微米级薄膜沉积设备项目建设工程勘察设计招标投标方案(范文).docx
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《微米级薄膜沉积设备项目建设工程勘察设计招标投标方案(范文).docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《微米级薄膜沉积设备项目建设工程勘察设计招标投标方案(范文).docx(66页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域/微米级薄膜沉积设备项目建设工程勘察设计招标投标方案微米级薄膜沉积设备项目建设工程勘察设计招标投标方案目录一、 产业环境分析3二、 半导体薄膜沉积设备的发展情况4三、 必要性分析11四、 施工评标11五、 施工投标报价策略19六、 招标投标法实施条例26七、 招标投标法40八、 工程勘察设计招标47九、 工程勘察设计投标53十、 公司简介55十一、 项目规划进度56项目实施进度计划一览表56十二、 项目投资计划57建设投资估算表59建设期利息估算表60流动资金估算表62总投资及构成一览表63项目投资计划与资金筹措一览表64一、 产业环境分析针对经济下行、中美经贸摩擦、产业结构深度调整等带来
2、的困难和挑战,采取有力有效措施,努力保持经济平稳健康发展,加快实现由大到强、由高速增长向高质量发展转变。全省地区生产总值增长6.1%(按原核算方法计算增长6.4%),总量达9.96万亿元,人均达12.36万元、居各省区第一。实现一般公共预算收入8802亿元、同比增长2%,税占比达83.4%。固定资产投资增长5.1%,其中制造业投资、工业技改投资、高新技术产业投资分别增长4.6%、8.6%、23.3%。社会消费品零售总额增长6.2%,消费对经济增长的贡献率达60%。金融机构人民币存贷款余额分别达到15.3万亿元和13.3万亿元,同比分别增长9.4%和15.2%。2020年是全面建成小康社会和“十
3、三五”规划的收官之年,我们要实现第一个百年奋斗目标,为全面开启现代化建设新征程、实现第二个百年奋斗目标打好基础。当今世界正处于百年未有之大变局,我国正处于实现中华民族伟大复兴关键时期,我们面对的发展环境正发生前所未有的新变化。从整体看,当前和今后一个时期,我国仍处于大有可为的重要战略机遇期,经济稳中向好、长期向好的基本趋势没有变。共建“一带一路”、长江经济带发展、长三角区域一体化发展战略叠加和江苏自贸试验区获批建设,为我们提供了路径指引和重大机遇。国家更大力度、更高层次推进改革开放,更大规模减税降费、支持民营企业发展、优化营商环境等政策措施,为我们应对经济下行压力冲击提供了有力支撑。特别是我省
4、拥有雄厚的实体经济基础、丰富的科教人才资源、比较完备的基础设施,更坚定了我们战胜困难挑战的勇气和底气。我们要胸怀中华民族伟大复兴的战略全局和世界百年未有之大变局“两个大局”,坚持用辩证思维看待形势发展变化,变压力为动力,在危与机转换中把握战略机遇,既增强忧患意识、树立底线思维,又坚定发展信心、保持战略定力,集中精力办好自己的事,奋力推动高质量发展走在前列,一步一个脚印地把“强富美高”新江苏建设推向前进。今年经济社会发展主要预期目标是:地区生产总值增长6%左右,一般公共预算收入增长2.5%左右,社会消费品零售总额增长7%左右,外贸进出口和实际使用外资稳中提质,城镇新增就业120万人以上,城镇登记
5、失业率、调查失业率分别控制在4%以内、5%左右,居民人均可支配收入增长与经济增长基本同步,居民消费价格涨幅控制在3.5%左右,单位地区生产总值能耗下降3%左右,四项主要污染物减排完成国家下达目标。确定上述目标,既考虑了国内外环境深刻变化和高水平全面建成小康社会、“十三五”规划目标任务的完成,又体现了稳中求进、高质量发展走在前列的奋斗要求,努力实现经济量的合理增长和质的稳步提升。二、 半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况(1)薄膜沉积设备市场规模持续增长根据MaximizeMarketResearch数据统计,全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大
6、至2020年的172亿美元,年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。(2)薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展,在部分领域已有一定的进步,但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低,半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起,我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%,但总体占比尤其是中高端产品占比较低。(3)各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看,CVD
7、设备占比56%,PVD设备市占率23%,其次是ALD及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm后,由于器件结构不断缩小且更为3D立体化,生产过程中需要实现厚度更薄的膜层,以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下,ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点,技术优势愈加明显,在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用,广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。(1)ALD典型应用高介电常数金属栅极(HKMG)
8、工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元,漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前,集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电;随着集成电路尺寸不断缩小,特别是制程28nm之后,传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下,达到了其物理极限,产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应,导致漏电流急剧增加,器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极(HKMG)工艺,可以解决上述问题,即采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层,TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极,高k栅氧化层与金属栅极的组合使用,不仅能够大幅减小
9、栅极漏电流,同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄,还能有效减低栅极电容。ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点,自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后,就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。(2)ALD典型应用电容和电极材料集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限,NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段,128层闪存也陆续有厂商开始推出,行业预期未来将叠加至500层,技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中,增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽,而且需要增加堆叠的层数,使得一些器件结构的深宽比增加至40:1,甚至是80:
10、1的极深孔或极深的沟槽,对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD技术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术的不断发展,等效氧化物厚度进一步下降,3DNAND和DRAM电容呈现高深宽比结构,在这种情况下,高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外,新型存储器也在快速发展,与闪存和DRAM相比,新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器(FeRAM)为例,其由电容和场效应管构成,其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜,该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求,A
11、LD技术可以较好地满足技术指标。(3)ALD典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜,并通过光刻技术形成布线,把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种,而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展,元件集成度提高、几何构架收缩,导致深宽比的增加,ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层,阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散,且作为粘附层促进互连铜的生长,给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势(1)半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升,全球半导体设备市场呈现快速增长态势,拉动市场对薄
12、膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充,另一方面受益于技术演进带来的增长机遇,包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术,全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元,保持年复合13.3%的增长速度。(2)进口替代空间巨大近年来,在国家政策的拉动和支持下,我国半导体产业快速发展,整体实力显著提升,设计、制造能力与国际先进水平不断缩小,但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造2025对于半导体设备国产化提出
13、明确要求:在2020年之前,90-32nm工艺设备国产化率达到50%,实现90nm光刻机国产化,封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前,20-14nm工艺设备国产化率达到30%,实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展,国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金,国家集成电路基金首期募资1,387亿元,二期募资超过2,000亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施,本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机,而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备,将会迎来巨大的进口替代市场空间。(3)薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中,薄膜发挥着形成导电层或
14、绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂,薄膜性能参数精细化要求也随之提高,如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高,台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。(4)先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展,单位面积集成的电路规模不断扩大,芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线,则超过100道薄膜沉积工序
15、,涉及的薄膜材料由6种增加到近20种,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前,半导体行业的薄膜沉积设备中,PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化,而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备,在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时,与PVD设备和CVD设备相比,ALD设备的必要性更加凸显。目前,基于供应链安全考虑,国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势,以及国产化进程加快的背景下,国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。三、 必要性
16、分析1、现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。2、公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品,提升产品精密化程度,
17、将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。四、 施工评标(一)初步评审1、初步评审内容根据国家发展改革委等九部委颁布的标准施工招标文件,初步评审属于对投标文件的合格性审查,评审内容包括以下四个方面。(1)投标文件形式审查。具体包括以下内容。1)提交的营业执照、资质证书、安全生产许可证是否与投标单位的名称一致。2)投标函是否经法定代表人或其委托代理人签字并加盖单位章。3)投标文件的格式是否符合招标文件要求。4)联合体投标人是否提交了联合体协议书,联合体的成员组成与资格预审的成员组成
18、有无变化,联合体协议书的内容是否与招标文件要求一致。5)报价的唯一性。不允许投标单位以优惠的方式,提出如果中标可将合同价降低多少的承诺。这种优惠属于一个投标两个报价。(2)投标人资格审查。对于未进行资格预审的,需要进行资格后审,资格审查的内容和方法与资格预审相同,包括营业执照、资质证书、安全生产许可证等资格证明文件的有效性,企业财务状况,类似项目业绩,信誉,项目经理,正在施工和承接的项目情况,近年发生的诉讼及负债情况,联合体投标人提交联合体协议书的情况等。(3)投标文件对招标文件的响应性审查。具体包括以下内容。1)投标内容是否与投标人须知中的工程或标段一致,不允许只投招标范围内的部分专业工程或
19、单位工程的施工。2)投标工期应满足投标人须知中的要求,承诺的工期可比招标工期短,但不得超过要求3)工程质量的承诺和质量管理体系应满足要求。4)提交的投标保证金形式和金额是否符合投标人须知的规定。5)投标人是否完全接受招标文件中的合同条款,如果有修改建议的话,不得对双方的权利、义务有实质性背离且需为招标单位所接受。6)核查已标价的工程量清单。如果有计算错误,单价金额小数点有明显错误的除外,总价金额与依据单价计算出的结果不一致时,以单价金额为准修正总价;若是书写错误,当投标文件中的大写金额与小写金额不一致时,以大写金额为准。评标委员会对投标报价的错误予以修正后,请投标单位书面确认,作为投标报价的金
20、额;投标单位不接受修正价格的,其投标作废标处理。7)投标文件是否对招标文件中的技术标准和要求提出不同意见。(4)施工组织设计和项目管理机构设置的合理性审查。具体包括以下内容。1)施工组织的合理性。具体包括施工方案与技术措施、质量管理体系与措施、安全生产管理体系与措施、环境管理体系与措施等的合理性和有效性。2)施工进度计划的合理性。具体包括总体工程进度计划和关键部位里程碑工期的合理性及施工措施的可靠性、机械和人力资源配备计划的有效性及均衡施工程度。3)项目组织机构的合理性。具体包括技术负责人的经验和组织管理能力、其他主要人员的配置及技术和管理能力是否满足实施招标工程的需要。4)拟投入施工的机械和
21、设备。具体包括施工设备的数量、型号能否满足施工的需要,试验、检测仪器设备是否能够满足招标文件的要求等。初步评审内容中,投标文件有一项不符合规定的评审标准时,即作废标处理。2、投标文件的澄清和说明评标委员会可以书面方式要求投标单位对投标文件中含意不明确的内容作必要的澄清、说明或补正,但是澄清、说明或补正不得超出投标文件的范围或者改变投标文件的实质性内容。投标人资格条件不符合国家有关规定和招标文件要求的,或者拒不按照要求对投标文件进行澄清、说明或者补正的,评标委员会可以否决其投标。评标委员会发现投标单位的报价明显低于其他投标报价或者在设有标底时明显低于标底,使得其投标报价可能低于其个别成本的,应当
22、要求该投标单位作出书面说明并提供相关证明材料。投标单位不能合理说明或者不能提供相关证明材料的,由评标委员会认定该投标单位以低于成本报价竞标,其投标应作废标处理3、投标偏差及其处理评标委员会应当根据招标文件,审查并逐项列出投标文件的全部投标偏差。投标偏差分为重大偏差和细微偏差。(1)重大偏差。下列情况属于重大偏差1)没有按照招标文件要求提供投标担保或者所提供的投标担保有瑕疵。2)投标文件没有投标单位授权代表签字和加盖公章。3)投标文件载明的招标项目完成期限超过招标文件规定的期限。4)明显不符合技术规格、技术标准的要求。5)投标文件载明的货物包装方式、检验标准和方法等不符合招标文件的要求。6)投标
23、文件附有招标单位不能接受的条件。7)不符合招标文件中规定的其他实质性要求。投标文件有上述情形之一的,未能对招标文件作出实质性响应,除招标文件对重大偏差另有规定外,应作废标处理。(2)细微偏差。细微偏差是指投标文件在实质上响应招标文件要求,但在个别地方存在漏项或者提供了不完整的技术信息和数据等情况,并且补正这些遗漏或者不完整不会对其他投标单位造成不公平的结果。细微偏差不影响投标文件的有效性。评标委员会应当书面要求存在细微偏差的投标单位在评标结束前予以补正。拒不补正的,在详细评审时可以对细微偏差作不利于该投标单位的量化,量化标准应在招标文件中规定。(二)详细评审经初步评审合格的投标文件,评标委员会
24、应根据招标文件确定的评标标准和方法,对其技术部分和商务部分作进一步评审、比较。通常情况下,评标方法有两种,即经评审的最低投标价法和综合评估法1、经评审的最低投标价法经评审的最低投标价法一般适用于采用通用技术施工,项目的性能标准为规范中的一般水平,或者招标单位对施工没有特殊要求的招标项目。能够满足招标文件的实质性要求,并经评审的最低投标价的投标,应当推荐为中标候选人。采用经评审的最低投标价法时,评标委员会应根据招标文件中规定的量化因素和标准进行价格折算,对所有投标单位的投标报价以及投标文件的商务部分作必要的价格调整。根据标准施工招标文件,主要的量化因素包括单价遗漏和付款条件等,招标单位可根据工程
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 微米 薄膜 沉积 设备 项目 建设 工程 勘察 设计 招标 投标 方案 范文
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内