半导体二极管三极管优秀课件.ppt

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1、半导体二极管三极管第1页，本讲稿共52页第9章 9.19.1 9.1 半导体的导电特性半导体的导电特性9.1.1 9.1.1 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体一、导体、绝缘体、半导体一、导体、绝缘体、半导体导体导体导体导体：外层电子受原子核的束缚力很小，导电性很好。外层电子受原子核的束缚力很小，导电性很好。绝缘体绝缘体绝缘体绝缘体：外层电子受原子核的束缚力很大，导电力差。外层电子受原子核的束缚力很大，导电力差。半导体半导体半导体半导体：外层电子不像导体那样容易挣脱，也不像绝缘体那样外层电子不像导体那样容易挣脱，也不像绝缘体那样 束缚得很紧，所以导电性介于两者之间。束缚得很紧，所以导电性

2、介于两者之间。半导体材料特点：半导体材料特点：半导体材料特点：半导体材料特点：1.获得能量，导电能力显著提高。获得能量，导电能力显著提高。2.掺入某些杂质元素，导电能力也大幅提高。掺入某些杂质元素，导电能力也大幅提高。第2页，本讲稿共52页在热力学温度零度在热力学温度零度和没有外界激发时和没有外界激发时,本征半导体不导电。本征半导体不导电。纯净的没有结构缺陷纯净的没有结构缺陷纯净的没有结构缺陷纯净的没有结构缺陷的半导体单晶体的半导体单晶体的半导体单晶体的半导体单晶体本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体 它是共价键结构。它是共价键结构。图9.1.1 本征半导体的共价键结构硅原子硅原子硅原子硅

3、原子价电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4第9章 9.1二、本征半导体的晶体结构和共价键 第3页，本讲稿共52页+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子自由电子空空穴穴本征激发复合图图9.1.2 本征半导体中的自由电子和空穴本征半导体中的自由电子和空穴成对出现成对出现成对消失成对消失第9章 9.1三、本征半导体中的两种载流子热激发：热激发：热激发：热激发：产生产生两种两种带电粒子带电粒子带电粒子带电粒子电子电子电子电子空穴空穴空穴空穴复合：复合：复合：复合：消失消失两种两种带电带电带电带电粒子粒子粒子粒子电子电子电子电子空穴空穴空穴空穴第4页，本讲稿共52页+4+4+4+4+4+4+4

4、+4+4外电场方向外电场方向外电场方向外电场方向电子电子电子电子和和和和空穴空穴空穴空穴为承载为承载为承载为承载电流的粒子电流的粒子电流的粒子电流的粒子 载流子载流子载流子载流子空穴移动方向 电子移动方向 当外电场作用：当外电场作用：电子电子电子电子和和空穴空穴空穴空穴均能均能参与导电。参与导电。价电子填补空穴价电子填补空穴第9章 9.1第5页，本讲稿共52页第9章 9.1四、温度是影响本征半导体中载流子的浓度的主要因素 在一定温度条件下，半导体内实现相对平衡，这时产生与复在一定温度条件下，半导体内实现相对平衡，这时产生与复合的过程虽然仍在不断进行，但电子合的过程虽然仍在不断进行，但电子-空穴

5、对却保持一定的数目。空穴对却保持一定的数目。温度温度获得的能量获得的能量产生的产生的电子电子电子电子空穴对空穴对空穴对空穴对浓度浓度半导体导电能力半导体导电能力 所以所以半导体的温度特性不好！半导体的温度特性不好！半导体的温度特性不好！半导体的温度特性不好！半导体于室温时电导率约在半导体于室温时电导率约在10+710+5/m之间之间 第6页，本讲稿共52页+4+4+4+4+4+4+4+49.1.2 9.1.2 杂质半导体杂质半导体一一一一 .N .N 型半导体型半导体型半导体型半导体掺入少量的掺入少量的五价元五价元五价元五价元 素素素素,如磷如磷,则形成则形成N型半导体型半导体多子多子多子多子

6、自由电子自由电子自由电子自由电子少子少子少子少子空穴空穴空穴空穴 磷原子+4+5多余价电子多余价电子自由电子正离子第9章 9.1图9.1.3 N型半导体第7页，本讲稿共52页 N 型半导体结构示意图少数载流子少数载流子少数载流子少数载流子多数载流子多数载流子多数载流子多数载流子正离子在在N型半导中型半导中,电子是电子是多数载流子多数载流子,空穴是少数载流子。空穴是少数载流子。第9章 9.1导电基本以自由电子为主，被称为导电基本以自由电子为主，被称为导电基本以自由电子为主，被称为导电基本以自由电子为主，被称为电子半导体电子半导体电子半导体电子半导体 。在室温下，几乎所有的杂质原子都被电离为带正电

7、的在室温下，几乎所有的杂质原子都被电离为带正电的杂质离子和带负电的自由电子。杂质离子和带负电的自由电子。第8页，本讲稿共52页+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴二二二二.P.P型半导体型半导体型半导体型半导体掺入少量的三价元掺入少量的三价元 素素,如硼如硼,则形成则形成P 型半导体。型半导体。+4+4硼原子填补空位+3负离子第9章 9.1图9.9.4 P型半导体第9页，本讲稿共52页 P 型半导体结构示意图型半导体结构示意图导电基本上以空穴导电为主，因此，又被称为导电基本上以空穴导电为主，因此，又被称为空穴半导体空穴半导体空穴半导体空穴半导体。电子是少数载流子电子是少数载流子电子是少数载流子

8、电子是少数载流子负离子负离子负离子负离子空穴是多数载流子空穴是多数载流子空穴是多数载流子空穴是多数载流子第9章 9.1第10页，本讲稿共52页一、PN 结的形成 多子扩散多子扩散空间电荷区空间电荷区少子漂移少子漂移动态平衡动态平衡PNPN结结9.1.3 9.1.3 PN 结结第9章 9.1多子扩散多子扩散多子扩散多子扩散少子漂移少子漂移少子漂移少子漂移内电场方向空间电荷区空间电荷区空间电荷区空间电荷区P P 区区区区N 区图9.1.5 PN 结的形成 (a)P区与N区中载流子的扩散运动第11页，本讲稿共52页外界环境不变条件下，多子扩散与少子漂移达到动态平衡，外界环境不变条件下，多子扩散与少子

9、漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定下来空间电荷区的宽度基本上稳定下来PNPN结达到稳定结达到稳定结达到稳定结达到稳定 第9章 9.1P 区N 区空间电荷区内电场方向图9.1.5 PN 结的形成 (b)平衡状态下的PN结第12页，本讲稿共52页内电场方向E外电场方向RI二、二、二、二、PN PN 结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性P 区N 区空间电荷区变窄 扩散运动增强，形扩散运动增强，形成较大的正向电流成较大的正向电流1.1.外加正向电压外加正向电压外加正向电压外加正向电压第9章 9.1图9.1.6 PN结加正向电压时导通第13页，本讲稿共52页P 区N 区内电

10、场方向ER空间电荷区变宽 外电场方向IR2.2.2.2.外加反向电压外加反向电压外加反向电压外加反向电压外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走少数载流子越过少数载流子越过PN结形结形成很小的反向电流成很小的反向电流 多数载流子的扩散运动难于进行多数载流子的扩散运动难于进行第9章 9.1图9.1.7 PN结加反向电压时截止第14页，本讲稿共52页第9章 9.1总结：总结：总结：总结：1.PN结的结的P区接电源的正极，区接电源的正极，N区接负极时，区接负极时，PN结处于结处于正向导通正向导通正向导通正向导通（正（正向偏置）：向偏置）：正向电流由多数

11、载流子扩散形成，正向电流由多数载流子扩散形成，电流数值很大；电流数值很大；电流数值很大；电流数值很大；正向电压稍有改变，电流变化较大。表现出的正向电压稍有改变，电流变化较大。表现出的正向动态等效电阻正向动态等效电阻正向动态等效电阻正向动态等效电阻极小！极小！极小！极小！2.PN结的结的N 区接电源的正极，区接电源的正极，P区接负极时，区接负极时，PN结处于结处于反向截止反向截止反向截止反向截止（反向偏置）：（反向偏置）：反向电流由反向电流由本征激发本征激发本征激发本征激发的少数载流子漂移组成，的少数载流子漂移组成，电流数值较小电流数值较小电流数值较小电流数值较小环境温度不变，少数载流子浓度不变

12、且与反向电压无关，反向环境温度不变，少数载流子浓度不变且与反向电压无关，反向电流具有饱和特性。其电流具有饱和特性。其动态反向电阻极大。动态反向电阻极大。动态反向电阻极大。动态反向电阻极大。温度温度T少子浓度少子浓度 反向电流数值反向电流数值正向电阻极小，反向电阻极大正向电阻极小，反向电阻极大正向电阻极小，反向电阻极大正向电阻极小，反向电阻极大PNPN结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性 第15页，本讲稿共52页二极管二极管 :PN结结 +引线引线二极管的符号阳极,A负极9.2 9.2 半导体二极管半导体二极管正极阴极,KD作用：整流、检波、限幅 稳压、保护特性：特性：单向导

13、电性单向导电性第16页，本讲稿共52页 正极引线触丝N型锗支架外壳负极引线点接触型二极管点接触型二极管9.2.1 二极管的结构和符号二极管的结构和符号二极管的符号阳极负极9.2 9.2 半导体二极管半导体二极管 正极引线二氧化硅保护层P型区负极引线 面接触型二极管N型硅PN结PN结正极阴极D，VD第17页，本讲稿共52页600400200 0.1 0.200.40.850100I/mAU/V正向特性正向特性反向击反向击穿特性穿特性硅管的伏安特性硅管的伏安特性硅管的伏安特性硅管的伏安特性1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性反向特性死区电压死区电压死区电压死

14、区电压I/mAU/V0.40.8 40 802460.10.2锗管的伏安特性锗管的伏安特性锗管的伏安特性锗管的伏安特性正向特性反向特性0 开启电压开启电压开启电压开启电压Uon（死区电压）（死区电压）:使二极管开始正向导通的电压使二极管开始正向导通的电压室温下，室温下，开启电压开启电压开启电压开启电压：硅管硅管硅管硅管0.5V0.5V；锗管锗管锗管锗管0.1V0.1V导通电压导通电压导通电压导通电压：硅管硅管硅管硅管0.60.60.8V0.8V 锗管锗管锗管锗管0.2 0.2 0.3V0.3V第18页，本讲稿共52页9.2.3 9.2.3 二极管的主要极限参数二极管的主要极限参数1.最大整流电

15、流最大整流电流IOM：长时间工作、允许流过的最大正向平均电流长时间工作、允许流过的最大正向平均电流2.反向工作峰值电压反向工作峰值电压URM：约为实际击穿电压的一半到三分之一约为实际击穿电压的一半到三分之一3.反向峰值电流反向峰值电流IRM：二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值第20页，本讲稿共52页 例例1：下图中，已知：下图中，已知VA=3V，VB=0V，DA、DB为锗管，求：为锗管，求：输出端输出端Y的电位并说明的电位并说明二极管的二极管的作用。作用。解：解：由于：由于：A A较较B B到到-12V-12V端的电位差最大端的电位差最大 所以：所

16、以：D DA A优先导通，则优先导通，则VY=30.3=2.7VDA导通后导通后,DB因反偏而截止因反偏而截止,起隔离作用起隔离作用,DA起起钳位钳位钳位钳位作用作用,将将Y端的电位钳制在端的电位钳制在+2.7V。DA 12VYABDBR第21页，本讲稿共52页DE3VRuiuouRuD 例2：下图是二极管限幅电路，D为理想二极管，ui=6 sin t V,E=3V,试画出 uo波形。t t ui/Vuo/V63300226二极管只有二极管只有二极管只有二极管只有导通导通导通导通和和和和截止截止截止截止两种状态两种状态两种状态两种状态分析输入信号分析输入信号分析输入信号分析输入信号uiui在什

17、么范围内：在什么范围内：在什么范围内：在什么范围内：ui=?ui=?D D一定截止一定截止一定截止一定截止uo=uo=？否则否则否则否则 D D可能导通可能导通可能导通可能导通uo=uo=？分析方法提示分析方法提示分析方法提示分析方法提示第22页，本讲稿共52页9.3 9.3 稳压管稳压管IFUF0正向特性反向击穿区UZIminIZmax伏安特性 稳压管是一种特殊的稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管。面接触型半导体二极管。稳压管工作在反向击穿区稳压管工作在反向击穿区稳压管工作在反向击穿区稳压管工作在反向击穿区DZ正极正极正极正极负极符号符号符号符号第24页，本讲稿共52页 稳压二极管：稳压

18、二极管：1.1.必须工作在其反向击穿区，因此其负极接稳定电压的正极。必须工作在其反向击穿区，因此其负极接稳定电压的正极。2.2.需要有限流电阻串联才能输出需要有限流电阻串联才能输出相对稳定相对稳定相对稳定相对稳定的电压的电压UoUo！稳压原理：稳压原理：第25页，本讲稿共52页0 稳压管的主要参数稳压管的主要参数稳压管的主要参数稳压管的主要参数1.稳定电压UZ 2.最小稳定电流最小稳定电流 Imin 3.最大稳定电流最大稳定电流 IZmax4.动态电阻动态电阻 RZIZUZrZ=IZ UZIFUFIminIZmax稳压管的稳压管的伏伏安特性曲线安特性曲线与普通二极与普通二极管的类似，管的类似，

19、但差异在于但差异在于它的反向特它的反向特它的反向特它的反向特性很陡。性很陡。性很陡。性很陡。第26页，本讲稿共52页9.4 9.4 半导体三极管半导体三极管三个区（三个区（N、P、N或或P、N、P）引出三个极引出三个极两个两个PN结结电流放大电流放大和和开关开关作用作用ECB符号第27页，本讲稿共52页1.NPN 型三极管型三极管型三极管型三极管集电区集电区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区NN集电极集电极C基极基极B发射极发射极E 三极管的结构三极管的结构三极管的结构三极管的结构 分类和符号分类和符号分类和符号分类和符号PECB符号第28页，本讲稿共52页集电区集电区集电结集电结基

20、区基区发射结发射结发射区发射区CBEN集电极集电极C发射极发射极E基极基极BNPPN2.PNP型三极管型三极管第29页，本讲稿共52页 三极管结构的特点：三极管结构的特点：集电区集电区集电结集电结集电结集电结基区基区发射结发射结发射结发射结发射区发射区NN集电极集电极C基极基极B发射极发射极EP1.1.基区体积最薄、掺杂浓度最基区体积最薄、掺杂浓度最基区体积最薄、掺杂浓度最基区体积最薄、掺杂浓度最低低低低2.2.发射区掺杂浓度大发射区掺杂浓度大发射区掺杂浓度大发射区掺杂浓度大3.3.集电区体积最大、掺杂浓度集电区体积最大、掺杂浓度集电区体积最大、掺杂浓度集电区体积最大、掺杂浓度低低低低第30页

21、，本讲稿共52页ECRCIC UCECEBUBE共发射极接法放大电路9.4.2 9.4.2 9.4.2 9.4.2 电流分配和放大原理电流分配和放大原理三极管具有电流放三极管具有电流放大作用的外部条件大作用的外部条件:（1 1）发射结正向偏置）发射结正向偏置）发射结正向偏置）发射结正向偏置；（2 2）集电结反向偏置）集电结反向偏置）集电结反向偏置）集电结反向偏置。对于对于NPN型三极管应满足型三极管应满足:UBE 0UBC VB VE对于对于对于对于PNPPNP型三极管应满足型三极管应满足型三极管应满足型三极管应满足:U UEB EB 0 0U UCBCB 0 0即即即即 V VC C V V

22、B B IB同样有同样有:IC IB IC=IB所以说三极管具有电流分配作用所以说三极管具有电流分配作用,也称之为电流放大作用。也称之为电流放大作用。IE=IC+IBIC=IB第33页，本讲稿共52页IBUBE0UCE 1V死区电压1.三极管的输入特性三极管的输入特性发射结的伏安特性发射结的伏安特性IB=f(UBE )UC E =常数9.4.3 9.4.3 三极管的特性曲线三极管的特性曲线第34页，本讲稿共52页I IB B =40A40AIB=60AUCE 0IC IB增加IB 减小IB =20AIB=常数IC =f (UCE)2.三极管的输出特性 iC的大小受的大小受iB控制，控制，同时，

23、在同时，在IB保持不变保持不变的情况下，的情况下，iC的数值的数值随随uCE的增大略有增的增大略有增大。大。第35页，本讲稿共52页iC /mAuCE /V0放大区三极管输出特性上的三个工作区 IB=0 A20A40 A截止区60 A80 A饱饱和和区区（2）截止区：）截止区：IB0的区域，两结反的区域，两结反 偏。严格说，偏。严格说，IE=0,即即ICICBO 的区域，管子基本不导电。的区域，管子基本不导电。（1）放大区：发射结正偏，集电极）放大区：发射结正偏，集电极 反偏。特性曲线的平坦部分。反偏。特性曲线的平坦部分。满足满足 有电流控制作用。有电流控制作用。（3）饱和区：两结正偏，靠近纵

24、轴）饱和区：两结正偏，靠近纵轴 的区域。的区域。IB增加，增加，IC不再增加，不再增加，不受不受IB的控制，的控制，IC只随只随UCE增加增加 而增加。而增加。第36页，本讲稿共52页三极管的三种状态三极管的三种状态1、放大状态：、放大状态：、放大状态：、放大状态：2 2、截止状态：、截止状态：、截止状态：、截止状态：3、饱和状态：、饱和状态：发射结正向导通；集电结反向截止；IB与Ic成正比线性关系：发射结截止；集电结反向截止；IB=0、发射结正向导通；发射结正向导通；发射结正向导通；发射结正向导通；集电结正向导通；集电结正向导通；集电结正向导通；集电结正向导通；I IB B与与与与I Ic

25、c成不成正比线性关系：成不成正比线性关系：成不成正比线性关系：成不成正比线性关系：第37页，本讲稿共52页例题例题例题例题1 1：如测得某三极管正常放大时的三个极的电位值依次为：如测得某三极管正常放大时的三个极的电位值依次为：如测得某三极管正常放大时的三个极的电位值依次为：如测得某三极管正常放大时的三个极的电位值依次为：2.5V2.5V、1.8V1.8V、6.4V6.4V，则其对应的管脚极性依次为，则其对应的管脚极性依次为，则其对应的管脚极性依次为，则其对应的管脚极性依次为 ，该三极管为，该三极管为，该三极管为，该三极管为 型三极管，半导体材料型三极管，半导体材料型三极管，半导体材料型三极管，

26、半导体材料为为为为 。解题思路：解题思路：解题思路：解题思路：1.1.判断管脚判断管脚判断管脚判断管脚：放大区：放大区：放大区：放大区：B B极电位居中，极电位居中，极电位居中，极电位居中，E E极电位接近极电位接近极电位接近极电位接近B B极，极，极，极，C C极电位远离极电位远离极电位远离极电位远离B B、E E极。极。极。极。2.2.判断类型：判断类型：判断类型：判断类型：如如如如C C极电位最高，则是极电位最高，则是极电位最高，则是极电位最高，则是NPNNPN型；如型；如型；如型；如C C极电位最低，极电位最低，极电位最低，极电位最低，则是则是则是则是PNPPNP型。型。型。型。3.3

27、.判断材料判断材料判断材料判断材料：为为为为0.60.60.8V0.8V，是硅管；如为，是硅管；如为，是硅管；如为，是硅管；如为0.20.20.3V,0.3V,是是是是锗管。锗管。锗管。锗管。NPNNPN硅硅硅硅第38页，本讲稿共52页9.4.4 三极管的主要参数三极管的主要参数 1.电流放大系数电流放大系数(1)(1)直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数 (2)(2)交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数 =IC IB 2.穿透电流穿透电流 ICEO 3.集电极最大允许电流集电极最大允许电流 ICM 4.集集-射反向击穿电压射反向击穿电压

28、 U(BR)CEO 5.集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率 PCM极限参数极限参数使用时不允许超过!=IC IB例题例题例题例题2 2：已知某三极管的已知某三极管的Ib=5020A，Ic=2018mA。则该三。则该三极管的极管的=，。第39页，本讲稿共52页60A0 20A1.52.3在输出特性上求 ,=IC IB=1.5mA40A=37.5=IC IB=2.31.5(mA)60 40(A)=40设设UCE=6V,IB由由40A加为加为60A。IC /mAUCE /VIB=40A6第40页，本讲稿共52页0IB=0 A20A40 A60 A80 A由三极管的极限参数确定安全工作区安全

29、工作区过损耗区PCM曲线第9章 9.4IC /mAUCE /VICEOICMU(BR)CEO第41页，本讲稿共52页第9章 复习一、基本概念（用最精炼的语言概括）第9章自我检查复习本征半导体；共价键；载流子；杂质半导体；PN结；导通和截止；死区；电流静、动态放大系数；三极管的截止、放大和饱和；二、基本要求（用最精炼的语言概括）1、掌握半导体的特性；掌握半导体的特性；2、掌握、掌握PN结单向导电性的原理；结单向导电性的原理；3、熟练应用二极管和三极管的特性曲线分析工作转态和趋势；熟练应用二极管和三极管的特性曲线分析工作转态和趋势；熟练应用二极管和三极管的特性曲线分析工作转态和趋势；熟练应用二极管

30、和三极管的特性曲线分析工作转态和趋势；4、掌握稳压管的工作原理；掌握稳压管的工作原理；掌握稳压管的工作原理；掌握稳压管的工作原理；5、掌握二极管和三极管的重要参数的含义；、掌握二极管和三极管的重要参数的含义；第47页，本讲稿共52页1、半导体导电电流与金属导电的本质区别在于：金属导电电流由自由半导体导电电流与金属导电的本质区别在于：金属导电电流由自由电子构成，而半导体的导电电流中除了有自由电子电流外，还有电子构成，而半导体的导电电流中除了有自由电子电流外，还有 电流。电流。2、通常锗管的正向导通压降为通常锗管的正向导通压降为 ；硅管的正向导通电压为；硅管的正向导通电压为 ；3、已知某三极管的已

31、知某三极管的Ib=5020A，Ic=2018mA。则该三极管的。则该三极管的=。4、测得某电路中的某三极管的三只管脚测得某电路中的某三极管的三只管脚a、b、c的电位值分别为的电位值分别为1V1V、1.3V1.3V和和和和8V8V。则该三极管的材料为。则该三极管的材料为 ，管脚的极性分别依次为，管脚的极性分别依次为 ，且该三极管的类型为且该三极管的类型为 。5、N型半导体中的多数载流子为型半导体中的多数载流子为 ，P型半导体中的多数载流子为型半导体中的多数载流子为 。6、向本征半导体中渗入杂质的主要目的在于提高半导体的导电能力。向本征半导体中渗入杂质的主要目的在于提高半导体的导电能力。（）7、半

32、导体元件的温度特性差，其主要原因是当温度上升时，半导体容、半导体元件的温度特性差，其主要原因是当温度上升时，半导体容易被烧坏。易被烧坏。（）8、三极管的极限参数表明了三极管的使用限制。、三极管的极限参数表明了三极管的使用限制。（）9、三极管的、三极管的ICEO越小越好。越小越好。（）第48页，本讲稿共52页选择题选择题1 1、三极管三个三极管三个C C、B B、E E区的掺杂特点是区的掺杂特点是 。A A：C C区的掺杂浓度最大，区的掺杂浓度最大，E E区的掺杂浓最低；区的掺杂浓最低；B B：E E区的掺杂浓度最大，区的掺杂浓度最大，B B区的掺杂浓最低；区的掺杂浓最低；C C：B B区的掺杂

33、浓度最大，区的掺杂浓度最大，C C区的掺杂浓最低区的掺杂浓最低 ；2 2、在半导体材料中，说法正确的是在半导体材料中，说法正确的是 。A A：P P型半导体中的多数载流子是空穴，所以它带正电。型半导体中的多数载流子是空穴，所以它带正电。B B：P P型半导体中的多数载流子是自由电子，所以它带负电。型半导体中的多数载流子是自由电子，所以它带负电。C C：P P型半导体中的多数载流子是空穴，但它不带电。型半导体中的多数载流子是空穴，但它不带电。3 3、一个一个NPNNPN管在电路中正常工作，现测得其管在电路中正常工作，现测得其UBE0 0、UBC0、UCE0，则此管工作在则此管工作在 。A A：饱

34、和区：饱和区 B B：放大区：放大区 C C：截止区：截止区4 4、稳压二极管稳压时，工作在、稳压二极管稳压时，工作在 区。区。A A：正向导通；：正向导通；B B：反向饱和；：反向饱和；C C：反向击穿：反向击穿第49页，本讲稿共52页5 5、测得三极管三个脚的电位分别为：测得三极管三个脚的电位分别为：6v、5.7v、-6v，则三极，则三极管的管脚极性依次为管的管脚极性依次为 。A A：E E、B B、C C；B B：B B、E E、C C；C C：C C、B B、E E；6 6、电路如图所示，设电路如图所示，设D DZ1Z1的稳定电压为的稳定电压为5v5v，D DZ2Z2的稳定电的稳定电

35、压是压是7v7v，在正常的输入电压下，输出电压，在正常的输入电压下，输出电压U U0 0是是 。A A：5v5v；B B：6v6v；C C：7v7v；第50页，本讲稿共52页7、构成、构成PN结正向电流的载流子为结正向电流的载流子为 。A：多数载流子；：多数载流子；B：少数载流子；：少数载流子；C：都有；：都有；8、三极管处于放大区的内部条件为、三极管处于放大区的内部条件为 。A：集电结正向导通，发射结截止；：集电结正向导通，发射结截止；B：集电结截止，发射结正向导通；：集电结截止，发射结正向导通；C：集电结、发射结都正向导通；：集电结、发射结都正向导通；9、三极管处于饱和区的内部条件为、三极管处于饱和区的内部条件为 。A：集电结正向导通，发射结截止；：集电结正向导通，发射结截止；B：集电结截止，发射结正向导通；：集电结截止，发射结正向导通；C：集电结、发射结都正向导通；：集电结、发射结都正向导通；第51页，本讲稿共52页一、怎样用数字万用表测量二极管的材料、正极和管子的好一、怎样用数字万用表测量二极管的材料、正极和管子的好坏？坏？二、用万用表测量二级管的正向电阻时，为什么用二、用万用表测量二级管的正向电阻时，为什么用R100档档测出的电阻小，而用测出的电阻小，而用R1K档测出的电阻大？档测出的电阻大？第52页，本讲稿共52页