2022年电子元器件行业发展现状分析.docx

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1、2022年电子元器件行业发展现状分析在军队信息化提速及自主可控需求提升背景下，军用电子元器件赛道将迎来长周期景 气。军用电子元器件处于军工产业链上游，业绩弹性较大。我们认为：1）武器装备加速 换装列装，2）新式武器装备中价值量占比提升，3）国产化率提升，将有效促进军用电子 元器件市场扩容。由于军品小批量、定制化订单特点，其生产具有较高壁垒，主做民品的 企业往往较难向军品拓展，军用电子元器件行业内公司因而享有较好的竞争格局。1.被动元器件下游应用广泛，国内厂商初露头角被动元器件下游应用广泛，2019 年 RCL 元件全球市场规模约 277 亿美元。被动元件 主要包括电阻、电容、电感等，广泛应用于

2、智能手机、电动车等各类应用终端中，具有单 体价值量较低、成本及附加值较低、供应链安全要求高、单一产品使用量大等特点。据ECIA， 2019 年全球 RCL 元件市场规模达 277 亿美元，其中电容、电感、电阻市场规模分别为 203.0 亿美元、46.3 亿美元、27.7 亿美元，电容在 RCL 元件中的市场价值量占比遥遥领先。图：2019 年电阻、电容、电感价值量占 RCL 市场比例中国为全球第一大 RCL 元件市场，MLCC 等产品进口依赖度仍然较高。据 ECIA，2019 年中国 RCL 市场规模占全球市场比例达 43%。我们按比例测算得 2019 年我国电容、电 感、电阻市场规模分别约为

3、 87.3 亿美元、19.9 亿美元、11.9 亿美元。由于上游材料及制 造工艺等壁垒，我国 MLCC 等被动元件进口依赖度仍然较高，据海关总署数据，我国 2020 年 MLCC 进出口逆差达 42.69 亿美元，国产替代空间仍十分广阔。日本企业独占鳌头，国内厂商初露头角。按销售额口径进行统计，2019 年日本企业 村田（Murata）、Nichicon、松下、TDK 分别为全球 MLCC、铝电解电容、薄膜电容、电 感行业龙头。RCL 元件行业具资金密集与技术密集特点，近年来头部企业通过内生发展与 外延并购促使行业集中度进一步提升。我国 RCL 元件行业起步较晚，主要以中低端产品 为主，在资金

4、和技术驱动下，国内公司正向高附加值产品不断拓展。军品 RCL 元件领域竞争格局较为稳定，振华科技、火炬电子、鸿远电子、宏达电子 为主要玩家。振华科技业务涵盖军用电阻、钽电容、电感，在上述领域为国内龙头企业， 2021 年前三季度营收及归母净利润领先。火炬电子及鸿远电子自产业务主要为 MLCC（多 层瓷介电容），在该领域与成都宏科电子均有较高市占率。宏达电子主营业务为钽电容， 在该领域具备较强竞争力。2.厚膜集成电路主要用于高可靠端，市场空间广阔主动元器件按集成程度主要可分为分立器件和集成电路两大类。分立器件主要构成是 各类功率半导体，包括基础的二极管、三极管、晶闸管，以及更为先进的 MOSFE

5、T、IGBT 等。采用一定的工艺，把晶体管、二极管、电容、电阻、电感等和布线互连，集成在半导 体晶片上并封装，便制成了集成电路。集成电路按功能又可分为模拟电路、微处理器等。厚膜集成电路主要针对高可靠应用端，广泛应用于军事、航空航天、汽车、通信等领 域。厚膜集成电路是采用丝网印刷、烧结等厚膜工艺在同一基片上制作无源网络，并在其 上组装分立的半导体器件芯片、单片集成电路、微型元件，再外加封装而成的混合集成电 路，其具有高可靠度、体积小、散热性佳等特点。在军工行业，厚膜电路一般用作高稳定 度、高精度、小体积的模块电源、传感器电路、前置放大电路、功率放大电路等产品中， 广泛应用于机载通信、雷达、火力控

6、制系统、导弹制弹系统等下游领域。受军队信息化建设提速及元器件自主可控需求拉动，军用厚膜集成电路市场空间广阔。 航空航天等军用领域对厚膜集成电路产品的性能及可靠性要求更高，而国内电源行业起步 较晚，技术及工艺相对落后，市场主要被 Interpoint 等国际品牌主导。在军队信息化建设 提速及国产替代提速的催化下，国内军用厚膜集成电路市场迎来良好发展机遇，未来市场 空间广阔。3.IGBT 市场蓬勃发展，国产替代需求迫切IGBT 即为绝缘栅双极型晶体管，是 BJT 和 MOSFET 组成的复合功率半导体器件。 IGBT 既有 MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗

7、 小的优点，又有 BJT 导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，是未来应用发展的主要方 向。作为工业控制及自动化领域的核心器件，IGBT 在电机节能、轨道交通、智能电网、 航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等诸多领域都有广泛的应用。图：IGBT 与 SiC-MOSFET 性能对比国际巨头多覆盖全产业链，其他企业多集中于芯片设计环节。IGBT 企业根据是否自 建晶圆生产线分为存在两种经营模式：IDM 模式和 Fabless 模式。IDM 模式是指包含电路 设计、晶圆制造、封装测试等全环节业务的企业模式。该模式对技术、资金和市场份额要 求极高，目前仅有英飞凌、三菱等少数国际巨头采

8、用。Fabless 模式是企业专注于芯片设 计，而将芯片制造外协给代工厂商生产制造。中国 2019 年 IGBT 市场规模达 27.0 亿美元，国产替代需求迫切。据 WSTS，中国 2019 年 IGBT 市场规模达 27.0 亿美元，占全球 IGBT 市场总规模的约 41%，为全球最大 的 IGBT 市场。然而由于国内相关人才缺乏，工艺基础薄弱，国内企业产业化起步较晚， IGBT 模块至今仍几乎全部依赖进口。据前瞻产业研究院，2020 年国内中高端 MOSFET 及 IGBT 产品国产化率约为 10%，自主可控需求迫切。外企基本垄断全球 IGBT 市场，国内厂商竞相突围。截至 2021 年全球 IGBT 市场基 本被以英飞凌、三菱、富士等为首的德日大厂占据主要份额，整体看行业前三名份额超过 50%。其中英飞凌保持绝对领先位置，在低电压、中电压及高电压领域均处全球领先地位。 国内近年来出台大量相关政策支持产业发展，我国 IGBT 行业迎来巨大发展机遇，涌现出 以斯达半导、中车株洲、比亚迪等为代表的一大批优秀企业，但掌握 IGBT 核心技术并批 量导入客户的厂商仍然较少。