第二章逻辑门电路 (2)PPT讲稿.ppt
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1、第二章逻辑门电路第1页,共24页,编辑于2022年,星期二第2页,共24页,编辑于2022年,星期二二、产生反向恢复过程的原因二、产生反向恢复过程的原因-电荷存储效应。电荷存储效应。二二极极管管在在开开关关转转换换过过程程中中出出现现的的反反向向恢恢复复过过程程,实实质质上上是是由由于于电电荷荷存存储储效效应应所所引引起起的的,反反向向恢恢复复时时间间就就是是存存储储电电荷荷消消失失所所需需要的时间。一般开关二极管的反向恢复时间在纳秒(要的时间。一般开关二极管的反向恢复时间在纳秒(ns)数量级。)数量级。三、二极管的开通时间:三、二极管的开通时间:1、开开通通时时间间:二二极极管管从从截截止止
2、转转为为正正向向导导通通所所需需的的时时间间。这这个个时时间间同同反反向向恢恢复复时时间间相相比比是是很很短短的的,它它对对开开关关速速度度的的影影响响很很小,可忽略不计。小,可忽略不计。第3页,共24页,编辑于2022年,星期二第4页,共24页,编辑于2022年,星期二2.2 BJT的开关特性的开关特性一、一、BJT的开关作用:的开关作用:BJT相相当当于于一一个个由由基基极极电电流流所所控控制制的的无无触触点点开开关关,BJT截截止止时时相相当当于于开开关关“断开断开”,而饱和时相当于开关,而饱和时相当于开关“闭合闭合”。二二、BJT的的开开关关时时间间:开开通通时时间间和和关关闭闭时时间
3、间总总称称为为BJT的的开开关关时时间间。(几十至几百纳秒)(几十至几百纳秒)1、BJT的开关时间参数的开关时间参数2、开开通通时时间间ton(=td+tr)就就是是建建立立基基区区电电荷荷时时间间。关关闭闭时时间间toff(=ts+tf)就是存储电荷消散的时间。就是存储电荷消散的时间。第5页,共24页,编辑于2022年,星期二第6页,共24页,编辑于2022年,星期二第7页,共24页,编辑于2022年,星期二2.3基本逻辑门电路基本逻辑门电路一、二极管一、二极管“与门与门”及及“或门或门”电路电路1、与门电路:、与门电路:2、或门电路:、或门电路:二、非门电路(二、非门电路(BJT)反相器:
4、反相器:对对于于饱饱和和型型反反相相器器来来说说,输输入入信信号号必必须须满满足足条条件件:逻辑逻辑0:v1 V1逻辑逻辑1:v2 V2第8页,共24页,编辑于2022年,星期二第9页,共24页,编辑于2022年,星期二第10页,共24页,编辑于2022年,星期二第11页,共24页,编辑于2022年,星期二第12页,共24页,编辑于2022年,星期二2.4 TTL逻辑门电路逻辑门电路一、基本的一、基本的BJT反相器的动态性能。反相器的动态性能。二、二、TTL反相器的基本电路。反相器的基本电路。1、TTL反相器的工作原理。反相器的工作原理。2、采用输入级以提高工作速度。、采用输入级以提高工作速度
5、。3、采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力。、采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力。三、三、TTL反相器的传输特性:反相器的传输特性:1、传输特性是、传输特性是V0=f(V1)的关系曲线。)的关系曲线。四、四、TTL与非门电路:与非门电路:五、五、TTL与非门的技术参数与非门的技术参数:第13页,共24页,编辑于2022年,星期二第14页,共24页,编辑于2022年,星期二1、传输特性。、传输特性。2、输入、输入 和输出的高、低电压。和输出的高、低电压。3、噪声容限:表示门电路的抗干扰能力。、噪声容限:表示门电路的抗干扰能力。4、扇入与扇出数:、扇入与扇出数:1)TTL门电路的扇入
6、数取决于它的输入端的个数。门电路的扇入数取决于它的输入端的个数。2)灌电流工作情况:在输出为低电平的情况下,扇出数)灌电流工作情况:在输出为低电平的情况下,扇出数:3)拉电流工作情况:在输出为高电平时的扇出数拉电流工作情况:在输出为高电平时的扇出数:4)通通常常基基本本的的TTL门门电电路路其其扇扇出出数数约约为为10,而而性性能能更更好好的的门门电路的扇出数最高可达电路的扇出数最高可达3050。第15页,共24页,编辑于2022年,星期二5、传传输输延延迟迟时时间间:是是表表征征门门电电路路开开关关速速度度的的参参数数。门门电电路路在在输输入入脉脉冲波形的作用下,其输出波形相对于输入波形延迟
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