4月全国电子技术基础(一)自考试题及答案解析.pdf
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1、精品自学考试资料推荐全国 2019 年 4 月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码:02234一、单项选择题(本大题共15 小题,每小题 2 分,共 30 分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()A本征半导体C杂质浓度B温度D掺杂工艺2理想二极管构成的电路如题2 图所示,则()AV 截止 U010VBV 截止 U03VCV 导通 U010VDV 导通 U06V3某电路中晶体三极管的符号如题3 图,测得各管脚电位标在图上,则该管处在()A放大状态B饱和状态C截止状态D状态不
2、能确定4FET 的转移特性如题 4 图所示,则该管为()AN 沟道耗尽型BN 沟道增强型CP 沟道耗尽型DP 沟道增强型5下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选()A共射组态C共集组态B共基组态D共漏组态6某单级放大电路的通频带为fB1,由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路,其总1精品自学考试资料推荐的通频带fB应是()AfB2fB1CfB12fB1BfB1fB1DfB1fB17若要求放大电路取用信号源的电流小,而且带负载能力强,在放大电路中应引入的负反馈类型为()A电流串联C电流并联A正反馈环节B电压串联D电压并联B稳幅环节D选频网络环节8要想使振荡电路获得
3、单一频率的正弦波,主要是依靠振荡器中的()C基本放大电路环节9在单相桥式整流电路中,变压器次级电压为 10V(有效值),则每只整流二极管承受的最大反向电压为()A10VB102VC10 2VD20V10下列数中,最大的数是()A(3D)16C(65)8B(57)10D(111010)211逻辑函数 FAB CD的反函数为()AF A B(C D)CF A B(C D)BF AB CDDF A B C D12逻辑函数 F(A、B、C)m1+m3+m6+m7,其最简与或表达式为()AFABACCFABBCBFABACDFABBC13逻辑函数 FABABACACDEF 的最简与或式为()AFAACC
4、FABFACDFAB14TTL 集电极开路门构成的电路如题14 图所示,其输出函数F 为()2精品自学考试资料推荐AFABCDEBFABCDECFABCDEDFABCDE15要使 T 触发器 Qn+1=Qn则 T()AQnC1B0DQn二、填空题(本大题共 10 小题,每空 1 分,共 10 分)请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。16PN 结正向偏置时,应该是P 区的电位比 N 区的电位_。17PN 结加正偏导通,加反偏截止,称为PN 结的_性能。18某放大状态的晶体管,知 50,测得其 IE2.04mA,忽略穿透电流,则其IB为_mA。19在放大电路中,若负载电阻RL越大,则
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