三极管贴片封装讲课稿.doc

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1、Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。三极管贴片封装-贴片三极管封装2007-09-2016:021ASOT323BC846AWNPN1ASOT416BC846ATNBC546A1ASOT89PXT3904NPN1ASOT89SXT3904NPN-1ASOT323PMST3904N2N39041A-SOT323BC846AWNBC546A1AMSOT23MMBT3904LN2N39041ApSOT23BC846ANBC546A1AtSOT23BC846ANBC546A1AtSOT323BC846AWNBC546A1BSOT23BC846BN

2、PN1BSOT23BC846BNBC546B1BSOT23FMMT2222NPN1BSOT23FMMT2222N2N22221BSOT23IRLML2803Fn-chmosfet30V0.9A1BSOT23MMBT2222NPN1BSOT23MMBT2222N2N22221BSOT23PMBT2222NPN1BSOT23SMBT2222NPN1BSOT23YTS2222NPN1BSOT323BC846BWNPN1BSOT416BC846BTNBC546B1BSOT89PXT2222NPN-1BSOT323PMST2222N2N22221B-SOT323BC846BWNBC546B1BpSOT2

3、3BC846BNBC546B1BsSC74BC817UPNN1BtSOT23BC846BNBC546B1BtSOT323BC846BWNBC546B1CSOT23FMMT-A20NPN1CSOT23FMMT-A20NMPSA201CSOT23IRLML6302Fp-chmosfet20V0.6A1CSOT23MMBTA20NPN1CSOT23MMBTA20LNMPS39041CSOT23SMBTA20NPN1CpSOT23BAP50-05BdualccGPRFpindiode1CsSOT363BC847SBC4571DSOT23BC846NPN1DSOT23IRLML5103Fp-chmosf

4、et30V0.6A1DSOT23MMBTA42NPN1DSOT23MMBTA42NMPSA42300Vnpn1DSOT23SMBTA42NPN1DSOT323BC846WNPN1DSOT89SXTA42NPN1D-SOT323BC846WNBC4561DN2SC4083Nnpn11V3.2GHzTVtuners1DpSOT23BC846NBC4561DRSC59MSD1328-RT1NPN1DRSOT346MSD1328RNnpngp25V500mA1DsSC74BC846UNBC4561DsSOT363BC846UBC4561DtSOT23BC846NBC4561DtSOT323BC846W

5、NBC4561EFMMT-A43NMPSA431ESOT23BC847ANPN1ESOT23BC847ANBC547A1ESOT23FMMT-A43NPN1ESOT23MMBTA43NPN1ESOT23MMBTA43NMPSA43200Vnpn1ESOT23SMBTA43NPN1ESOT323BC847AWNPN1ESOT416BC847ATNBC547A1ESOT89SXTA43NPN1E-SOT323BC847ANBC547A1EN2SC4084Nnpn20V2.0GHzTVtuners1EpSOT23BC847ANBC547A1ERSOT23RBC847ARRBC547A1EsSOT23

6、BC847ANBC4571EsSOT323BC847AWNBC4571EtSOT23BC847ANBC547A1EtSOT323BC847ANBC547A1FSOT23BC847BNPN1FSOT23BC847BNBC547B1FSOT23FMMT5550NPN1FSOT23MMBT5550NPN1FSOT23MMBT5550N2N5550140Vnpn1FSOT23PMBT5550NPN1FSOT323BC847BWNPN1FSOT416BC847BTNBC547B1F-SOT323BC847BWNBC547B1FpSOT23BC847BNBC547B1FRSOT23RBC847BRRBC5

7、47B1FsSC75BC847BTNBC547B1FsSOT23BC847BNBC547B1FsSOT323BC847BWNBC547B1FtSOT23BC847BNBC547B1FtSOT323BC847BWNBC547B1GFMMT-A06NMPSA061GSOT23BC847CNPN1GSOT23BC847CNBC547C1GSOT23FMMT-A06NPN1GSOT23MMBTA06NPN1GSOT23MMBTA06NMPSA061GSOT23SMBTA06NPN1GSOT323BC847CWNPN1GSOT416BC847CTNBC547C1G-SOT323BC847CWNBC547

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9、7WNBC5471HpSOT23BC847NBC5471HtSOT23BC847NBC5471HTSOT23SOA05NPN1HTSOT23SOA05NMPSA051HtSOT323BC847WNBC5471JFMMT2369N2N23691JSOT23BC848ANBC548A1JSOT23MMBT2369NMPS23691JASOT23MMBT2369ANMPS2369A1JRSOT23RBC848ARRBC548A1JsSOT143BCV61AVQnpncurrentmirrorhFe1801JsSOT23BC848ANBC548A1JsSOT323BC848AWNBC548A1KFMM

10、T4400N2N44001KSOT143BCV61BNPN1KSOT23BC848BNPN1KSOT23BC848BNBC548B1KSOT23FMMT4400NPN1KSOT23MMBT6428NPN1KSOT23MMBT6428NMPSA1850V1KSOT23PMBT6428NPN1KSOT23SMBT6428NPN1KSOT323BC848BWNPN1KMSOT23MMBT6428LNMPSA1850V1KpSOT23BC848BNBC548B1KRSOT23RBC848BRRBC548B1KsSOT143BBCV61BVQnpncurrentmirrorhFe2901KsSOT23B

11、C848BNBC548B1KsSOT323BC848BWNBC548B1LFMMT4401N2N44011LMMBT6429NMPSA1845V1LSOT143BCV61CNPN1LSOT143BBCV61CVQnpncurrentmirrorhFe5201LSOT23BC848CNPN1LSOT23BC848CNBC548C1LSOT23FMMT4401NPN1LSOT23FMMT5400PNP1LSOT23MMBT6429NPN1LSOT23PMBT6429NPN1LSOT23SMBT6429NPN1LSOT323BC848CWNPN1LpSOT143BBCV61CVQnpncurrent

12、mirrorhFe5201LpSOT23BC848CNBC548C1LRSOT23RBC848CRRBC548C1LsSOT23BC848CNBC548C1LsSOT323BC848CWNBC548C1MSOT143BCV61NPN1MSOT23BC848NPN1MSOT23FMMT-A13NPN1MSOT23FMMT-A13NMPSA131MSOT23MMBTA13NPN1MSOT23MMBTA13NMPSA13darlington1MSOT23PMBTA13NPN1MSOT23SMBTA13NPN1MSOT323BC848WNPN1MpSOT143BBCV61VQnpncurrentmir

13、ror1MpSOT23BC848NBC5481NSOT23FMMT-A14NPN1NSOT23FMMT-A14NMPSA141NSOT23MMBTA14NPN1NSOT23MMBTA14NMPSA14darlington1NSOT23PMBTA14NPN1NSOT23SMBTA14NPN1NSOT89PXTA14NPN1N10SOT223MMFT1N10ET1MOSFET1PBC847PNDIpnp/npnseparatepairgpAF1PFMMT2222AN2N2222A1PSOT23FMMT2222ANPN1PSOT23MMBT2222ANPN1PSOT23MMBT2222AN2N222

14、2A1PSOT23PMBT2222ANPN1PSOT23SMBT2222ANPN1PSOT23YTS2222ANPN1PSOT89PKT2222ANPN1QSOT23FMMT5088NPN1QSOT23MMBT5088NPN1QSOT23MMBT5088NMPSA18Vce30V1QSOT23PMBT5088NPN半导体三极管参数符号及其意义三极管基础知识及检测方法：一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发

15、射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小，所以基极电流约为IB=5V/50k=0.1mA。如果晶体管的共发射极电流放大系数=IC/IB=100,集电极电流IC=*IB=10mA。在500的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=，实现了双极晶体管的电流放大作用。金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来

16、进行工作的。当栅G电压VG增大时，p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。当VDS0时，源漏电极之间有较大的电流IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。当VGSVT并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的VDS下也将产生不同的IDS,实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN

17、两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如3AX31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同

18、，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。三、常用中小功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W)Icm(mA)BVcbo(V)ft(MHz)3DG6CSI-NPN0.120451003DG7CSI-NPN0.5100601003DG12CSI-NPN0.7300403003DG111SI-NPN0.4100201003DG112SI-NPN0.4100601003DG130CSI-NPN0.8300601503DG201CSI-NPN0.152545150C9011SI-NPN0.430501

19、50C9012SI-PNP0.625-500-40C9013SI-NPN0.62550040C9014SI-NPN0.4510050150C9015SI-PNP0.45-100-50100C9016SI-NPN0.42530620C9018SI-NPN0.450301.1GC8050SI-NPN11.5A40190C8580SI-PNP1-1.5A-402002N5551SI-NPN0.6256001802N5401SI-PNP0.625-6001601002N4124SI-NPN0.62520030300四、用万用表测试三极管（1）判别基极和管子的类型选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，

20、先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。（2）判别集电极因为三极管发射极和集电极正确连接时大（表针摆动幅度大），反接时就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确

21、的，从而确定集电极和发射极。（2）电流放大系数的估算选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，值越高。晶体三极管由两个PN结组成，PN结的正向电阻很小，反向电阻很大，根据三个电极之间的电阻关系，可以确定三极管的基极。由于三极管的发射结与集电结的结构上的差别，当把集电极当发射极使用时，其电流放大系数较小，反之值较大。在确定基极后，比较三极管的值大小，可以确定集电极和发射极。使三极管基极开路，在发射极和集电极之间加一小电压，使发射结承受正向电压，集电结承受

22、反向电压，这时集电极之间加一偏流电流（如用欧姆表，反映出来是电阻很大）。在基极和集电极之间加一偏流电阻，集电极电流显著增大（因有了一定的基极电流），这时集电极和发射极之间电阻仅为偏流电阻的十几分之一。从集电极电流墙的幅度可判断值的大小（用欧姆表时，如果表针偏角较基极开路时增加的幅度大，则值就大）。常见的三极管的封状2009-04-2712:17三极管9015管脚图参数资料、引脚实物图片三极管9015管脚图9015是一种常用的普通三极管。它是一种小电压,小电流,小信号的PNP型硅三极管特性：集电极电流Ic：Max-100mA集电极-基极电压Vcbo：-50V工作温度：-55to+150和9014

23、（NPN）相对主要用途： 开关应用 射频放大引脚图其它三极管资料：点击查看9013PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看9015PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看BC817资料:贴片封装点击查看8550PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看9012PDF资料：sot-23封装TO-92封装摘自贴片9013三极管9013是一种最常用的普通三极管。它是一种低电压,大电流,小信号的NPN型硅三极管特性集电极电流Ic：Max500mA集电极-基极电压Vcbo：40V工作温度：-55to+150和9012（PNP）相对主要用途： 开关应用射频放大其它三极管资料：点

24、击查看9013PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看9015PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看BC817资料:贴片封装点击查看8550PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看9012PDF资料：sot-23封装TO-92封装贴片三极管型号查询直插封装的型号贴片的型号90111T90122T9013J39014J69015M69016Y69018J8S8050J3YS85502TY8050Y18550Y22SA1015BA2SC1815HF2SC945CRMMBT39041AMMMBT39062AMMBT22221PMMBT54012LMMBT5551G1MMBTA421DMMBTA922DBC807-165ABC807-255BBC807-405CBC817-166ABC817-256BBC817-406CBC846A1ABC846B1BBC847A1EBC847B1FBC847C1GBC848A1JBC848B1KBC848C1LBC856A3ABC856B3BBC857A3EBC857B3FBC858A3JBC858B3KBC858C3L2SA733CSUN2111V1UN2112V2UN2113V3UN2211V4UN2212V5UN2213V62SC3356R232SC3838AD2N7002702轉載文章，來自(中国单片机网）-