应用物理毕业论文综述讲课教案.doc
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1、Good is good, but better carries it.精益求精,善益求善。应用物理毕业论文综述-双间隙圆柱同轴封闭谐振腔等效电路分析法目录中文摘要英文摘要第一章:绪论11.1引言11.2速调管的发展史及国内外发展现状及展望11.1.1速调管的发展史11.1.2速调管国内外发展现状及展望21.3速调管的结构与工作原理51.4本论文的研究意义8第一章绪论1.1引言速调管是由美国莱塞尔(Russen)和瑟戈德瓦里安(sigurdvarian)兄弟俩于1939发明的1,它是为了克服普通电子管当频率升高时电子渡越时间效应带来的影响而提出的。在军事和民用上都有广泛的应用。进入70年代以后
2、,随着半导体技术的迅猛发展,半导体电子器件已逐步替代了小功率的真空电子器件,但由于输出功率的局限性,晶体管始终无法取代大功率的真空电子管,尤其在微波波段,真空微波管具有大功率、高增益、宽频带、耐高温、抗辐射等明显优点,因此仍然是导航、制导、雷达、电子对抗和定向能武器等军用装备的关键部件,从而被称为现代信息装备的心脏。其次,在电视转播、卫星通信、遥感、粒子加速器、微波治疗仪和工业加热等方面,真空微波管也是必不可少的电子器件,其需求量不仅没有减少,而且还逐年增加。简要列出了国内外多注速调管的发展现状、速调管的基本结构和工作原理。阐述了本论文的意义、创新点和主要内容。分析了用于多注速调管或加速器的微
3、波圆柱和同轴腔各阶横磁模式的特性。1.2速调管的发展史及国内外发展现状及展望1.1.1速调管的发展史速调管是30年代发展起来的一种大功率高频微波振荡器或放大器2,它的基本工作原理是:首先在输入腔中输入较弱的高频微波调制信号对直流电子注进行速度调制,然后让电子注通过一段自由漂移路程(漂移管),使速度调制转变为电子注的密度调制,这一过程称为电子注的群聚;当电子注进入第二腔时,群聚电子注将会在第二腔的间隙中产生高频感应电流(拉姆方程),其中的基波分量激励起了第二腔的谐振,结果在第二腔的间隙处产生较强的高频纵向电压,该高频间隙电压又对电子注进行第二次速度调制,然后电子注再通过一段漂移管将速度调制转变为
4、密度调制,使电子注群聚得更加紧密;经过反复多次的速度调制和群聚过程,最后己高度群聚的电子注进入输出腔时,在输出腔间隙中感应出很强的高频感应电流,其中的基波分量激励输出腔产生很强烈的谐振,结果在输出腔的间隙处产生很强的高频纵向电压,该高频间隙电压使电子注大幅减速,并通过与输出传输线祸合将高频微波传输到负载,从而达到把电子注的直流能量转变为高频微波能量的目的。实用型多注速调管是由前苏联的S.Koroljev等在20世纪60年代发展的。其中Istok是最早研制出实用型多注速调管的单位。他们采用工作在基模的重入式谐振腔作为高频互作用电路。多个电子注的总导流系数Per(I0/V0)3/2可升高至515P
5、,但其中每个电子注的导流系数很小,使之易于聚焦和群聚。导致速调管的工作电压大为降低,容易实现宽频带条件下的高效率和高增益;又因为其高频互作用长度短,易实现周期反转永磁聚焦结构,使整管的体积和重量大为减小。1.1.2速调管国内外发展现状及展望目前研制多注速调管的主要单位有中国科学院电子学研究所(IECAS),北京真空电子技术研究所(BVEl)、俄罗斯的Istok、Toriy和Svetlana、法国的Thales电子管公司(TTE)、美国的CPI公司、斯坦福加速器中心(SLAC)、日本的东芝公司和日本高能物理所(KEK)等。中科院电子所与北京真空电子所从90年代初相继开始研制各类多注速调管。中科院
6、电子所于94年研制成功S波段多注速调管。使中国成为世界上第二个拥有多注速调管研制技术的国家。IECAS研制的L、S和C波段的宽带多注速调管,峰值功率范围100200kW,平均功率310kW,相对带宽8%12%,电子束电压1619kV,包括聚焦系统的总重量3070kg,整管的长度600900mm。谐振腔采用具有高特性阻抗的基模工作。其中某型号的S波段18注速调管包含5个群聚腔和一个工作在模的滤波器加载双间隙输出腔,总导流系数10.5P,栅控电子枪电压16kV,偏置电压6kV,M型浸渍阴极的电流发射密度1315A/cm2,其工作寿命超过1000小时,周期聚焦系统是6个温度系数很低的NdFeB永磁环
7、,系统总重量10.1kg,管体和收集极以高速液体冷却。表给出了中科院电子所研制的多注速调管的性能。其S波段多注宽带速调管KS-60采用18个电子注,周期反转永磁聚焦,宽带输出段为工作在模的滤波器加载双间隙耦合腔。管子重量仅为45kg,长度750mm。IECAS正在研制的L、S、C和X波段多注速调管,其脉冲功率75600kW,设计平均功率410kW,带宽5%11%。表1.2.1中科院电子所多注速调管的性能波段/脉冲功率/平均功率/相对带宽/增益效率/注电压/重量/kWkWMHzdBkVkgS2004843453545182048S20079743453545182043S150884345354
8、5171945S1208843453545161845C502.52453035171835C20010541433035212330C1208740453035161835L20041143453540182070中国电子科技集团公司第12所研制的C波段多注速调管,脉冲功率在75200KW,平均输出功率210kW,增益43dB;效率2533,工作电压1923kV。其谐振腔全部工作在高次模状态,有效地降低了阴极负荷与工作电压。他们研制的C波段200kW多注速调管,采用TM220高次模,有4组共28个电子注,周期反转永磁聚焦,输出段为3节滤波器双间隙耦合腔。其脉冲功率大于200kW,平均功率大于
9、10kW,带宽310MHz,带内最大效率31%。法国Thales电子管公司(TTE)发展的高功率高效率L波段多注速调管3,采用7个电子注,6腔结构,脉冲功率为10MW,平均功率为150kW,脉宽为500s,电子注电压为115kV,注电流为133A,效率高达65%,增益为47dB,带宽为16MHz。管采用电磁聚焦,直流通过率达99%,高频通过率达98%。TTE公司还发展了S波段1MW宽带多注速调管。美国SLAC发展的组合式高功率多注速调管,采用10个子速调管的组合和PPM聚焦方式,在1.5GHz频率上,获得2GW的峰值功率。在高频系统中采用高阶模式的主要优点是可以同时实现高频率和高功率。同轴腔高
10、阶模式的理论(与技术)比圆柱腔基模的情形复杂。虽然本文系统地研究了微波圆柱和同轴谐振腔的多种特性,但对于带有漂移管的复杂腔体结构,目前从理论上分析其内各种模式的场分布还有一定的困难。主要是由计算的空腔参数出发,结合软件模拟进行分析。为研究输出同轴腔各阶模式与端接波导基模耦合而输出微波能量的过程,需要分析耦合孔的位置、形状、尺寸和数目对许多相关系列参数的影响。但是目前还无理想的解析的方法,主要靠3D软件进行大量的模拟和比较,以寻求在某限定参数范围内的一些规律。这必然需要庞大的工作量和计算模拟时间。理论计算揭示了微波圆柱和同轴腔各阶横磁模式的一些特点:对于圆柱腔,其在低频段或较低阶模的模式间隔较大
11、。低频段低阶模可对应较大半径的腔体,而在高频段欲采用低阶模式,就必须选用半径很小的腔体。这就限制了功率的提升。而对于同轴腔的高阶模式,其高频段也可对应较大的腔体,这利于提高功率;在给定的频率下,同轴腔体的横截面尺寸与TMn10模式的阶数几乎可以自由选择。这为扩大其应用范围提供了理论依据。理论计算了微波圆柱和同轴谐振腔内Ezm的位置半径、该位置处的特性阻抗及其对应的谐振频率。发现谐振腔内引入带间隙的金属漂移管后,其谐振频率下降的相对值随着漂移管总体积与空腔体积之比的增大而增大。利用编程计算的同轴腔体结构和ISFEL3D软件模拟的电场分布值,以基本电路理论计算了带有单间隙漂移管同轴腔高阶TM310
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