金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）项目可行性研究报告.docx

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1、 金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）项目 可行性研究报告 二二一年十二月 目 录 第一章 项目概况1一、 项目背景1（一）MOSFET在民品中应用2（二）MOSFET在JG上应用2二、 项目简介3三、 投资主体与标的公司4（一）投资主体-振华科技4（二） 标的公司-奥罗拉5第二章 奥罗拉的产品与业务11一、 产品与生产组织方式11（一）产品体系11（二）产品研发方式14二、 技术研发15（一）主要技术15（二）技术团队16（三）知识产权及集成电路布图16三、 现有客户结构及主营业务19（一）技术服务19（二）芯片销售20第三章 项目投资方案22一、投资总额22二、投资方式23三、资

2、金来源23四、资金用途23第四章 市场分析23一、市场状况、技术水平及发展趋势23（一） 国际市场状况、技术水平及发展趋势26（二） 国内市场状况、技术水平及发展趋势28二、 竞争环境与行业集中度30第五章 项目必要性和可行性34一、项目必要性分析34（一）是打破国际技术封锁，保障国家基础战略产业发展的需要34（二）日益增长的市场需求35（三）是振华科技完善产品体系，实现转型升级的需要36二、项目可行性分析37（一）行业发展有良好的政策支撑37（二）奥罗拉具备打破国外技术封锁、参与国际竞争的技术实力38（三）振华科技具备推动奥罗拉业务发展的管理基础和资金实力39第六章 项目效益评价40一、经营

3、业经预测40（一）预测期限40（二）总成本费用估算40（三）收入、税金及附加、利润及其分配41二、效益评价42第七章 增资后经营管理44一、发展思路44二、着力提升核心技术竞争力44三、着力加大人才招募和激励44四、着力提升管理水平45五、着力拓宽市场渠道45第八章 项目风险分析及对策46一、市场开拓风险46（一）风险描述46（二）对策46二、人才流失风险46（一）风险描述46（二）对策47三、技术研发风险47（一）风险描述47（二）对策48四、运营管理风险48（一）风险描述48（二）对策49第九章 项目结论50 III 第一章 项目概况 一、 项目背景 金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOS

4、FET），是一种典型半导体器件结构，具有高频、驱动简单、抗击穿性好的特性，作为功率半导体器件已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器件使用以实现特定功能。MOSFET 属于半导体领域中的功率半导体器件分类，是实现高效电能利用、智能电机控制的核心部件，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩等领域，保持稳定增长，特别在节能环保发展趋势下，超低能耗高可靠性的半导体功率器件将迎来更大的市场空间。 随着半导体理论和工艺技术发展，近年来 MOSFET 发展出沟槽型 MOSFET(Trench MOS)、超结 MOSFET(Super Junction MOS )和屏蔽栅沟槽型

5、 MOSFET(SGT MOS )。沟槽型 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损耗等特点；超结 MOSFET 特别适用于 500V900V 高压应用领域，具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点，目前主要用在高端电源管理领域；屏蔽栅沟槽型 MOSFET 打破了普通 MOSFET 的“硅限”，特别适用于 30V300V 电压应用领域，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点。目前主要用于高端电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。 （一）MOSFET在民品中应用 半导体分立器件作为基础性电子元器件，MOSFET 是国家鼓励发展的功率半导体器件，随着我国

6、“双碳战略”的提出和新能源市场的发展，国内市场即将开始爆炸性增长。近年来，随着国民经济的快速发展及产品技术工艺的不断突破，MOSFET 器件应用领域有了较大幅度的扩展。目前，半导体功率器件的应用范围已从原有的工业控制和 4C 产业（计算机、通信、消费类电子产品和汽车），逐步扩展到新能源汽车/充电桩、光伏新能源、物联网、智能装备制造等新兴领域。而且，受益于国际半导体产业制造环节的转移、国家产业政策的大力扶持以及下游行业快速发展的需求拉动，我国半导体功率器件市场容量将保持持续稳定的增长态势。此外，随着本土半导体功率器件产品技术水平和质量品质不断提升，半导体功率器件进口替代效应将日益显性。 （二）M

7、OSFET在JG上应用 MOSFET 广泛使用在模拟与数字电路，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，MOSFET 作为新型半导体功率器件的代表，已成为整机系统提高性能指标和节能指标的首选产品。随着新一代 WQZB 功能性能不断提升，高性能、高可靠 ZB 使用已从地面延伸至星载、箭载、弹载、机载、核电等应用领域。由于目前国际局势紧张程度日益加剧，自 2012 年起，英、美等多个国家联合签署的瓦森纳协议、北约条例等文件已正式陆续施行，绝大部分核心器件已无法实现进口采购。以抗辐照 MOSFET 器件最为典型，该类器件使用范围基本涵盖了所有的航天、空间、核领域及型号，目前均已全部受到国外禁运，而国内

8、现有产品品种较少，无法满足 ZB 使用需求，急需开展相关技术研究，掌握核心关键技术，实现产品自主可控研制。一旦成功，不仅会为企业带来新的经济增长点，提升自身技术能力和行业地位，更是能够进一步缓解 ZB 核心元器件配套困难的窘迫局面，为我国国防技术提升及战略储备作出贡献。 二、 项目简介 中国振华（集团）科技股份有限公司（以下简称振华科技）拟自筹资金 1,800 万元人民币，以现金出资方式对嘉兴奥罗拉电子科技有限公司（以下简称奥罗拉）进行增资。投资主要用于奥罗拉技术研发和补充其经营流动资金。振华科技将持有奥罗拉公司约 20.08%的股权。 三、 投资主体与标的公司 （一）投资主体-振华科技 1、

9、 公司概况 振华科技是由中国振华电子集团有限公司独家发起并以募集方式设立的高科技股份制企业，1997 年 7 月在深圳证券交易所上市，股票代码：000733。振华科技的主导产品有钽电解电容器、片式电阻器、片式电感器、开关、微型继电器、接触器、半导体分立器件、厚膜混合集成电路及高压真空灭弧室、锂离子动力电池等。截止 2021 年 9 月，振华科技总资产 101.37 亿元，总股本 51480.6 万股，净资产 48.25 亿元。 2、 主营业务 振华科技主要从事电子信息产品的研制生产和销售，产品主要有: 以片式钽电容器、片式电阻器、片式电感器、片式二三极管、厚膜混合集成电路、TO-5 微型密封电

10、磁继电器为代表的高新电子；以锂离子电池和高压真空开关管为代表的关键元器件。 3、 发展战略 振华科技以支撑国家战略、引领行业发展为己任，坚持“产资结合、重组整合”发展思路，加快产业结构调整、人才结构调整、资产结构调整，着力提升管理能力、资本运作能力和科技创新能力，推动企业高质量发展，开创振华科技发展新局面，致力成为有较强资本运作能力、有较强自主创新能力、有较强行业影响力的高科技上市公司，实现股东和职工、企业和社会的多赢共进。 （二） 标的公司-奥罗拉 1、公司概况名称：嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 住所：浙江省嘉兴市南湖区亚太路 705 号 16FA16-12 室法定代表人：万欣 注册资本：16

11、7.91 万元（人民币）企业性质：有限责任公司（自然人投资或控股）营业执照注册号：91330402MA28ATWL7C 成立日期： 2016 年 12 月 1 日营业期限： 无固定期限 经营范围：电子元器件、集成电路的技术研发、技术服务、生产、销售；进出口业务。 奥罗拉系自然人万欣与晋虎作为发起人设立的有限责任公司，已入选高新技术企业、浙江省科技型中小企业、南湖区级研发中心。奥罗拉是一家功率半导体芯片的 FABLESS 公司，拥有经验丰富的专业功率半导体器件设计团队，具备各类功率半导体器件自主研发能力，特色产品为宇航级抗辐射 MOS。截止目前已申请各类知识产权十余项，获授权 9 项。奥罗拉与清

12、华大学、中科院微系统所、浙江清华长三角研究院等国内多家高校及科研院所建立了紧密的合作关系，共同推进高可靠功率半导体的国产化进程。曾获得第四届中国青年创新创业大赛金奖，第二届清华校友三创大赛银奖，入选“创新嘉兴精英引领计划”。 奥罗拉将始终以国家战略需求为导向，以国际前沿水平为追求，以创新的理念和专业的技术致力于为客户提供领先可靠的功率半导体产品。 2、股权结构及变更 （1） 公司设立 奥罗拉前身为北京极光源芯科技有限公司（以下简称北京极光源芯），成立于 2016 年 1 月 18 日，注册地为北京市海淀区中关村东路 1 号院 8 号楼地下一层 CB102-013 号，法定代表人为万欣。应嘉兴政

13、府相关政策要求，获得嘉兴政府补贴的高新企业注册地须设立在浙江嘉兴，因此北京极光源芯于 2016 年 12 月 1 日注销，在嘉兴新设奥罗拉，注册地为浙江省嘉兴市南湖区亚太路 705 号 16F A16-12 室，注册资本 150 万元，万欣出资 136.5 万元，持股 91%，晋虎出资 13.5 万元，持股 9%。 （2） 股权变更 1、2017 年 6 月 22 日,股东万欣将其所持奥罗拉 7%股权（出资额 10.5 万元，未实缴）以 0 元转让给邢喆，8%股权（出资额 12 万元，未实缴）以 0 元转让给北京亨普瑞，9%股权（出资额 13.5 万元，未实缴）以 0 元转让给北京泰有，出资时

14、间均为 2036 年 11 月 30 日前。转让后，各股东、出资额、持股比例、出资方式、出资时间见下表 1。 表 1 序号 股东 出资额 (万元) 持股比例 出资方式 出资时间 1 万欣 100.5 67% 货币 2036.11.30 2 晋虎 13.5 9% 货币 2036.11.30 3 北京泰有创业投资合伙企业 13.5 9% 货币 2036.11.30 4 北京亨普瑞投资管理有限公司 12 8% 货币 2036.11.30 5 邢喆10.5 7% 货币 2036.11.30 2、2017 年 12 月 15 日,奥罗拉增资 320 万元，其中，增加注册资本 17.91 万元，其余 30

15、2.09 万元计入资本公积。增资后，奥罗拉整体估值 3,000 万元，各股东、出资额、持股比例、出资方式、出资时间见表 2。 表 2 序号 股东 出资额 (万元) 持股比例 出资方式 出资时间 1万欣100.559.86%货币2036.11.302 晋虎 13.5 8.04% 货币 2036.11.30 3北京泰有创业投资合伙企业13.58.04%货币2036.11.304 北京亨普瑞投资管理有限公司 15.358 9.15% 货币 2036.11.30 5邢喆10.56.25%货币2036.11.306 启迪之星（天津）创业投资中心 （有限合伙）5.5969 3.33% 货币 2018.3.

16、1 7浙江浙华投资有限公司5.59693.33%货币2018.3.18 杭州泰之有创业投资合伙企业 （有限合伙） 1.6791 1% 货币 2018.3.1 9 新余泰益投资管理中心 （有限合伙） 1.6791 1% 货币 2018.3.1 3、2019 年 1 月 19 日,股东万欣将其所持奥罗拉 15.19%股权（出资额 25.5 万元，未实缴）以 25.5 万元转让给嘉兴奥丁，将其所持奥罗拉 18.76%股权（出资额 31.5 万元，未实缴）以 31.5 万元转让给嘉兴欧若拉；股东晋虎将其所持奥罗拉 8.04%股权（出资额 13.5 万元，未实缴）以 13.5 万元转让给嘉兴欧若拉。本次

17、股权转让后，各股东、出资额、持股比例、出资方式、出资时间见表 3。 表 3 序号 股东 出资额 (万元) 持股比例 出资方式 出资时间 1 万欣 43.5 25.91% 货币 2018.12.30 2 嘉兴欧若拉企业管理咨询合伙企业 （有限合伙） 45 26.8% 货币 2018.12.30 3 嘉兴奥丁企业管理咨询合伙企业 （有限合伙） 25.5 15.19% 货币 2018.12.30 4 北京泰有创业投资合伙企业 （有限合伙） 13.5 8.04% 货币 2018.12.30 5 北京亨普瑞投资管理有限公司 15.358 9.15% 货币 2018.12.30 6 邢喆 10.5 6.2

18、5% 货币 2018.12.30 7 启迪之星（天津）创业投资中心 （有限合伙） 5.5969 3.33% 货币 2018.3.1 8 浙江浙华投资有限公司 5.5969 3.33% 货币 2018.3.1 9 杭州泰之有创业投资合伙企业 （有限合伙） 1.6791 1% 货币 2018.3.1 10 新余泰益投资管理中心（有限合伙） 1.6791 1% 货币 2018.3.1 (3)实际控制人 1、 嘉兴欧若拉合伙人为万欣、晋虎、周博，万欣占 80%的份额，为执行事务合伙人。 2、 嘉兴奥丁合伙人为万欣、晋虎，万欣占 91.18%的份额，为执行事务合伙人。 3、 再加上单独持有的股权，万欣实

19、际控制奥罗拉 67.9%的股权。因此，自然人股东、董事长、总经理万欣拥有对奥罗拉的绝对控制权。 (4)其他股东 1、 嘉兴欧若拉持股 26.80%（出资额 45 万元，已实缴），拟用于小股东的持股平台。 2、 嘉兴奥丁持股 15.19%（出资额 25.5 万元，已实缴），拟用于员工股权激励。 3、 北京亨普瑞持股 9.15%（出资额 15.3580 万元，已实缴），其实际控制人为自然人股东邢喆，再加上其单独持有的 6.25%（出资额 10.5 万元，已实缴），自然人股东邢喆实际控制奥罗拉 15.4%股权。自然人股东邢喆为实际控制人万欣表姐。 4、 浙江浙华持股 3.33%（出资额 5.5969

20、 万元，已实缴）是浙江清华长三角研究院的全资子公司，而浙江清华长三角研究院是奥罗拉实际控制人万欣目前所供职单位。 5、 北京泰有、启迪之星、杭州泰之有、新余泰益共持股 13.37%（出资额 22.4551 万元，已实缴），均与清华大学教育基金会相关联。 3、组织结构 董事会：由 5 人构成，万欣（董事长）、晋虎，北京泰有、启迪之星和浙江浙华三方各派出 1 人。 监事会：由 2 人构成，刑喆、北京亨普瑞派出 1 人。 高级管理人员：总经理万欣，负责市场及运营；产品总监晋虎，负责公司产品开发。 奥罗拉在总经理领导下分别设置综合部、运营部、研发部。 图 1 奥罗拉组织结构图 第二章 奥罗拉的产品与业

21、务 一、 产品与生产组织方式 （一）产品体系 1、 现有产品（样品） 奥罗拉专注于功率半导体器件的研发和销售，包括 MOSFET、 FRD 等，目前以 MOSFET 半导体芯片设计及销售为主。抗辐照 MOS 作为奥罗拉研制产品的主要方向，其开发的抗辐照产品已基本达到了 IR 公司的 R5、R6 级别的产品性能。目前已推出包括 30V/100V 低压平面 MOS、30V/100V SGT、100V/200V 抗辐照 MOS 六款产品。 表 4 奥罗拉现有现有产品（样品）研发成果 序号 产品类型 产品类别 产品型号 性能 备注 1 低压平面MOS30V 3103 Gen5 击穿电压40V 阈值电压

22、1.8V 栅极电荷42nC 导通电阻8.7m 比导通电阻59.78mcm FOM值319.2mnC 已有产品，综合参数优于IR Gen5产品 2 100V芯片 100V Gen5 击穿电压108V 阈值电压3.98V 栅极电荷44.4nC 导通电阻36.5m 比导通电阻278mcm FOM值1571.76mnC 已有产品，综合参数接近IR Gen7水平 3 SGT MOS 30V 30V SGT#2CHIP21 NO1 击穿电压32.4V 阈值电压2.65V 栅极电荷44nC 导通电阻2.67m 比导通电阻6.28mcm FOM值69.08mnC 已有产品，优于英飞凌 optiMOS3 ， 与

23、 optiMOS5 有较大差距 4 100V AKE4P2R10(1#) 击穿电压116V 阈值电压3.2V 栅极电荷59.7nC 导通电阻3.72m 比导通电阻55.39mcm 已有产品，优于英飞凌optiMOS3，FOM与 optiMOS5 接近，比导 通 电 阻 与 optiMOS5 有一定差FOM值196.82mnC 距 5 高压平面MOS 650V 7N65 击穿电压671V 阈值电压3.15V 导通电阻1.07m 比导通电阻9.01mcm 已有产品，采用JTE 结构，650V 终端比传统终端缩小近50% 6 抗辐射MOS 100V 宇航应用产品Y 总剂量100rad(Si) 单粒子

24、80MeVcm/mg 导通电阻80m FOM值1768mnC 已有产品，与IR R5 产品相当，已开展上星搭载试验2年 7 核应用产品H 总剂量300rad(Si) 导通电阻39m 已有产品，电性能接近IR R6产品，已开展上星搭载试验 2 年 8 200V 宇航应用产品Y 总剂量100rad(Si) 单粒子80MeVcm/mg 导通电阻230m FOM值5200mnC 已有产品，与IR R5 产品相当，已通过单粒子试验 9 核应用产品H 总剂量300rad(Si) 导通电阻156m 已有产品，电性能接近IR R6产品，已通过单粒子试验 10 固态继电器专用MOS 增强型 4.66*3.76u

25、m 导通电阻下降 15%（3.34m-2.69m）极限雪崩能量1200mJ 已有产品 11 耗尽型 100V 100V 击穿电压121V 阈值电压-2.2V 导通电阻70m 比导通电阻574mcm 已有产品，电性能更具优势，阈值电压一致性强 12 耗尽型 200V 200V 击穿电压230V 阈值电压-2.05V 导通电阻38m 比导通电阻1096mcm FOM值2638mnC 13 沟槽肖特基二极管 AR10100 击穿电压116V 反 向 漏 电 流 14 A（VR100V,Ta25) 反 向 漏 电 流 5.5（VR100V,Ta125) 正向压 0.398V(IF1A,Ta25) 正向

26、压 0.68V(IF10A,Ta25) 结电容243pF（VR10V）结电容107pF（VR50V）芯片大小82mil mm mA 降降已有产品，较传统平面肖特基具优势，达到业内同类产品水平 2、 在研产品 在已研发的产品（样品）基础上，奥罗拉将开展相同平台产品系列化与其他平台产品开发,通用 MOSFET 由 N 沟向 P 沟拓展、SGT MOS 产品由低压向高压（150V、200V）扩展、高压 MOSFET 由平面向 SJ-MOS 扩展、抗辐照 MOS 由 100V/200V 平台向全耐压系列拓展、定制开发（固态继电器 MOS、TMBS 等）。目前在研产品包括耗尽型MOS 和高压 650V

27、抗辐照 MOS。目前在研产品如下： （1） 高压抗辐射 MOS 600V 平台开发，可应用在低轨卫星电推进系统，目前仅有 IR R6 与英飞凌产品，英飞凌产品竞争力较强，市场上尚无同类型自主可控产品，该产品已于 2021 年开始研发工作，预计 2022 年完成； （2） 固态继电器专用 MOS 低开启 SGT MOS 产品，Vth:1.8V，匹配封装外形，该产品计划 2021 年 7 月上线，10 月底已产出，测试中； （3） 固态继电器专用 MOS 定制产品，将根据客户需求定制尺寸，匹配封装外形，目前 LOT 已上线，原计划 2021 年 8 月底产出，受晶元加工厂排产影响，滞后。 （二）产

28、品研发方式 奥罗拉芯片研发的设计环节由奥罗拉独立完成，生产制造环节采取委外加工方式进行流片、封装、量产测试。 1、 产品开发流程奥罗拉的产品开发以项目形式进行组织开发。收到客户需求或公司内部提出的开发需求，即组织产品研发进程。开发流程如下图所示。 图 2 开发流程图 2、 生产制造环节 奥罗拉采用 Fabless 模式。芯片主要由奥罗拉设计方案后交由晶圆代工企业进行生产，功率器件主要是委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。晶圆代工和封装测试公司均为国内企业。同时，由于自身体量较小，与部分晶圆代工企业采用间接方式代工，不直接作为晶圆代工企业的客户，而是通过与晶圆代工企业的现有客户合作的方式

29、委托晶圆代工企业进行生产。 二、 技术研发 （一）主要技术 奥罗拉擅长抗辐照 MOSFET、SGT MOSFET 及大功率 MOSFET，其研发能力处于国内第一梯队。奥罗拉对 MOSFET 的国内外现状及发展趋势掌握较好，紧跟 MOSFET 技术发展方向，掌握了包括平面 MOS、SGT MOS，Trench SBD 等通用技术和抗辐射 MOS、耗尽型 MOS 等特色技术。中低压抗辐照功率 MOSFET 的成功开发表明该公司已经自主掌握了中低压 MOSFET 抗辐照加固从芯片结构设计到工艺流片的全流程技术，其开发的抗辐照产品已基本达到了 IR 公司的 R5、R6 级别的产品性能，产品整体达到国内

30、先进技术水平。而低损耗 SGT MOSFET 的研制表明该公司已经基本具备了高性能功率 MOSEFT 器件的开发能力，研发的 30V、100V SGT 器件性能优于国内同类产品,与英飞凌 OptiMOS3 性能相当。奥罗拉以自主开发国内领先水平的 MOSFET 芯片为切入点，致力于打破国外技术垄断，实现高端半导体功率芯片自主可控。 奥罗拉的核心技术主要体现在非专利的专有技术，是先进、实用但未申请专利的技术秘密，包括数据公式、计算机仿真程序及代码、设计图纸、加工图纸、工艺流程、与设计对应的详细工艺菜单、制造加工的设备型号、材料规格参数、质量控制流程、检测方法、测试分析数据以及技术人员的经验和知识

31、等。 （二）技术团队 目前奥罗拉研发人员主要为万欣与晋虎，总经理万欣现阶段负责管理运营和市场，晋虎作为产品总监负责芯片结构设计，主要研发人员构成见下表。 表 5 主要研发人员 姓名 性别 职务 部门 岗位性质 学历 毕业学校 专业 万欣 男 总经理 CEO 兼职 博士 清华大学 核科学与技术 晋虎 男 产品总监 CTO 兼职 硕士 复旦大学 集成电路工程 杨春益 男 测试员 技术部 兼职 本科 福建师范大学 电子信息工程 邓辉 男 工艺师 技术部 兼职 硕士 湖北大学 微电子学与固体电子学 万春友 男 测试员 技术部 退休返聘 大专 唐山职工大学 电气自动化专业 （三）知识产权及集成电路布图

32、截止 2021 年 5 月 31 日，奥罗拉拥有已授权的实用新型专利 5 项、集成电路布图 4 项，已进入实审阶段的发明专利 10 项。 16 表 6 知识产权情况 序号 类别 专利名称 专利内容 专利号 授权日期 权利人/权利单位 状态 1 实用新型专利 功率半导体芯片 热分布宽SOA ZL201721383406.8 2019.5.20 奥罗拉 已授权 2 功率半导体器件 改善SEGR ZL201820967474.7 2018.11.14 重庆平伟、奥罗拉 3 功率半导体器件 改善SEGR ZL201820977290.9 2018.11.27 重庆平伟、奥罗拉 4 一种功率半导体器件

33、TMBS降低反向漏电 ZL201920274948.4 2019.10.1 重庆平伟、奥罗拉 5 功率半导体器件 耗尽型MOS ZL202021434739.0 2021.2.2 奥罗拉 6 集成电路布图 100V/22A高可靠VDMOS(ANB1N11022) BS.175008671 2017.10.24 奥罗拉 7 宽FBSOA的200V 60A MOSFET BS.18500136X 2018.3.19 奥罗拉 8 650V/7A VDMOS BS.195579011 2019.3.15 奥罗拉 9 点状TMBS BS.195002083 2019.12.11 奥罗拉 10 发明专利

34、功率半导体芯片及其形成方法 热分布宽SOA 201711031103.4 奥罗拉 已受理 11 功率半导体器件 改善SEGR 201810650267.3 重庆平伟、奥罗拉 12 功率半导体器件的形成方法 改善SEGR 201810651307.6 重庆平伟、奥罗拉 13 功率半导体器件的形成方法 改善SEGR 201810651306.1 重庆平伟、奥罗拉 14 功率半导体器件及其制造方法 改善SEGR 201811544082.0 重庆平伟、奥罗拉 15 功率半导体器件及其制造方法 改善总剂量 201910068469.1 重庆平伟、奥罗拉、长三院 16 一种功率半导体器件制造方法及功率半

35、导体器件 TMBS降低反向漏电 201910157115.4 重庆平伟、奥罗拉 17 一种功率半导体器件 TMBS降低反向漏电 201910156443.2 重庆平伟、奥罗拉 18 功率半导体器件及其形成方法 耗尽型MOS 202010697369.8 奥罗拉 19 一种功率器件 改善终端SEGR 202011597627.1 长三院、奥罗拉 三、 现有客户结构及主营业务 奥罗拉成立时间较短，目前合作客户均为国内客户，暂未涉及海外市场，合作方式主要为技术服务与产品销售，自 2019 年起，主要合作客户如下表所示。 表 7 客户情况 序号 客户名称 合作方式 合作期限 1 锐鹰传感 技术服务 2

36、020.6-2021.6 2 振华永光 技术服务 2019.3-2022.6 3 株洲宏达 技术服务 2021.3-2022.12 4 振华群英 技术服务 2021.1-2022.8 5 北京206 技术服务 2019.8-2019.10 6 绵阳905 产品销售 2019.3-2020.12 7 无锡光萌 产品销售 2020.9-至今 8 湖北乾智 产品销售 2019.1-2019.4 9 狮王半导体 产品销售 2020.6-2020.10 10 新干晶 产品销售 2020.4-2020.8 11 无锡昌德 产品销售 2019.3-2019.7 （一）技术服务 奥罗拉主要面向有确定市场需求，

37、但需求较为特殊且产品市场采购难度较大的用户，包括芯片研发、定制，按定制产品情况定价，根据客户需求按事项收取技术服务费用。 除芯片开发外，在技术服务方面还提供与芯片开发相关的测试、提参、委托加工等技术服务，这类技术服务不多且金额较小。包括北京机械设备研究所芯片模板加工，苏州珂晶达公司芯片提参服务，振华永光辐射试验等。 （二）芯片销售 基于研发积累，奥罗拉成功开发的芯片已开始小批量供货，取得了一定的经济效益。2019 年 1 月至 2021 年 5 月，实现产品销售收入约 300 万元。 第三章 项目投资方案 一、投资总额 振华科技委托银信资产评估有限责任公司进行评估，以 2021 年 5 月 3

38、1 日为评估基准日，拟选用收益法评估结果作为参考，即奥罗拉股东全部权益价值为 7,162.02 万元（最终以经中国电子信息产业集团有限公司备案确认的评估值为准）。 振华科技以现金 1,800 万元对奥罗拉进行增资，其中，约 42.2 万元作为奥罗拉新增的注册资本，1757.8 万元计入资本公积。本次增资完成后，振华科技持有奥罗拉 20.08%的股权比例。表 8 奥罗拉本轮增资后的股权结构 序号 投资者名称 增资后 投资金额（万元） 所占比例 1 万欣 43.5 20.71% 2 嘉兴欧若拉企业管理咨询合伙企业 （有限合伙） 45 21.42% 3 嘉兴奥丁企业管理咨询合伙企业 （有限合伙） 2

39、5.5 12.14% 4 北京泰有创业投资合伙企业 （有限合伙） 13.5 6.43% 5 北京亨普瑞投资管理有限公司 15.358 7.31% 6 邢喆 10.5 4.99% 7 启迪之星（天津）创业投资中心 （有限合伙） 5.5969 2.66% 8 浙江浙华投资有限公司 5.5969 2.66% 9 杭州泰之有创业投资合伙企业 （有限合伙） 1.6791 0.80% 10 新余泰益投资管理中心（有限合伙） 1.6791 0.80% 11 中国振华（集团）科技股份有限公司 42.2 20.08% 序号 投资者名称 增资后 投资金额（万元） 所占比例 合计 210.11 100% 二、投资方

40、式 本项目将以现金方式一次投入。 三、资金来源 项目投资资金全部由振华科技自筹解决。 四、资金用途 本次投资主要用于奥罗拉技术研发和补充其经营流动资金。 第四章 市场分析 一、市场状况、技术水平及发展趋势 分立器件行业是半导体产业中一个重要分支，据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在22%-25%之间。 半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消

41、费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。 根据英飞凌测算，2019 年全球功率半导体市场规模约为 454 亿美元，Omidia 预计至 2024 年市场规模将增长至 524 亿美元，年化增速为 5.3%。目前中国占全球功率半导体市场需求比例约三分之一，是全球主要的消费大国。据 IHS Markit 数据显示，未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长，2021 年市场规模有望达到 159 亿美元。 功率半导体包括功率 IC 与功率器件。根据 WSTS 数据，预计

42、2020 年全球功率器件市场规模在 236 亿美元，2021 年预计将同比增长 7% 达到 253 亿美元。从细分产品来看，MOSFET 在功率器件细分市场占比超过 30%，是功率器件细分领域中规模最大的市场。 由于功率半导体是一个需求驱动型的行业，因此，在将各类型的功率 MOSFET 分层来讨论未来的结构趋势时，业内通过生产商与下游的关系将不同的功率 MOSFET 比较抽象地分为低端、中端和高端，如下图所示。 图 3 MOSFET 分类 Yole Dveloppement 预判，未来五年会出现三个比较明显的结构变化趋势：Trench MOSFET 将从中端下移至中低端，替代部分 Planar

43、 MOSFET 的低端市场，Advanced Trench（如 SGT 等）MOSFET 将彻底下移至中端，替代 Trench MOSFET 在低压领域的中端市场，宽禁带（SiC、GaN等）MOSFET将更为广泛地占据高端市场。功率MOSFET的市场结构图如下： 图 4 MOSFET 市场结构图 （一） 国际市场状况、技术水平及发展趋势 全球 MOSFET 主要制造商包括 Infineon(英飞凌)、On Semi(安森美)、Renesas(瑞萨电子)、ST(意法半导体)、Toshiba(东芝)、Vishay(威世)、Alpha Omega(万代半导体)、Nexperia(NXP)(恩智浦)、IXYS(艾赛斯)、Rohm(罗姆半导体)等。2016 年他们的市场份额如下图所示： 图 5 MOSFET 国际市场份额 近几年并购造就了领军企业，同时也改变了行业格局。在 2014 年收购国际整流器公司（IR）后，英飞凌在功率半导体市场独大，占据了主要的市场份额(2016 年，23.8%)。英飞凌与国际整流器公司的产品组合具有高度互补性。国际整流器公司擅长的产品包括低功率、能源效率 IGBT 及智慧型功率模组、功率 MOSFET 等，将与英飞凌的功率元件与模组产品完善整合。通过这次并购，英飞凌不仅能用Si 材料，还能用 Ga