华为2016校招·硬件技术工程师机考试题及答案(共3页).docx
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1、精选优质文档-倾情为你奉上1.(判断题)DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1。(4分) A.正确 B.错误FLASH可保存2.(判断题)眼图可以用来分析高速信号的码间干扰、抖动、噪声和衰减。(4分) A.正确 B.错误3.(判断题)以太网交换机将冲突域限制在每个端口,提高了网络性能。(4分) A.正确 B.错误4.(判断题)放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。(4分) A.正确 B.错误5.(判断题)1的8位二进制补码是0000_0001,-1的8
2、位二进制补码是 1111_1111。(4分) A.正确 B.错误6.(判断题)洗衣机,电冰箱等家用电器都使用三孔插座,是因为如果不接地,家用电器是不能工作的。(4分) A.正确 B.错误7.(判断题)十进制数据0x5a与0xa5的同或运算结果为:0x00。(4分) A.正确 B.错误8.(判断题)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大(4分) A.正确 B.错误9.(单选题)一空气平行板电容器,两级间距为d,充电后板间电压为u。然后将电源断开,在平板间平行插入一厚度为d/3的金属板。此时电容器原板间电压变为(4分)&
3、#160;A.U/3 B.2U/3 C.3U/4 D.不变但电容的大小不是由Q(带电量)或U(电压)决定的,即:C=S/4kd。其中,是一个常数, S为电容极板的正对面积, d为电容极板的距离, k则是静电力常量。而常见的平行板电容器电容为C=S/d.(为极板间介质的介电常数, S为极板面积, d为极板间的距离。)3电容器的电势能计算公式: E=CU2/2=QU/210.(单选题)8086CPU内部包括哪些单元(4分) A.ALU,EU B.ALU,BIU C.EU,BIU D.ALU,EU,BIU80x86从功能上分执行单
4、元EU(Execution Unit),和总线接口单元BIU(Bus Interface Unit),执行单元由8个16位通用寄存器,1个16位标志寄存器,1个16位暂存寄存器,1个16位算术逻辑单元ALU及EU控制电路组成。总线接口单元由4个16位段寄存器(CS,DS,SS,ES),1个16位的指令指针寄存器,1个与EU通信的内部暂存器,1个指令队列,1个计算20位物理地址的加法器及总线控制电路构成。11.(单选题)为了避免50Hz的电网电压干扰放大器,应该用那种滤波器:(4分) A.带阻滤波器 B.带通滤波器 C.低通滤波器 D.高通滤波器12.(单
5、选题)关于SRAM和DRAM,下面说话正确的是:(4分) A.SRAM需要定时刷新,否则数据会丢失 B.DRAM使用内部电容来保存信息 C.SRAM的集成度高于DRAM D.只要不掉点,DRAM内的数据不会丢失【解析】SRAM和DRAM都是随机存储器,机器掉电后,两者的信息都将丢失。它们的最大区别就是:DRAM是用电容有无电荷来表示信息0和1,为防止电容漏电而导致读取信息出错,需要周期性地给电容充电,即刷新;而SRAM是利用触发器的两个稳态来表示信息0和1,所以不需要刷新。另外,SRAM的存取速度比DRAM更高,常用作高速缓冲存储器Cache。13.(单
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