《模拟电子技术基础》题库.doc
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1、模拟电子技术基础题库一、填空题1-12( 第一章 )1、杂质半导体有 型和 型之分。2、PN结最重要的特性是_,它是一切半导体器件的基础。3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了_电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN结加的是_电压。4、N型半导体中多数载流子是 ,P型半导体中多数载流子是 ,PN结具有 特性。5、 发射结 偏置,集电结 偏置,则三极管处于饱和状态。6、P型半导体中空穴为 载流子,自由电子为 载流子。7、PN结正偏时 ,反偏时 ,所以PN结具有 导电性。8、反向电流是由 载流子形成,其大小与 有关,而与外加电压 。9、三极管是 控制元件,场效应管是 控制元件。10当温度升
2、高时,三极管的等电极电流I ,发射结压降UBE 。11、晶体三极管具有放大作用时,发射结 ,集电结 。12、漂移电流是 电流,它由 载流子形成,其大小与 有关,而与外加电压 。13-19( 第二章 )13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是_。14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为dB。15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_,有奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_。16、电压负反馈稳定的输出量是_,使输出电阻_,电流负反馈稳定的输出量_,使输出电阻_。17、稳压二极管是利用二极管的
3、_特性工作的。18、晶闸管阳极和阴极间加_,控制极加适当的_,晶闸管才能导通。19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为VRM ,负载电压为VO 。20-26( 第三章 )20、甲类功放的最大缺点是_;21、双极型三极管是 控制器件,场效应管是 控制器件;结型场效应管的栅源极之间必须加 偏置电压,才能正常放大工作。22、 差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V,Ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压Uid为 V,共模输入电压Uic为 V。23、 集成运算放大器在比例运算电路中工作在 区,在比较器中工作在 区。24、 在放大电路中为了提高输入电阻应引入 负反馈,
4、为了降低输出电阻应引入 负反馈。24、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用 负反馈,为了稳定交流输出电流采用 负反馈。25、负反馈放大电路和放大倍数AF= ,对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= 。26、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF= BW,其中BW= , 称为反馈深度。27-36( 第四章 )27、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为 信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为 信号。28、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的 失真,而采用 类互补功率放大器。29、OCL电路是 电源互补功率放大电路;OTL电路是 电源互补功率放大电路。 30、共集电极放大
5、电路具有电压放大倍数 ,输入电阻 ,输出电阻 等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 31、差分放大电路能够抑制 漂移,也称 漂移,所以它广泛应用于 电路中。 32、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为 ,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为。33、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用 负反馈,为了减小输出电阻采用 负反馈。34、负反馈放大电路和放大倍数Af= ,对于深度负反馈Af= 。35、共模信号是大小 ,极性 的两个信号。36、乙类互补功放存在 失真,可以利用 类互补功放来克服。36-12( 第五章 ) 37、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0= ,电路符号是 。38、
6、用低频信号去改变高频信号的频率称为 ,低频信号称为 信号,高频信号称高频 。39、共基极放大电路的高频特性比共射极电路 ,fa= f。40、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有 网络。36-46( 第六章 )36、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是( )。37、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为( ),等效成断开; 38、共集电极放大电路具有电压放大倍数( ),输入电阻( ),输出电阻( )等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。39、现有基本放大电路:共射放大电路 共基放大电路 共集放大电路 共源放大电路一般情况下,上述电路
7、中输入电阻最大的电路是 ,输入电阻最小的电路是 ,输出电阻最小的电路是 ,频带最宽的电路是 ;既能放大电流,又能放大电压的电路是 ;只能放大电流,不能放大电压的电路是 ;只能放大电压,不能放大电流的电路是 。40、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为UBEQ,电流放大系数为,B-E间动态电阻为rbe。填空: 图1 图2(1)静态时,IBQ的表达式为 ,ICQ的表达式为 ,UCEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为 ,输入电阻的表达式为 ,输出电阻的表达式为 (3)若减小RB,则ICQ将 ,rbc将 ,将 ,Ri将 ,Ro将 。当输入电压不变时,RB减小到一定程度,输出将产生
8、失真。41、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以 、 、 和 各为一臂而组成的。42、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为 、 和 三种电路,其中 振荡电路的振荡频率最为稳定。43、为了得到音频信号发生器,应采用 正弦波振蒎电路。44、稳压电源一般由 、 和 三部分电路组成。45、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用 滤波电路,而负载电流较大时应采用 滤波电路。46、为了使输出电压有比较大的调节范围,应采用 稳压电路。47-52( 第七章 )47、用低频信号改变高频信号的相位称为 。低频信号称为 、高频信号称为 。48、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而 。共基极电路比共
9、射极电路高频特性。49、振荡电路的平衡条件是 , 反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。50、在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是 。51、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为 ,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为。52、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0= ,电路符号是 。二、判断题1-8( 第一章 )1、半导体中的空穴带正电。( )2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。( )3、P型半导体带正电,N型半导体带负电。( )4、未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。( )5、稳压管工作在反向击穿状态时,其两端电压恒为Uz。( )6、若晶体管将集电极和发射极
10、互换,则仍有较大的电流放大作用。( )7、增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。( )8、MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。( )9-13( 第二章 )9、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。( )10、对于长尾式差分放大电路,在差模交流通路中,射极电阻RE均可视为短路。( )11、只要将两个晶体管组成复合管就一定能提高管子的输入电阻。( )12、作为输出级的互补电路常采用共射接法。( )13、功率放大电路中,输出功率最大时功放管的管耗也最大。( )14-19( 第三章 )14、零点漂移就是静态工作点的漂移。( )15、产生零点漂移
11、的原因主要是晶体管参数受温度的影响。( )16、只有直接耦合放大电路才有温漂。( )17、差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差;( )共模信号是差分放大电路两个输入端电位之和。( )18、不管差分放大电路的参数是否理想对称,RE均有共模负反馈作用;( )RE越大,抑制温漂能力越强;( )因此,RE可想取多大就取多大。( )19、差分放大电路采用恒流源代替RE是为了增大差模放大倍数。( )20-24( 第四章 )20、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。( )21、利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP型管。( )22、放大电路采用复合管是为了增大放大
12、倍数和输入电阻。( )23、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。( )24、在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数;( )同时,也可增大共模抑制比。( )25-30( 第五章 )25、只有输出与输入反相的放大电路,才可能引入负反馈。( )26、对交流信号有反馈作用的称为交流反馈,对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。( )27、电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。( )28、使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。( )29、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。( )30、负反馈越深,电路的性能越稳定。( )31-36( 第六章 )31、实现运算电路不
13、一定非引入负反馈。( )32、在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。( )33、在深度负反馈条件下,运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压的某种运算。( )34、由集成运放组成的有源滤波电路中一定引入深度负反馈。( )35、电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。( )36、电压比较器将输入模拟信号转换为开关信号。( )37-44( 第七章 )37、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。( )38、同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入,而反相比例运算电路中的集成运放无共模信号输入。( )39、凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。( )40、电压比较器的阈值电
14、压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。( )41、电压比较器输出端限幅电路中的稳压管不一定非加限流电阻不可。( )42、只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。( )43、具有选频网络的放大电路引入正反馈,就将产生正弦波振荡。( )44、在组成正弦波振荡电路时,若没有稳幅环节,则输出电压幅值将为无穷大。( )45-47( 第八章 )45、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与共射放大电路相接就将产生正弦波振荡。( )46、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与共集放大电路相接就将产生正弦波振荡。( )47、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈
15、网络,与两级共射放大电路相接,并引入电压串联负反馈就将产生正弦波振荡。( )48、只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。( )49-51( 第九章 )49、在振荡频率特别高时,应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接法。( )50、正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络,而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。( )51、桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。( )52-55( 第十章 )52、直流稳压电源是能量转换电路,是将交流能量转换成直流能量。( )53、在输出电压平均值相同的情况下,单相半波整流电路和单相桥式整流电路中二极管的平均电流相
16、同。( )54、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。( )55、在电网电压波动和负载电阻变化时,稳压电路的输出电压绝对不变。( )三、选择填空题1-7( 第一章 )1、P型半导体中的多数载流子是 ,N型半导体中的多数载流于是 。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。A.大于 B.等于 C.小于3、室温附近,当温度升高时,杂质半导体中 浓度明显增加。A.载流子 B.多数载流子 C.少数载流子4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管 ,反向饱和电流比锗二极管 。A.大 B.小 C.相等5、温度升高时,二极管在正向电流不变的情况下的正向电
17、压 ,反向电流 。A.增大 B.减小 C.不变6、工作在放大状态的晶体管,流过发射结的是 电流,流过集电结的是 电流。 A.扩散 B.漂移7、当晶体管工作在放大区时,各极电位关系为:NPN管的uC uB uE,PNP管的uC uB uE;工作在饱和区时iC iB;工作在截止区时,若忽略ICBO和ICEO,则iB 0,iC 0。A. B. C.8-13( 第二章 )8、三端集成稳压器CW7812的输出电压是( )。 A、12V B、5V C、9V9、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是( ),该管是( )型。 A、(B、C、E) B、(C、B、
18、E) C、(E、C、B) D、(PNP) E、(NPN)10、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( )失真,下半周失真时为( )失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率11、晶体管通过改变 来控制 ;而场效应管是通过改变 控制 ,是一种 控制器件。A.基极电流 B.栅-源电压 C.集电极电流 D.漏极电流 E.电压 F.电流12、晶体管电流由 形成,而场效应管的电流由 形成。因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 。A.一种载流子 B.两种载流子 C.大 D.小13、JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时 导电沟道,而增强型MOS管则 导电沟道。 A.存在 B.不存在14-20
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