2022年拓荆科技主营业务及发展趋势分析.docx
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1、2022年拓荆科技主营业务及发展趋势分析1、拓荆科技:国内 CVD 设备龙头,产品逐渐迎来放量1.1、国内 CVD 设备龙头,客户覆盖国内主流晶圆厂拓荆科技成立于 2010 年,由中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司和孙丽杰(代公司创始人姜谦先生出资)设立,并于 2022 年上市。公司聚焦于半导体薄膜沉积设备,目前主要产品包括 PECVD 设备、ALD 设备和SACVD设备,广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电路制造产线,客户覆盖中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂。公司是国内 CVD 设备龙头,在集成电路 PECVD 和SACVD 设备领域都
2、是唯一实现产业化应用的厂商,是当之无愧的国产替代先锋,广泛覆盖下游国内主流客户;同时在 ALD 领域也是领先厂商,PE ALD 设备已实现出货销售,Thermal ALD则在积极研发中。公司目前销售收入主要来源于 PECVD 设备,2021 年前三季占比高达88.7%,而其余 11.3%收入则来源于 SACVD 设备。公司近年产品收入结构受机台的验证节奏影响而有所波动,但整体上 PECVD 设备贡献了绝大多数销售额且持续快速增长,SACVD 设备自 2020 年开始形成销售并同样快速增长,而ALD设备收入则与机台出货验证情况相关。公司客户广泛覆盖国内主流晶圆厂/存储厂,2021 前三季度前五大
3、客户为中芯国际、屹唐股份、长江存储、华虹集团、睿力集成(长鑫存储母公司),合计占比92%,此外合肥晶合、广州粤芯、重庆万国、北京燕东微等也均为公司客户。1.2、广泛实行员工持股,持续大力研发投入公司股权结构分散,无实际控制人。公司前三大股东依次为大基金、国投上海、中微公司,分别持股 19.86%、13.68%、8.40%,此外姜谦及其一致行动人(多为公司高管及员工持股平台)也持有较多股权,比例均不足控股。而按照最新公司章程,公司 6 名非独立董事中,大基金、姜谦及其一致行动人各有权提名2名,国投上海、中微公司各有权提名 1 名,均不足董事会席位一半,因此公司不存在实际控制人。同时,公司创始人姜
4、谦长期秉持全员持股理念,因此公司分两批次设立了11个员工持股平台,实现了广泛的员工持股,以此吸引海外专家和境内优秀人才,使员工与公司共享发展成果。公司最初由中科仪与姜谦(由孙丽杰代其以技术出资)设立,姜谦曾在英特尔和Novellus Systems(知名沉积设备公司,被 Lam Research 收购)任职,回国后设立拓荆科技并曾任公司董事长。除姜谦先生外,公司现任董事长吕光泉、总经理田晓明以及其他高管和核心技术人员也多有在 Novellus Systems、LamResearch等业内知名公司任职经历,为公司打下了良好的人才和技术基础。在优秀的人才基础和广泛的员工激励外,公司还持续大力研发投
5、入,2021年研发支出高达 2.88 亿元,占营收比例高达 38%。半导体设备行业技术含量高,公司尚处于体量较小的早期,持续的研发投入是公司能不断实现技术突破、开拓市场与客户的重要依托,为公司未来进一步产品放量和业绩增长奠定基础。在强大的核心技术人员与持续的研发投入下,通过核心技术人员出资和自主研发,公司已形成先进薄膜工艺设备设计技术等多项核心技术,并达到国际先进水平,且申请了数十项发明专利进行了保护,其中大多已成功于PECVD设备、ALD设备和 SACVD 设备上量产应用。1.3、产品逐渐放量,带动规模持续增长公司作为国内稀缺的实现集成电路 PECVD 设备量产的厂商,随着自身技术不断突破以
6、及下游客户快速扩产并加速导入国产供应商,近几年公司客户数量及市场份额逐渐提升,沉积设备机台迎来放量,带动公司销售额也持续快速增长。而由于公司尚处于体量较小的发展早期,规模效应不显著,还需要努力开拓市场和客户,因此销售费用率等处于较高水平,同时半导体设备行业投入较大,公司为了实现持续的技术突破和追赶更是需要巨额的研发投入,导致公司扣非后归母净利润尚处于亏损状态。而归母净利润方面,则还受政府补助等非经常性损益影响而有所波动。公司近年毛利率整体呈持续提升趋势,主要是因为:1)随着公司技术水平和市场地位提升,公司议价能力有所增强;2)公司产品工艺和制程演进,开始进入先进制程设备市场,具有更高价格和毛利
7、率;3)规模效应开始显现。而公司净利率则还受研发费用、政府补助等影响而有所波动。分产品来看,公司 PECVD 设备毛利率逐年提升,无论是12 英寸产品还是8英寸产品毛利率都呈提升趋势,2021 前三季度分别为 44.51%和41.17%;而ALD设备和 SACVD 设备销售机台数量都还较少,毛利率通常仅反映该台设备的情况。而随着公司技术进一步提升、产品快速放量,带来产品结构优化和规模效应显现,预计未来公司毛利率仍有提升空间。站在当前时点,我们认为,公司作为国内 CVD 设备龙头厂商,在下游客户快速扩产和加速推进国产替代的背景下,公司订单和业绩有望迎来快速增长。这从公司的合同负债和存货情况也可以
8、得到验证,自 2020 年以来呈现明显加速趋势,证明公司在手订单势头良好并有较多的发出商品和原材料储备。2、国内晶圆厂资本开支高企,本土CVD设备厂商受益国产化加速2.1、全球主要晶圆厂积极扩产,半导体设备市场持续景气半导体行业结构性景气持续,全球市场规模有望再创新高。2021 年,得益于汽车电子、5G、IoT 等下游需求高景气,行业整体供给偏紧,全球半导体市场规模同比大增 26%,达到创纪录的 5560 亿美元。展望 2022 年,汽车电子、云计算等细分领域持续高景气,有望带动市场规模继续成长,超过6000 亿美元。全球主要 IC 制造厂展望乐观,积极进行产能扩充。虽然部分芯片供给紧缺情况逐
9、渐缓解,但主要晶圆厂判断行业整体供需依然偏紧,因此纷纷宣布了积极的扩产规划和资本开支计划。如代工龙头台积电看好 5G、HPC、汽车电子的长期增长趋势,在全球范围内积极扩产,2022 年的资本开支指引也在去年300 亿美元的高基数上进一步显著提高,达到 400-440 亿美元。在全球主要晶圆厂积极的资本开支下,半导体设备龙头厂商也都持续处于供不应求状态,根据 SEMI 统计,2021 年全球半导体设备市场规模激增44%,创下1026亿美元的新高。其中占比最大的前道晶圆制造设备市场同样增长40%以上,超过900 亿美元,并预计 2022 年将继续增长 18%,达到1070 亿美元的新高,且2023
10、年市场也将保持健康,维持在千亿美元之上。中国大陆的晶圆厂/存储厂随着技术逐渐突破,近年更是积极进行产线建设,尤其是 2020 年以来,随着国内领先晶圆厂/存储厂实现关键技术突破,其扩产更是处于高峰期。我们统计了国资背景主要晶圆厂/存储厂的扩产规划,12 寸逻辑代工及IDM 产能将从 2021 年底的 40 多万片/月提升至 2024 年底的超过130 万片/月;长江存储和长鑫存储的总产能也将从 2021 年底的 16 万片/月提升至2024 年底的约50 万片/月,均有显著提升。国内下游本身的快速扩产外,自主可控进程的加速更是进一步为国产供应商带来了前所未有的发展良机。近年中美贸易关系存在不确
11、定性,美国先后对华为、中芯国际等国产厂商逐步加大制裁,使得国内半导体行业意识到了产业链自主可控的必要性,纷纷加速国产替代进程。在当前中美贸易摩擦的大背景下,国内晶圆厂对于核心供应链自主可控的需求日益增强,国内设备、材料厂商迎来千载难逢的好机会,国产化速度将进一步提速,以长江存储为例,国产设备在各个环节的比例在逐渐提升,未来随着资本开支进一步加大,国产化比例有望进一步提升,相关细分领域的龙头公司订单及业绩有望持续加速。2.2、CVD 设备市场巨大,国产替代空间广阔2.2.1、薄膜沉积设备:IC 前道制造三大主设备之一,市场规模巨大薄膜沉积指的是半导体制造中在硅片衬底上沉积薄膜的工艺。芯片内部结构
12、是3D立体式形态,衬底上的薄膜构成了制作电路的功能材料层,无论是前道器件形成过程还是后道金属互连层形成阶段都需要通过薄膜制备-光刻-刻蚀的反复进行来实现芯片的立体结构。而薄膜沉积便是其中用于制备薄膜的技术,也是芯片制造的核心工艺环节。具体来讲,薄膜沉积技术是以各类适当化学反应源在外加能量(包括热、光、等离子体等)的驱动下激活,将由此形成的原子、离子、活性反应基团等在衬底表面进行吸附,并在适当的位置发生化学反应或聚结,渐渐形成几纳米至几微米不等厚度的薄膜。所沉积薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜、铝、钨等金属。而由于材料自身性质的不同,往往需要通过不同原理的沉积方式来进行制备,
13、因此薄膜沉积也有多种技术原理,主要包括 CVD(化学气相沉积)、PVD(物理气相沉积)、ALD(原子层沉积)、ECD(电化学/电镀沉积)等,各自又可以进一步细分。其中,CVD 和 PVD 是目前应用最多的两种沉积技术,分别主要用于沉积绝缘薄膜和金属薄膜;ALD 作为具有精确膜厚控制和优越台阶覆盖率的沉积技术,在 28nm 以下得到了越来越广泛的应用;ECD 则主要用于电镀铜等环节。薄膜沉积设备作为晶圆制造的三大主设备之一,其规模约占晶圆制造设备总规模的四分之一左右,仅次于刻蚀设备,和光刻机相仿。据Maximize Market Research数据统计,近年全球薄膜沉积设备规模稳定较快增长,2
14、020 年约172 亿美元。而2021 年在全球前道晶圆厂设备支出激增 42%的情况下,我们判断薄膜沉积设备市场规模也有较快的增长,保守达到 200 亿美元以上。具体来看,如前文所述,CVD 设备和 PVD 设备是占比最大的两类薄膜沉积设备,CVD 设备占比高达一半以上,其中 PECVD(等离子体增强CVD)最为主流,在整个薄膜沉积设备市场中占比 33%,而 LPCVD(低压CVD)/APCVD(常压CVD)合计占比也在 20%以上;而 PVD 设备以溅射为主,占比约两成;ALD设备占比约 11%,未来有望进一步提升。2.2.2、CVD 设备:介电材料沉积关键设备,美日厂商主导CVD(化学气相
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