[工学]模拟电子第五版康光华 第四章 双极结型三极管及放大电路基础.ppt
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1、工学模拟电子第五版康光华 第四章 双极结型三极管及放大电路基础 Still waters run deep.流静水深流静水深,人静心深人静心深 Where there is life,there is hope。有生命必有希望。有生命必有希望2电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室4.1 BJT4.2 基本共射极放大电路第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.3 放大电路的分析方法4.4 放大电路静态工作点的稳定问题4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路4.6 组合放大电路3电气信息学院电工电子基础教研室电气信
2、息学院电工电子基础教研室本章重点内容第四章 双极结型三极管及放大电路基础1.1.半导体三极管特性半导体三极管特性3.3.放大电路的分析方法放大电路的分析方法4.4.不同放大电路的特点和应用不同放大电路的特点和应用2.2.共射极放大电路的工作原理共射极放大电路的工作原理5.5.放大电路的频率响应的概念放大电路的频率响应的概念本章学习方法:本章学习方法:例题学习法,实验、仿真帮助理解。例题学习法,实验、仿真帮助理解。4电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 BJT 4.1.1 BJT4.1.1 BJT的结构简介的结构简介 4.1.2
3、4.1.2 放大状态下放大状态下BJTBJT的工作原理的工作原理4.1.3 BJT4.1.3 BJT的的V-IV-I特性曲线特性曲线4.1.4 BJT4.1.4 BJT的主要参数的主要参数4.1.4 4.1.4 温度对温度对BJTBJT参数及特性的影响参数及特性的影响5电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.1 BJT的结构简介(a)(a)小功率管小功率管 (b)(b)小功率管小功率管 (c)(c)大功率管大功率管 (d)(d)中功率管中功率管6电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放
4、大电路基础4.1.1 BJT的结构简介(a)NPN(a)NPN型管结构示意图型管结构示意图(b)PNP(b)PNP型管结构示意图型管结构示意图(c)NPN(c)NPN管的电路符号管的电路符号(d)PNP(d)PNP管的电路符号管的电路符号 半导体三极管的结构示半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类意图如图所示。它有两种类型型:NPN:NPN型和型和PNPPNP型。型。7电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.1 BJT的结构简介集成电路中典型集成电路中典型NPNNPN型型BJTBJT的截面图的截面图8电气信息学院电工电子基础
5、教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.2 放大状态下BTJ的工作原理1.BJT内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。过载流子传输体现出来的。外部条件:外部条件:发射结正偏;集电结反偏发射结正偏;集电结反偏放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程发射区:发射载流子发射区:发射载流子集电区:收集载流子集电区:收集载流子基区:传送和控制载流基区:传送和控制载流子(以子(以NPNNPN为例)为例)I IC C=I ICNCN+I ICBO
6、CBOI IE E=I IB B+I IC C由于三极管内有两种载流子由于三极管内有两种载流子(自由电子自由电子和空穴和空穴)参与导电,故称为双极型三极参与导电,故称为双极型三极管或管或BJT(BJT(Bipolar Junction Transistor)。9电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.2 放大状态下BTJ的工作原理2.电流分配关系根据传输过程可知:根据传输过程可知:I IC C=I INCNC+I ICBOCBOI IE E=I IB B+I IC C通常通常 I IC C I ICBOCBO放大状态下放大状态下B
7、JTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程 为电流放大系数。它只与为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一有关,与外加电压无关。一般般 =0.9 0.99。10电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.2 放大状态下BTJ的工作原理2.电流分配关系根据根据IE=IB+IC IC=ICN+ICBO且令且令ICEO=(1+)ICBO(穿透电流)(穿透电流)是另一个电流放大系数。同样,它也只与管子的是另一个电流放大系数。同样,它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一
8、般结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般 1 1。11电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.2 放大状态下BTJ的工作原理3.三极管的三种组态共集电极接法,集电极作为公共电极,用共集电极接法,集电极作为公共电极,用CCCC表示。表示。共基极接法,基极作为公共电极,用共基极接法,基极作为公共电极,用CBCB表示;表示;共发射极接法,发射极作为公共电极,用共发射极接法,发射极作为公共电极,用CECE表示;表示;BJTBJT的三种连接方式(组态)的三种连接方式(组态)12电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研
9、室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.2 放大状态下BTJ的工作原理4.放大作用共基极放大电路共基极放大电路若若 vI=20mV使使 iE=-1 mA,则则 iC=iE =-0.98 mA,v vO O=-=-i iC C R RL L=0.98 V=0.98 V,当当 =0.98 时,时,电压放大倍数:电压放大倍数:13电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.2 放大状态下BTJ的工作原理 综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实发
10、射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。现的。实现这一传输过程的两个条件是:实现这一传输过程的两个条件是:(1 1)内部条件:)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。且基区很薄。(2 2)外部条件:)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。发射结正向偏置,集电结反向偏置。14电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 i iB B=f f(v vBEBE)v vCECE=const=const(2)(2)当当v vCECE1V1V时,时,v
11、vCBCB=v vCECEv vBEBE00,集电结已进入反偏,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,基区复合减少,同样的状态,开始收集电子,基区复合减少,同样的v vBEBE下下,I IB B减减小,特性曲线右移。小,特性曲线右移。(1)(1)当当v vCECE=0V=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线(以共射极放大电路为例)(以共射极放大电路为例)共射极连接共射极连接15电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.3 BJT的V-I 特性曲线2.输出特性曲线i iC C=f
12、f(v vCECE)i iB B=const=const输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域:饱和区:饱和区:i iC C明显受明显受v vCECE控制的区控制的区域,该区域内,一般域,该区域内,一般v vCECE0.7V 0.7V(硅管硅管)。此时,。此时,发射结正偏,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小集电结正偏或反偏电压很小。截止区:截止区:i iC C接近零的区域,相当接近零的区域,相当i iB B=0=0的曲线的下方。此的曲线的下方。此时,时,v vBEBE小于死区电压小于死区电压。放大区:放大区:i iC C平行于平行于v vCECE轴的区域,曲线基本平行等距。此轴的区域,
13、曲线基本平行等距。此时,时,发射结正偏,集电结反偏发射结正偏,集电结反偏。16电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.4 BJT的主要参数1.电流放大系数 (1)(1)共发射极直流电流放大系数共发射极直流电流放大系数 与与iC的关系曲线的关系曲线(2)(2)共发射极交流电流放大系数共发射极交流电流放大系数 =I IC C/I IB B v vCE=const=constBJTBJT特性较平坦时:特性较平坦时:17电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.4 BJT的主要
14、参数1.电流放大系数 (3)(3)共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数 =(ICICBO)/IEIC/IE (4)(4)共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数 =I IC C/I IE E v vCBCB=const=const当当I ICBOCBO和和I ICEOCEO很小时,很小时,、,可以不加区分。,可以不加区分。18电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.4 BJT的主要参数2.极间反向电流(1)(1)集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流I ICBOCBO。发射极开路时,集电结的反向饱和电流。发射
15、极开路时,集电结的反向饱和电流。19电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.4 BJT的主要参数2.极间反向电流(2)(2)集电极发射极间的反向饱和电流集电极发射极间的反向饱和电流I ICEOCEO ICEO=(1+)ICBO 20电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.4 BJT的主要参数3.极限参数(1)(1)集电极最大允许电流集电极最大允许电流I ICMCM(2)(2)集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗P PCMCMP PCMCM=I IC CV VC
16、ECE 21电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.4 BJT的主要参数3.极限参数(3)(3)反向击穿电压反向击穿电压V V(BR)CBO(BR)CBO 发射极开路时的集电结反向击穿电压。发射极开路时的集电结反向击穿电压。V V(BR)EBO(BR)EBO集电极开路时发射结的反向击穿电压。集电极开路时发射结的反向击穿电压。V V(BR)CEO(BR)CEO基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。几个击穿电压有如下关系几个击穿电压有如下关系 V V(BR)CBO(BR)CBOV V(BR)CEO
17、(BR)CEOV V(BR)EBO(BR)EBO22电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响1.温度对BJT参数的影响(1)(1)温度对温度对I ICBOCBO的影响的影响温度每升高温度每升高1010,I ICBOCBO约增加一倍。约增加一倍。(2)(2)温度对温度对 的影响的影响温度每升高温度每升高11,值约增大值约增大0.5%-1%0.5%-1%。(3)(3)温度对反向击穿电压温度对反向击穿电压V V(BR)CBO(BR)CBO、V V(BR)CEO(BR)CEO的影响的影响温度升高时,温度升高
18、时,V V(BR)CBO(BR)CBO和和V V(BR)CEO(BR)CEO都会有所提高。都会有所提高。2.温度对BJT特性曲线的影响23电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室4.1.14.1.1、4.1.34.1.3下次课内容:下次课内容:4.2 4.2 共射级放大电路工作原理共射级放大电路工作原理本次课作业本次课作业 (P185P185):第6次课作业第四章 双极结型三极管及放大电路基础电子技术基础主讲:孙 静模拟部分模拟部分第7讲25电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室本次课主要内容1.1.共射极放大电路工作原理共射极放大电路工作原理2.2.
19、图解分析法图解分析法第四章 双极结型三极管及放大电路基础26电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室4.2共射极放大电路工作原理4.2.1 基本共射极放大电路的组成基本共射极放大电路基本共射极放大电路 发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏第四章 双极结型三极管及放大电路基础27电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理1.静态(直流工作状态)直流工作状态(静态)直流工作状态(静态)输入信号输入信号v vi i0 0时的状态时的状态直流通路直流通路 V VCEQCEQ=V VCCCCI ICQCQR Rc c 第四
20、章 双极结型三极管及放大电路基础28电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理2.动态动态工作情况动态工作情况:输入正弦信号输入正弦信号v vs s后,后,此时,此时,BJTBJT各极电流及电压各极电流及电压都将在静态值的基础上,随都将在静态值的基础上,随输入信号作相应的变化。输入信号作相应的变化。交流通路交流通路 第四章 双极结型三极管及放大电路基础29电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第三章 二极管及其基本电路4.3 放大电路的分析方法4.3.1 4.3.1 图解分析法图解分析法4.3.2 4.3.2 小信
21、号模型分析法小信号模型分析法1.1.静态工作点的图解分析静态工作点的图解分析2.2.动态工作情况的图解分析动态工作情况的图解分析3.3.非线性失真的图解分析非线性失真的图解分析4.4.图解分析法的适用范围图解分析法的适用范围1.BJT1.BJT的的H H参数及小信号模型参数及小信号模型2.2.用用H H参数小信号模型分析基本共射极放大电路参数小信号模型分析基本共射极放大电路3.3.小信号模型分析法的适用范围小信号模型分析法的适用范围30电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.3.1 图解分析法1.静态工作点的图解分析 采用该方法分析静
22、态工作点,必须已知三极管的输采用该方法分析静态工作点,必须已知三极管的输入输出特性曲线。入输出特性曲线。共射极放大电路共射极放大电路31电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.3.1 图解分析法1.静态工作点的图解分析列输出回路方程(直流负载线)列输出回路方程(直流负载线)V VCECE=V VCCCCi iC CR Rc c首先,画出直流通路首先,画出直流通路直流通路直流通路 32电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.3.1 图解分析法1.静态工作点的图解分析 在输出特性
23、曲线上,作出直流负载线在输出特性曲线上,作出直流负载线V VCECE=V VCCCCi iC CR Rc c,与,与I IBQBQ曲线的交点即为曲线的交点即为Q Q点,从而得到点,从而得到V VCEQCEQ和和I ICQCQ。在输入特性曲线上,作出直线在输入特性曲线上,作出直线 ,两线的交点即是两线的交点即是Q Q点,得到点,得到I IBQBQ。33电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.3.1 图解分析法2.动态工作情况的图解分析(1 1)在在BJTBJT的输入特性曲线图上画出的输入特性曲线图上画出v vB EB E 、i iB B
24、的波形的波形静态时:静态时:动态时:动态时:34电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.3.1 图解分析法(2 2)依依i iB B的变化在输出特性曲线上画出的变化在输出特性曲线上画出i iC C和和v vCECE的波形的波形2.动态工作情况的图解分析35电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.3.1 图解分析法(3 3)共射极放大电路中的电压、电流波形共射极放大电路中的电压、电流波形2.动态工作情况的图解分析交、直流共存交、直流共存36电气信息学院电工电子基础教研室电气信息
25、学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.3.1 图解分析法3.静态工作点对波形失真的影响截止失真的波形截止失真的波形 37电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.3.1 图解分析法3.静态工作点对波形失真的影响饱和失真的波形饱和失真的波形38电气信息学院电工电子基础教研室电气信息学院电工电子基础教研室第四章 双极结型三极管及放大电路基础4.3.1 图解分析法4.图解分析法的适用范围幅度较大而工作频率不太高的情况幅度较大而工作频率不太高的情况优点:优点:1.1.直观、形象。有助于理解交、直流共存,静态和直观、形象。
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