、业园、数字经济孵化园、电子商务产业园等建设，打造全省制造业转型升级示范区。以供给侧结构性改革为主线，以智能制造为主攻方向，培育发展云计算、物联网、人工智能、5G网络等新一代电子信息制造业，加快工业互联网创新发展，推动企业“上云用数赋智”。夯实数字融合发展支撑，打造数字化创新平台载体，健全智能化现代供应链体系，提升制造业数字化、网络化、智能化发展水平，推动制造业生产方式和企业形态根本性变革。（五）推动沪昆百里工业走廊建设提质提效围绕“一核一带多点”工业发展格局，推进工业园区建设，打造一批承接转移能力强、产业集聚度高的特色园区、优势园区。建好产业发展、公共服务、技术支撑、融资担保平台，推动动能升级

19、、功能升级、效能升级。坚持“亩产论英雄”，以产出效益为导向优化园区资源配置，提升集约集聚发展水平。深化园区体制机制改革，加快园区调规扩区，优化拓展发展空间。推动园区薪酬制度改革，以岗定薪、优绩优酬，打造创新人才荟萃、创新主体集聚、创新成果涌流、创新活力迸发的“园区样板”。探索园区建设、管理和服务市场化，鼓励与发达地区、国家级开发区、战略投资者共建园区。建成2个千亿级园区、5个五百亿级园区，创建1个国家级经济开发区、1个国家级高新技术产业开发区。第二章 项目概况一、 项目名称及建设性质（一）项目名称邵阳存储设备项目（二）项目建设性质本项目属于技术改造项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称x

20、x公司（二）项目联系人曹xx（三）项目建设单位概况公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司依据公司法等法律法规、规范性文件

21、及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。三、 项目定位及建设理由NANDFlash中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要应

22、用于服务器、个人电脑等。决胜全面建成小康社会取得决定性成就，为开启全面建设社会主义现代化新征程奠定坚实基础。“十三五”时期是我市发展很不平凡、富有成效的五年。面对错综复杂的国内外环境和艰巨繁重的改革发展稳定任务，特别是新冠肺炎疫情严重冲击，市委在省委的坚强领导下，加快推进“二中心一枢纽”建设，“十三五”目标任务即将完成，全面建成小康社会胜利在望，高质量发展迈出坚实步伐。经济实力跨越新的台阶，地区生产总值突破2000亿元大关，重返全省第二方阵首位，反映地方经济基础和综合实力的市场主体“四上”单位年增量保持全省前两位，其中规模以上工业企业总量居全省第二、湘中湘西南首位。产业建设实现质的飞跃，七大工

23、业新兴优势产业链发展壮大，引进并建成解决国家关键核心技术“卡脖子”问题高精尖项目，实现百亿企业零的突破，工业园区在全省三年综合评价中名列第一，建成湘中湘西南规模最大、覆盖人口最多的邵阳沪昆百里工业走廊，农业“一县一特、一特一片”基本形成。三大攻坚战取得重大进展，约占全省六分之一的贫困县全部摘帽、贫困村全部出列、贫困人口将全部脱贫，减少贫困人口114万，减贫人口全省最多；污染防治攻坚战取得重大进展，生态环境明显改善，湖南首个国家公园呼之欲出；风险防范有力有效，守住了不发生系统性风险底线。发展活力得到充分释放，“放管服”、工业园区管理、行政执法体制、公共资源交易、生态文明体制等重要领域、关键环节改

24、革纵深推进；湘南湘西承接产业转移示范区建设走在前列，邵阳海关开关运行，工业园区保税仓和监管仓全覆盖，迎老乡回故乡建家乡成效显著，与中非、东盟等贸易日益密切，我市成为湖南对接东盟的桥头堡。城乡面貌发生根本变化，“双百”城市建设取得明显进展，成功创建全国卫生城市，入选全国文明城市提名城市，全国森林城市创建指标均达到或超过验收标准，建成邵阳文化体育事业发展史上具有里程碑意义的市文化艺术中心、体育中心，构建“铁公机一体”现代交通网，成为全国重要区域性综合交通枢纽和全国三四线城市中为数不多的高铁始发、直达北上广深的城市。民生福祉有了显著改善，农村通硬化路、卫生室、农网改造、危房改造、安全饮水、综合服务平

25、台等全覆盖，就业、教育、医疗、文化、通讯等民生实事扎实推进，基本养老、医疗、失业、工伤、生育保险覆盖面进一步扩大，新冠肺炎疫情防控取得重大胜利成果。社会治理开创崭新局面，“一村一辅警”“邵阳快警”创造全国全省社会治理品牌，平安邵阳、法治邵阳建设显著加强。全面从严治党深入推进，民主政治、宣传思想文化等工作不断加强，风清气正的政治生态进一步形成。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）报告编制原则本项目从节约资源、保护环境的角度出

26、发，遵循创新、先进、可靠、实用、效益的指导方针。保证本项目技术先进、质量优良、保证进度、节省投资、提高效益，充分利用成熟、先进经验，实现降低成本、提高经济效益的目标。1、力求全面、客观地反映实际情况，采用先进适用的技术，以经济效益为中心，节约资源，提高资源利用率，做好节能减排，在采用先进适用技术的同时，做好投资费用的控制。2、根据市场和所在地区的实际情况，合理制定产品方案及工艺路线，设计上充分体现设备的技术先进，操作安全稳妥，投资经济适度的原则。3、认真贯彻国家产业政策和企业节能设计规范，努力做到合理利用能源和节约能源。采用先进工艺和高效设备，加强计量管理，提高装置自动化控制水平。4、根据拟建

27、区域的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及安全，保护环境、节约用地原则进行布置；同时遵循国家安全、消防等有关规范。5、在环境保护、安全生产及消防等方面，本着“三同时”原则，设计上充分考虑装置在上述各方面投资，使得环境保护、安全生产及消防贯穿工程的全过程。做到以新代劳，统一治理，安全生产，文明管理。（二） 报告主要内容本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。五、 项目

28、建设选址本期项目选址位于xx（待定），占地面积约42.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx套存储设备的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积44850.99，其中：生产工程31409.28，仓储工程6199.20，行政办公及生活服务设施5125.71，公共工程2116.80。八、 环境影响本项目符合国家和地方产业政策，建成后有较高的社会、经济效益；拟采用的各项污染防治措施合理、有效，水、气污染物、噪声均可实现达标排放，固体废物可实现零排放；项目投产后，对周边环境污染影

29、响不明显，环境风险事故出现概率较低；环保投资可基本满足污染控制需要，能实现经济效益和社会效益的统一。因此在下一步的工程设计和建设中，如能严格落实建设单位既定的污染防治措施和各项环境保护对策建议，从环保角度分析，本项目在拟建地建设是可行的。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资17008.29万元，其中：建设投资13414.59万元，占项目总投资的78.87%；建设期利息167.60万元，占项目总投资的0.99%；流动资金3426.10万元，占项目总投资的20.14%。（二）建设投资构成本期项目建设投资13

30、414.59万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用11611.95万元，工程建设其他费用1440.13万元，预备费362.51万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资17008.29万元，其中申请银行长期贷款6840.84万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：36100.00万元。2、综合总成本费用（TC）：27175.35万元。3、净利润（NP）：6542.74万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：4.55年。2、财务内部收益率：32.12%。3、财务净现值：13306.70万

31、元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划12个月。十四、项目综合评价本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积28000.00约42.00亩1.1总建筑面积44850.991.2基底面积16800.001.3投资强度万元/亩304.432总投资万元17008.292.1建设投资万元13414.592.1.1工程费用万元11611.952.1.2其他费用万元1440.132.

32、1.3预备费万元362.512.2建设期利息万元167.602.3流动资金万元3426.103资金筹措万元17008.293.1自筹资金万元10167.453.2银行贷款万元6840.844营业收入万元36100.00正常运营年份5总成本费用万元27175.356利润总额万元8723.657净利润万元6542.748所得税万元2180.919增值税万元1674.9710税金及附加万元201.0011纳税总额万元4056.8812工业增加值万元13245.7313盈亏平衡点万元11555.34产值14回收期年4.5515内部收益率32.12%所得税后16财务净现值万元13306.70所得税后第三

33、章 市场分析一、 全球半导体存储产业概况1、全球半导体存储产业在波动中呈现总体增长趋势半导体存储器作为电子系统的基本组成部分，是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。随着现代电子信息系统的数据存储需求指数级增长，半导体存储出货量持续大幅增长，另一方面，由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破，单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势，市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。2、DRAM与NANDFlash是半导体存储的主流市场半导体存储市场中，DRAM和NANDFlash占据主导地位，根据ICInsights数据，2019年全球半导体存储器市场中DRAM占比达58%，NAND

34、Flash约占40%，此外NORFlash占据约1%的市场份额。随着电子产品对即时响应速度和数据处理速度的要求不断提高和CPU升级迭代，DRAM器件的主流存储容量亦持续扩大。近年来随着NANDFlash技术不断发展，单位存储成本的经济效益不断优化，应用场景持续拓展，用户需求不断攀升。在长期增长的总体趋势下，DRAM和NANDFlash的短期市场规模与产品价格受到晶圆技术迭代与产能投放、下游端市场需求、渠道市场备货，以及全球贸易环境等多重因素影响，供求平衡较为敏感。（1）NANDFlash市场根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球NANDFlash市场实现销售额为571.95亿

35、美元，较2019年增长24.17%。2012年至2017年，全球NANDFlash在数据爆炸中保持持续稳定增长，特别是2016年至2018年初，受4G智能手机等移动终端需求驱动，以及存储原厂的生产工艺从2D向3D升级造成的产能切换，NANDFlash供不应求，量价齐升，市场快速扩张。2018年初，4G智能手机市场经过数年发展趋于饱和，同时存储原厂基本完成3DNANDFlash的工艺升级，导致晶圆单位存储密度大幅度提升，NANDFlash供过于求，价格迎来拐点并持续下跌，而由于存储原厂产能投放充足，存储原厂持续将产能传导至渠道市场，市场规模仍保持增长惯性，直至2019年大幅回落。2020年受新冠

36、疫情影响，居家办公、远程通信需求持续拉动个人电脑、服务器市场增长，同时全球产能受疫情管制措施干扰，DRAM与NANDFlash价格上涨，2020年市场规模实现增长。（2）DRAM市场根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球DRAM市场实现销售额为663.83亿美元，较2019年小幅增长6.75%。DRAM市场由于集中度更高，主要供应商的产能布局和市场需求之间的动态平衡更为脆弱，存储原厂产能规划对市场价格和总体规模影响较大。2018年由于三大存储原厂DRAM制程切换中产能储备不足，与NANDFlash年初即迎来价格拐点不同，市场缺货行情支撑DRAM价格仍然保持增长至2018第三季

37、度，并助推2018年市场规模实现较高增长，此后DRAM与NANDFlash同样受疲软需求拖累，2019年DRAM价格及市场规模均大幅跳水，2020年市场需求有所恢复性增长。二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势，全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累，不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗，随着制程工艺不断逼近极限，芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高，研发资本投入不断增加。同时，主要存储原厂还需通过持续大额

38、资本支出来投放成熟制程产能，维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NANDFlash全球市场高度集中，根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元，由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导，其中三星电子全球市场份额约34%，此外，SK海力士收购英特尔NANDFlash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准，全球NANDFlash市场将进一步集中。技术路线方面，主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度。目前，存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数

39、位（bit）量和提升3DNANDFlash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量，NANDFlash分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-levelCell）为每个存储单元存储的数据只有1位，而MLC（Multi-levelCell）、TLC（Triple-levelCell）和QLC（Quad-LevelCell）每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位，存储密度梯度提升。传统NANDFlash为平面闪存（2DNAND），3DNAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3

40、DNAND，2020年3DNAND高端先进制程进入176层阶段。2、DRAM市场竞争格局及技术路线DRAM全球市场相较于NANDFlash更为集中，2020年全球DRAM市场规模为663.83亿美元，由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面，行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产（4GbDDR3DRAM），将技术路线竞争引入20nm时代，此后DRAM制程大约每两年实现一次突破，从1Xnm（16nm-19nm）到1Ynm（14nm-16nm）到1Znm（12-14nm）。2021年1月，美光科技率先宣布量产1nm（接近10nm）DRAM产品，主流原厂开始进入1nm

41、制程阶段。目前市场高端制程为1Znm，该制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5。3、中国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来，在集成电路产业政策和国家集成电路基金等市场资本的扶持推动下，中国在DRAM与NANDFlash两大存储核心领域均取得关键技术突破，以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实力与国际主流原厂快速缩小；依托中国市场广阔需求，市场份额取得实质进展。尽管国产晶圆生产取得实质进展，但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储原厂仍有显著差距。三、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇（1）国家政策高度重视集成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的

42、基础和核心产业之一。近年来，为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展，国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策，国家层面也设立相应产业投资基金，给行业注入新动力。（2）下游应用行业蓬勃发展，国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施，下游制造业的升级换代进程加快，其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势，直接推动存储器产业链的持续扩张，有利于维持存储器行业需求端的规模增长。（3）存储产业链向大陆转移

43、带来的机遇随着国内集成电路行业的发展，全球集成电路行业经历了向中国转移的过程，中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下，存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线，下游晶圆加工工艺持续改进，国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平，为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。（4）信创产业助力存储行业发展近年来，国家大力推动信创产业发展，从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件，再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环，当前信创产业处于全面提速阶段，必将对整个国产存储产业链起到带动作用。2、行

44、业挑战（1）高端技术人才不足在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下，高端技术才是企业抓住机遇、发展壮大的关键。国内具备战略视野和产业运营经验的领军型人才和国际高端技术人才相对稀缺。（2）国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现，当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中，国内存储晶圆制造仍处于起步阶段，专利和技术积累相对薄弱，虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产，但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较大差距。（3）我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内

45、同行业的厂商仍处于一个成长的阶段，与国际大厂依然存在技术差距，尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板，目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此，产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展。第四章 项目选址一、 项目选址原则项目选址应符合城乡规划和相关标准规范，有利于产业发展、城乡功能完善和城乡空间资源合理配置与利用，坚持节能、保护环境可持续利用发展，经济效益、社会效益、环境效益三效统一，土地利用最优化。二、 建设区基本情况邵阳，古称“宝庆”，湖南省辖地级市，位于湘中偏西南，资江上游；越岭逶迤东、南，雪峰山耸峙西、北，资江自西南向

46、东北流贯全境，中间为丘陵盆地。东与衡阳市为邻，南与永州市和广西壮族自治区桂林市接壤，西与怀化市交界，北与娄底市毗连；介于北纬25582740，东经1094911257之间，总面积20824平方千米。邵阳市辖3个市辖区、7个县（其中1个自治县），代管2个县级市。2017年被评为国家卫生城市。截至2020年11月，邵阳市常住人口为6563520人。邵阳历史悠久，名传潇湘。境内早在商代即有先民繁衍生息，西汉初置县，历经昭陵、邵陵、邵阳、敏州、邵州、宝庆，最后定名为邵阳，已有2500多年。清代，宝庆府城资江绕郭，邵水穿城，环城墙炮台林立，加之山环水复，攻之不易，留下“铁打的宝庆”美名。2020年6月，经中央依法治国委入选为第一批全国法治政府建设示范地区和项目名单；10月20日，入选全国双拥模范城（县）名单。2021年1月29日，入选湖南省人民政府公布的2020年度真抓实干成效明显的地区名单。“十四五”时期经济社会发展主要目标：经济发展取得新成效。增速高于全省平均水平，综合实力进入全省第一方阵，经济结构进一步优化，产业链现代化水平明显提高，国家重要先进制造业高地建设取得重大进展，农业基础更加稳固，城乡区域发展协调性明