霍尔式传感器原理及应用精选文档.ppt
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1、霍尔式传感器原理及应用本讲稿第一页,共十六页带电粒子在磁场中的运动会受到洛伦兹力 FL 的作用洛伦兹力 FL 的方向由左手定则决定洛伦兹力的作用结果,使带电粒子偏向 c,d 电极在垂直于 B 和 I 的方向上产生一感应电动势 VH 该现象称为霍尔效应,所产生的电动势 VH 称为霍尔电势1.1.基本原理基本原理厚度为 d 的N型半导体薄片上垂直作用了磁感应强度为 B 的磁场若在一个方向上通以电流 IN型半导体中多数载流子为电子 它沿与电流的相反方向运动本讲稿第二页,共十六页本讲稿第三页,共十六页霍尔电势 VH 的大小 由下式决定:(3-48)式中 KH霍尔常数,表示单位磁感应强度和 单位控制电流
2、下所得的开路霍尔电势,取决于材质、元件尺寸,并受温度变化影响;电流方向与磁场方向夹角,如两者垂直,则sin1。纯金属中自由电子浓度过高,霍尔效应微弱,无实用价值半导体是霍尔元件的常用材料材料的厚度 d 愈小,则 KH 就愈大、灵敏度愈高 本讲稿第四页,共十六页2.2.霍尔传感器的应用霍尔传感器的应用片芯是一块矩形半导体薄片 一般采用N形锗、锑化铟、砷化铟、砷化镓和磷砷化铟等长边两侧面焊有两根控制电流极引线,短边两侧面的中点焊以两导线 输出霍尔电势霍尔芯片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装(3-48)式(3-48)可知,改变 I 或 B,或两者同时改变均会引起 VH 的变化利用该原理可以做成各
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