沧州碳化硅项目商业计划书.docx
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1、泓域咨询/沧州碳化硅项目商业计划书沧州碳化硅项目商业计划书xx有限公司报告说明800V高电压系统,碳化硅深度受益。功率器件是电动汽车逆变器的核心能量转换单元,如果直流母线电压提升到800V以上,那么对应的功率器件耐压则需要提高到1200V左右。SiC具有高耐压特性,在1200V的耐压下阻抗远低于Si,对应的导通损耗会相应降低,同时由于SiC可以在1200V耐压下选择MOSFET封装,可以大幅降低开关损耗,全球碳化硅龙头Wolfspeed,1200V碳化硅导通电阻控制在3mcm2左右。根据ST数据,碳化硅器件损耗大幅低于Si基IGBT,在常用的25%的负载下,碳化硅器件损耗低于IGBT80%,在
2、1200V时优势更加明显。根据英飞凌、福特、奔驰、现代等公司研究数据,SiC应用于800V系统,可整体节能5-10%。根据谨慎财务估算,项目总投资27834.48万元,其中:建设投资22164.15万元,占项目总投资的79.63%;建设期利息441.93万元,占项目总投资的1.59%;流动资金5228.40万元,占项目总投资的18.78%。项目正常运营每年营业收入57300.00万元,综合总成本费用47390.92万元,净利润7245.52万元,财务内部收益率18.74%,财务净现值10366.08万元,全部投资回收期6.18年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理
3、。经分析,本期项目符合国家产业相关政策,项目建设及投产的各项指标均表现较好,财务评价的各项指标均高于行业平均水平,项目的社会效益、环境效益较好,因此,项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本,制定好项目的详细规划及资金使用计划,加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理,特别是加强产品生产的现金流管理,确保企业现金流充足,同时保证各产业链及各工序之间的衔接,控制产品的次品率,赢得市场和打造企业良好发展的局面。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目绪论9一、 项目提出的理由9二
4、、 项目概述9三、 项目总投资及资金构成12四、 资金筹措方案12五、 项目预期经济效益规划目标13六、 项目建设进度规划13七、 研究结论13八、 主要经济指标一览表13主要经济指标一览表14第二章 背景、必要性分析16一、 碳化硅有望在800V系统中大显身手16二、 轻载、低速工况下,碳化硅优势更佳18三、 打造京津冀产业转移升级示范区19四、 做实做强做优创新主体21第三章 行业、市场分析23一、 车载OBC、DC-DC、PDU开始大规模应用碳化硅23二、 800V时代到来,碳化硅迎来甜蜜时刻24第四章 项目承办单位基本情况27一、 公司基本信息27二、 公司简介27三、 公司竞争优势2
5、8四、 公司主要财务数据30公司合并资产负债表主要数据30公司合并利润表主要数据31五、 核心人员介绍31六、 经营宗旨33七、 公司发展规划33第五章 创新发展39一、 企业技术研发分析39二、 项目技术工艺分析41三、 质量管理43四、 创新发展总结44第六章 法人治理45一、 股东权利及义务45二、 董事50三、 高级管理人员54四、 监事57第七章 发展规划分析58一、 公司发展规划58二、 保障措施62第八章 运营管理模式65一、 公司经营宗旨65二、 公司的目标、主要职责65三、 各部门职责及权限66四、 财务会计制度69第九章 SWOT分析说明73一、 优势分析(S)73二、 劣
6、势分析(W)75三、 机会分析(O)75四、 威胁分析(T)76第十章 建筑工程方案82一、 项目工程设计总体要求82二、 建设方案84三、 建筑工程建设指标85建筑工程投资一览表85第十一章 产品方案与建设规划87一、 建设规模及主要建设内容87二、 产品规划方案及生产纲领87产品规划方案一览表87第十二章 风险防范89一、 项目风险分析89二、 公司竞争劣势94第十三章 项目规划进度95一、 项目进度安排95项目实施进度计划一览表95二、 项目实施保障措施96第十四章 投资计划方案97一、 编制说明97二、 建设投资97建筑工程投资一览表98主要设备购置一览表99建设投资估算表100三、
7、建设期利息101建设期利息估算表101固定资产投资估算表102四、 流动资金103流动资金估算表104五、 项目总投资105总投资及构成一览表105六、 资金筹措与投资计划106项目投资计划与资金筹措一览表106第十五章 经济效益及财务分析108一、 基本假设及基础参数选取108二、 经济评价财务测算108营业收入、税金及附加和增值税估算表108综合总成本费用估算表110利润及利润分配表112三、 项目盈利能力分析112项目投资现金流量表114四、 财务生存能力分析115五、 偿债能力分析116借款还本付息计划表117六、 经济评价结论117第十六章 项目总结119第十七章 附表121主要经济
8、指标一览表121建设投资估算表122建设期利息估算表123固定资产投资估算表124流动资金估算表125总投资及构成一览表126项目投资计划与资金筹措一览表127营业收入、税金及附加和增值税估算表128综合总成本费用估算表128利润及利润分配表129项目投资现金流量表130借款还本付息计划表132第一章 项目绪论一、 项目提出的理由全球最高水平,1200V碳化硅导通电阻控制在3mcm2以下。作为为全球碳化硅龙头,Wolfspeed在电阻率指标控制方面表现优异,750V碳化硅导通电阻控制在2mcm2左右,900V碳化硅导通电阻控制在2.5mcm2以下,1200V碳化硅导通电阻控制在3.2mcm2左
9、右,Rohm也表现出色,650V碳化硅导通电阻控制在2mcm2以下,1200V碳化硅导通电阻控制在3mcm2以下。与Si逆变相比,SiC逆变技术的全部潜基于开关频率和压摆率高10倍的可能性。800V下SiC总功率损耗显著低于Si。当今最先进的400VSiIGBT逆变在8至10kHz的开关频率下运。电压压摆率通常高达5kV/s。传统Si技术和SiC技术在800V下的总功率损耗之间存在显著差异。SiC可以实现更高的功率密度。由于导通电阻低,在SiC半导体中产生的热损失很低。这允许更高的开关频率,紧凑的封装空间和减少功率模块的冷却能力需求。因此,SiC半导体比Si半导体需要更小的封装空间,可以实现更
10、高的功率密度。二、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:沧州碳化硅项目2、承办单位名称:xx有限公司3、项目性质:新建4、项目建设地点:xxx(以选址意见书为准)5、项目联系人:董xx(二)主办单位基本情况公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定,制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则,董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断
11、优化供给结构,提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心,以提升创新能力为主线,降成本、补短板,推进供给侧结构性改革。当前,国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看,世界经济深度调整、复苏乏力,外部环境的不稳定不确定因素增加,中小企业外贸形势依然严峻,出口增长放缓。从国内看,发展阶段的转变使经济发展进入新常态,经济增速从高速增长转向中高速增长,经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长,经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战,企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境,公司依然面临
12、着较大的经营压力,资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时,也面临着重大机遇。随着改革的深化,新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进,以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施,企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势,利用好国际国内两个市场、两种资源,抓住发展机遇,转变发展方式,提高发展质量,依靠创业创新开辟发展新路径,赢得发展主动权,实现发展新突破。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态,公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索,提升企业综合实力,配合产业供给侧结构改革。同时,
13、公司注重履行社会责任所带来的发展机遇,积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来,公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约70.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xxx吨碳化硅/年。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资27834.48万元,其中:建设投资22164.15万元,占项目总投资的79.63
14、%;建设期利息441.93万元,占项目总投资的1.59%;流动资金5228.40万元,占项目总投资的18.78%。四、 资金筹措方案(一)项目资本金筹措方案项目总投资27834.48万元,根据资金筹措方案,xx有限公司计划自筹资金(资本金)18815.33万元。(二)申请银行借款方案根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额9019.15万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入(SP):57300.00万元。2、年综合总成本费用(TC):47390.92万元。3、项目达产年净利润(NP):7245.52万元。4、财务内部收益率(FIRR):18.74%。5、全部投资回
15、收期(Pt):6.18年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):21327.80万元(产值)。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 研究结论本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。八、 主要经济指标一览表
16、主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积46667.00约70.00亩1.1总建筑面积82462.171.2基底面积27066.861.3投资强度万元/亩304.952总投资万元27834.482.1建设投资万元22164.152.1.1工程费用万元19358.942.1.2其他费用万元2378.932.1.3预备费万元426.282.2建设期利息万元441.932.3流动资金万元5228.403资金筹措万元27834.483.1自筹资金万元18815.333.2银行贷款万元9019.154营业收入万元57300.00正常运营年份5总成本费用万元47390.926利润总额万元9660.
17、697净利润万元7245.528所得税万元2415.179增值税万元2069.8410税金及附加万元248.3911纳税总额万元4733.4012工业增加值万元16229.3213盈亏平衡点万元21327.80产值14回收期年6.1815内部收益率18.74%所得税后16财务净现值万元10366.08所得税后第二章 背景、必要性分析一、 碳化硅有望在800V系统中大显身手SiC由于其高耐压的特性,在1200V的耐压下阻抗远低于Si。从400V提升到800V,意味着电动汽车所有的高压元器件及管理系统都要提高标准,首当其冲的就是逆变器。功率器件是电动汽车逆变器的核心能量转换单元,目前,传统IGBT
18、通常适应的高压平台在600-700V左右,如果直流母线电压提升到800V以上,那么对应的功率器件耐压则需要提高到1200V左右。SiC由于其高耐压的特性,在1200V的耐压下阻抗远低于Si,对应的导通损耗会相应降低,同时由于SiC可以在1200V耐压下选择MOSFET封装,可以大幅降低开关损耗,这将大幅提高功率器件的效率。全球最高水平,1200V碳化硅导通电阻控制在3mcm2以下。作为为全球碳化硅龙头,Wolfspeed在电阻率指标控制方面表现优异,750V碳化硅导通电阻控制在2mcm2左右,900V碳化硅导通电阻控制在2.5mcm2以下,1200V碳化硅导通电阻控制在3.2mcm2左右,Ro
19、hm也表现出色,650V碳化硅导通电阻控制在2mcm2以下,1200V碳化硅导通电阻控制在3mcm2以下。与Si逆变相比,SiC逆变技术的全部潜基于开关频率和压摆率高10倍的可能性。800V下SiC总功率损耗显著低于Si。当今最先进的400VSiIGBT逆变在8至10kHz的开关频率下运。电压压摆率通常高达5kV/s。传统Si技术和SiC技术在800V下的总功率损耗之间存在显著差异。SiC可以实现更高的功率密度。由于导通电阻低,在SiC半导体中产生的热损失很低。这允许更高的开关频率,紧凑的封装空间和减少功率模块的冷却能力需求。因此,SiC半导体比Si半导体需要更小的封装空间,可以实现更高的功率
20、密度。轻载时,SiC低导通损耗对续航提升更加明显。使用SiC技术的MOSFET在开关过程中表现出比使用Si技术更高的效率。低Rdson的优势是SiCMOSFET半导体在800V逆变器应用的主要原因。较宽的带隙和较低的表面电阻上较高的击穿电压,允许以较高的压摆率切换高电压,以上这些都是SiC的材料优势。由于更低的Rdson,开关损耗较低,可以应用较高的开关频率,特别是在轻载时,低导通损耗有对工况效率提升更加明显。在电机运行期间,逆变器会将电池提供的直流电压转换为快速脉冲电压,从而产生谐波交流(AC)电流,交流电又将产生转子跟随的旋转电磁场。通过这种方式,脉冲电信号逐渐接近均匀正弦波形(40kHz
21、及更高)的最佳值,高频损耗减小。电流的频谱也会变得“更干净”,从而减少了以发热形式出现的谐波损耗。碳化硅在开关状态下比采用硅IGBT的当前标准解决方案具有更高的电导率。在车辆层面,与SiIGBT相比,使用SiCMOSFET可将800V电压水平的系统效率提高多达3%。除了这一优势之外,碳化硅还可以显着提高逆变器输出的电压压摆率20kV/s(理论上),这是当今的硅半导体解决方案所不能达到的指标。与SiIGBT相比,在相同开关频率下的逆变器可以进一步提高2-4%的效率。总体而言,电动机频率的增加导致效率进一步提高1-2%。为了减少效率劣势,必须在EMC约束允许的情况下将电压压摆率调整为最高。通过使用
22、SiC代替Si半导体,系统优化在800V的电压水平下总共提高了68%的效率。为了实现SiC技术的效率提升,除了压摆率和开关频率的工作点相关调整之外,还必须软件优化及算法优化进一步提升系统效率。二、 轻载、低速工况下,碳化硅优势更佳电驱采用碳化硅总损耗有效下降。美国能源部对纯电动车Nissan-Leaf做了能耗分布,77-82%能耗消耗在了风阻、刹车、滚阻上面,而电驱能量损耗约16%,在16%里面功率半导体又占其中的40%左右,剩下的60%是电机的损耗,功率半导体在电控里占整车的能量损耗约为6.4%,而碳化硅器件的总损耗相比硅器件下降了70%,采用碳化硅器件,全车总损耗下降约4.48%。现代80
23、0V系统采用英飞凌SiC模块续航提升了5%以上。现代汽车在支持800V快速充电的E-GMP的主要装置上,采用了英飞凌的车载全SiC模块。通过采用低损耗的SiC,将车辆的续航距离延长了5%以上。首次应用E-GMP的电动汽车(EV)是2021年2月发布的“IONIQ5”。也就是说,该EV采用了英飞凌的车载全SiC模块。三、 打造京津冀产业转移升级示范区深化产业协同发展,持续放大优势产业集聚效应,以产业高端化、链条化、智能化、绿色化为方向,改造提升一批传统产业、引进催生一批新兴产业,全面融入京津冀区域产业链供应链创新链,打造京津冀产业转移升级示范区。打造跨区域优势产业链供应链创新链。依托我市工业门类
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