《集成电路工艺原理》教学大纲.docx
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1、集成电路工艺原理课程教学大纲一、课程的基本信息适应对象:本科,电子科学与技术课程代码:A9E02027学时分配:32赋予学分:2先修课程:模拟电子技术、数字电子技术、集成电路原理与应用后续课程:二、课程的性质与任务本课程主要介绍硅单晶的结构特点,单晶硅锭的拉制,硅片(包含体硅片和外延硅片)的制 造工艺及相关理论。并且介绍硅芯片制造基本单项工艺(氧化与掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集 成与封装测试)的原理、方法、设备,以及所依托的技术基础及开展趋势。三、教学目的与要求在学完本课程后,要求学生掌握集成电路制造的基础工艺、基本原理及集成电路芯片制造技 术。通过本课程学习,培养学生理论联系实际的能力、确立
2、科学研究的思想方法、创新能力以及 实践能力等。为本专业学生将来从事微电子、集成电路设计、电子材料及相关学科的科学研究、 工程设计奠定扎实的理论与实践基础。四、教学内容与安排第一章、单晶硅特性(3学时)教学内容:1、硅晶体的结构特点2、硅晶体缺陷3、硅晶体中的杂质教学要求:1、了解硅衬底的制造工艺及相关理论2、了解单晶硅特性,硅晶体的结构特性3、掌握集成电路工艺中用到的一些固态电子学理论第二章、硅片的制备(2学时)教学内容:1 多晶硅的制备2、单晶硅生长3、切制硅片教学要求:1、 了解硅片的制备2、了解单晶硅锭的主要拉制方法3、了解硅片的制备和检测第三章 外延(2学时)教学内容:1、外延概念和种
3、类2、气相外延3、分子束外延教学要求:1、了解外延硅片的制备原理方法2、了解气相外延、分子束外延以及新出现的外延技术第四章 热氧化(2学时)教学内容:1、二氧化硅薄膜概述2、硅的热氧化3、初始氧化阶段及薄氧化层制备4、热氧化过程中杂质的再分布5、氧化层的质量及检测6、其他氧化方法教学要求:1、掌握在硅片上热生长二氧化硅薄膜的工艺流程2、掌握二氧化硅薄膜的质量检测方法3、了解二氧化硅薄膜的其他生长方法第五章 扩散(3学时)教学内容:1、扩散机构2、晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程3、杂质的扩散掺杂4、热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素5、扩散工艺条件与方法6、扩散工艺质量与检测教学要求:1、
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