微米级薄膜沉积设备项目建设工程制度(参考).docx
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1、泓域/微米级薄膜沉积设备项目建设工程制度微米级薄膜沉积设备项目建设工程制度目录一、 公司简介3公司合并资产负债表主要数据4公司合并利润表主要数据4二、 项目概况4三、 产业环境分析7四、 半导体薄膜沉积设备的发展情况8五、 必要性分析14六、 新一代智能制造技术在建筑业的应用14七、 智能建筑与智慧城市17八、 BIM技术特征26九、 BIM技术发展趋势28十、 职业责任保险31十一、 建筑工程风险保障机制33十二、 工程风险分类40十三、 工程风险管理内容和方法44十四、 项目经济效益分析61营业收入、税金及附加和增值税估算表62综合总成本费用估算表63利润及利润分配表65项目投资现金流量表
2、67借款还本付息计划表69十五、 项目实施进度计划70项目实施进度计划一览表71十六、 投资计划方案72建设投资估算表74建设期利息估算表74流动资金估算表76总投资及构成一览表77项目投资计划与资金筹措一览表78一、 公司简介(一)基本信息1、公司名称:xxx(集团)有限公司2、法定代表人:何xx3、注册资本:1310万元4、统一社会信用代码:xxxxxxxxxxxxx5、登记机关:xxx市场监督管理局6、成立日期:2015-11-57、营业期限:2015-11-5至无固定期限8、注册地址:xx市xx区xx(二)公司简介公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报
3、社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念,遵循“以客户需求为中心,坚持高端精品战略,提高最高的服务价值”的服务理念,奉行“唯才是用,唯德重用”的人才理念,致力于为客户量身定制出完美解决方案,满足高端市场高品质的需求。(三)公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额5375.994300.794031.99负债总额2905.482324.382179
4、.11股东权益合计2470.511976.411852.88公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入18720.6514976.5214040.49营业利润4168.893335.113126.67利润总额3691.432953.142768.57净利润2768.572159.481993.37归属于母公司所有者的净利润2768.572159.481993.37二、 项目概况(一)项目基本情况1、承办单位名称:xxx(集团)有限公司2、项目性质:新建3、项目建设地点:xxx(以最终选址方案为准)4、项目联系人:何xx(二)主办单位基本情况公司不断建设和完善企业信息
5、化服务平台,实施“互联网+”企业专项行动,推广适合企业需求的信息化产品和服务,促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用,业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台,培育产业链,打造创新链,提升价值链,促进带动产业链上下游企业协同发展。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略,以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召,融入各级城市的建设与发展,在商业模式思路上领先业界,对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户
6、提供更多更好的优质产品及服务。公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念,遵循“以客户需求为中心,坚持高端精品战略,提高最高的服务价值”的服务理念,奉行“唯才是用,唯德重用”的人才理念,致力于为客户量身定制出完美解决方案,满足高端市场高品质的需求。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约35.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设
7、期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资12641.59万元,其中:建设投资10281.41万元,占项目总投资的81.33%;建设期利息111.58万元,占项目总投资的0.88%;流动资金2248.60万元,占项目总投资的17.79%。(五)项目资本金筹措方案项目总投资12641.59万元,根据资金筹措方案,xxx(集团)有限公司计划自筹资金(资本金)8087.37万元。(六)申请银行借款方案根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额4554.22万元。(七)项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入(SP):26200.00万元。2、年综合总成本费用(TC):22129.8
8、9万元。3、项目达产年净利润(NP):2965.70万元。4、财务内部收益率(FIRR):15.61%。5、全部投资回收期(Pt):6.30年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):12092.15万元(产值)。(八)项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。三、 产业环境分析经济运行总体平稳、稳中有进、稳中提质。全年完成地区生产总值xx亿元、同比增长xx%,固定资产投资增长xx%,社会消费品零售总额增长xx%,建筑业增加值增长xx%。财政收入突破xx亿元大关,增长xx%;非税收入占一般公共预算收入的比重比全区平均占比低xx个百分点
9、;税收增收对区域税收增长贡献率达xx%,其中制造业税收增长xx%。居民人均可支配收入增长xx%。居民消费价格上涨xx%。今年区域发展的主要预期目标是:地区生产总值增速高于全区增速xx个百分点,固定资产投资增长xx%,居民人均可支配收入名义增长xx%,居民消费价格涨幅xx%左右,完成下达的节能减排降碳任务。四、 半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况(1)薄膜沉积设备市场规模持续增长根据MaximizeMarketResearch数据统计,全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元,年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场
10、规模可达340亿美元。(2)薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展,在部分领域已有一定的进步,但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低,半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起,我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%,但总体占比尤其是中高端产品占比较低。(3)各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看,CVD设备占比56%,PVD设备市占率23%,其次是ALD及其他镀膜设备。在半导
11、体制程进入28nm后,由于器件结构不断缩小且更为3D立体化,生产过程中需要实现厚度更薄的膜层,以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下,ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点,技术优势愈加明显,在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用,广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。(1)ALD典型应用高介电常数金属栅极(HKMG)工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元,漏电一直是影响其良
12、率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前,集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电;随着集成电路尺寸不断缩小,特别是制程28nm之后,传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下,达到了其物理极限,产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应,导致漏电流急剧增加,器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极(HKMG)工艺,可以解决上述问题,即采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层,TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极,高k栅氧化层与金属栅极的组合使用,不仅能够大幅减小栅极漏电流,同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄,还能有效减低栅极电容。
13、ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点,自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后,就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。(2)ALD典型应用电容和电极材料集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限,NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段,128层闪存也陆续有厂商开始推出,行业预期未来将叠加至500层,技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中,增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽,而且需要增加堆叠的层数,使得一些器件结构的深宽比增加至40:1,甚至是80:1的极深孔或极深的沟槽,对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD技
14、术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术的不断发展,等效氧化物厚度进一步下降,3DNAND和DRAM电容呈现高深宽比结构,在这种情况下,高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外,新型存储器也在快速发展,与闪存和DRAM相比,新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器(FeRAM)为例,其由电容和场效应管构成,其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜,该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求,ALD技术可以较好地满足技术指标。(3)ALD典型应用金属互联阻挡层金属互联
15、即在集成电路片上沉积金属薄膜,并通过光刻技术形成布线,把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种,而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展,元件集成度提高、几何构架收缩,导致深宽比的增加,ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层,阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散,且作为粘附层促进互连铜的生长,给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势(1)半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升,全球半导体设备市场呈现快速增长态势,拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与
16、产线产能的扩充,另一方面受益于技术演进带来的增长机遇,包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术,全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元,保持年复合13.3%的增长速度。(2)进口替代空间巨大近年来,在国家政策的拉动和支持下,我国半导体产业快速发展,整体实力显著提升,设计、制造能力与国际先进水平不断缩小,但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造2025对于半导体设备国产化提出明确要求:在2020年之前,90-32nm工艺设备国产化率达到50%,实现
17、90nm光刻机国产化,封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前,20-14nm工艺设备国产化率达到30%,实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展,国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金,国家集成电路基金首期募资1,387亿元,二期募资超过2,000亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施,本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机,而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备,将会迎来巨大的进口替代市场空间。(3)薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中,薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线
18、宽越来越窄、结构越来越复杂,薄膜性能参数精细化要求也随之提高,如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高,台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。(4)先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展,单位面积集成的电路规模不断扩大,芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线,则超过100道薄膜沉积工序,涉及的薄膜材料由6种增加到近20种,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳
19、米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前,半导体行业的薄膜沉积设备中,PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化,而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备,在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时,与PVD设备和CVD设备相比,ALD设备的必要性更加凸显。目前,基于供应链安全考虑,国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势,以及国产化进程加快的背景下,国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。五、 必要性分析1、提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结
20、构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争力。六、 新一代智能制造技术在建筑业的应用智能制造可归纳为三个基本范式,即数字化制造、数字化网络化制造、数字化网络化智能化制造-新一代智能制造。新一代智能制造是新一代人工智能技术与先进制造技术的深度融合,贯穿于产品设计、制造、服务全寿命期各个环节及相应系统的优化集成,不断提升企业的产品质量、效益、服务水平,减少资源能耗,是新一轮工业革命的核心驱动力,是今后数十年制造业转型升级的主要路径。“
21、人-信息-物理系统”(Human-Cyber-PhySicalSyStemS,HCPS)揭示了新一代智能制造的技术机理,能够有效指导新一代智能制造的理论研究和工程实践。(1)传统制造与“人-物理系统”(Human-PhySicalSyStemS,HPS)。传统制造系统包含人和物理系统两大部分,是完全通过人对机器的操作控制来完成各种工作任务。动力革命极大地提高了物理系统(机器)的生产效率和质量,物理系统(机器)代替了人类大量体力劳动。传统制造系统中,要求人完成信息感知、分析决策、操作控制及认知学习等多方面任务,不仅对人的要求高,劳动强度大,而且系统工作效率、质量还不够高,完成复杂工作任务的能力还
22、很有限。(2)新一代智能制造与新一代“人-信息-物理系统”。与传统制造系统相比,智能制造系统的本质变化是在人和物理系统之间增加信息系统,形成“人一信息-物理系统”。随着新一代人工智能技术的发展,“人一信息一物理系统”发生质的变化,形成新一代“人一信息物理系统”。新一代智能制造系统最本质的特征是其信息系统增加了认知和学习功能,信息系统不仅具有强大的感知、计算分析与控制能力,更具有学习提升、产生知识的能力。(二)3D打印技术1、基本原理(1)建筑3D打印技术作为新型数字建造技术,集成了计算机技术、数控技术、材料成型技术等,采用材料分层叠加的基本原理,由计算机获取三维建筑模型的形状、尺寸及其他相关信
23、息,并对其进行一定处理,按某一方向(通常为Z向)将模型分解成具有一定厚度的层片文件(包含二维轮廓信息)然后对文件进行检验或修正并生成正确的数控程序,最后由数控系统控制机械装置按照指定路径运动实现建筑物或构筑物的自动建造,也被称为“增材建造(additivecOnStructiOn)三维模型建立与近似处理。三维建模方法有两种:首先,通过建筑参数化建模软件(如Revit,3Dmax等)直接建模;其次,利用逆向工程(reverSeengineering,RE)或反求工程(如三维扫描等)通过点云数据构造出三维模型。然后用软件将三维模型导出为特定的近似模拟文件,如STL格式文件等,为后续工作做好准备。(
24、2)模型切片与路径规划。将三维模型模拟文件导入建筑3D打印数控系统,系统对模型进行两步处理用一系列平行、等间距的二维模型进行拟合,即分层切片处理。将切片得到的层片轮廓转化为打印喷嘴的运行填充路径,即层片路径规划。2、机器人建造特征人机共生下的全新工作模式可以归结为以下三个特征:一体化、体外化和虚拟/物质化的数字。(1)一体化。一体化的首要特征是人的思维与机器运算思维的打通,其次是设计与建造的打通。这一切是建立在建筑设计方法从几何参数化、性能参数化到建造参数化的一体化联动基础之上的。(2)体外化。体外化则是对待人体与机器的基本态度。机器不是人在思维和身体上的延伸,而是独立于人体,有着与人类不同的
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