模电期未自测练习填空选择题（A）(共9页).doc

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1、精选优质文档-倾情为你奉上模电自测练习-填空、选择题（A）= 二极管 =*（填空题）*1半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。PN结在 正偏 时导通， 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。PN结具有 单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通 ，加反向电压时，PN结 截止 。导通后，硅管的管压降约为 0.7V ，锗管约为 0.2V 。2本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。3、PN结的正向接法是P型区接电源的正 极，N型区接电源的负 极。P型半导体中的多数载流子是

2、空穴 ，少数载流子是电子。N型半导体中的多数载流子是 电子 、少数载流子是 空穴 。4当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。5整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。8硅稳压二极管的稳压电路是由 限流电阻 、 硅稳压二极管 与 负载电阻 组成。6发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。7光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。8半导体是一种导电能力介于导体 与 绝缘体 之间的物质。半导体按导电类型分为 N 型半导体与 P型半导体。N型半导体主

3、要靠 电子 来导电，P型半导体主要靠 空穴 来导电。半导体中的空穴带 正 电。9、PN结中的内电场阻止多数载流子的 扩散 运动，促进少数载流子的 漂移 运动。10晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。11晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅 两类，按PN结的结构特点可分为 点接触型 和面接触型 两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。12、点接触型晶体二极管因其结电容 小，可用于 高频 和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 大功率 的场合。13、2AP系列晶体二极管是 锗 材料做成的，其工作温度较 低。2P

4、、2系列晶体二极管是 硅材料做成的，其工作温度较 高 。*（选择题）*1. P 型半导体中的多数载流子是  B ， N 型半导体中的多数载流子是 A 。          A. 电子     B. 空穴  C. 正离子      D. 负离子 2. 杂质半导体中少数载流子的浓度  C 本征半导体中载流子浓度。   A. 大于  

5、   B. 等于     C. 小于 3. 室温附近 , 当温度升高时 , 杂质半导体中 C 浓度明显增加。          A. 载流子      B. 多数载流子     C. 少数载流子 4杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。A温度 B掺杂工艺 C掺杂浓度D晶格缺陷5PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。A价电子 B自由

6、电子 C空穴 D杂质离子6. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管B。  A. 大    B. 小    C. 相等 7. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压  B，反向电流 A。          A. 增大     B. 减小     C. 不变 8硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B

7、 )。 A减小 B基本不变 C增大9流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A增大 B基本不变 C减小10变容二极管在电路中主要用作( D )。 A整流 B稳压 C发光 D可变电容器11当 PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （A ）。A.多数载流子; B.少数载流子; C.既有多数载流子又有少数载流子12如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C ）。A.正常;B.已被击穿; C.内部断路13如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B ）。A.正常; B.已被击穿; C.内部断路14晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该二极管

8、处于（A）。A.反偏，B.正偏，C.零偏15当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。 A.增大； B.减小； C.不变16在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关= 三极管 =1晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。硅管以 NPN 型居多，锗管以 PNP 型居多。2晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。3晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。4当温度升高时，晶体管的参数 增大 ，ICBO 增大 ，导通电压UBE 减小 。5

9、某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10A变化到20A时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数约为 99 。6某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过 20 mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30 V。7晶体三极管三个电极分别称为发射极、 基极和 集电 极，它们分别用字母E、 b 和 C 表示。8. 当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为： NPN 管的 uC  > uB  &

10、gt; uE   ,  PNP管的 uC   <   uB  <  uE ；工作在饱和区时 iC  <  iB ；工作在截止区时，若忽略 ICBO 和 ICEO ，则 iB   =    0 ， iC   =   0 。9由晶体三极管的输出特性可知，它存在 截止区、 放大区和饱和区三个区域。

11、为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加正向 电压，集电结须加 反向 电压。10、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做集电结 ，另一个叫做 发射结 。11晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一（内部条件），使发射区的多数载流子浓度高， 集电 区的面积大， 基 区尽可能地薄；第二（外部条件），使 发射 结正向偏置， 集电结反向偏置。12晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是 e=bC 。其中Ic/Ib叫做 直流电流放大系数 ，用字母表示;Ie/Ib叫做 交流电流放大系数 ，用字母表示。13晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 基极

12、电流来控制 集电极 电流的，其实质是以 微小电流控制 较大电流。14硅晶体三极管发射结的导通电压约为0.7，饱和电压降为 0.3 ，锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3,饱和电压降为 0.1V 。15当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加 正向 电压，集电结必定加正向 或零电压。16当晶体三极管的队ce一定时，基极与发射极间的电压be与基极电流b间的关系曲线称为 输入特性曲线 ;当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为 输出特性曲线 。17晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是be

13、的增量和 Ib的增量 的比值。18晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 较差 ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 不稳定 。19 按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极 、 共集极和 共基极三种基本放大电路。20晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 小得多 ，所以硅三极管的 热稳定性 比锗三极管好。1、在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 0.2V 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为0.V时，就认为此二极管为硅二极管。2、NPN型晶体三极管的发射区是 N型半导体，集电区是N型半导体，基区是P 型

14、半导体。3、有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6A。若晶体三极管的直流电流放大系数=50，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 0.12A 。4共发射极电路的输入端由发射极和基极组成，输出端由集电极 和 发射极 组成，它不但具有电流 放大、 电压 放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。5晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以栅极电压控制 漏极电流 的，所以它的输入阻抗很高。6共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为 180° ，这是放大器的重要特征，称为 放大器的倒相作用 。7常用的耦合方

15、式有 阻容耦合 、 变压器耦合和 直接耦合 三种形式。晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用 阻容 耦合电路8放大器的静态是指没有输入信号 时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用 估算 方法确定，也可以用 图解 方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有 Ib 、Ie 和 Uce 。场效应晶体管的静态工作点由 UGS 、 Id 和 UDS 确定。9晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为 电压 放大和 功率 放大两类。10为了使放大器输出波形不失真，除需设置 适当的静态工作点外，还需要采用 稳定工作点 的方法，且输入信号幅度要适中。11在晶体三极管放大电路中，当输入电流一

16、定时，静态工作点设置太低将产生 截止 失真；静态工作点设置太高将产生 饱和 失真。12在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使C的 正 半周及Uce的 负 半周失真；静态工作点设置太低时，会使Ic的 负半周及Uce的 正半周失真。13晶体三极管工作在放大状态时Uce随Ib而变化，如果Ib增加，则Uce将 减小 ；如果Ib减小，则Uce将 增大 。因此，Ib可以起调节电压作用。14在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小b，则静态工作点沿着负载线 上移 ，容易出现 饱和失真；若增大Rb，工作点沿着负载线 下移 ，容易出现 截止 失真。15如果晶体三极管放大器E增大

17、，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线 右移。在晶体三极放大器中RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变 陡 。16对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻 大 些，以减轻信号源的负担，输出电阻 小 些，以增大带动负载的能力。17由于电容具有 隔直流通交流 的作用，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管、e极间总电压的 交流 部分。18为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在 （或直流负载线的中点） 。19、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚、的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（ Si   或

18、 Ge) 、类型（ NPN  或  PNP ）及管脚为哪个极（ e 、 b 或  c ）填入表内。 管号T1T2T3管号T1T2T3管脚电位(V)0.76.23电极名称0610533.7材料类型1放大电路的输入电压Ui10 mV，输出电压U01 V，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB。2放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越 小 ，输入电压也就越 大 ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越 小 ，放大电路的负载能力就越 强 。3共集电极放大电路的输出电压与输入电压 同 相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻 大

19、 ，输出电阻 小 。*（选择题）*1当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（ C ）。A.饱和状态;B.放大状态;C.截止状态2当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（C ）。A.截止状态;B.放大状态;C.饱和状态3当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（ A ）。A.放大状态; B饱和状态；C.截止状态4晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将 （ C ）。A.随基极电流的增加而增加； B.随基极电流的增加而减小，C.与基极电流变化无关，只决定于Uce5当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（C ）。A.反向；B.增大；

20、C.中断6当温度升高时，半导体电阻将（ B ）。A.增大； ，减小 ；C.不变7. 工作在放大状态的晶体管 , 流过发射结的 是 A电流，流过集电结的是 B电流。  A. 扩散  B. 漂移 8. 晶体管电流由     B      形成，而场效应管的电流由     A      形成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管     C&

21、#160;      。               A. 一种载流子     B. 两种载流子     C. 大     D. 小 9. 晶体管通过改变     A      来控制  &

22、#160;   C      ；而场效应管是通过改变     B      控制      D      ，是一种     F     控制器件。         

23、60;   A. 基极电流     B. 栅 - 源电压     C. 集电极电流     D. 漏极电流      E. 电压     F. 电流 10某NPN型管电路中，测得UBE=0 V，UBC= 5 V，则可知管子工作于( C )状态。 A放大 B饱和 C截止 D不能确定11根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。 ANPN型低频

24、小功率硅晶体管 BNPN型高频小功率硅晶体管 CPNP型低频小功率锗晶体管 DNPN型低频大功率硅晶体管12输入( C )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。 A正弦小信号 B低频大信号 C低频小信号 D高频小信号13·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_B_ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数14·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_D_。A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对15、半导体中的载流子为_D_。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴16、N型半导体中的多子是_A_

25、。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子17、P型半导体中的多子是_ B _。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子18、当PN结外加正向电压时，扩散电流_A_漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等与19、当PN结外加反向电压时，扩散电流_ B _漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等于20、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和ui的相位_B。A. 同相B. 反相C.相差90度D. 不确定21、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和uii的相位_A_。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不确定22、既能放大电压，也能放大电流的是_

26、 A _组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定23、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和uii的相位_A。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不确定24、可以放大电压，但不能放大电流的是_C_组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定25、可以放大电流，但不能放大电压的是_ B _ 组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定26、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_ B _组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定27、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最

27、大的是_ B_组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定28、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是_ C _组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定29、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是_B_组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定30、三极管是_D_器件。A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流1测量某放大电路负载开路时输出电压为3 V，接入2 k的负载后，测得输出电压为1 V，则该放大电路的输出电阻为( D )k。 A0.5 B1.0 C2.0 D42为了获得反相电

28、压放大，则应选用(A)放大电路。 A共发射极B共集电极 C共基极 D共栅极3为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入( B )放大电路。 A共发射极 B共集电极 C共基极 D共源极4放大电路如图T31所示，已知RSRD，且电容器容量足够大，则 该放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为( B )。 A u0l = u02 Bu0l = u02 C u0lu02 D u0lu02 5在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（E ）。 A.PNP型的基极；B.PNP型的集电极；C.NPN型的基极； DN PN型的发射极 EPNP型的发射极；FNPN

29、型的基极6在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（ B ）。A.晶体三极管将深度饱和； B晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏7在NPN型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（ A ）。A.晶体三极管将深度饱和；B晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏。8在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（B ）。A.饱和失真；B.截止失真；C.不失真9在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（A ）。A.饱和失真；B.截止失真C.不失真10晶体三极管低频小信号放大器能（A ）。A放大交流信号；B.放大

30、直流信号；C.放大交流与直流信号11在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（ B ）A.偏高；B.偏低；C.适当12画放大器直流通道时，电容应视为（ B ）A.短路；B.开路；C.不变13在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为uo=（ B ）。A. icRc；B. - RciC； C. -IcRc D. IbRc15为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（ A ）。A发射结正偏，集电结正偏； B发时结正偏，集电结反偏；C.发射结正偏，集电结零偏16共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（C ）。A同相位 B.相位差90º C.相位共为10º；

31、D不能确定17在阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C ）。 A.电阻的阻值尽可能小；B.提高输入信号的频率；C.加大电容以减小容抗；D尽可能减小时间常数。18为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（A ）的方法。A.减小Ib B减 小 C.提高Ec的绝对值19为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使Rb电阻值（B ）。A.增大 B.减小；C.不变20如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（C ）。 A.集电极电流减小；B.集电极电压Uce上升；C.集电极电流增大21在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增

32、大时，将使晶体三极管（ B ）。A.集电极电压Uce上升；B.集电极电压Uce下降； C.基极电流不变22在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数( A )。 A.增大； ，减小； C.不变23在室温升高时，晶体三极管电压放大器的电压放大倍数（B ）A.增大；B.减小；C.不变24当交流放大器接上负载后，其交流负载线的斜率( E )。A.由L的大小决定；B.若R的大小不变，则交流负载线的斜率不变；C.因电容具有隔直流作用，所以斜率不变； D由和RL的串联值决定； E由RL和Rc的并联值决定= 场效应管 =1场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 绝缘栅型 或MOS ；根据导电沟道的不同又可分为

33、 N沟道 、 P沟道 两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。由于场效应晶体管几乎不存在 栅流 ，所以其输入直流电阻 很大 。2UGS(off)表示 夹断 电压，IDSS表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。3. 增强型场效应管当其 UGS =0 时不存在导电沟道。JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时    存在   导电沟道，而增强型 MOS 管则     不存在  导电沟道

34、。 4. MOS 管的直流输入电阻比结型场效应管的大 。 5场效应晶体管一般采用 自偏压（或栅极偏压） 和 分压式（或分压式自偏压 两种偏置电路。*（选择题）*25场效应晶体管源极输出器类似于（B ）。A.共发射电路；B.共集电极电路；C.共基极电路26( D )具有不同的低频小信号电路模型。 ANPN型管和PNP型管 B增强型场效应管和耗尽型场效应管 CN沟道场效应管和P沟道场效应管 D晶体管和场效应管27当UGS0时，( B )管不可能工作在恒流区。 AJFET B增强型MOS管 C耗尽型MOS管 DNMOS管28、下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B )。 AN沟道JFET

35、 B增强型PMOS管 C耗尽型NMOS管 D耗尽型PMOS管29、场效应管是利用外加电压产生的_B_来控制漏极电流的大小的。A. 电流 B. 电场 C. 电压30、场效应管是_C_器件。A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流31、结型场效应管利用栅源极间所加的_A_来改变导电沟道的电阻。A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D. 正向电流32、场效应管漏极电流由_ C _的漂移运动形成。A. 少子 B. 电子 C. 多子 D. 两种载流子33、P沟道结型场效应管的夹断电压Up为_A_。 A. 正值 B. 负值 C.uGS   D. 零

36、34、N沟道结型场效应管的夹断电压UP为_B_。 A. 正值 B. 负值 C. 零35、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UP为_ A _。 A. 正值 B. 负值 C. 零36.当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。A.增大B.不变C.减小=直流放大器、差分放大电路=1差分放大电路的输入电压Ui11 V，Ui20.98 V，则它的差模输入电压Uid 0.02 V，共模输入电压UiC 0.99 V。2差分放大电路对 差模 输入信号具有良好的放大作用，对 共模 输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移 很小 。3两级放大电路，第一级电压增益为40 dB

37、，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为 1000 倍，总电压增益为 60 dB。4集成运算放大器输入级一般采用 差分 放大电路，其作用是用来减小 零点漂移 。5理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似 相等，称为 虚短 ；输入电流近似为 0 ，称为虚断 。6集成运算放大器的两输入端分别称为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 反相 ，后者的极性与输出端 同相 。7.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。使输入量减小的反馈是负反馈。引入直流负反馈可以稳定静态工作点。负反馈越深，电路的性能越稳定。 8.同相比例运算放大电路是一个深度的电压串联负反馈

38、电路；反相比例运算放大电路是一个深度的电压并联负反馈电路。9. 参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。10将交流电转换为直流电的过程称为 整流 。把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为 滤波 。11单相整流电路按其电路结构特点来分，有半波整流电路、全波整流电路和桥式 整流电路。12乙类互补对称功放由 NPN 和 PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是 效率高 。1、静态时，让直接耦合放大器的输入端和输出端的工作电位为零电位，其工作电源往往采用正、负两组电源供电。直接耦合放大器的级数愈多，放大倍数愈大，零点漂移会 愈严重 。2所谓温度漂移是环境发生

39、变化，如电源电压 和 温度 等因素的影响而引起漂移。为了有效地抑制零点漂移，多级直流放大器的第一级，均采用 差动式放大电路。3差动式直流放大器的两种输入方式为差模输入 和 共模输入 。评价差动式直流放大器的性能，必须同时考虑它的差模放大能力 和 共模抑制能力 。4单端输入、单端输出的差动式直流放大器中，输入端和输出端的接地状况是输入和输出端各有一端接地。在单端输入、双端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状况是只有一个输入端接地。在双端输入、单端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状况是只有一个输出端接地。在双端输入、双端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状是输入和输

40、出端都没有接地点。5在差动式直流放大器中，RE的作用是 通过电流负反馈来抑制管子的零漂 。RE对 共模信号 呈现很强的负反馈作用；而对差摸信号则无负反馈作用。6比例运算放大器的输出电压和输入电压之比为固定常数。7当直接耦合放大器的输入信号为零时，它的输出电压作缓慢的和不规则的变化，这种现象称为零点漂移。零点漂移大体上可分为时间漂移和温度漂移两大类。8当加在差动式直流放大器两个输入端的信号大小相等和相位相反时，称为差模输入。当加在差动式直流放大器两个输入端的信号大小相等和相位相同时，称为共模输入。9在差动式直流放大器中，典型的共模输入信号来源于温度变化和电源电压波动。10在差动式直流放大器中，常

41、用晶体三极管作恒流源来代替电阻E。11根据反馈的相位不同，可分为 正反馈和 负反馈 两 种，在放大器中主要采用负反馈 ， 正反馈主要用于振荡器。12所谓电压反馈是指反馈电量的大小与输出的电压成正比 。所谓电流反馈是指 反馈电量的大小与输出的电流成正比 。*（选择题）*1直流放大器可放大（C）。A直流信号，B.交流信号；C.从直流信号到一定的工作频率的信号2差动式直流放大器与直耦式直流放大器相比，其主要优点在于（A）。A.有效地抑制零点漂移；B.放大倍数增加；C.输入阻抗增加3差动式直流放大器抑制零点漂移的效果取决于（B）。A.两个晶体三极管的放大倍数；B.两个晶体三极管的对称程度；C.各个晶体

42、三极管的零点漂移4在典型的差动式直流放大器中，E的作用是（B）。A.对差模信号构成负反馈以提高放大器的稳定性； B对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移的能力； CA和在典型的差动放大器中，用恒流源代替E的优点是（B）。A.便于集成化；B.避免辅助电源及EE的电压数值取得太高；C.增加电压放大倍数6直接耦合放大器中，为了保证静态时输入端和输出端的工作电位为零电位，往往采用（ C ）。A正负两级电源供电； B.电位移动电路； C. A及B7在一个三级直接耦合放大器中，如各级的放大倍数均为10，各级自身的漂移输出均为001，即当输入电压为零时，输出端的漂移电压最大为（C ）。 A. 0.03V B

43、. 0.11V C. 1.11V D、0.3V8造成直流放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是（ C ）。A.电源电压的变化；B.电阻、电容数值的变化；C半导体器件参数的变化9 差动式直流放大器以比直接耦合放大器，以多用一个晶体三极管为代价，换取（B ）。A.高的电压放大倍数；B.抑制零点漂移能力， C.电路形成对称 1. 直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越       A          。 A 、严重

44、60;     B 、轻微   C 、和放大倍数无关。 2. 电路的 A d 越大表示        C        ， A C 越大表示        A      ， K CMR 越大表示    B   

45、   。 A 、温漂越大  B 、抑制温漂能力越强    C 、对差模信号的放大能力越强 3. 复合管组成的电路可以     B     。 A 、展宽频带       B 、提高电流放大系数     C 、减小温漂     D 、改变管子类型 4. 由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻   &

46、#160; A     ，而等效的直流电阻     B     。 A 、很大     B 、很小    C 、不太大     D 、等于零 5. 集成运放有    B    个输入端和      A    个输出端。

47、A 、 1   B 、 2    C 、 3 6. 集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过 U Icmax 时，集成运放    A     。 A 、不能正常放大差模信号     B 、输入级放大管将击穿 7、多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都D。A. 大 B. 小C. 宽D.窄8、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_B_。A. 大 B. 小 C. 宽 D. 窄9、多级放大电路的级数愈多则高频

48、附加相移_A_。A. 大 B. 小 C. 宽 D. 窄10某放大器由三级组成，已知每级电压放大倍数为Ku，则总的电压放大倍数为( D )。A.3u； B.Ku C. u2 D.u311选用差分电路的原因是( A )。 A减小温漂 B提高输入电阻 C减小失真 D稳定放大倍数12差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的( D )增大。 A差模电压增益D共模电压增益 C差模输入电阻D共模抑制比*13功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高( B )。 A输出功率 B放大器效率 C放大倍数 D负载能力*14由两管组成的复合管电路如图T32所示，其中等效为PNP型的复合管是( A )。 *15

49、OTL电路负载电阻RL10，电源电压VCC=10 V，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为( B )W。 A10 B，5 C2.5 D1.2510集成运算放大器构成的放大电路如图T33所示，已知集成运算放大器最大输出电压Uom±10 V，ui5 V，则该放大电路的输出电压为( C )V。 A-5 B0 C5 D10=运算放大电路=11、现有电路： A 、反相比例运算电路  B 、同相比例运算电路C 、积分运算电路 D 、微分运算电路，根据下列要求，分别选择一个电路填入空内。（1）为了得到电压放大倍数为 100 的放大电路，应选用   &

50、#160;    B         。 （2）为了得到电压放大倍数为50 的放大电路，应选用       A         。 1、运算电路中一般均引入负反馈。凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。12、本章习题中的集成运放均为理想运放。分别选择“反相”或“同相”填入下列各空内。（1）反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。（2）同相 比例运算电路的输入电阻大，而反相 比例运算电路的输入电阻小。（3）