白城碳化硅项目实施方案.docx
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《白城碳化硅项目实施方案.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《白城碳化硅项目实施方案.docx(133页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/白城碳化硅项目实施方案白城碳化硅项目实施方案xxx有限责任公司目录第一章 行业、市场分析8一、 碳化硅下游使用情况8二、 外延:可满足不同应用领域对器件的电阻等参数要求8三、 碳化硅的优势分析9第二章 项目概况10一、 项目名称及投资人10二、 编制原则10三、 编制依据10四、 编制范围及内容11五、 项目建设背景11六、 结论分析12主要经济指标一览表14第三章 项目建设背景及必要性分析17一、 碳化硅产业链17二、 碳化硅半导体材料19三、 实施项目攻坚,着力扩大投资20四、 构建区域中心城21五、 项目实施的必要性22第四章 选址分析23一、 项目选址原则23二、 建设区基本
2、情况23三、 突出清洁能源,做大工业总量25四、 项目选址综合评价26第五章 建筑物技术方案27一、 项目工程设计总体要求27二、 建设方案27三、 建筑工程建设指标27建筑工程投资一览表28第六章 建设规模与产品方案30一、 建设规模及主要建设内容30二、 产品规划方案及生产纲领30产品规划方案一览表31第七章 SWOT分析33一、 优势分析(S)33二、 劣势分析(W)34三、 机会分析(O)35四、 威胁分析(T)35第八章 发展规划分析43一、 公司发展规划43二、 保障措施47第九章 法人治理50一、 股东权利及义务50二、 董事57三、 高级管理人员63四、 监事65第十章 项目环
3、境影响分析67一、 编制依据67二、 环境影响合理性分析68三、 建设期大气环境影响分析69四、 建设期水环境影响分析69五、 建设期固体废弃物环境影响分析69六、 建设期声环境影响分析70七、 建设期生态环境影响分析71八、 清洁生产71九、 环境管理分析72十、 环境影响结论76十一、 环境影响建议76第十一章 原辅材料及成品分析78一、 项目建设期原辅材料供应情况78二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理78第十二章 人力资源配置80一、 人力资源配置80劳动定员一览表80二、 员工技能培训80第十三章 技术方案83一、 企业技术研发分析83二、 项目技术工艺分析85三、 质量管理87四
4、、 设备选型方案88主要设备购置一览表88第十四章 进度计划方案90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十五章 项目投资分析92一、 投资估算的依据和说明92二、 建设投资估算93建设投资估算表97三、 建设期利息97建设期利息估算表97固定资产投资估算表99四、 流动资金99流动资金估算表100五、 项目总投资101总投资及构成一览表101六、 资金筹措与投资计划102项目投资计划与资金筹措一览表102第十六章 经济效益104一、 经济评价财务测算104营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表105固定资产折旧费估算表106无形资产
5、和其他资产摊销估算表107利润及利润分配表109二、 项目盈利能力分析109项目投资现金流量表111三、 偿债能力分析112借款还本付息计划表113第十七章 招标、投标115一、 项目招标依据115二、 项目招标范围115三、 招标要求116四、 招标组织方式116五、 招标信息发布118第十八章 总结119第十九章 附表121营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表121固定资产折旧费估算表122无形资产和其他资产摊销估算表123利润及利润分配表124项目投资现金流量表125借款还本付息计划表126建设投资估算表127建设投资估算表127建设期利息估算表128固定资产投资
6、估算表129流动资金估算表130总投资及构成一览表131项目投资计划与资金筹措一览表132本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 行业、市场分析一、 碳化硅下游使用情况新能源车领域将会为SiC功率器件带来巨大增量。在新能源车上,碳化硅器件主要使用在主驱逆变器、OBC(车载充电机)、DC-DC车载电源转换器和大功率DCDC充电设备。随着各大车企相继推出800V电压平台,为满足大电流、高电压的需求,电机控制器的主驱逆变器将不可避免的由硅基IGBT替换为SiC-MOS,带来巨大增长空间。电机控制器中功率模块占整
7、车成本8%。电机控制器在新能车成本中占比20%,是除电池外占比最大的一个部件,负责把动力电池输出的高压直流电转换成频率和电流可变的三相交流电,给驱动电机供电,改变电机的转速和扭矩,同时在能量回收时把电机的三相交流电整流成直流电给动力电池充电。而功率模块占其成本41%,折合占整车成本8%。二、 外延:可满足不同应用领域对器件的电阻等参数要求外延可满足不同应用领域对器件参数要求。外延是指在碳化硅衬底上生长了一层与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的过程。为了满足SiC器件在不同应用领域对电阻等参数的特定要求,必须在衬底上进行满足条件的外延后才可制作器件,因此外延质量的好坏将会影响SiC器件的性能。目前
8、SiC衬底上常见外延有SiC同质外延和GaN异质外延,前者用于功率器件,后者用于射频器件。三、 碳化硅的优势分析第三代半导体材料禁带宽度远大于前两代。第一代和第二代半导体都是窄带隙半导体,而从第三代半导体开始,宽禁带(带隙大于2.2eV)半导体材料开始被大量应用。碳化硅作为第三代半导体的典型代表,具有200多种空间结构,不同的结构对应着不同的带隙值,一般在2.4eV-3.35eV之间。碳化硅材料除宽禁带之外,还具有高击穿场强、高饱和漂移速度及高稳定性、最大功率等优点。第二章 项目概况一、 项目名称及投资人(一)项目名称白城碳化硅项目(二)项目投资人xxx有限责任公司(三)建设地点本期项目选址位
9、于xx园区。二、 编制原则按照“保证生产,简化辅助”的原则进行设计,尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下,综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度,采取有效的环境保护措施,使生产中的排放物符合国家排放标准和规定,重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。三、 编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。四、 编制范围及内容1、项目提出的背景及建设必要性;2、市场需求预测;3、建设规模及产品
10、方案;4、建设地点与建设条性;5、工程技术方案;6、公用工程及辅助设施方案;7、环境保护、安全防护及节能;8、企业组织机构及劳动定员;9、建设实施与工程进度安排;10、投资估算及资金筹措;11、经济评价。五、 项目建设背景碳化硅器件功率更大、体积更小,能量损失更低。碳化硅材料因其更高的击穿电压特性,可以广泛地应用于大功率器件的制备,这是硅基半导体所无法替代的优势。碳化硅更高的电击穿允许碳化硅功率器件具有更薄更重掺杂的阻挡层,这使得同等要求下使用碳化硅材料可以将器件做的更薄,这可以起到节省空间、提高单位能量密度的作用。此外,高击穿电场还可以使得碳化硅在外电压中的导通电阻更小,而更小的导通电阻意味
11、着更低的能量损失。同时,我们也清醒看到面临的困难和问题:经济总量不大,带动力强的大项目还不多,发展后劲和动能培育不够;要素支撑不足,水、地、电等瓶颈制约还没有得到根本破解;发展质量不高,财政收支矛盾突出,刚性支出压力持续加大;改革创新不够,原创性、突破性的成果不多,深化改革还有很多“硬骨头”要啃。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx园区,占地面积约53.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx吨碳化硅的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资2322
12、0.26万元,其中:建设投资17671.39万元,占项目总投资的76.10%;建设期利息228.78万元,占项目总投资的0.99%;流动资金5320.09万元,占项目总投资的22.91%。(五)资金筹措项目总投资23220.26万元,根据资金筹措方案,xxx有限责任公司计划自筹资金(资本金)13882.20万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额9338.06万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):47300.00万元。2、年综合总成本费用(TC):39292.98万元。3、项目达产年净利润(NP):5846.66万元。4、财务内部收益率(FIRR):17.86%。
13、5、全部投资回收期(Pt):6.05年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):20398.05万元(产值)。(七)社会效益经分析,本期项目符合国家产业相关政策,项目建设及投产的各项指标均表现较好,财务评价的各项指标均高于行业平均水平,项目的社会效益、环境效益较好,因此,项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本,制定好项目的详细规划及资金使用计划,加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理,特别是加强产品生产的现金流管理,确保企业现金流充足,同时保证各产业链及各工序之间的衔接,控制产品的次品率,赢得市场和打造企业良好发展的局面。本项目实施后,可满足国内市场需求,
14、增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积35333.00约53.00亩1.1总建筑面积58326.991.2基底面积20846.471.3投资强度万元/亩311.842总投资万元23220.262.1建设投资万元17671.392.1.1工程费用万元15003.572.1.2其他费用万元2192.942.1.3预备费万元474.882.2建设期利息万元228.782.3流动资金万元5320.093资金
15、筹措万元23220.263.1自筹资金万元13882.203.2银行贷款万元9338.064营业收入万元47300.00正常运营年份5总成本费用万元39292.986利润总额万元7795.547净利润万元5846.668所得税万元1948.889增值税万元1762.3110税金及附加万元211.4811纳税总额万元3922.6712工业增加值万元13166.2013盈亏平衡点万元20398.05产值14回收期年6.0515内部收益率17.86%所得税后16财务净现值万元4694.04所得税后第三章 项目建设背景及必要性分析一、 碳化硅产业链国外厂商多以IDM模式布局,国内企业专注单个环节。碳化
16、硅产业链依次可分为:衬底、外延、器件、终端应用。国外企业多以IDM模式布局全产业链,如Wolfspeed、Rohm及意法半导体(ST),而国内企业则专注于单个环节制造,如衬底领域的天科合达、天岳先进,外延领域的瀚天天成、东莞天域,器件领域的斯达半岛、泰科天润。衬底与外延占据70%的碳化硅器件成本。受制于材料端的制备难度大,良率低,产能小,目前产业链的价值集中于衬底和外延部分,前端两部分占碳化硅器件成本的47%、23%,而后端的设计、制造、封测环节仅占30%。行业呈现一超格局,Wolfspeed占据62%市场份额。自2018年特斯拉首次将碳化硅器件导入Model3代替IGBT模块,便打开了碳化硅
17、在新能源车领域的应用,行业迅速进入升温期。目前碳化硅衬底市场呈现一超格局,Wolfspeed(原Cree)以62%的市占率高居第一,-、Rohm则以14%和13%的市占率位列第二、三位,CR3接近90%。国内厂商天科合达市占率仅为4%。碳化硅衬底可分为导电型和半绝缘型。导电型是指电阻率在1530mcm的碳化硅衬底,将其进行外延后可进一步制成功率器件,应用于新能源车、光伏、智能电网等领域。半绝缘型则是指电阻率高于105mcm的碳化硅衬底,主要用于制造氮化镓微波射频器件,作为无线通讯领域的基础零部件。碳化硅衬底是由高纯硅、碳粉经过合成成SiC微粉后,通过物理气相沉积法(PVT)生长成为晶锭,之后加
18、工得到标准直径尺寸的碳化硅晶体,再经过切磨抛工艺获得表面无损伤的碳化硅抛光片,最后对其进行检测、清洗形成可交付下游外延厂商使用碳化硅衬底。高纯SiC粉末可使用气相法、液相法及固相法合成,目前产业中主要使用固相法中自蔓延高温合成法,即将固态的Si源和C源作为原料,使其在14002000的高温下持续反应,最后得到高纯SiC粉体。这种方法原料便宜,合成质量稳定,合成效率高。目前各家衬底厂商基本自产高纯SiC粉末。90%衬底企业选择PVT法。碳化硅单晶主要有物理气相传输法(PVT)、高温化学气相沉积(HTCVD)法和液相外延法(LPE)法,目前PVT法由于设备易于制造、长晶过程更好控制以及成本较低等优
19、点,是业内最成熟的工艺。其原理是通过将处于2000以上的SiC原料升华分解成气相物质,这些气相物质输运到温度较低的籽晶处,结晶生成SiC单晶。业内90%的企业都使用PVT法。HTCVD法的原理是将Si源和C源气体在2100左右的高温环境下发生化学反应生成SiC,这种长晶法可实现晶体长时间持续生长,但设备成本高,且生长速度也很慢。业内使用HTCVD法的有Norstel和日本电装。LPE法通过在高温纯硅溶液中将碳溶解其中,从过饱和液中析出碳化硅晶体。LPE适用于制备高质量大尺寸碳化硅衬底,但是生长速度极其缓慢,材料要求也高,应用厂家有住友金属。PVT法生长速度慢、厚度低,且良率较低。根据刘得伟等人
20、在PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究文中数据,在不同原料区温度下,80小时生长时间内晶锭厚度8-15mm,并且由于粉源石墨化的影响,晶锭长度限制在50mm左右。且碳化硅晶体的生长环境复杂、工艺控制难度大,整体良率较低,据天岳先进招股书中披露,公司晶棒环节整体良率在50%。二、 碳化硅半导体材料第三代半导体性能优越,应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的基础,经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于前两代材料,碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能,广泛应用于制作高温、高频、大功率和抗辐射电子器
21、件。碳化硅器件应用场景广阔。因其高热导性、高击穿电场强度及高电流密度,基于碳化硅材料的半导体器件可应用于汽车、充电设备、便携式电源、通信设备、机械臂、飞行器等多个工业领域。其应用的范围也在不断地普及和深化,是一种应用前景非常广泛、非常具有价值的材料。三、 实施项目攻坚,着力扩大投资增强项目意识,开展招商引资、项目建设、投产达效三个“百日攻坚”,持续加大投资强度。强化项目谋划。在融入国内国际“双循环”中抢抓机遇,围绕扬优势、补短板、破瓶颈,谋划对外可招商、向上可争取的亿元以上重大项目120个以上,工业项目超过50%。强化项目招商。按照“产业树”理念,围绕建链延链补链强链,狠抓产业链招商、园区招商
22、和环境招商,引进一批投资强度大、科技含量高、带动能力强的重大项目,招商落地亿元以上项目必保30个。强化项目服务。项目中心提级管理,政府主要领导担任项目中心主任。加强项目统筹,推行“项目长制”,完善“秘书制”,提高难题破解率、项目开工率、资金到位率、项目入统率和投资完成率。抓好梅花三期、镇赉柠檬酸等项目建设,各县(市、区)、开发区(园区)必保投产超亿元制造业项目2个以上。强化项目承载能力建设。推动市县两级开发区创新发展,深化体制机制改革,抓好基础设施和服务体系建设,争创国家绿色产业示范基地。规划选址零碳工业示范园区,争取白城工业园区设立省级化工园区。开工洮北高载能高技术产业示范园、镇赉食品加工产
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 白城 碳化硅 项目 实施方案
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内