功率因数校正和镇流器控制IC教案资料.doc
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1、Good is good, but better carries it.精益求精,善益求善。功率因数校正和镇流器控制IC-IR2166(S)功率因数校正和镇流器控制IC特点:- PFC,镇流器和半桥驱动合一 临界导通模式升压型PFC 无PFC电流检测电阻 预热频率可调 预热时间可调 运行频率可调 过电流保护可调 灯寿命保护可调 可控死区时间 内部触发斜率 内部故障计数器 直流母线欠压复位 关断滞环功能 内部Vcc有15.6V嵌位二极管 微功率启动(150uA) 锁定和ESD保护简介:IR2166是完全集成的,完全保护的,可驱动所有类型荧光灯的600V电子镇流器控制芯片。PFC电路以临界导通模式
2、(CCM)方式工作,可获得高功率因素,低THD及直流电压调整。IR2166的特性包括预热频率和运行频率可调,预热时间可调,死区时间可调,过流门限电压可调,以及灯寿命保护。该IC还有其他完善的保护性能诸如灯管触发失败保护,灯丝故障保护,灯寿命保护。直流母线欠压复位以及自动重启动功能。IR2166有DIP14及SOIC14两种封装。IR2166典型应用图绝对最大值:管脚超过给定的最大值就有可能损坏器件,所有绝对值电压参考管脚为COM,所有正电流定义为流入管脚。热阻和功耗额定值在大气环境下和板上测得。符号定义最小值最大值单位VB高端浮动供电电压-0.3625VVS高端浮动供电偏置电压VB-25VB+
3、0.3VVHO高端浮动输出电压VS-0.3VB+0.3VVLO低端输出电压-0.3VCC+0.3VVPFCPFC栅极驱动输出电压-0.3Vcc+0.3VIOMAX允许最大输出电流(HO,LO,PFC)由外部功率晶体管miller效应得到-500500mAVBUSVBUS管脚电压-0.3VCC+0.3VVCTCT管脚电压-0.3VCC+0.3VICPHCPH管脚电流-55mAIRPHRPH管脚电流-55mAVRPHRPH管脚电压-0.3VCC+0.3VIRTRT管脚电流-55mAVRTRT管脚电压-0.3VCC+0.3VVCS电流感应管脚电压-0.35.5VICS电流感应管脚电流-55mAISD
4、/EOL关断管脚电流-55mAICC供电电流(注:1)-2020mAIZXPFC电感电流,过零检测输入电流-55mAICOMPPFC误差补偿电流-55mAdV/dt允许偏置电压波动率-5050V/nsPD封装功TA+25C-(16PDIP)PD=(TJMAX-TA)/RthJA-(16SOIC)1.801.40WRthjA结到环境热阻-(16PDIP)-(16SOIC)7086C/WTJ结温-55150CTS存储温度-55150CTL管脚温度(装焊10秒)300C注1:该芯片内部VCC与COM之间设有15.6V稳压管,注意该脚不能直接外加电压源。推荐工作条件:为使器件正常工作,请使用推荐的工作
5、条件。符号定义最小值最大值单位VBS高端浮动供电压VCC-0.7VCLAMPVVS稳态高端浮动供电偏置电压-1600VVCC供电电压VCCUV+VCLAMPVICC供电电流注210mACTCT连接电容220pFISD/EOL关断管脚电流-11mAICS电流检测管脚电流-11mAIZX过零检测管脚电流-11mATJ结温-25125C注2:VCC管脚应供给足够的电流,确保内部稳压管正常工作。电气特性:VCC=VBS=VBIAS=14V+/-0.25V,VBUS=开路,RT=39.0kW,RPH=100kW,CT=470pF,VCPH=0.0V,VCS=0.0V,VSD=0.0V,VCOMP=0.0
6、V,CLO=CHO=1000pF,TA=25C.符号定义最小典型最大单位测试条件供电特性VCCUV+VCC正欠压门限10.511.512.5VCC从0建立VCCUV-Vcc负欠压门限8.59.510.7VCC从14V下降VUVHYSVCC欠压锁定滞环1.52.03.0IQCCUVUVLO模式静态电流120170280uAVCC=8VIQCC静态VCC供电电流2.34.0mACT连COM,VCC=14V,VCLAMPVCC稳压管电压14.315.616.5VICC=10mA浮动供电特性IQBS0VBS静态供电电流-105uAVHO=VS(CT=0V)IQBS1VBS静态供电电流53060uAVH
7、O=VB(CT=14V)VBSMIN建立HO特性最小VBS电压2.5VILK偏置供电漏电流50uAVB=VS=600VPFC误差放大器特性ICOMP源误差放大器输出拉电流53555uAVCPH=14VVBUS=3.5VICOMP灌误差放大器输出灌电流-50-30-18uAVCPH=14VVBUS=4.5VVCOMPOL误差放大器输出电压摆动0.254VVBUS=5.0VPFC直流电压调整VBUSOV过电压比较器阈值3.84.34.7VVcomp=4.0VVBUSOVHYS过电压比较器滞环75100300mVVcomp=4VVVBUSREG过电压比较器内部参考电压3.74.04.2VVcomp=
8、4VPFC零电流检测VZXZX脚比较器阈值电压1.11.652VVcomp=4VVZXhysZX脚比较器滞环75300800mVVcomp=4VVZXclampZX脚嵌位电压6.37.59.1VIZX=5mAPFC看门狗TWD看门狗内部脉冲90400810SZX=0V,VCOMP=2V镇流器振荡器特性符号定义最小典型最大单位测试条件fOSC振荡频率38.54247.5KHz运行模式717581预热模式d振荡占空比50%VCT+CT电压门限上沿6.88.410.7VVCC=14VVCT-CT电压门限下沿1.84.65.6VVCTFLT故障模式CT电压0mVSD5.0V,CS1.3VtDLOLO输
9、出死区时间0.71.01.5usCT=1nFtDHOHO输出死区时间1.71.01.5us镇流器控制预热特性ICPHCPH脚充电电流2.63.24.3uAVCPH=5V,CT=0V,VBUS=0VVCPHFLT故障模式CPH电压0mVSD5.0V,CS1.3VRPH特性IRPHLKRPH开路漏电流0.1uAVRPHFLT故障模式RPH电压0mVSD5.0V,CS1.3VRT特性IRTLKRT开路漏电流0.1uACT=10VVRTFLT故障模式RT电压0mVSD5.0V,CS1.3V保护电路特性VSDTH+关断门限上限电压4.75.25.7VVSDHYS关断门限滞环电压100150350mVVS
10、DEOL+灯寿门限上限电压2.43.03.6VVCPH12VVSDEOL-灯寿门限下限电压0.71.01.6VVCSTH+过流感应门限电压1.01.21.3VVCPH7.5V#FAULT-CYCLESIC关闭前的故障过电流数257590个VCPH7.5VCS1.3VVBUSSUV-直流母线电压欠压阈值2.63.03.3VVCPHCSENCPH脚电流感应使能阈值6.8VVCPHEOLENCPH脚灯寿使能阈值10.31213.2V门极驱动输出特性(HO,LO,PFC脚)符号定义最小典型最大单位测试条件VOL低输出电压0100mVIO=0VOH高输出电压0100mVVBIAS-VO,IO=0tr开通
11、上升时间110210nsCHO=CLO=CPFC=1nFtf关断时间55160nsCHO=CLO=CPFC=1nFIO+HO,LO,PFC拉电流300mAIO-HO,LO,PFC灌电流400mAIR2166内部框图IR2166状态框图IR2156管脚排列管脚号符号功能1VBUS直流电压检测输入2CPH预热定时电容3RT最小频率定时电阻4RPH预热频率定时电阻5CT振荡器定时电容6COMPPFC误差放大器补偿7ZXPFC电流过零检测8PFCPFC管门极驱动输出9SD/EOL关断/灯寿检测电路10CS电流检测输入11LO低端门极驱动输出12COMIC电源及信号地线13VCC逻辑及低端门极驱动供电1
12、4VB高端门极驱动浮动供电15VS高端浮地16HO高端门极驱动输出镇流器时序图正常工作情况故障工作情况I.功能简介镇流器部分欠压关断模式(UVLO)欠压关断模式是当供电电压VCC低于IC的开启门限电压时的工作情况。关于IC的不同模式可参考本文的状态表。IR2166的欠压关断模式用于使供电电流保持在最小供电电流400A以下,在高低端有输出前,保证IC正常工作。图1为一个有效的利用启动电流和镇流器输出级充电泵共同为IR2166供电的例子(RSUPPLY,CVCC,DCP1,DCP2)。通过供电电阻(RSUPPLY)的电流一部分作为启动电流流入IC,其余给启动电容(CVCC)充电。此电阻可决定启动镇
13、流器的交流输入电压阈值,一旦VCC脚电容电压达到启动门限,且SD脚电压低于4.5V,则IC开始工作,HO,LO开始震荡。由于IC工作电流增大,电容开始放电见(图2)。图1:启动和供电电路在放电期间,充电泵产生的整流电流给电容充电,使VCC电压高于IC关断门限,充电泵和IC内置15.6V稳压管来提供供电电压。启动电容和缓冲电容要有足够的容量,能提供足够的电流满足镇流器所有工作条件的需要。自举二极管(DBOOT)和供电电容(CBOOT)提供高端驱动电路的工作电压。为了在HO脚的第一个脉冲前就给高端供电,因此输出驱动的第一个脉冲来自LO脚。在欠压关断状态,高端和低端输出驱动HO和LO都为低电平,CT
14、脚在内部连接到COM使镇流器停止震荡,CPH脚在内部连接到COM使预热时间复位。图2:CVCC电压预热模式(PH)预热模式定义为灯管灯丝被加热到正确的发射温度,它是延长灯管寿命和降低触发电压所必需的步骤。当VCC超过UVLO+门限时IR2166进入预热模式。LO和HO开始以50%占空比的预热频率震荡,死区时间由外部定时电容CT和内部死区时间电阻RDT决定。CPH脚与COM断开,内部1uA电流源给CPH脚外接的预热定时电容线性充电。CS脚的过流保护在预热期间被屏蔽掉动浮动供电电。预热频率由并联电阻RT和RPH,以及定时电容CT决定。CT分别在到达1/3和3/5的VCC电压时充电和放电(见时序图)
15、。VCC通过内部MOSFETS1及并联电阻RT和RPH对CT指数充电。CT从1/3到3/5VCC的充电时间对应的HO和LO的开通时间。当CT电压超过3/5的VCC,MOS管S1关断,电阻RT和RPH与VCC断开。CT通过内部电阻RDT,MOS管S3对COM以指数放电。CT从3/5到1/3VCC的放电时间为即输出门极驱动LO和HO都关断,死区时间。选择CT和RDT可确定死区时间。一旦CT放电至低于1/3的VCC,MOS管S3关断,RDT与COM断开,MOS管S1导通,RT和RPH再次连接到VCC。工作频率始终保持在预热频率直到CPH脚电压超过10V,IC进入触发模式。在预热模式期间,当CPH脚电
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