《数字电子技术》康华光习题解答第八章半导体存储器和可编程逻辑器件培训讲学.doc
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1、Good is good, but better carries it.精益求精,善益求善。数字电子技术康华光习题解答第八章半导体存储器和可编程逻辑器件-第八章半导体存储器和可编程逻辑器件一、填空题1、一个10位地址码、8位输出的ROM,其存储容量为或。2、将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM。该ROM有根地址线,有根数据读出线。二、综合题1、试写出图6-1所示阵列图的逻辑函数表达式和真值表,并说明其功能。2、试用2564位的RAM扩展成10248位存储器。3、下列RAM各有多少条地址线?5122位1K8位2K1位16K1位2564位64K1位4、写出由R
2、OM所实现的逻辑函数的表达式。(8分)111ABCY1Y25、四片164RAM和逻辑门构成的电路如图6-7所示。试回答:单片RAM的存储容量,扩展后的RAM总容量是多少?图6-7所示电路的扩展属位扩展,字扩展,还是位、字都有的扩展?当地址码为00010110时,RAM0RAM3,哪几片被选中?6.用ROM设计一个组合逻辑电路,用来产生下列一组逻辑函数。画出存储矩阵的点阵图。7、画出实现下面双输出逻辑函数的PLD表示。三、简答题1、可编程逻辑器件是如何进行分类的?2、GAL16V8的OLMC中4个数据选择器各有多少功能?3、ROM和RAM有什么相同和不同之处?ROM写入信息有几种方式?4、为什么
3、用ROM可以实现逻辑函数式?第八章习题答案一、 填空题1、2138K2、1116二、 综合题1、解:根据与阵列的输出为AB的最小项和阵列图中有实心点为1,无为0,可以写出ABF0F1F2F3000001010111100111111100表6-1真值表从上述逻辑表达式可以看出,图6-1所示阵列图实现了输入变量A、B的四种逻辑运算:与、或、异或和与非。列出真值表如表6-1所示。2、解:当一片RAM不能满足存储容量需要时,需要将若干片RAM组合起来,构成满足存储容量要求的存储器。RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种。如果一片RAM的字数满足要求,而位数不够时,应采用位扩展。字数满足要求,就是地址线满
4、足要求。只要将若干片RAM并接起来,所有芯片的位线加起来作为扩展后的位线,便可以实现位扩展。实现位扩展的原则是:多个单片RAM的I/O端并行输出,作为RAM的输出端数据线或称位线。如两片四位RAM的I/O端并行输出,得八位RAM;多个单片RAM的端接到一起,作为RAM的片选端(多片RAM同时被选中);多个单片RAM的地址端对应接到一起,作为RAM的地址输入端。多个单片RA3M的端接到一起,作为RAM的读/写控制端(RAM的读写控制端只能有一个);在RAM的数据位的位数足够,而字数达不到要求时,需要进行字扩展。字数增加,地址线数就得相应增加。如2568位RAM的地址线数为8条,而10248位RA
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