提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径.doc

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1、“微纳电子技术”2008年第4期专家论坛187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径纳米器件与技术193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模纳米材料与结构205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质MEMS器件与技术214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究显微、测量、微细加工技术与设备222-纳米光刻对准方法及其原理231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针235-一维纳米结构的拉伸力学测试240-Si 基GaN薄膜的制备方法及结构表征=专家论坛1

2、87-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径彭英才1，2， 姚国晓3， 马 蕾1， 王 侠1（1. 河北大学 电子信息工程学院，河北保定；2. 中国科学院 半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 ；3. 中国天威英利新能源有限公司，河北保定）摘要：多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低，被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线，介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-I-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施；综述了近5年来多晶

3、Si薄膜电池在材料生长、结构制备和性能参数方面取得的最新进展，并对其发展前景做了预测。关键词：多晶Si薄膜；大晶粒；氢钝化；p-I-n结构；太阳电池；转换效率纳米器件与技术193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟赵守磊，李惠军，吴胜龙，刘岩（山东大学 孟堯微电子研发中心，济南）摘要：基于通信系统中射频电路设计的特殊要求，对小尺寸（基区宽度低于100 nm）、超高频（特征频率高于15 GHz）双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟，为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现，在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上，实现了该器件工艺级（Sentaur

4、us Process）及器件物理特性级（Sentaurus Device）的仿真，提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明，在高频指标参数 17GHz下，所得值接近于80，满足设计要求。关键词：小尺寸；双极器件；频率特性；工艺仿真；特性模拟198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模孙海定，江建军（华中科技大学 电子科学与技术系，武汉）摘要：以单电子晶体管为研究对象，系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器

5、件进行宏观建模。采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间。通过分析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据。关键词：单电子晶体管；单电子隧穿；库仑阻塞；库仑台阶；蒙特卡罗；Hspice纳米材料与结构205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜刘佳宇，朱开宇，王文辕（河北理工大学 信息学院，河北唐山）摘要：利用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。对平面ZnO薄膜进行短时间弱酸腐蚀，可以获得绒面效果的ZnO透明导电薄膜。分析了工作气压和衬底温度对薄膜绒面结构的影响，获得了适合薄膜太

6、阳能电池的绒面ZnO透明导电薄膜。当压力控制在1.92 Pa左右，衬底温度150170 范围内沉积的薄膜具有最佳的绒面和较低的电阻率，电阻率可达5.5710-4 cm，载流子浓度2.21020 cm-3，霍尔迁移率40.1 cm2/Vs,在可见光范围平均透过率超过85。关键词：中频脉冲溅射；绒面ZnO；透明导电膜；腐蚀；结构209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质廖学红，王小佳（黄冈师范学院 化学系，湖北黄冈）摘要：以硝酸铋和硫酸钛为原料，通过直接投料微波辐射水解合成法制备了掺铋TiO2纳米复合物，并用XRD、TEM进行了表征。结果表明，直接投料摩尔比为110掺铋TiO2纳

7、米复合物，经500 热处理后晶型为锐钛矿型，粒径为610 nm。以催化降解甲基橙来考察其光催化活性，结果表明所制备的纳米复合物是一个好的催化剂。研究了Bi3+的掺杂量、热处理温度、催化剂用量对掺铋TiO2纳米复合物光催化性能的影响。当催化剂用量为1 g/L时，2 mg/L的甲基橙溶液在紫外光辐射30 min后，降解率达到97%。该复合物对甲基橙溶液的光催化降解符合一级动力学方程。关键词：Bi3+掺杂；二氧化钛；纳米复合物；微波合成；光催化MEMS器件与技术214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展欧阳炜霞，张永华，王超，郭兴龙，赖宗声(华东师范大学 微电子电路与系统研究所，上海)摘要：基于M

8、EMS技术的滤波器是现行RF结构中一个关键的MEMS器件。与传统的采用金属矩形或圆柱波导以及半导体元件制作的滤波器相比，MEMS滤波器具有低损耗、高隔离度、线性好、体积小、易于集成等优点。对利用MEMS技术制作的滤波器做了分类总结，综述了近几年MEMS滤波器的研究进展，包括硅体微加工滤波器、LIGA传输线型滤波器和基于MEMS开关/电容实现的可调滤波器。指出可调滤波器的开发适应微波、毫米波波段的多频段、宽带无线通信系统的迫切需要，具有重要的现实意义。关键词：MEMS技术；硅体微加工；LIGA技术；微波滤波器；可调滤波器219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究吕树海，杨拥军，徐淑静，徐爱

9、东，徐永青(中国电子科技集团公司 第十三研究所，石家庄)摘要：介绍了一种基于热流原理的新型三轴MEMS热对流加速度传感器，它没有活动质量，无需多个器件组合就可以进行任意方向的加速度信号测量。分析了该器件的工作原理，设计了器件结构，进行了工艺开发，加工出了原理样机。测试表明：该器件实现了三个轴向的加速度信号的检测性能，验证了新原理的可行性；测量量程达到2 g，分辨率达到1 mg，抗冲击能力达到10 000 g，具备了良好的性能。关键词：微电子机械系统；三轴；对流场；加速度；传感器显微、测量、微细加工技术与设备222-纳米光刻对准方法及其原理周绍林1，2，唐小萍1，胡松1，马平1，陈旺富1，2 ，

10、杨勇1，2，严伟1(1. 中国科学院 光电技术研究所，成都 ；2. 中国科学院 研究生院，北京)摘要：对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用。45 nm节点以下的光刻技术如纳米压印等，对相应的对准技术提出了更高的要求。对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类，为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论研究基础和方向。经过分析，从原理上将对准技术分为几何成像对准、波带片对准、干涉光强度对准、外差干涉对准及莫尔条纹等五种对准方法。最后结论得出基于条纹空间相位的对准方法具有最好的抗干扰能力且理论上能达到最高的对准精度，而其他基于光强的对准方法的精度更易受到工艺涂层的影响。因此

11、，基于干涉条纹空间相位对准的方法在纳米级光刻对准中具有很好的理论前景。关键词：纳米光刻；对准技术；掩模与硅片；标记；对准精度231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针杨修文1，祝生祥2，胡毅1（1. 郧阳师范高等专科学校 物理系，湖北丹江口；2. 同济大学 Pohl 固体物理研究所，上海）摘要：通过改变温度，用腐蚀的方法制备出用于近场光学显微镜的光纤探针。通过控制光纤在不同温度的腐蚀液中腐蚀的时间，制备出多种形貌的光纤探针，所制作探针的锥形过渡区短而锥角大。该法具有重复性高、探针形貌可控、操作方便、实验费用低廉、制备的探针表面光滑等优点，利用该方法成功地制备出针尖尺寸50300 nm、针尖锥角在407

12、4可调的光纤探针。将制备的探针用于扫描全息光栅（500线/mm），结果在40 mm范围内扫描有20个周期，与全息光栅的标定结果相符。关键词：纳米光纤探针；近场光学；显微镜；腐蚀法；温度235-一维纳米结构的拉伸力学测试金钦华1，2，王跃林1，2，李铁2（1.上海交通大学 微纳科学技术研究院，上海；2.中国科学院 微系统与信息技术研究所，上海）摘要：对一维纳米结构开展轴向拉伸测试时，面临着样品制备、装载、拉伸、样品的轴向应力与应变的高精度测量等难点，解决途径包括改造现代显微仪器、研制MEMS力学测试芯片及发展一维纳米样品的制备与装载技术。从实验使用的测试仪器及拉伸方式出发，将目前发表的一维纳米拉

13、伸实验分为基于探针、MEMS和电子束辐照开展的拉伸实验，并对各种实验方法进行了比较。发现基于MEMS的拉伸实验由于其对测试仪器的改造小、花费少、且通过设计制作不同测试功能的芯片可实现多样测试，是更有发展前景的测试技术。关键词：一维纳米结构；轴向拉伸实验；纳米力学；微机电系统力学测试芯片；原位测试240-Si 基GaN薄膜的制备方法及结构表征张敬尧，李玉国，崔传文，张月甫，卓博世(山东师范大学 物理与电子科学学院，济南)摘要：分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积（CVD）、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜（SEM）、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。射频磁控溅射方法中, 把SiC中间层沉淀到Si衬底上，目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时，选择H2作反应气体兼载体，有利于GaN膜的形成。电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。结果表明：溅射法制备的GaN薄膜结晶效果好；CVD法制备时GaN薄膜应用范围广；电泳沉积法操作方便、简单易行。关键词：GaN薄膜；Si基；溅射；化学气相沉积；电泳沉积