第六章滤波抗干扰元件及电路PPT讲稿.ppt

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1、第六章滤波抗干扰元件及电路第1页，共25页，编辑于2022年，星期三6-1 滤波器滤波器v一 谐振频率：滤波增益，阻尼系数 增益应10v的切除第9页，共25页，编辑于2022年，星期三v六 专用滤波元件1.短引线电容（高频）RC阻容吸收电路。电阻：希望匝数少，即R分量大，L分量小短引线电阻。有一定电感分量或水泥电阻，用于阻容吸收电路，希望匝数少，即L小。第10页，共25页，编辑于2022年，星期三CDCBBCBB：聚酯薄膜电容高频性能不好（由于电感分量的存在）高频（不能滤掉）短短引线电容，L分量对高频滤波无影响。第11页，共25页，编辑于2022年，星期三2.穿心电容：防止一些干扰进入屏蔽体内

2、三端器件外内L（电源线）螺母内电波暗室第12页，共25页，编辑于2022年，星期三3.磁珠铁氧体做的磁环使用时一般不多于35个导线表示导线中穿了磁珠作用：增加电感量逆变器屏蔽体屏蔽体，穿心电容磁珠可再加辅助用的电容滤波第13页，共25页，编辑于2022年，星期三v4.陶瓷滤波器（几百，几千Hz时用）（低频）机电滤波压电陶瓷陶瓷滤波器常用三个端子的陶瓷条（焊在机座上）输入输出300Hz只有300Hz的信号才能通过第14页，共25页，编辑于2022年，星期三6-2 抗干扰电路抗干扰电路v一 平衡差分放大器及浮地（高频不适合）12RC1RC212如果1，2端有一个共模干扰“”则1、2端同时有一个“”

3、抑制干扰作用：防止共模干扰若共模干扰转变成串模干扰，H、L端输入阻抗不同，则易产生所以采用浮地方式外层屏蔽体和地相连HL大小适当加放电电阻（放静电）第15页，共25页，编辑于2022年，星期三v二 光耦合器、电流环传送（适合数字信号）（双绞线）当Vsm2V试，光耦二极管可以点亮。第16页，共25页，编辑于2022年，星期三v三 光缆v四 组、容、二极管及压敏元件等组合1.整流器干扰的抑制磁珠防干扰溢出电容要接地当电流小于5A的时候，C可取0.251.0uF当电流为510A时，加电抗L0.5uH第17页，共25页，编辑于2022年，星期三串模抑制比：共模抑制比：忽略I1造成Vsm条件下 Vsm

4、I2R2,I2=Vcm/|R2Z2|Vcm/|Z2|VoR1R2I2I1HLVcm双层浮地可提高共模抑制比浮地放大器参数：Zl109/1000pF,R2=1K(CMR)=20lg109/103=120（dB）(CMR)50Hz=20lg3*106/103（70dB）在高频的时候共模抑制比下降很大。第18页，共25页，编辑于2022年，星期三2.电流互感器3.电机及变压器（注意选极数、选对称极）200A磁饱和时有干扰，加电容（1uF）M硅钢片包起来再接地SNNSNS不对称极，干扰大对称极，干扰小第19页，共25页，编辑于2022年，星期三C 型XYZXYZEI 型ZYXEI10.340.66C0

5、.090.320.16690V220VC接地的隔离层O 型铁心加铁罩（在铁芯上）第20页，共25页，编辑于2022年，星期三tVL12V开关KV C 加电容后闭合时放电电流断开时C大好KVRK闭合时R越大越好，断开时R越小越好VK(不适合交流电流)第21页，共25页，编辑于2022年，星期三一 电阻 (Vdc/IA)R1uF/A，可得C I0106三 用RCD时，R(10Vdc/IA)第22页，共25页，编辑于2022年，星期三例1：L0.2H RL=150 银触点 I0 12/150=0.08AIA 可以用RC，设IA0.3A标准：一 电阻:12/0.3R150 选R=100 1.不产生辉光

6、放电C(I0/300)2LC(0.08/300)20.2=0.0014uF 2.不产生飞弧放电C I0106 C0.08uF 所以可选电容0.1uF/163V。J12V第23页，共25页，编辑于2022年，星期三例2：一 电阻：选IA为0.4A 48/0.4R53 (不可能)所以要加二极管D。由第三条R(4810)/0.4=1200,I0=48/53=0.9A1.C(20/300)2LC9uF CI010-6 C0.9uF 取R1.5K,C=10uF/300V(电容体积太大，不可取)1.5KL第24页，共25页，编辑于2022年，星期三方法：加60V稳压管，则有Vmax=60+48=108V所以1项可以不考虑，改取C1uF/150V即可最后选定电路如下：1.5KL48V1uF/100V第25页，共25页，编辑于2022年，星期三