第2章PLD硬件特性与编程技术39361161.ppt
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1、EDA技术与技术与VHDL 第第2 2章章PLDPLD硬件特性与编程技术硬件特性与编程技术 2021/9/1712.1 PLD 2.1 PLD 概述概述 图图2-1 基本基本PLD器件的原理结构图器件的原理结构图 2021/9/172数字电路的基本组成数字电路的基本组成p任何组合电路都可表示为所有输入信号的最小项的和或任何组合电路都可表示为所有输入信号的最小项的和或者最大项的积的形式。者最大项的积的形式。p时序电路包含可记忆器件(触发器),其反馈信号和输时序电路包含可记忆器件(触发器),其反馈信号和输入信号通过逻辑关系再决定输出信号。入信号通过逻辑关系再决定输出信号。2021/9/173说明2
2、021/9/1742.1.1 PLD2.1.1 PLD的发展历程的发展历程 熔丝编程的熔丝编程的PROM和和PLA器件器件 AMD公公司推出司推出PAL器件器件 GAL器件器件 FPGA器器件件 EPLD器器件件 CPLD器器件件 内嵌复杂内嵌复杂功能模块功能模块的的SoPC 20世纪世纪70年代年代 20世纪世纪70年代末年代末 20世纪世纪80年代初年代初 20世纪世纪80年代中期年代中期 20世纪世纪80年代末年代末 进入进入20世纪世纪90年代后年代后 2.1 PLD 概述概述 2021/9/1752.1.2 PLD2.1.2 PLD的分类的分类 图图2-2 按集成度按集成度(PLD)
3、分类分类 2.1 PLD 概述概述 2021/9/1762.1.2 PLD2.1.2 PLD的分类的分类 1熔丝熔丝(Fuse)型器件。型器件。2反熔丝反熔丝(Anti-fuse)型器件型器件。3EPROM型。称为紫外线擦除电可编程逻辑器件型。称为紫外线擦除电可编程逻辑器件。4EEPROM型型。5SRAM型型。6Flash型型。2.1 PLD 概述概述 从编程工艺上划分从编程工艺上划分:2021/9/177第一类是与阵列固定、或阵列可编程的第一类是与阵列固定、或阵列可编程的PLDPLD器件。这器件。这类类PLDPLD器件以可编程只读存储器器件以可编程只读存储器PROMPROM为代表。为代表。第
4、二类是与阵列和或阵列均可编程的第二类是与阵列和或阵列均可编程的PLDPLD器件,以可器件,以可编程逻辑阵列编程逻辑阵列PLAPLA为代表。为代表。第三类是以可编程阵列逻辑第三类是以可编程阵列逻辑PALPAL为代表的与阵列可编为代表的与阵列可编程、或阵列固定的程、或阵列固定的PLDPLD器件。器件。第四类是具有可编程输出逻辑宏单元的通用第四类是具有可编程输出逻辑宏单元的通用PLDPLD器件,器件,以通用型可编程阵列逻辑以通用型可编程阵列逻辑GALGAL器件为主要代表。器件为主要代表。根据根据PLD器件的与阵列和或阵列的编程情况以及输出形式,器件的与阵列和或阵列的编程情况以及输出形式,低密度可编程
5、逻辑器件通常可分为四类。低密度可编程逻辑器件通常可分为四类。2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/1782.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2.2.1 2.2.1 电路符号表示电路符号表示 图图2-3 常用逻辑门符号与现有国标符号的对照常用逻辑门符号与现有国标符号的对照 2021/9/1792.2.1 2.2.1 电路符号表示电路符号表示 图图2-4 PLD的互补缓冲器的互补缓冲器 图图2-5 PLD的互补输入的互补输入 图图2-6 PLD中与阵列表示中与阵列表示 图图2-7 PLD中或阵列的表示中或阵列的表示 图图2-8 阵列线
6、连接表示阵列线连接表示 2021/9/17102.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-9 PROM基本结构基本结构 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/17112.2.2 PROM 2.2.2 PROM PROM中的地址译码器是完成中的地址译码器是完成PROM存储阵列的行的选择,存储阵列的行的选择,其逻辑函数是:其逻辑函数是:2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/17122.2.2 PROM 2.2.2 PROM 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理.2021/9/17132.2.
7、2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-10 PROM的逻辑阵列结构的逻辑阵列结构 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/17142.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-11 PROM表达的表达的PLD阵列图阵列图 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/17152.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-12 用用PROM完成半加器逻辑阵列完成半加器逻辑阵列 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/1716 PROM(EPROM)PROM(EPROM)可编程存
8、储器可编程存储器2021/9/1717PROM结构p与阵列为全译码阵列,器件与阵列为全译码阵列,器件的规模将随着输入信号数量的规模将随着输入信号数量n n的增加成的增加成2 2n n指数级增长。因指数级增长。因此此PROMPROM一般只用于数据存储一般只用于数据存储器,不适于实现逻辑函数。器,不适于实现逻辑函数。pEPROM和和EEPROM2021/9/1718用用PROM实现组合逻辑电路功能实现组合逻辑电路功能实现的函数为:实现的函数为:固定连接点固定连接点(与)(与)编程连接点编程连接点(或)(或)2021/9/1719 PROM(EPROM)PROM(EPROM)可编程存储器可编程存储器
9、特点与阵列固定与阵列固定,全译码形式全译码形式,产生输入产生输入变量变量的的全部最小项全部最小项或阵列可编程或阵列可编程输入变量数增加输入变量数增加,与阵列规模迅速增加与阵列规模迅速增加,价价格上涨格上涨组合型结构组合型结构,无触发器无触发器2021/9/17202.2.3 PLA 2.2.3 PLA 图图2-13 PLA逻辑阵列示意图逻辑阵列示意图 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/17212.2.3 PLA 2.2.3 PLA 图图2-14 PLA与与 PROM的比较的比较 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9
10、/17222.2.4 PAL 2.2.4 PAL 图图2-15 PAL结构结构 图图2-16 PAL的常用表示的常用表示 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/1723 PALPAL可编程阵列逻辑可编程阵列逻辑2021/9/1724PAL结构p与阵列可编程使输入项增多,或阵列固定使器件简化。p或阵列固定明显影响了器件编程的灵活性。2021/9/1725AnBnCnAnBnCnAnBnCnAnBnCnAnBnAnCnBnCn用PAL实现全加器2021/9/1726图图2-17 一种一种PAL16V8的部分结构图的部分结构图 2021/9/17272.2.5
11、GAL 2.2.5 GAL 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 GAL GAL即即通用阵列逻辑器件通用阵列逻辑器件,首次在,首次在PLDPLD上采用了上采用了EEPROMEEPROM工艺,使得工艺,使得GALGAL具有电可擦除重复编程的特点,具有电可擦除重复编程的特点,彻底解决了彻底解决了熔丝型熔丝型可编程器件的一次可编程问题。可编程器件的一次可编程问题。GALGAL在在“与与-或或”阵列结构上沿用了阵列结构上沿用了PALPAL的与阵列可编程、或的与阵列可编程、或阵列固定的结构,但对阵列固定的结构,但对PALPAL的输出的输出I/OI/O结构进行了较大的结构进行了较大
12、的改进,在改进,在GALGAL的输出部分增加了输出逻辑宏单元的输出部分增加了输出逻辑宏单元OLMC(Output Macro Cell)OLMC(Output Macro Cell)。2021/9/1728与阵列可编程与阵列可编程或阵列固定或阵列固定输出端集成输出逻辑宏单元输出端集成输出逻辑宏单元(OLMC)(OLMC)编程容易编程容易,结构简单结构简单,应用最广泛应用最广泛 GALGAL通用可编程阵列逻辑通用可编程阵列逻辑特点2021/9/1729GALGAL器件的器件的OLMCOLMCOutput Logic Macro CellOutput Logic Macro Cellp每个每个OL
13、MCOLMC包含或阵列中的一个包含或阵列中的一个或门或门p组成:组成:n异或门:控制输出信号的异或门:控制输出信号的极性极性nD D触发器:适合设计时序电触发器:适合设计时序电路路n4 4个多路选择器个多路选择器输出使能选择反馈信号选择或门控制选择输出选择2021/9/1730GALGAL结构结构 GALGAL器件与器件与PALPAL器件的器件的区别在于用可编程的区别在于用可编程的输出逻辑宏单元输出逻辑宏单元(OLMCOLMC)代替固定的)代替固定的或阵列。可以实现时或阵列。可以实现时序电路序电路。逻辑宏单元OLMC2021/9/17312021/9/1732复杂高密度复杂高密度PLDPLD的
14、基本结构的基本结构复杂高密度复杂高密度PLDPLD包括包括:可擦除可编程逻辑器件可擦除可编程逻辑器件EPLDEPLD 复杂的可编程逻辑器件复杂的可编程逻辑器件CPLD CPLD(Complex Programmable Logic Device)(Complex Programmable Logic Device)现场可编程门阵列现场可编程门阵列FPGAFPGA(Field Programmable Gate Array)(Field Programmable Gate Array)2021/9/1733可擦除可编程逻辑器件可擦除可编程逻辑器件EPLDEPLD 一般来说,世界著名的半导体公司,
15、如一般来说,世界著名的半导体公司,如AlteraAltera、XilinxXilinx、AMDAMD、LatticeLattice和和AtmelAtmel等等公司均生产公司均生产EPLDEPLD产品,但是这些产品的结产品,但是这些产品的结构差异很大。构差异很大。通常,通常,EPLDEPLD的基本结构主要包括的基本结构主要包括可编程可编程的与逻辑阵列的与逻辑阵列、固定的或逻辑阵列固定的或逻辑阵列和和输出输出逻辑宏单元逻辑宏单元三个部分。三个部分。2021/9/1734 为了提高集成度,同时又保持为了提高集成度,同时又保持EPLDEPLD传输时间可传输时间可预测的优点,生产厂商将若干个类似预测的优
16、点,生产厂商将若干个类似PALPAL的功能模块的功能模块和实现互连的开关矩阵集成在同一芯片上,这样就和实现互连的开关矩阵集成在同一芯片上,这样就形成了复杂的形成了复杂的可编程逻辑器件可编程逻辑器件CPLDCPLD(Complex Complex Programmable Logic DeviceProgrammable Logic Device)。)。一般而言,一般而言,CPLDCPLD在在集成度集成度和和结构结构上呈现出来的特点是:上呈现出来的特点是:与或阵列的规与或阵列的规模更大,触发器的数目更多,同时增加了大量的逻模更大,触发器的数目更多,同时增加了大量的逻辑宏单元和布线资源。辑宏单元和
17、布线资源。不同器件公司的不同器件公司的CPLDCPLD产品结构不同。但是任何产品结构不同。但是任何芯片公司的芯片公司的CPLDCPLD的基本结构都应该包括三个部分:的基本结构都应该包括三个部分:可编程逻辑宏单元可编程逻辑宏单元、可编程可编程I/OI/O单元单元和和布线池布线池,只不,只不过不同公司具有不同的表示形式而已。过不同公司具有不同的表示形式而已。2021/9/1735逻辑阵列模块I/O单元连线资源逻辑阵列模块中包含多个宏单元逻辑阵列模块中包含多个宏单元2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理 2021/9/1736图图2-19 MAX7128S的结构的结构 1 1逻辑阵列块
18、逻辑阵列块(LAB)(LAB)2.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理 2021/9/17372 2宏单元宏单元 全局时钟信号全局时钟信号全局时钟信号由高电平有效的时钟信号使能全局时钟信号由高电平有效的时钟信号使能 用乘积项实现一个阵列时钟用乘积项实现一个阵列时钟2.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理逻辑阵列逻辑阵列MAX7000MAX7000系列中的宏单元系列中的宏单元 乘积项选择矩阵乘积项选择矩阵可编程寄存器可编程寄存器 2021/9/17382.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理 图图2-18 MAX
19、7000系列的单个宏单元结构系列的单个宏单元结构 2021/9/1739(2 2)宏单元内部结构)宏单元内部结构乘积项逻辑阵列乘积项选择矩阵可编程触发器2021/9/17403 3扩展乘积项扩展乘积项 图图2-20 共享扩展乘积项结构共享扩展乘积项结构 2.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理共享扩展项共享扩展项 2021/9/17413 3扩展乘积项扩展乘积项 图图2-22 并联扩展项馈送方式并联扩展项馈送方式 并联扩展项并联扩展项 2021/9/17424 4可编程连线阵列可编程连线阵列(PIA)(PIA)图图2-22 PIA信号布线到信号布线到LAB的方式的方
20、式 2.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理2021/9/17435 5I/OI/O控制块控制块 图图2-23 EPM7128S器器件的件的I/O控制块控制块 2021/9/17441 1、工作电源的类型和接入要求、工作电源的类型和接入要求2 2、编程口(、编程口(JTAGJTAG、PSPS、ASAS)3 3、各种端口的电气性能与使用方法、各种端口的电气性能与使用方法4 4、内部的嵌入式模块、内部的嵌入式模块5 5、配置器件、配置器件 硬件特性的硬件特性的5 5个方面:个方面:2.4 FPGA2.4 FPGA的结构与工作原理的结构与工作原理2021/9/1745 F
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